JP2014229875A - Processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハ、更に詳しくは表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を有する外周余剰領域とを備えたウエーハを加工するための加工装置に関する。 The present invention relates to a wafer such as a semiconductor wafer, more specifically, a device region in which a device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface, and surrounding the device region on the outer periphery. The present invention relates to a processing apparatus for processing a wafer including an outer peripheral surplus region having a chamfered portion.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように複数のデバイスが形成された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of rectangular areas are defined by dividing lines formed in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as IC and LSI are formed in each rectangular area. To do. Individual devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a plurality of devices are formed in this manner along the division line. In order to reduce the size and weight of the device, the semiconductor wafer is usually ground to a predetermined thickness by cutting the semiconductor wafer along the street and dividing it into individual devices.
しかるに、ウエーハはデバイス領域を囲繞する外周余剰領域が設けられ、該外周余剰領域の外周には面取り部が形成されているので、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みまで薄くすると、残存する面取り部が鋭利な所謂ナイフエッジの形態となり、危険であるとともにウエーハを研削している際にナイフエッジから亀裂が入りウエーハが損傷するという問題がある。 However, the wafer is provided with an outer peripheral surplus area surrounding the device area, and a chamfered portion is formed on the outer periphery of the outer peripheral surplus area. Therefore, if the back surface of the wafer is ground and thinned to a predetermined thickness, the remaining chamfer is left. This is a so-called knife edge with a sharp portion, which is dangerous and has a problem that the wafer is cracked when the wafer is ground and the wafer is damaged.
このような問題を解消するために、ウエーハの面取り部を切削して除去し、面取り部が除去されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成するウエーハの加工方法が下記特許文献1に開示されている。 In order to solve such problems, a wafer processing method in which a chamfered portion of a wafer is cut and removed, and a back surface of the wafer from which the chamfered portion is removed is ground to a predetermined thickness is disclosed in Patent Document 1 below. It is disclosed.
また、ウエーハの裏面を研削する際、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより剛性を有するウエーハを形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割する際に環状の補強部を切断するウエーハの加工方法が下記特許文献2に開示されている。
In addition, when grinding the back surface of the wafer, the region corresponding to the device region on the back surface of the wafer is ground to form the thickness of the device region to a predetermined finished thickness, and the outer peripheral portion on the back surface of the wafer is left.
而して、特許文献1および特許文献2に記載されたウエーハの加工方法においては、ウエーハの輪郭を的確に検出する必要があるが、ウエーハの外周には面取り部が形成されているため、面取り部において光の乱反射が生じてウエーハの輪郭を的確に検出することができないという問題がある。
Thus, in the wafer processing methods described in Patent Document 1 and
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの輪郭を的確に検出することができる機能を備えた加工装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a processing apparatus having a function capable of accurately detecting the contour of a wafer.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を有する外周余剰領域とを備えたウエーハを加工するための加工装置であって、
ウエーハを保持する保持面を備えた回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの外周部を上側から撮像する撮像手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの外周部に加工を施す加工手段と、該チャックテーブルを該撮像手段による撮像領域と該加工手段による加工領域とを結ぶX軸方向に移動せしめるX軸方向移動手段と、該チャックテーブルと該加工手段とをX軸方向と直交するY軸方向に移動せしめるY軸方向移動手段と、を具備し、
該チャックテーブルには、ウエーハを該保持面に保持した際にウエーハの外周部に下側から光を照射して外周の輪郭を明確にする照明手段が設けられている、
ことを特徴とする加工装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a device region in which a device is formed in a plurality of regions defined by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface and the device region are surrounded. A processing device for processing a wafer provided with an outer peripheral surplus region having a chamfered portion on the outer periphery,
A rotatable chuck table having a holding surface for holding a wafer, imaging means for imaging the outer peripheral portion of the wafer held by the chuck table from above, and processing the outer peripheral portion of the wafer held by the chuck table Machining means to be applied, X-axis direction moving means for moving the chuck table in the X-axis direction connecting the imaging area by the imaging means and the machining area by the machining means, and the chuck table and the machining means to the X-axis direction Y-axis direction moving means for moving in the Y-axis direction orthogonal to
The chuck table is provided with illumination means for irradiating light from below to the outer peripheral portion of the wafer when the wafer is held on the holding surface to clarify the outer contour.
The processing apparatus characterized by this is provided.
本発明による加工装置は、ウエーハを保持する保持面を備えた回転可能なチャックテーブルには、ウエーハを該保持面に保持した際にウエーハの外周部に下側から光を照射して外周の輪郭を明確にする照明手段が設けられているので、ウエーハの外周部を上側から撮像する撮像手段はウエーハの外周縁の輪郭を的確に捉えることができ、従って、外周に面取り部を有するウエーハであっても外周部を確実に切断することができる。 In the processing apparatus according to the present invention, a rotatable chuck table having a holding surface for holding a wafer is irradiated with light from below on the outer periphery of the wafer when the wafer is held on the holding surface. Therefore, the imaging means for imaging the outer peripheral portion of the wafer from the upper side can accurately grasp the outline of the outer peripheral edge of the wafer, and therefore the wafer has a chamfered portion on the outer periphery. However, the outer peripheral portion can be reliably cut.
以下、本発明によって構成された加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a processing apparatus constructed according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
図1には、本発明によって構成された加工装置としての切削装置の斜視図が示されている。
図1に示された切削装置1は、基台2を具備している。この基台2上には、被加工物を保持し矢印Xで示すX軸方向に移動せしめるチャックテーブル機構3が配設されている。
FIG. 1 shows a perspective view of a cutting apparatus as a processing apparatus constructed according to the present invention.
The cutting device 1 shown in FIG. 1 includes a
図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、基台2の上面に配設された一対の案内レール31、31を備えている。この一対の案内レール31、31は、後述する撮像領域と加工領域とを結ぶ図1において矢印Xで示すX軸方向に沿って互いに平行に延設されている。この一対の案内レール31、31上には、チャックテーブル支持基台32が移動可能に配設されている。即ち、チャックテーブル支持基台32には一対の被案内溝321、321が設けられており、この被案内溝321、321を一対の案内レール31、31に嵌合することにより、チャックテーブル支持基台32は一対の案内レール31、31に沿って移動可能に構成される。
The
チャックテーブル支持基台32上には円筒部材33が配設され、この円筒部材33の上端にチャックテーブル34が回転可能に配設されている。また、円筒部材33の上端部には、チャックテーブル34を挿通する穴を有しチャックテーブル支持基台32を覆うカバー部材35が配設されている。
A
チャックテーブル34はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、図2に示すように被加工物であるウエーハを保持する被加工物保持領域340を備えている。被加工物保持領域340の上面である保持面には上方が開放された嵌合穴341が形成されており、この嵌合穴341にポーラスセラミックス等の多孔性材料によって形成された吸着チャック342が嵌合される。上記嵌合穴341の底面には吸引通路341aが開口されており、この吸引通路341aが図示しない吸引手段に連通されている。なお、上記被加工物保持領域340の外径は、後述する被加工物としてのウエーハの外径より僅かに(3〜5mm)小さく形成されている。このように被加工物保持領域340を備えたチャックテーブル34には、被加工物保持領域340の外側周囲にウエーハを保持面に保持した際にウエーハの外周部に下側から光を照射して外周の輪郭を明確にする照明手段343が設けられている。この照明手段343は、被加工物保持領域340の外側周囲に段差を設けて形成された環状の発光手段装着部344と、該の環状の発光手段装着部344に配設された発光手段345と、該発光手段345を埋設するように配設された透明樹脂カバー346によって構成されている。発光手段345は、図示の実施形態においてはLED345aからなっており、図示しない点灯回路に接続されている。なお、発光手段345としては、図3に示すように有機EL345bや図4に示すように硫化亜鉛系またはアルミン酸系ストロンチウム系からなる蓄光体345cを用いることができる。このように構成されたチャックテーブル34は、被加工物保持領域340上に被加工物であるウエーハを載置し、図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル34は、図1に示す円筒部材33内に配設されたパルスモータ330によって回転せしめられる。
The chuck table 34 is formed of a metal material such as stainless steel, and includes a
図1に基づいて説明を続けると、図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、チャックテーブル34を一対の案内レール31、31に沿って図1において矢印Xで示すX軸方向に移動させるためのX軸方向移動手段36を備えている。X軸方向移動手段36は、一対の案内レール31、31の間に平行に配設された雄ネジロッド361と、雄ネジロッド361の一端部を回転可能に支持する軸受362と、雄ネジロッド361の他端に連結され該雄ネジロッド361を正転または逆転駆動するパルスモータ363とからなっている。このように構成されたX軸方向移動手段36は、雄ネジロッド361が上記チャックテーブル支持基台32に形成された雌ネジ322に螺合される。従って、X軸方向移動手段36は、パルスモータ363を駆動して雄ネジロッド361を正転または逆転駆動することにより、上記チャックテーブル支持基台32に配設されたチャックテーブル34を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動することができる。
1, the
図示の実施形態における切削装置1は、上記一対の案内レール31、31を跨いでX軸方向と直交する矢印Yで示すY軸方向に沿って配設された門型の支持フレーム4を備えている。この支持フレーム4は、一対の案内レール31、31に沿って移動可能に配設されたチャックテーブル34の移動を許容する開口40が設けられており、その前面4aには一対の案内レール41、41がY軸方向に沿って配設されている。このように構成された支持フレーム4の前面4aの上部に切削手段5が配設されている。切削手段5は、Y軸方向移動基台51とZ軸方向移動基台52およびスピンドルユニット6を具備している。Y軸方向移動基台51は、後面51bに上記支持フレーム4に設けられた一対の案内レール41、41と嵌合する被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を一対の案内レール41、41に嵌合することにより一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動可能に構成される。なお、Y軸方向移動基台51の前面51aには、上記チャックテーブル34の保持面に対して垂直な矢印Zで示す切り込み送り方向(Z軸方向)に沿って一対の案内レール512、512が設けられている。このように構成されたY軸方向移動基台51は、Y軸方向移動手段53によって一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動せしめられる。Y軸方向移動手段53は、一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド531と、雄ネジロッド531の一端部を回転可能に支持する軸受532と、雄ネジロッド531の他端に連結され該雄ネジロッド531を正転または逆転駆動するパルスモータ533とからなっている。このように構成されたY軸方向移動手段53は、雄ネジロッド531がY軸方向移動基台51の後面に突出して設けられた突出部に形成された雌ネジ(図示せず)に螺合される。従って、Y軸方向移動手段53は、パルスモータ533を駆動して雄ネジロッド531を正転または逆転駆動することにより、Y軸方向移動基台51上を一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動することができる。
The cutting device 1 in the illustrated embodiment includes a gate-shaped support frame 4 disposed along the Y-axis direction indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction across the pair of
上記Z軸方向移動基台52は、後面52bに上記Y軸方向移動基台51の前面51aに設けられた一対の案内レール512、512と嵌合する被案内溝521、521が設けられており、この被案内溝521、521を一対の案内レール512、512に嵌合することにより一対の案内レール512、512に沿って切り込み送り方向であるZ軸方向に移動可能に構成される。このように構成されたZ軸方向移動基台52は、Z軸方向移動手段54によって一対の案内レール512、512に沿ってZ軸方向に移動せしめられる。Z軸方向移動手段54は、一対の案内レール512、512の間に平行に配設された雄ネジロッド541と、雄ネジロッド541の一端部を回転可能に支持する軸受(図示せず)と、雄ネジロッド541の他端に連結され該雄ネジロッド541を正転または逆転駆動するパルスモータ543とからなっている。このように構成されたZ軸方向移動手段54は、雄ネジロッド541がZ軸方向移動基台52の後面に突出して設けられた突出部に形成された雌ネジ(図示せず)に螺合される。従って、Z軸方向移動手段54は、それぞれパルスモータ543を駆動して雄ネジロッド541を正転または逆転駆動することにより、Z軸方向移動基台52上を一対の案内レール512、512に沿ってZ軸方向に移動することができる。
The Z-axis
上記Z軸方向移動基台52の前面52aには、スピンドルユニット6を支持するためのスピンドルユニット支持部材55が装着されている。このスピンドルユニット支持部材55はL字状に形成され、取り付け部551と、該取り付け部551の下端から直角に水平に延びる支持部552とからなっている。このように構成されたスピンドルユニット支持部材55は、取り付け部551がZ軸方向移動基台52の前面52aに取り付けられる。取り付け部551は、Z軸方向に長い4個の長穴551aが設けられており、この4個の長穴551aをそれぞれ挿通して配設された締結ボルト553によってZ軸方向移動基台52の前面52aに取り付けられる。また、スピンドルユニット支持部材55を構成する支持部552にはX軸方向に長い4個の長穴552aが設けられており、この4個の長穴552aをそれぞれ挿通して配設された締結ボルト554によって支持部552の下面に切削手段としてのスピンドルユニット6のユニットハウジング61を装着する。
A spindle
上述したようにスピンドルユニット支持部材55を構成する支持部552の下面に装着されたスピンドルユニット6は、上記支持部552の下面に装着されるユニットハウジング61と、該ユニットハウジング61に回転自在に支持された回転スピンドル62と、該回転スピンドル62の前端部に装着される切削ブレード63とによって構成されている。なお、回転スピンドル62は、サーボモータ64によって回転駆動されるように構成されている。以上のように構成されたスピンドルユニット6は、切削ブレード63を装着する回転スピンドル62の軸心がX軸方向と直交するY軸方向に沿って配設されているとともに、回転スピンドル62がチャックテーブル34の上面である保持面に対して垂直なZ軸方向と直交して配設されていることが重要である。
As described above, the
図示の実施形態における切削装置1は、チャックテーブル34が図1に示す被加工物搬入・搬出位置および撮像領域に位置付けられた状態において、チャックテーブル34の上面である保持面に保持された被加工物であるウエーハの外周部を上側から撮像する撮像手段7を具備している。この撮像手段7は、光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子(CCD)等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。 The cutting apparatus 1 in the illustrated embodiment has a workpiece held on a holding surface which is an upper surface of the chuck table 34 in a state where the chuck table 34 is positioned in the workpiece loading / unloading position and the imaging region shown in FIG. An image pickup means 7 is provided for picking up an image of the outer peripheral portion of the wafer, which is an object, from above. The image pickup means 7 includes an image pickup device (CCD) for picking up an image captured by the optical system, and sends the picked-up image signal to a control means described later.
また、図示の実施形態における切削装置1は、図5に示す制御手段8を具備している。制御手段8はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)81と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)82と、後述する制御マップや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)83と、入力インターフェース84および出力インターフェース85とを備えている。制御手段8の入力インターフェース84には、上記撮像手段7等から検出信号が入力される。そして、制御手段8の出力インターフェース85からは、上記チャックテーブル34を回転駆動するパルスモータ330、X軸方向移動手段36のパルスモータ363、Y軸方向移動手段53のパルスモータ533、Z軸方向移動手段54のパルスモータ543、切削ブレード63を装着する回転スピンドル62を回転駆動するサーボモータ64等に制御信号を出力する。
Further, the cutting device 1 in the illustrated embodiment includes a control means 8 shown in FIG. The control means 8 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, a control map, a calculation result, etc. described later. A readable / writable random access memory (RAM) 83, an
図示の実施形態における切削装置1は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図6の(a)および(b)には、ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図6の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが700μm、直径が200mmのシリコンウエーハからなり、表面10aに複数のストリート101が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。このように形成される半導体ウエーハ10は、複数のデバイス102が形成されるデバイス領域120と、該デバイス領域120を囲繞する外周余剰領域130を備えている。また、外周余剰領域130の外周端部には、不用意に受ける衝撃によって割れや欠けが発生することを防ぐために、図6の (b)に示すように表面10aから裏面10bにわたって断面形状が円弧面をなす面取り部131が形成されている。
The cutting device 1 in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
6A and 6B are perspective views of a semiconductor wafer as a wafer. A
上記半導体ウエーハ10を所定の厚み(例えば、100μm)に形成するには、先ず半導体ウエーハ10の表面10aに形成されたデバイス102を保護するために、図7の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに塩化ビニール等からなる保護テープTを貼着する(保護テープ貼着工程)。
In order to form the
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、図8に示すようにチャックテーブル34上に半導体ウエーハ10の保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ10をチャックテーブル34上に保護テープTを介して保持する(ウエーハの保持工程)。従って、チャックテーブル34上に保持された半導体ウエーハ10は、裏面10bが上側となる。このとき、半導体ウエーハ10の外周部の一部が被加工物保持領域340から突出して環状の発光手段装着部344の上側に位置付けられる。このウエーハの保持工程が実施された状態においては、図8に示すように半導体ウエーハ10の外周部が撮像手段7の直下に位置付けられる。
If the above-described protective tape attaching step is performed, the protective tape T side of the
上述したウエーハの保持工程を実施したならば、LED345aからなる発光手段345を点灯して半導体ウエーハ10の外周部を下側から照明する。従って、半導体ウエーハ10の外周部の直上に配設された撮像手段7は、半導体ウエーハ10の外周縁の輪郭を的確に捉えることができる。次に、撮像手段7を作動して半導体ウエーハ10の外周縁上の任意の三点を撮像して撮像信号を制御手段8に送る。制御手段8は、撮像手段7から送られた撮像信号に基づいて半導体ウエーハ10の外周縁上の任意の三点の座標を求め、この三点の座標に基づいて半導体ウエーハ10の中心位置の座標を求める。そして、制御手段8は、上記特開平2006−93333号公報に記載された方法によって半導体ウエーハ10の中心位置とチャックテーブル34の回転中心との位置ズレを算出し、この位置ズレ量をランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納する(位置ズレ算出工程)。
When the wafer holding step described above is performed, the light emitting means 345 including the
上述したように位置ズレ算出工程を実施したならば、半導体ウエーハ10を保持したチャックテーブル34を切削領域に移動する。そして、切削手段としてのスピンドルユニット6の切削ブレード63を図9の(a)において2点鎖線で示すようにチャックテーブル34に保持された半導体ウエーハ10の外周余剰領域130における面取り部131とデバイス領域120との間の所定位置(例えば、半導体ウエーハ10の外周縁から2mmの位置)の直上に位置付ける。そして、上記サーボモータ64を作動して図9の(a)に示すように切削ブレード63を矢印63aで示す方向に回転しつつ2点鎖線で示す待機位置からZ軸方向移動手段54のパルスモータ543を作動して下方に切り込み送りし、実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード63の外周縁が保護テープTに達する位置に設定されている。
When the positional deviation calculation step is performed as described above, the chuck table 34 holding the
次に、上述したように切削ブレード63を矢印63aで示す方向に回転しつつ上記パルスモータ330を作動してチャックテーブル34を図9の(a)において矢印34aで示す方向に所定の回転速度(例えば、1度/秒)で回転せしめる(面取り部分離工程)。この面取り部分離工程において制御手段8は、上記特開平2006−93333号公報に記載された方法のように、ランダムアクセスメモリ(RAM)83に格納された上記位置ズレ量とチャックテーブル34の回転角度(パルスモータ330に印可する駆動パルス数によって求める)とに基づいて、Y軸方向移動手段53のパルスモータ533を制御しスピンドルユニット6をY軸方向に移動せしめる。そして、チャックテーブル34が1回転することにより、図9の(b)に示すように半導体ウエーハ10は外周余剰領域130における面取り部131とデバイス領域120との間の所定位置に沿って形成される環状切削溝140によって切断され、面取り部131が分離される。この面取り部分離工程においては、上述したように半導体ウエーハ10の中心位置とチャックテーブル34の回転中心との位置ズレに対応してスピンドルユニット6をY軸方向に移動せしめるので、半導体ウエーハ10の外周部を半導体ウエーハ10の中心位置から略同一の距離で周方向に切断される。
Next, as described above, the
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては半導体ウエーハ10の中心位置とチャックテーブル34の回転中心との位置ズレを算出し、この位置ズレ量とチャックテーブル34の回転角度とに基づいて、Y軸方向移動手段53のパルスモータ533を制御しスピンドルユニット6をY軸方向に移動せしめる例を示したが、チャックテーブル34に保持された半導体ウエーハ10の外周部を撮像手段7によって撮像しつつチャックテーブル34を1回転することにより、半導体ウエーハ10の外周縁のチャックテーブル34の回転中心からのY軸方向の変位量を求め、このY軸方向の変位量に基づいてY軸方向移動手段53のパルスモータ533を制御しスピンドルユニット6をY軸方向に移動せしめるようにしてもよい。
また、上述した図示の実施形態においては本発明を切削装置に適用した例を示したが、本発明はレーザー加工装置等の他の加工装置に適用することができる。
Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, in the illustrated embodiment, a positional deviation between the center position of the
Moreover, although the example which applied this invention to the cutting device was shown in embodiment of illustration shown above, this invention is applicable to other processing apparatuses, such as a laser processing apparatus.
1:切削装置
2:基台
3:チャックテーブル機構
32:チャックテーブル支持基台
34:チャックテーブル
36:X軸方向移動手段
4:支持フレーム
5:切削手段
51:Y軸方向移動基台
52:Z軸方向移動基台
53:Y軸方向移動手段
54:Z軸方向移動手段
55:スピンドルユニット支持部材
6:スピンドルユニット
61:ユニットハウジング
62:回転スピンドル
63:切削ブレード
64:サーボモータ
7:撮像手段
8:制御手段
10:半導体ウエーハ
1: Cutting device 2: Base 3: Chuck table mechanism 32: Chuck table support base 34: Chuck table 36: X-axis direction moving means 4: Support frame 5: Cutting means 51: Y-axis direction moving base 52: Z Axial direction moving base 53: Y axis direction moving means 54: Z axis direction moving means 55: Spindle unit support member 6: Spindle unit 61: Unit housing 62: Rotating spindle 63: Cutting blade 64: Servo motor 7: Imaging means 8 : Control means 10: Semiconductor wafer
Claims (1)
ウエーハを保持する保持面を備えた回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの外周部を上側から撮像する撮像手段と、該チャックテーブルに保持されたウエーハの外周部に加工を施す加工手段と、該チャックテーブルを該撮像手段による撮像領域と該加工手段による加工領域とを結ぶX軸方向に移動せしめるX軸方向移動手段と、該チャックテーブルと該加工手段とをX軸方向と直交するY軸方向に移動せしめるY軸方向移動手段と、を具備し、
該チャックテーブルには、ウエーハを該保持面に保持した際にウエーハの外周部に下側から光を照射して外周の輪郭を明確にする照明手段が設けられている、
ことを特徴とする加工装置。 A wafer comprising a device region in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice shape on the surface, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region and having a chamfered portion on the outer periphery. A processing device for processing,
A rotatable chuck table having a holding surface for holding a wafer, imaging means for imaging the outer peripheral portion of the wafer held by the chuck table from above, and processing the outer peripheral portion of the wafer held by the chuck table Machining means to be applied, X-axis direction moving means for moving the chuck table in the X-axis direction connecting the imaging area by the imaging means and the machining area by the machining means, and the chuck table and the machining means to the X-axis direction Y-axis direction moving means for moving in the Y-axis direction orthogonal to
The chuck table is provided with illumination means for irradiating light from below to the outer peripheral portion of the wafer when the wafer is held on the holding surface to clarify the outer contour.
A processing apparatus characterized by that.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016213353A (en) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 株式会社ディスコ | Chuck table |
KR20170115439A (en) * | 2016-04-07 | 2017-10-17 | 가부시기가이샤 디스코 | Machining method |
JP2019192854A (en) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | Holding table and processing apparatus |
JP2020181952A (en) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社ディスコ | Chuck table and manufacturing method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302676A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Wafer foreign matter inspecting apparatus |
JP2001004341A (en) * | 1999-06-16 | 2001-01-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Wafer shape measuring device |
JP2012238658A (en) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer chamfering part removal device |
-
2013
- 2013-05-27 JP JP2013111174A patent/JP2014229875A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302676A (en) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Wafer foreign matter inspecting apparatus |
JP2001004341A (en) * | 1999-06-16 | 2001-01-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Wafer shape measuring device |
JP2012238658A (en) * | 2011-05-10 | 2012-12-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer chamfering part removal device |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016213353A (en) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 株式会社ディスコ | Chuck table |
KR20170115439A (en) * | 2016-04-07 | 2017-10-17 | 가부시기가이샤 디스코 | Machining method |
KR102314055B1 (en) | 2016-04-07 | 2021-10-15 | 가부시기가이샤 디스코 | Machining method |
JP2019192854A (en) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 株式会社ディスコ | Holding table and processing apparatus |
JP7144964B2 (en) | 2018-04-27 | 2022-09-30 | 株式会社ディスコ | Wafer grinding method |
JP2020181952A (en) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 株式会社ディスコ | Chuck table and manufacturing method thereof |
JP7266456B2 (en) | 2019-04-26 | 2023-04-28 | 株式会社ディスコ | CHUCK TABLE AND CHUCK TABLE MANUFACTURING METHOD |
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