KR102186214B1 - Center detection method for wafer in processing equipment - Google Patents

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Abstract

본 발명은 동일 종류의 웨이퍼의 중심을 용이하게 검출할 수 있는 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
첫번째 장의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는, 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 그 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과, 웨이퍼의 외주 가장자리에서의 촬상 수단에 의해 촬상된 3개 포인트의 좌표치로부터 웨이퍼의 중심의 좌표치를 구하는 중심 좌표 검출 공정과, 웨이퍼의 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상 수단에 의해 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과, 특징 패턴 촬상 공정에 의해 촬상된 특징 패턴과 중심 좌표 검출 공정에 의해 구해진 웨이퍼의 중심의 좌표치의 위치 관계 정보를 생성하는 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시하고, 두번째 장 이후의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는, 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 그 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과, 웨이퍼의 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상 수단에 의해 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과, 촬상 공정에 있어서 촬상된 특징 패턴의 위치와 메모리에 저장된 위치 관계 정보에 기초하여 웨이퍼의 중심을 구하는 웨이퍼 중심 위치 결정 공정을 포함한다.An object of the present invention is to provide a method for detecting the center of a wafer in a processing apparatus capable of easily detecting the center of a wafer of the same type.
When detecting the center of the first wafer, the characteristic pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and the line to be divided formed on the wafer is processed in the processing transfer direction (X-axis direction) based on the captured image signal. ), a wafer position setting step of positioning parallel to the wafer, a center coordinate detection step of obtaining the coordinate values of the center of the wafer from the coordinate values of the three points captured by the imaging means at the outer peripheral edge of the wafer, and a characteristic pattern of the wafer. A feature pattern imaging process that captures an area to be imaged by an imaging means, and a coordinate position relationship generation process that generates positional relationship information of the coordinate values of the center of the wafer obtained by the feature pattern imaged by the feature pattern imaging process and the center coordinate detection process And when detecting the center of the second and subsequent wafers, the feature pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and the line to be divided formed on the wafer is processed based on the captured image signal. A wafer positioning process for positioning parallel to the transfer direction (X-axis direction), a feature pattern imaging process for imaging a region containing a characteristic pattern of the wafer by an imaging means, and a location of a feature pattern imaged in the imaging process And a wafer center positioning step of obtaining the center of the wafer based on the positional relationship information stored in the memory.

Description

가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법{CENTER DETECTION METHOD FOR WAFER IN PROCESSING EQUIPMENT}Detecting the center of a wafer in a processing device {CENTER DETECTION METHOD FOR WAFER IN PROCESSING EQUIPMENT}

본 발명은, 가공 장치의 척테이블에 유지된 웨이퍼의 중심을 검출하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for detecting the center of a wafer held on a chuck table of a processing apparatus.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어, 대략 원판형상인 반도체 기판의 표면에 격자형으로 형성된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 디바이스를 제조하고 있다. 또한, 사파이어 기판의 표면에 포토 다이오드 등의 수광 소자나 레이저 다이오드 등의 발광 소자 등이 적층된 광디바이스 웨이퍼도 분할 예정 라인을 따라서 절단함으로써 개개의 포토 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스로 분할되어, 전기 기기에 널리 이용되고 있다.In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by a line to be divided in a lattice shape on the surface of a semiconductor substrate having a substantially disk shape, and devices such as ICs and LSIs are formed in the divided regions. Then, the semiconductor wafer is cut along the line to be divided, thereby dividing the region in which the device is formed to manufacture individual devices. In addition, optical device wafers in which light-receiving elements such as photodiodes and light-emitting elements such as laser diodes are stacked on the surface of the sapphire substrate are also divided into optical devices such as individual photodiodes and laser diodes by cutting along the line to be divided. It is widely used in electrical equipment.

전술한 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따른 절단은, 절삭 장치나 레이저 가공 장치에 의해 행해지고 있다. 절삭 장치나 레이저 가공 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 절삭 가공 또는 레이저 가공을 하는 가공 수단과, 척테이블과 가공 수단을 상대적으로 가공 이송 방향으로 이동시키는 가공 이송 수단을 구비하고 있다.The above-described cutting of the wafer along the line to be divided is performed by a cutting device or a laser processing device. A cutting device or a laser processing device includes a chuck table for holding a wafer, a processing means for cutting or laser processing a wafer held on the chuck table, and a processing for relatively moving the chuck table and the processing means in the processing transfer direction. It is equipped with a conveying means.

전술한 절삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 가공 장치에 의해 척테이블에 유지된 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 가공하기 위해서는, 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성되어 있는 분할 예정 라인이 가공 이송 방향과 평행해지도록 위치 설정하는 얼라이먼트 작업이 실시된다. 이 얼라이먼트 작업은, 촬상 수단에 의해 웨이퍼를 촬상하고, 각 디바이스에 형성되어 분할 예정 라인과 설계상 미리 정해진 위치 관계를 갖는 특징 패턴의 패턴 매칭에 의해 가공 이송 방향의 2개의 특징 패턴을 검출하고, 분할 예정 라인이 가공 이송 방향과 평행하게 되어 있는지 여부를 확인하여, 분할 예정 라인이 가공 이송 방향과 평행해지도록 척테이블을 회동 조정한다(예컨대 특허문헌 1 참조).In order to process the wafer held on the chuck table along the line to be divided by the processing equipment such as the above-described cutting device or laser processing device, the line to be divided formed on the wafer held on the chuck table is parallel to the processing transfer direction. Alignment work is carried out to set the position so that it is located. In this alignment operation, the wafer is imaged by an imaging means, and two feature patterns in the processing transfer direction are detected by pattern matching of a feature pattern formed on each device and having a predetermined positional relationship predetermined by design and a line to be divided, It is checked whether or not the line to be divided is parallel to the machining feed direction, and the chuck table is rotated so that the line to be divided is parallel to the machining feed direction (see, for example, Patent Document 1).

또한, 웨이퍼는 원형을 띠고 있고 직경을 최대치로 하여 가공 스트로크가 변화하고 있기 때문에, 가공 스트로크에 대응하여 척테이블을 가공 이송하는 것이 효율적이다. 따라서, 척테이블에 유지된 웨이퍼의 외주를 촬상 수단으로 촬상하여 외주의 3개 포인트의 좌표로부터 웨이퍼의 중심의 좌표를 구하고, 적정한 가공 스트로크로 웨이퍼를 가공하는 기술이 하기 특허문헌 2에 기재되어 있다.In addition, since the wafer has a circular shape and the processing stroke changes with the diameter as the maximum value, it is efficient to process and transfer the chuck table in response to the processing stroke. Therefore, a technique for processing the wafer with an appropriate processing stroke is described in Patent Document 2 below to obtain the coordinates of the center of the wafer from the coordinates of the three points of the outer circumference by imaging the outer circumference of the wafer held on the chuck table with an imaging means. .

또한, 웨이퍼는 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 구비하고 있고, 이면을 연삭하여 미리 정해진 두께로 형성하면 외주 잉여 영역의 외주에 형성되어 면취부가 나이프 엣지처럼 예리해져 위험한 동시에 파손된다는 점에서, 웨이퍼를 회전시키면서 절삭 블레이드에 의해 면취부를 절단하는 것이 행해지고 있다. 이와 같이 웨이퍼의 면취부를 절단하는 경우에 있어서도 척테이블에 유지된 웨이퍼의 외주를 촬상 수단으로 촬상하여 외주의 3개 포인트의 좌표로부터 웨이퍼의 중심의 좌표를 구하고, 중심으로부터 미리 정해진 위치에 절삭 블레이드를 위치 설정하고 있다(예컨대 특허문헌 3 참조).In addition, the wafer has a device area in which a device is formed and an outer periphery surplus area surrounding the device area.If the back surface is ground to a predetermined thickness, it is formed on the outer periphery of the outer periphery surplus area, and the chamfered portion becomes sharp like a knife edge, which is dangerous. In view of damage, the chamfered portion is cut with a cutting blade while rotating the wafer. In the case of cutting the chamfered portion of the wafer in this way, the outer periphery of the wafer held on the chuck table is imaged with an imaging means, the coordinates of the center of the wafer are obtained from the coordinates of the three points of the outer periphery, and the cutting blade is placed at a predetermined position from the center. The position is set (see, for example, Patent Document 3).

특허문헌 1 : 일본 특허 공고 평3-27043호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. Hei 3-27043 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2009-21317호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Publication No. 2009-21317 특허문헌 3 : 일본 특허 공개 제2006-93333호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-93333

그런데, 촬상 수단에 의해 웨이퍼를 촬상하여 가공해야 할 분할 예정 라인을 검출하는 얼라이먼트를 실시한 후, 개별적으로 웨이퍼의 중심을 구하는 작업을 실시하는 것은 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.By the way, there is a problem that productivity is poor in performing the operation of individually determining the center of the wafer after performing the alignment for detecting the scheduled division line to be processed by imaging the wafer by the imaging means.

또한, 절삭 블레이드에 의해 면취부를 절단하는 경우에 있어서도, 개별적으로 웨이퍼의 중심을 구하는 작업을 실시하는 것은 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.Further, even in the case of cutting the chamfered portion with a cutting blade, there is a problem that productivity is poor when the operation of individually determining the center of the wafer is performed.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주요 기술적 과제는, 가공 장치의 척테이블에 유지된 동일 종류의 웨이퍼의 중심을 용이하게 검출할 수 있는 웨이퍼의 중심 검출 방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the above fact, and its main technical problem is to provide a wafer center detection method capable of easily detecting the center of a wafer of the same type held on a chuck table of a processing apparatus.

상기 주요 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 그 척테이블을 회동시키는 회동 수단과, 그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 가공을 하는 가공 수단과, 그 척테이블과 그 가공 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 가공 이송 수단과, 그 척테이블과 그 가공 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)과 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 인덱싱 이송 수단과, 그 척테이블의 X축 방향 위치를 검출하는 X축 방향 위치 검출 수단과, 그 척테이블의 Y축 방향 위치를 검출하는 Y축 방향 위치 검출 수단과, 그 척테이블에 유지된 웨이퍼를 촬상하는 촬상 수단과, 웨이퍼에 형성된 미리 선정된 특징 패턴을 기억하는 메모리를 갖춘 제어 수단을 구비하는 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법으로서,In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a rotating means for rotating the chuck table, a processing means for processing a wafer held on the chuck table, and the chuck table And a processing conveying means for relatively moving the processing means in the processing conveying direction (X-axis direction), and an indexing conveying direction perpendicular to the processing conveying direction (X-axis direction) of the chuck table and the processing means (Y-axis direction) Indexing transfer means for relatively moving by the chuck, X-axis position detection means for detecting the position of the chuck table in the X-axis direction, Y-axis position detection means for detecting the position of the chuck table in the Y-axis direction, and the chuck A method for detecting a center of a wafer in a processing apparatus comprising an imaging means for imaging a wafer held on a table, and a control means including a memory for storing a predetermined characteristic pattern formed on the wafer,

첫번째 장의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는,When detecting the center of the first wafer,

그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 그 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과,A wafer position in which the characteristic pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and the line to be divided formed on the wafer is positioned parallel to the processing transfer direction (X-axis direction) based on the captured image signal. Setting process,

그 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 외주 가장자리를 그 촬상 수단에 의한 촬상 영역으로 이동시키고, 그 X축 방향 위치 검출 수단 및 그 Y축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초하여, 웨이퍼의 외주 가장자리에서의 그 촬상 수단에 의해 촬상된 적어도 3개 포인트의 좌표치를 구하고, 그 3개 포인트의 좌표치로부터 웨이퍼의 중심의 좌표치를 구하고, 그 중심 좌표를 그 메모리에 저장하는 중심 좌표 검출 공정과,The outer periphery of the wafer on which the wafer positioning process has been performed is moved to the imaging area by the imaging means, and based on the detection signal from the X-axis position detection means and the Y-axis position detection means, the outer circumference of the wafer A center coordinate detection step of obtaining the coordinate values of at least three points imaged by the imaging means at the edges, obtaining the coordinate values of the center of the wafer from the coordinate values of the three points, and storing the center coordinates in the memory;

그 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 그 특징 패턴을 포함하는 영역을 그 촬상 수단의 촬상 영역에 위치 설정하고, 그 촬상 수단에 의해 그 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과,A feature pattern imaging step of positioning an area including the feature pattern of the wafer on which the wafer positioning step has been performed in the imaging area of the imaging means, and imaging the area including the feature pattern by the imaging means;

그 특징 패턴 촬상 공정에 의해 촬상된 특징 패턴과 그 중심 좌표 검출 공정에 의해 구해진 웨이퍼의 중심의 좌표치의 위치 관계 정보를 생성하고, 그 위치 관계 정보를 그 메모리에 저장하는 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시하고,Performs a coordinate position relationship generation process that generates positional relationship information of the feature pattern imaged by the feature pattern imaging process and the coordinate value of the center of the wafer obtained by the center coordinate detection process, and stores the location relationship information in the memory. and,

두번째 장 이후의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는,When detecting the center of the wafer after the second page,

그 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 그 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과,A wafer position in which the characteristic pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and the line to be divided formed on the wafer is positioned parallel to the processing transfer direction (X-axis direction) based on the captured image signal. Setting process,

그 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 그 특징 패턴을 포함하는 영역을 그 촬상 수단의 촬상 영역에 위치 설정하고, 그 촬상 수단에 의해 그 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과,A feature pattern imaging step of positioning an area including the feature pattern of the wafer on which the wafer positioning step has been performed in the imaging area of the imaging means, and imaging the area including the feature pattern by the imaging means;

그 촬상 공정에 있어서 촬상된 특징 패턴의 위치와 그 메모리에 저장된 위치 관계 정보에 기초하여 웨이퍼의 중심을 구하는 웨이퍼 중심 위치 결정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법이 제공된다.A method for detecting the center of a wafer in a processing apparatus, comprising a process of determining the center of the wafer based on the location of the feature pattern captured in the imaging process and the location relationship information stored in the memory. do.

본 발명에 의한 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법에 있어서는, 첫번째 장의 웨이퍼에 대하여 웨이퍼 위치 설정 공정, 중심 좌표 검출 공정, 특징 패턴 촬상 공정, 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시하지만, 두번째 장 이후의 웨이퍼에 관해서는 가장 작업 시간을 필요로 하는 중심 좌표 검출 공정을 실시하지 않고 특징 패턴 촬상 공정에 의해 구해진 특징 패턴의 좌표치를 상기 좌표 위치 관계 생성 공정에 있어서 구한 웨이퍼의 중심의 좌표치와 특징 패턴의 좌표치의 위치 관계 정보에 기초하여 중심의 좌표치를 구할 수 있기 때문에, 작업 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.In the method for detecting the center of a wafer in the processing apparatus according to the present invention, a wafer position setting process, a center coordinate detection process, a feature pattern imaging process, and a coordinate position relationship generation process are performed with respect to the first wafer. Regarding, the coordinate values of the center of the wafer and the coordinate values of the characteristic patterns obtained in the coordinate positional relationship generation process are not performed in the center coordinate detection process that requires the most working time. Since the coordinate value of the center can be obtained based on the positional relationship information, the working time can be shortened and productivity can be improved.

도 1은 본 발명에 의한 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법을 실시하기 위한 가공 장치로서의 레이저 가공 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치에 장비되는 제어 수단의 블록 구성도.
도 3은 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도.
도 4는 도 3에 나타내는 반도체 웨이퍼를 고리형의 프레임에 장착된 보호 테이프의 표면에 접착한 상태를 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명에 의한 가공 장치의 웨이퍼의 중심 검출 방법에서의 웨이퍼 위치 설정 공정을 나타내는 설명도.
도 6은 본 발명에 의한 가공 장치의 웨이퍼의 중심 검출 방법에서의 중심 좌표 검출 공정의 설명도.
도 7은 본 발명에 의한 가공 장치의 웨이퍼의 중심 검출 방법에서의 첫번째 장의 웨이퍼에 대한 특징 패턴 촬상 공정의 설명도.
도 8은 본 발명에 의한 가공 장치의 웨이퍼의 중심 검출 방법에서의 두번째 장 이후의 웨이퍼에 대한 특징 패턴 촬상 공정의 설명도.1 is a perspective view of a laser processing apparatus as a processing apparatus for carrying out a method of detecting the center of a wafer in a processing apparatus according to the present invention.
Fig. 2 is a block diagram of control means equipped in the laser processing apparatus shown in Fig. 1;
3 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer.
Fig. 4 is a perspective view showing a state in which the semiconductor wafer shown in Fig. 3 is adhered to the surface of a protective tape mounted on an annular frame.
Fig. 5 is an explanatory view showing a wafer position setting step in a method for detecting a center of a wafer in a processing apparatus according to the present invention.
Fig. 6 is an explanatory diagram of a center coordinate detection process in a method for detecting a center of a wafer in a processing apparatus according to the present invention.
Fig. 7 is an explanatory diagram of a characteristic pattern imaging process for the first wafer in the method for detecting the center of the wafer in the processing apparatus according to the present invention.
Fig. 8 is an explanatory diagram of a feature pattern imaging process for wafers after the second chapter in the method for detecting the center of the wafer in the processing apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명에 의한 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법의 바람직한 실시형태에 관해, 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a method for detecting the center of a wafer in a processing apparatus according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에는, 웨이퍼의 중심 검출 방법을 실시하기 위한 가공 장치로서의 레이저 가공 장치의 사시도가 나타나 있다. 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치(1)는, 정지 베이스(2)와, 그 정지 베이스(2)에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 배치되어 피가공물을 유지하는 척테이블 기구(3)와, 정지 베이스(2)에 상기 화살표 X로 나타내는 방향(X축 방향)과 직각인 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)와, 그 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)에 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 레이저 광선 조사 유닛(5)을 구비하고 있다.Fig. 1 shows a perspective view of a laser processing apparatus as a processing apparatus for implementing the wafer center detection method. The laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is a stop base 2 and a chuck that is disposed on the stop base 2 so as to be movable in a processing feed direction indicated by an arrow X (X-axis direction) to hold a workpiece. A laser beam irradiation unit is supported on the table mechanism 3 and the stop base 2 so as to be movable in the direction indicated by the arrow X (X-axis direction) and the indexing feed direction indicated by the arrow Y (Y-axis direction) The device 4 and the laser beam irradiation unit 5 are provided on the laser beam irradiation unit support mechanism 4 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z (Z axis direction).

상기 척테이블 기구(3)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)을 따라서 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(31, 31)과, 그 안내 레일(31, 31) 상에 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 제1 슬라이딩 블록(32)과, 그 제1 슬라이딩 블록(32) 상에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 배치된 제2 슬라이딩 블록(33)과, 그 제2 슬라이딩 블록(33) 상에 원통 부재(34)에 의해 지지된 커버 테이블(35)과, 피가공물 유지 수단으로서의 척테이블(36)을 구비하고 있다. 이 척테이블(36)은 다공성 재료로 형성된 흡착척(361)을 구비하고 있고, 흡착척(361) 상에 피가공물인 예컨대 원반형의 반도체 웨이퍼를 도시하지 않은 흡인 수단에 의해 유지하도록 되어 있다. 이와 같이 구성된 척테이블(36)은, 원통 부재(34) 내에 배치된 회동 수단으로서의 펄스 모터(363)에 의해 회전된다. 또, 척테이블(36)에는, 후술하는 고리형의 프레임을 고정하기 위한 클램프(362)가 배치되어 있다.The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 arranged in parallel along the processing feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X on the stop base 2, and the guide rail 31 , 31) on the first sliding block 32 disposed to be movable in the machining feed direction indicated by the arrow X (X-axis direction), and the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the first sliding block 32 ( A second sliding block 33 disposed to be movable in the Y-axis direction), a cover table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33, and a workpiece holding means. A chuck table 36 is provided. This chuck table 36 includes an adsorption chuck 361 made of a porous material, and is configured to hold a semiconductor wafer, for example, a disk-shaped object to be processed on the adsorption chuck 361 by suction means (not shown). The chuck table 36 configured in this way is rotated by a pulse motor 363 as a rotation means disposed in the cylindrical member 34. Further, on the chuck table 36, a clamp 362 for fixing an annular frame to be described later is disposed.

상기 제1 슬라이딩 블록(32)은, 그 하면에 상기 한쌍의 안내 레일(31, 31)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(321, 321)이 형성되어 있고, 그 상면에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)을 따라서 평행하게 형성된 한쌍의 안내 레일(322, 322)이 설치되어 있다. 이와 같이 구성된 제1 슬라이딩 블록(32)은, 피안내홈(321, 321)이 한쌍의 안내 레일(31, 31)에 감합함으로써, 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동 가능하게 구성된다. 도시한 실시형태에서의 척테이블 기구(3)는, 제1 슬라이딩 블록(32)을 한쌍의 안내 레일(31, 31)을 따라서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동시키기 위한 가공 이송 수단(37)을 구비하고 있다. 가공 이송 수단(37)은, 상기 한쌍의 안내 레일(31과 31)의 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(371)와, 그 수나사 로드(371)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(372) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(371)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(373)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(372)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또, 수나사 로드(371)는, 제1 슬라이딩 블록(32)의 중앙부 하면에 돌출되어 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(372)에 의해 수나사 로드(371)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제1 슬라이딩 블록(32)은 안내 레일(31, 31)을 따라서 화살표 X로 나타내는 가공 이송 방향(X축 방향)으로 이동된다.The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 that fit with the pair of guide rails 31 and 31 on its lower surface, and an indexing transfer indicated by arrow Y on its upper surface A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel along the direction (Y-axis direction) are provided. The first sliding block 32 configured as described above is processed by arrow X along the pair of guide rails 31 and 31 by fitting the guided grooves 321 and 321 to the pair of guide rails 31 and 31. It is configured to be movable in the transport direction (X-axis direction). The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is a processing for moving the first sliding block 32 along a pair of guide rails 31 and 31 in a processing feed direction indicated by an arrow X (X-axis direction) It is provided with a conveying means (37). The machining conveyance means 37 includes a male screw rod 371 arranged in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a pulse motor 372 for rotating and driving the male screw rod 371. It includes a driving source. The male threaded rod 371 has one end rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stop base 2 and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 372. In addition, the male threaded rod 371 is screwed into a through female threaded hole formed in a female threaded block (not shown) provided protruding from the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, by driving the male threaded rod 371 forward and reverse rotation by the pulse motor 372, the first sliding block 32 follows the guide rails 31 and 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X (X-axis Direction).

도시한 실시형태에서의 레이저 가공 장치는, 상기 척테이블(36)의 가공 이송량, 즉 X축 방향 위치를 검출하기 위한 X축 방향 위치 검출 수단(374)을 구비하고 있다. X축 방향 위치 검출 수단(374)은, 안내 레일(31)을 따라서 배치된 리니어 스케일(374a)과, 제1 슬라이딩 블록(32)에 배치되어 제1 슬라이딩 블록(32)과 함께 리니어 스케일(374a)을 따라서 이동하는 판독 헤드(374b)를 포함하고 있다. 이 X축 방향 위치 검출 수단(374)의 판독 헤드(374b)는, 도시한 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 가공 이송량, 즉 X축 방향 위치를 검출한다. 또, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 펄스 모터(372)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(372)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 가공 이송량, 즉 X축 방향 위치를 검출할 수도 있다. 또한, 상기 가공 이송 수단(37)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 가공 이송량, 즉 X축 방향 위치를 검출할 수도 있다.The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is provided with an X-axis direction position detection means 374 for detecting the processing feed amount of the chuck table 36, that is, the X-axis direction position. The X-axis direction position detection means 374 includes a linear scale 374a disposed along the guide rail 31 and a linear scale 374a disposed in the first sliding block 32 and together with the first sliding block 32. It includes a read head 374b that moves along ). In the illustrated embodiment, the read head 374b of the X-axis direction position detecting means 374 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means described later detects the machining feed amount of the chuck table 36, that is, the position in the X-axis direction by counting the input pulse signal. In addition, when the pulse motor 372 is used as the driving source of the processing conveying means 37, the chuck table 36 is output by counting the drive pulses of the control means described later that outputs a drive signal to the pulse motor 372. It is also possible to detect the machining feed amount, that is, the position in the X-axis direction. In addition, when a servo motor is used as the driving source of the processing transfer means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to a control means to be described later, and the pulse signal input by the control means is transmitted. By counting, the processing feed amount of the chuck table 36, that is, the position in the X-axis direction can also be detected.

상기 제2 슬라이딩 블록(33)은, 그 하면에 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(331, 331)이 형성되고 있고, 이 피안내홈(331, 331)을 한쌍의 안내 레일(322, 322)에 감합함으로써, 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동 가능하게 구성된다. 도시한 실시형태에서의 척테이블 기구(3)는, 제2 슬라이딩 블록(33)을 제1 슬라이딩 블록(32)에 설치된 한쌍의 안내 레일(322, 322)을 따라서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동시키기 위한 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 구비하고 있다. 제1 인덱싱 이송 수단(38)은, 상기 한쌍의 안내 레일(322와 322)의 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(381)와, 그 수나사 로드(381)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(382) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(381)는, 그 일단이 상기 제1 슬라이딩 블록(32)의 상면에 고정된 베어링 블록(383)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(382)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또, 수나사 로드(381)는, 제2 슬라이딩 블록(33)의 중앙부 하면에 돌출되어 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 관통 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(382)에 의해 수나사 로드(381)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 제2 슬라이딩 블록(33)은 안내 레일(322, 322)을 따라서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동된다.The second sliding block 33 has a pair of guided grooves 331 and 331 that fit with a pair of guide rails 322 and 322 installed on the upper surface of the first sliding block 32 on its lower surface, and And, by fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, it is configured to be movable in the indexing feed direction indicated by the arrow Y (Y-axis direction). In the illustrated embodiment, the chuck table mechanism 3 includes the second sliding block 33 along a pair of guide rails 322 and 322 provided in the first sliding block 32, and the indexing feed direction indicated by arrow Y ( It is provided with a first indexing conveying means 38 for moving in the Y-axis direction). The first indexing conveying means 38 includes a male screw rod 381 arranged in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a pulse motor 382 for rotating and driving the male screw rod 381 It includes a driving source such as the back. The male threaded rod 381 is rotatably supported at one end of a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 382 Has been. Further, the male threaded rod 381 is screwed into a through female threaded hole formed in a female threaded block (not shown) provided to protrude from the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Accordingly, by driving the male threaded rod 381 forward and reverse rotation by the pulse motor 382, the second sliding block 33 follows the guide rails 322 and 322 in the indexing feed direction (Y-axis) indicated by the arrow Y. Direction).

도시한 실시형태에서의 레이저 가공 장치는, 상기 제2 슬라이딩 블록(33)의 인덱싱 가공 이송량, 즉 Y축 방향 위치를 검출하기 위한 Y축 방향 위치 검출 수단(384)을 구비하고 있다. Y축 방향 위치 검출 수단(384)은, 안내 레일(322)을 따라서 배치된 리니어 스케일(384a)과, 제2 슬라이딩 블록(33)에 배치되어 제2 슬라이딩 블록(33)과 함께 리니어 스케일(384a)을 따라서 이동하는 판독 헤드(384b)를 포함하고 있다. 이 Y축 방향 위치 검출 수단(384)의 판독 헤드(384b)는, 도시한 실시형태에 있어서는 1 ㎛마다 1 펄스의 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보낸다. 그리고 후술하는 제어 수단은, 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 인덱싱 이송량, 즉 Y축 방향 위치를 검출한다. 또, 상기 제1 인덱싱 이송 수단(38)의 구동원으로서 펄스 모터(382)를 이용한 경우에는, 펄스 모터(382)에 구동 신호를 출력하는 후술하는 제어 수단의 구동 펄스를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 인덱싱 이송량, 즉 Y축 방향 위치를 검출할 수도 있다. 또한, 상기 제1 인덱싱 이송 수단(38)의 구동원으로서 서보 모터를 이용한 경우에는, 서보 모터의 회전수를 검출하는 로터리 인코더가 출력하는 펄스 신호를 후술하는 제어 수단에 보내고, 제어 수단이 입력한 펄스 신호를 카운트함으로써, 척테이블(36)의 인덱싱 이송량, 즉 Y축 방향 위치를 검출할 수도 있다.The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a Y-axis direction position detection means 384 for detecting an indexing processing feed amount of the second sliding block 33, that is, a Y-axis direction position. The Y-axis direction position detection means 384 is arranged in the linear scale 384a arranged along the guide rail 322 and the second sliding block 33, and the linear scale 384a together with the second sliding block 33 It includes a read head 384b that moves along ). In the illustrated embodiment, the read head 384b of the Y-axis direction position detection means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means described later detects the indexing feed amount of the chuck table 36, that is, the position in the Y-axis direction by counting the input pulse signal. In addition, when the pulse motor 382 is used as the driving source of the first indexing transfer means 38, the chuck table 36 is output by counting the drive pulses of the control means described later that outputs a drive signal to the pulse motor 382. ), that is, the position in the Y-axis direction can be detected. In addition, when a servo motor is used as the driving source of the first indexing transfer means 38, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the pulse input by the control means By counting the signal, the indexing feed amount of the chuck table 36, that is, the position in the Y-axis direction can also be detected.

상기 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)을 따라서 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(41, 41)과, 그 안내 레일(41, 41) 상에 화살표 Y로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치된 가동 지지 베이스(42)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 베이스(42)는, 안내 레일(41, 41) 상에 이동 가능하게 배치된 이동 지지부(421)와, 그 이동 지지부(421)에 부착된 장착부(422)를 포함하고 있다. 장착부(422)는, 일측면에 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 연장되는 한쌍의 안내 레일(423, 423)이 평행하게 설치되어 있다. 도시한 실시형태에서의 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구(4)는, 가동 지지 베이스(42)를 한쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동시키기 위한 제2 인덱싱 이송 수단(43)을 구비하고 있다. 제2 인덱싱 이송 수단(43)은, 상기 한쌍의 안내 레일(41, 41)의 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(431)와, 그 수나사 로드(431)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(432) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(431)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 도시하지 않은 베어링 블록에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(432)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또, 수나사 로드(431)는, 가동 지지 베이스(42)를 구성하는 이동 지지부(421)의 중앙부 하면에 돌출되어 설치된 도시하지 않은 암나사 블록에 형성된 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 이 때문에, 펄스 모터(432)에 의해 수나사 로드(431)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 가동 지지 베이스(42)는 안내 레일(41, 41)을 따라서 화살표 Y로 나타내는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 이동된다.The laser beam irradiation unit support mechanism 4 includes a pair of guide rails 41 and 41 arranged in parallel along the indexing feed direction (Y-axis direction) indicated by arrow Y on the stop base 2, and guides the same. The movable support base 42 is provided on the rails 41 and 41 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Y. This movable support base 42 includes a movable support portion 421 disposed on the guide rails 41 and 41 so as to be movable, and a mounting portion 422 attached to the movable support portion 421. In the mounting portion 422, a pair of guide rails 423 and 423 extending in a direction indicated by an arrow Z (Z axis direction) are provided in parallel on one side. The laser beam irradiation unit support mechanism 4 in the illustrated embodiment moves the movable support base 42 along the pair of guide rails 41 and 41 in the indexing feed direction indicated by arrow Y (Y-axis direction). It is provided with a second indexing transfer means 43 for. The second indexing conveying means 43 includes a male screw rod 431 arranged in parallel between the pair of guide rails 41 and 41, and a pulse motor 432 for rotating and driving the male screw rod 431 It includes a driving source such as the back. The male threaded rod 431 is rotatably supported on a bearing block (not shown) fixed to the stop base 2 at one end thereof, and the other end is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 432. Further, the male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided to protrude from the lower surface of the center portion of the movable support portion 421 constituting the movable support base 42. For this reason, by driving the male threaded rod 431 forward and reverse rotation by the pulse motor 432, the movable support base 42 follows the guide rails 41 and 41 in the indexing feed direction indicated by arrow Y (Y-axis Direction).

도시한 실시형태에서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)와, 그 유닛 홀더(51)에 부착된 레이저 광선 조사 수단(52)을 구비하고 있다. 유닛 홀더(51)는, 상기 장착부(422)에 설치된 한쌍의 안내 레일(423, 423)에 슬라이딩 가능하게 감합하는 한쌍의 피안내홈(511, 511)이 형성되고 있고, 이 피안내홈(511, 511)을 상기 안내 레일(423, 423)에 감합함으로써, 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 지지된다.The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and a laser beam irradiation means 52 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 has a pair of guided grooves 511 and 511 slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 installed on the mounting portion 422, and the guided groove 511 And 511 are fitted to the guide rails 423 and 423 so as to be supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction).

도시한 실시형태에서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)와, 그 유닛 홀더(51)에 부착된 레이저 광선 조사 수단(52)을 구비하고 있다. 유닛 홀더(51)는, 상기 장착부(422)에 설치된 한쌍의 안내 레일(423, 423)에 슬라이딩 가능하게 감합하는 한쌍의 피안내홈(511, 511)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(511, 511)을 상기 안내 레일(423, 423)에 감합함으로써, 화살표 Z로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 지지된다.The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51 and a laser beam irradiation means 52 attached to the unit holder 51. The unit holder 51 has a pair of guided grooves 511 and 511 slidably fitted to a pair of guide rails 423 and 423 installed on the mounting portion 422, and the guided groove 511 And 511 are fitted to the guide rails 423 and 423 to be supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

도시한 실시형태에서의 레이저 광선 조사 유닛(5)은, 유닛 홀더(51)를 한쌍의 안내 레일(423, 423)을 따라서 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동시키기 위한 이동 수단(53)을 구비하고 있다. 이동 수단(53)은, 한쌍의 안내 레일(423, 423)의 사이에 배치된 수나사 로드(도시하지 않음)와, 그 수나사 로드를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(532) 등의 구동원을 포함하고 있고, 펄스 모터(532)에 의해 도시하지 않은 수나사 로드를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 유닛 홀더(51) 및 레이저 광선 조사 수단(52)을 안내 레일(423, 423)을 따라서 화살표 Z로 나타내는 방향(Z축 방향)으로 이동시킨다. 또, 도시한 실시형태에 있어서는 펄스 모터(532)를 정회전 구동시킴으로써 레이저 광선 조사 수단(52)을 위쪽으로 이동시키고, 펄스 모터(532)를 역회전 구동시킴으로써 레이저 광선 조사 수단(52)을 아래쪽으로 이동시키도록 되어 있다.The laser beam irradiation unit 5 in the illustrated embodiment is a moving means 53 for moving the unit holder 51 along the pair of guide rails 423 and 423 in the direction indicated by arrow Z (Z axis direction). ). The moving means 53 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 423 and 423, and a driving source such as a pulse motor 532 for rotating and driving the male screw rod. , By driving the male screw rod (not shown) in forward rotation and reverse rotation by the pulse motor 532, the unit holder 51 and the laser beam irradiation means 52 are directed along the guide rails 423 and 423 by arrow Z (Z-axis direction). Further, in the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 52 is moved upward by driving the pulse motor 532 forward rotation, and the laser beam irradiation means 52 is moved downward by driving the pulse motor 532 reverse rotation. It is supposed to be moved to.

도시한 레이저 광선 조사 수단(52)은, 실질적으로 수평으로 배치된 원통형상의 케이싱(521)의 선단에 장착된 집광기(522)로부터 펄스 레이저 광선을 조사한다. 또한, 레이저 광선 조사 수단(52)을 구성하는 케이싱(521)의 전단부에는, 상기 레이저 광선 조사 수단(52)에 의해 레이저 가공해야 할 가공 영역을 검출하는 촬상 수단(6)이 배치되어 있다. 이 촬상 수단(6)은, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 그 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 그 광학계에 의해 포착된 이미지를 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하며, 촬상한 화상 신호를 후술하는 제어 수단(10)에 보낸다.The illustrated laser beam irradiation means 52 irradiates a pulsed laser beam from a condenser 522 mounted at the tip of a cylindrical casing 521 arranged substantially horizontally. Further, at the front end of the casing 521 constituting the laser beam irradiation means 52, an imaging means 6 for detecting a processed area to be laser processed by the laser beam irradiation means 52 is disposed. The imaging means 6 includes an illumination means for illuminating the work piece, an optical system for capturing an area illuminated by the illumination means, and an imaging element (CCD) for imaging an image captured by the optical system, , Sends the captured image signal to the control means 10 described later.

도시한 실시형태에서의 레이저 가공 장치(1)는, 도 2에 나타내는 제어 수단(10)을 구비하고 있다. 제어 수단(10)은 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 처리 장치(CPU)(101)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온니 메모리(ROM)(102)와, 연산 결과 등을 저장하는 리드 라이트 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)와, 카운터(104)와, 입력 인터페이스(105), 출력 인터페이스(106)를 구비하고 있다. 제어 수단(10)의 입력 인터페이스(105)에는, 상기 X축 방향 위치 검출 수단(374), Y축 방향 위치 검출 수단(384), 촬상 수단(6), 입력 수단(107) 등으로부터의 검출 신호가 입력된다. 그리고, 제어 수단(10)의 출력 인터페이스(106)로부터는, 상기 펄스 모터(363), 펄스 모터(372), 펄스 모터(382), 펄스 모터(432), 펄스 모터(532), 레이저 광선 조사 수단(52), 표시 수단(100) 등에 제어신호를 출력한다. 또, 상기 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)는, 후술하는 웨이퍼의 설계치의 데이터나 웨이퍼에 형성된 미리 선정된 특징 패턴 등을 기억하는 기억 영역을 구비하고 있다.The laser processing apparatus 1 in the illustrated embodiment is provided with the control means 10 shown in FIG. 2. The control means 10 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 101 that performs calculation and processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 102 that stores a control program, etc., and an operation result A read-write random access memory (RAM) 103 for storing, etc., a counter 104, an input interface 105, and an output interface 106 are provided. The input interface 105 of the control means 10 includes detection signals from the X-axis direction position detection means 374, Y-axis direction position detection means 384, imaging means 6, input means 107, etc. Is entered. And, from the output interface 106 of the control means 10, the pulse motor 363, the pulse motor 372, the pulse motor 382, the pulse motor 432, the pulse motor 532, laser beam irradiation A control signal is output to the means 52, the display means 100, and the like. Further, the random access memory (RAM) 103 has a storage area for storing data of a design value of a wafer to be described later, a predetermined feature pattern formed on the wafer, and the like.

도시한 레이저 가공 장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 관해 설명한다.The illustrated laser processing apparatus 1 is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

도 3에는, 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼(20)의 사시도가 나타나 있다. 도 3에 나타내는 반도체 웨이퍼(20)는, 두께가 예컨대 100 ㎛인 실리콘에 의해 형성되며 외주에 결정 방위를 나타내는 마크로서 노치(210)를 갖춘 기판(21)의 표면(21a)에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(22)에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(23)가 각각 형성되어 있다. 이 각 디바이스(23)는, 모두 동일한 구성을 이루고 있다. 디바이스(23)의 표면에는 회로의 구성에 따라 특징을 갖는 영역이 존재하고, 그 영역이 도시한 실시형태에 있어서는 특징 패턴(24)으로서 존재하고 있다. 이와 같이 형성된 반도체 웨이퍼(20)는, 도 4에 나타낸 바와 같이 고리형의 프레임(F)에 장착된 폴리올레핀 등의 합성 수지 시트로 이루어진 다이싱 테이프(T)의 표면에 이면(21b)측을 접착한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(20)는 표면(21a)이 상측이 된다. 이와 같이 고리형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 접착하는 반도체 웨이퍼(20)는, 그 중심이 고리형의 프레임(F)의 중심에 위치 설정되도록 설정되어 있지만, 허용 오차 범위(±1 mm)에서 접착된다.In Fig. 3, a perspective view of a semiconductor wafer 20 as a wafer is shown. The semiconductor wafer 20 shown in FIG. 3 is formed of silicon having a thickness of, for example, 100 μm, and is formed in a lattice shape on the surface 21a of the substrate 21 provided with the notch 210 as a mark indicating a crystal orientation at the outer periphery. A plurality of regions are partitioned by a plurality of division scheduled lines 22, and devices 23 such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions, respectively. Each of these devices 23 has the same configuration. On the surface of the device 23, a region having characteristics according to the configuration of a circuit exists, and the region is present as a characteristic pattern 24 in the illustrated embodiment. As shown in Fig. 4, the semiconductor wafer 20 formed as described above is attached to the back surface 21b side to the surface of a dicing tape T made of a sheet of synthetic resin such as polyolefin mounted on the annular frame F. do. Accordingly, the surface 21a of the semiconductor wafer 20 is on the upper side. In this way, the semiconductor wafer 20 adhered to the surface of the dicing tape T mounted on the annular frame F is set so that its center is positioned at the center of the annular frame F. Bonded within the tolerance range (±1 mm).

다음으로, 상기 레이저 가공 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼(20)를 분할 예정 라인(22)을 따라서 레이저 가공을 함에 있어서, 척테이블(36)에 배치된 반도체 웨이퍼(20)의 중심을 검출하기 위한 방법에 관해 설명한다.Next, a method for detecting the center of the semiconductor wafer 20 disposed on the chuck table 36 in laser processing the semiconductor wafer 20 along the line 22 to be divided using the laser processing apparatus Explain about.

전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(20)의 사양, 즉 기판(21)의 직경, 기판(21)의 외주에 형성된 노치(210)와 기판(21)의 표면(21a)에 형성된 복수의 분할 예정 라인(22)의 간격, 복수의 디바이스(23)에 각각 보이는 특징적인 영역인 특징 패턴(24)의 설계치가 상기 제어 수단(10)의 입력 수단(107)으로부터 입력되어, 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장된다(웨이퍼 사양 기억 공정).As described above, the specifications of the semiconductor wafer 20, that is, the diameter of the substrate 21, the notch 210 formed on the outer circumference of the substrate 21, and a plurality of scheduled division lines formed on the surface 21a of the substrate 21 ( 22), the design values of the characteristic patterns 24, which are characteristic regions each visible on the plurality of devices 23, are input from the input means 107 of the control means 10, and the random access memory (RAM) 103 ) (Wafer specification memory process).

도 4에 나타낸 바와 같이, 고리형의 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지된 반도체 웨이퍼(20)는, 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치의 척테이블(36) 상에 다이싱 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써, 반도체 웨이퍼(20)는 다이싱 테이프(T)를 통해 척테이블(36) 상에 흡인 유지된다. 또한, 고리형의 프레임(F)은 클램프(362)에 의해 고정된다.As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 20 supported by the dicing tape T on the annular frame F is a dicing tape on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. Arrange the (T) side. Then, by operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 20 is suction-held on the chuck table 36 through the dicing tape T. Further, the annular frame (F) is fixed by a clamp (362).

전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(20)를 흡인 유지한 척테이블(36)은, 가공 이송 수단(37)에 의해 촬상 수단(6)의 바로 아래인 촬상 영역에 위치 설정된다. 그리고, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)를 미리 정해진 위치에 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정을 실행한다. 이 웨이퍼 위치 설정 공정에 있어서는, 도 5에 과장하여 나타낸 바와 같이 촬상 수단(6)에 의해 X축 방향의 2개의 특징 패턴(24)을 촬상하고, 이 촬상 수단(6)이 촬상한 화상 신호에 기초하여 제어 수단(10)은 2개의 특징 패턴(24)을 연결하는 직선(L)이 가공 이송 방향(X축)과 평행한지 여부를 판정하여, 상기 직선(L)이 X축과 평행하지 않은 경우에는, 제어 수단(10)은 펄스 모터(363)를 작동하여 척테이블(36)을 회동시켜 직선(L)이 가공 이송 방향(X축)과 평행해지도록 조정(θ 보정)한다. 또, 촬상 수단(6)에 의해 촬상된 화상은 표시 수단(100)에 표시된다.As described above, the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 20 by suction is positioned in the imaging region immediately below the imaging means 6 by the processing transfer means 37. Then, a wafer position setting step of positioning the semiconductor wafer 20 held on the chuck table 36 at a predetermined position is performed. In this wafer positioning step, as shown exaggeratedly in FIG. 5, the two characteristic patterns 24 in the X-axis direction are imaged by the imaging means 6, and the image signals captured by the imaging means 6 are Based on the control means 10 determines whether the straight line L connecting the two characteristic patterns 24 is parallel to the machining feed direction (X axis), and the straight line L is not parallel to the X axis. In this case, the control means 10 operates the pulse motor 363 to rotate the chuck table 36 to adjust (theta correction) so that the straight line L becomes parallel to the machining feed direction (X axis). Further, the image picked up by the imaging means 6 is displayed on the display means 100.

다음으로, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표를 구하는 중심 좌표 검출 공정을 실시한다.Next, a center coordinate detection process for obtaining the coordinates of the center of the semiconductor wafer 20 held on the chuck table 36 is performed.

중심 좌표 검출 공정에 있어서는, 제어 수단(10)은 가공 이송 수단(37) 및 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 작동하여, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)의 외주 가장자리를 촬상 수단(6)에 의한 촬상 영역으로 이동시키고, X축 방향 위치 검출 수단(374) 및 Y축 방향 위치 검출 수단(384)으로부터의 검출 신호에 기초하여, 도 6에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(20)의 외주 가장자리가 촬상 수단(6)에 의해 촬상된 3개 포인트(a1, a2, a3)의 좌표치(a1 : x1, y1, a2 : x2, y2, a3 : x3, y3)를 구한다. 이와 같이 하여 반도체 웨이퍼(20)의 외주 가장자리의 3개 포인트(a1, a2, a3)의 좌표치(a1 : x1, y1, a2 : x2, y2, a3 : x3, y3)를 구했다면, 제어 수단(10)은, 직선 a1-a2 및 a2-a3의 각각 중점에서의 수선 b1과 b2의 교점을 구함으로써, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)의 중심(P)의 좌표치(x0, y0)를 구하여, 이 중심(P)의 좌표치(x0, y0)를 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장한다(중심 좌표 검출 공정). 또, 촬상 수단(6)에 의해 촬상된 화상은 표시 수단(100)에 표시된다.In the center coordinate detection process, the control means 10 operates the processing transfer means 37 and the first indexing transfer means 38 to capture an image of the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 20 held on the chuck table 36 The semiconductor wafer 20 is moved to the imaging region by means 6, and based on the detection signals from the X-axis direction position detection means 374 and Y-axis direction position detection means 384, as shown in FIG. The coordinate values (a1: x1, y1, a2: x2, y2, a3: x3, y3) of the three points (a1, a2, a3) at which the outer circumferential edges of are imaged by the imaging means 6 are obtained. If the coordinate values (a1: x1, y1, a2: x2, y2, a3: x3, y3) of the three points (a1, a2, a3) of the outer circumferential edge of the semiconductor wafer 20 are obtained in this way, the control means ( 10) is the coordinate value of the center P of the semiconductor wafer 20 held in the chuck table 36 by obtaining the intersection of the perpendicular lines b1 and b2 at the midpoints of the straight lines a1-a2 and a2-a3, respectively (x0, y0) is obtained, and the coordinate values (x0, y0) of the center P are stored in the random access memory (RAM) 103 (center coordinate detection process). Further, the image picked up by the imaging means 6 is displayed on the display means 100.

전술한 중심 좌표 검출 공정을 실시했다면, 제어 수단(10)은 가공 이송 수단(37) 및 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 작동하여, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)에 형성된 특징 패턴(24)을 포함하는 영역을 촬상 수단(6)의 촬상 영역에 위치 설정하고, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이 촬상 수단(6)에 의해 특징 패턴(24)을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정을 실시한다.If the above-described center coordinate detection process is performed, the control means 10 operates the processing transfer means 37 and the first indexing transfer means 38 to form the semiconductor wafer 20 held on the chuck table 36. The area including the feature pattern 24 is positioned in the imaging area of the imaging means 6, and the area including the feature pattern 24 is defined by the imaging means 6 as shown in Fig. 7A. A feature pattern imaging process to image is performed.

다음으로, 제어 수단(10)은, 특징 패턴 촬상 공정에 의해 촬상된 특징 패턴(24)과 상기 중심 좌표 검출 공정에 의해 구해진 반도체 웨이퍼(20)의 중심(P)의 좌표치(x0, y0)의 위치 관계 정보를 생성하고, 그 위치 관계 정보를 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장하는 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시한다. 즉, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이 반도체 웨이퍼(20)의 중심(P)의 좌표치를 (x0, y0)로 하고, 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치를 (x0', y0')로 하면, 반도체 웨이퍼(20)의 중심(P)의 좌표치(x0, y0)와 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(x0', y0')의 위치 관계는, (x0'+Lx=x0), (y0'+Ly=y0)이 된다. 이 위치 관계를, 제어 수단(10)은 후술하는 두번째 장 이후의 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표치(xm, ym)와 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)의 위치 관계 정보(xn+Lx=xm), (yn+Ly=ym)로서 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장한다.Next, the control means 10 includes the coordinate values (x0, y0) of the center P of the semiconductor wafer 20 obtained by the feature pattern 24 imaged by the feature pattern imaging process and the center coordinate detection process. A coordinate-position-relation generation process of generating positional relationship information and storing the positional relationship information in the random access memory (RAM) 103 is performed. That is, as shown in Fig. 7B, the coordinate value of the center P of the semiconductor wafer 20 is set to (x0, y0), and the coordinate value of the target of the feature pattern 24 is (x0', y0'). If, the positional relationship between the coordinate values (x0, y0) of the center P of the semiconductor wafer 20 and the coordinate values (x0', y0') of the target of the feature pattern 24 is (x0'+Lx=x0) , (y0'+Ly=y0). This positional relationship, the control means 10 is the positional relationship information of the coordinate values (xm, ym) of the center of the semiconductor wafer 20 to be described later and the coordinate values of the target of the feature pattern 24 (xn, yn). It is stored in the random access memory (RAM) 103 as (xn+Lx=xm) and (yn+Ly=ym).

이상과 같이 하여, 척테이블(36)에 유지된 첫번째 장의 반도체 웨이퍼(20)의 중심(P1)의 좌표치(x0, y0)와 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(x0', y0')의 위치 관계 정보를 구하고, 이 위치 관계 정보를 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장(좌표 위치 관계 생성 공정)했다면, 두번째 장 이후의 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 검출은 다음과 같이 실시한다.As described above, the coordinate values (x0, y0) of the center P1 of the first sheet of semiconductor wafer 20 held in the chuck table 36 and the coordinate values of the targets of the feature pattern 24 (x0', y0') are If the positional relationship information is obtained and the positional relationship information is stored in the random access memory (RAM) 103 (coordinate positional relationship generation process), the detection of the center of the semiconductor wafer 20 after the second sheet is performed as follows. .

도 4에 나타낸 바와 같이, 고리형의 프레임(F)에 다이싱 테이프(T)를 통해 지지된 두번째 장 이후의 반도체 웨이퍼(20)는, 전술한 첫번째 장의 반도체 웨이퍼(20)와 마찬가지로 도 1에 나타내는 레이저 가공 장치의 척테이블(36) 상에 다이싱 테이프(T)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동함으로써, 반도체 웨이퍼(20)는 다이싱 테이프(T)를 통해 척테이블(36) 상에 흡인 유지된다. 또한, 고리형의 프레임(F)은 클램프(362)에 의해 고정된다.As shown in Fig. 4, the second and subsequent semiconductor wafers 20 supported by the dicing tape T on the annular frame F are shown in Fig. 1 in the same manner as the first semiconductor wafer 20 described above. The dicing tape T side is disposed on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown. Then, by operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 20 is suction-held on the chuck table 36 through the dicing tape T. Further, the annular frame (F) is fixed by a clamp (362).

다음으로, 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)에 형성된 2개의 특징 패턴(24)을 연결하는 직선이 가공 이송 방향(X축)과 평행해지도록 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정을 실행한다. 이 웨이퍼 위치 설정 공정은, 전술한 첫번째 장의 반도체 웨이퍼(20)와 동일하게 실시한다.Next, a wafer positioning process is executed in which a straight line connecting the two characteristic patterns 24 formed on the semiconductor wafer 20 held on the chuck table 36 is positioned parallel to the processing transfer direction (X axis). do. This wafer positioning process is performed in the same manner as the first semiconductor wafer 20 described above.

전술한 웨이퍼 위치 설정 공정을 실시했다면, 제어 수단(10)은 가공 이송 수단(37) 및 제1 인덱싱 이송 수단(38)을 작동하여, 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이 척테이블(36)에 유지된 반도체 웨이퍼(20)에 형성된 미리 정해진 특징 패턴(24)(상기 첫번째 장의 반도체 웨이퍼(20)에 설정된 디바이스(23)에 형성된 특징 패턴(24)과 동일한 위치의 특징 패턴(24))을 포함하는 영역(240)을 촬상 수단(6)의 촬상 영역에 위치 설정하고, 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이 촬상 수단(6)에 의해 특징 패턴(24)을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정을 실시한다.If the above-described wafer position setting process is performed, the control means 10 operates the processing transfer means 37 and the first indexing transfer means 38, and the chuck table 36 as shown in Fig. 8(a). A predetermined feature pattern 24 formed on the semiconductor wafer 20 held in the (the feature pattern 24 at the same position as the feature pattern 24 formed on the device 23 set on the first semiconductor wafer 20) A feature of positioning the included area 240 in the imaging area of the imaging means 6, and imaging the area including the feature pattern 24 by the imaging means 6 as shown in Fig. 8(b). A pattern imaging process is performed.

다음으로, 제어 수단(10)은, 특징 패턴 촬상 공정에 의해 촬상된 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)를 구한다. 이와 같이 하여 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)가 구해졌다면, 제어 수단(10)은 랜덤 액세스 메모리(RAM)(103)에 저장되어 있는 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표치(xm, ym)와 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)의 위치 관계 정보의 관계식(xn+Lx=xm), (yn+Ly=ym)에 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)를 대입함으로써, 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표치(xm, ym)를 구할 수 있다(웨이퍼 중심 위치 결정 공정).Next, the control means 10 obtains the coordinate values (xn, yn) of the target of the feature pattern 24 imaged by the feature pattern imaging process. When the coordinate values (xn, yn) of the target of the feature pattern 24 are obtained in this way, the control means 10 is the coordinate value of the center of the semiconductor wafer 20 stored in the random access memory (RAM) 103 ( The coordinate values of the target of the feature pattern 24 in the relational expressions (xn+Lx=xm) and (yn+Ly=ym) of the positional relationship information of xm, ym) and the target coordinate values (xn, yn) of the feature pattern 24 By substituting (xn, yn), the coordinate values (xm, ym) of the center of the semiconductor wafer 20 can be obtained (wafer center positioning step).

이상과 같이, 도시한 실시형태에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법에 있어서는, 첫번째 장의 반도체 웨이퍼(20)에 대하여 웨이퍼 위치 설정 공정, 중심 좌표 검출 공정, 특징 패턴 촬상 공정, 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시하지만, 두번째 장 이후의 반도체 웨이퍼(20)에 관해서는 가장 작업 시간을 필요로 하는 중심 좌표 검출 공정을 실시하지 않고 특징 패턴 촬상 공정에 의해 구해진 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)를 상기 좌표 위치 관계 생성 공정에 있어서 구한 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표치(xm, ym)와 특징 패턴(24)의 타겟의 좌표치(xn, yn)의 위치 관계 정보의 관계식(xn+Lx=xm), (yn+Ly=ym)에 대입함으로써, 반도체 웨이퍼(20)의 중심의 좌표치(xm, ym)를 구할 수 있기 때문에, 작업 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, in the wafer center detection method in the illustrated embodiment, the wafer positioning process, the center coordinate detection process, the feature pattern imaging process, and the coordinate positional relationship generation process are performed with respect to the semiconductor wafer 20 of the first sheet. , With respect to the second and subsequent semiconductor wafers 20, the coordinate values (xn, yn) of the target of the feature pattern 24 obtained by the feature pattern imaging process are not carried out without performing the center coordinate detection process that requires the most working time. The relational expression (xn+Lx=xm) between the coordinate values (xm, ym) of the center of the semiconductor wafer 20 obtained in the coordinate position relationship generation process and the coordinate values (xn, yn) of the target of the feature pattern 24 ), (yn+Ly=ym), since the coordinate values (xm, ym) of the center of the semiconductor wafer 20 can be obtained, the working time can be shortened and productivity can be improved.

이상, 본 발명을 도시한 실시형태에 기초하여 설명했지만 본 발명은 실시형태에만 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지의 범위에서 여러가지로 변형하는 것은 가능하다. 예컨대, 전술한 실시형태에 있어서는, 웨이퍼 위치 설정 공정에 있어서 설정한 특징 패턴(24)과 특징 패턴 촬상 공정에 있어서 설정한 특징 패턴(24)은, 상이한 디바이스에 형성된 특징 패턴(24)을 이용한 예를 나타냈지만, 웨이퍼 위치 설정 공정에 있어서 설정한 특징 패턴(24)을 특징 패턴 촬상 공정에 있어서 이용해도 좋다.As mentioned above, although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the feature pattern 24 set in the wafer positioning process and the feature pattern 24 set in the feature pattern imaging process are examples in which feature patterns 24 formed on different devices are used. Although shown, the characteristic pattern 24 set in the wafer positioning process may be used in a characteristic pattern imaging process.

또한, 전술한 실시형태에 있어서는, 본 발명을 레이저 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법에 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명은 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단하는 절삭 장치 등의 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법에 적용하더라도 동일한 작용 효과를 나타낸다.In addition, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a method of detecting the center of a wafer in a laser processing device is shown, but the present invention is the center of a wafer in a processing device such as a cutting device that cuts the wafer along a street Even when applied to the detection method, it exhibits the same effect.

1 : 레이저 가공 장치
2 : 정지 베이스
3 : 척테이블 기구
36 : 척테이블
363 : 펄스 모터
37 : 가공 이송 수단
38 : 제1 인덱싱 이송 수단
4 : 레이저 광선 조사 유닛 지지 기구
42 : 가동 지지 베이스
43 : 제2 인덱싱 이송 수단
5 : 레이저 광선 조사 유닛
51 : 유닛 홀더
52 : 레이저 광선 조사 수단
522 : 집광기
6 : 촬상 수단
10 : 제어 수단
20 : 반도체 웨이퍼
21 : 반도체 웨이퍼의 기판
22 : 스트리트
23 : 디바이스
24 : 특징 패턴1: laser processing device
2: stop base
3: chuck table mechanism
36: chuck table
363: pulse motor
37: machining transfer means
38: first indexing transfer means
4: laser beam irradiation unit support mechanism
42: movable support base
43: second indexing transfer means
5: laser beam irradiation unit
51: unit holder
52: laser beam irradiation means
522: concentrator
6: imaging means
10: control means
20: semiconductor wafer
21: substrate of semiconductor wafer
22: Street
23: device
24: feature pattern

Claims (1)

웨이퍼를 유지하는 척테이블과, 상기 척테이블을 회동(回動)시키는 회동 수단과, 상기 척테이블에 유지된 웨이퍼에 가공을 하는 가공 수단과, 상기 척테이블과 상기 가공 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 가공 이송 수단과, 상기 척테이블과 상기 가공 수단을 가공 이송 방향(X축 방향)과 직교하는 인덱싱 이송 방향(Y축 방향)으로 상대적으로 이동시키는 인덱싱 이송 수단과, 상기 척테이블의 X축 방향 위치를 검출하는 X축 방향 위치 검출 수단과, 상기 척테이블의 Y축 방향 위치를 검출하는 Y축 방향 위치 검출 수단과, 상기 척테이블에 유지된 웨이퍼를 촬상하는 촬상 수단과, 웨이퍼에 형성된 미리 선정된 특징 패턴을 기억하는 메모리를 갖춘 제어 수단을 구비하는 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법에 있어서,
첫번째 장의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는,
상기 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 상기 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과,
상기 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 외주 가장자리를 상기 촬상 수단에 의한 촬상 영역으로 이동시키고, 상기 X축 방향 위치 검출 수단 및 상기 Y축 방향 위치 검출 수단으로부터의 검출 신호에 기초하여, 웨이퍼의 외주 가장자리에서의 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 적어도 3개 포인트의 좌표치를 구하고, 상기 3개 포인트의 좌표치로부터 웨이퍼의 중심의 좌표치를 구하고, 상기 중심의 좌표치를 상기 메모리에 저장하는 중심 좌표 검출 공정과,
상기 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 상기 특징 패턴을 포함하는 영역을 상기 촬상 수단의 촬상 영역에 위치 설정하고, 상기 촬상 수단에 의해 상기 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과,
상기 특징 패턴 촬상 공정에 의해 촬상된 특징 패턴과 상기 중심 좌표 검출 공정에 의해 구해진 웨이퍼의 중심의 좌표치의 위치 관계 정보를 생성하고, 상기 위치 관계 정보를 상기 메모리에 저장하는 좌표 위치 관계 생성 공정을 실시하고,
두번째 장 이후의 웨이퍼의 중심을 검출할 때에는,
상기 척테이블에 유지된 웨이퍼에 형성된 특징 패턴을 상기 촬상 수단에 의해 촬상하고, 촬상한 화상 신호에 기초하여 웨이퍼에 형성된 분할 예정 라인을 가공 이송 방향(X축 방향)과 평행하게 위치 설정하는 웨이퍼 위치 설정 공정과,
상기 웨이퍼 위치 설정 공정이 실시된 웨이퍼의 상기 특징 패턴을 포함하는 영역을 상기 촬상 수단의 촬상 영역에 위치 설정하고, 상기 촬상 수단에 의해 상기 특징 패턴을 포함하는 영역을 촬상하는 특징 패턴 촬상 공정과,
상기 특징 패턴 촬상 공정에 있어서 촬상된 특징 패턴의 위치와 상기 메모리에 저장된 위치 관계 정보에 기초하여 웨이퍼의 중심을 구하는 웨이퍼 중심 위치 결정 공정을 포함하는 것인, 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법.A chuck table for holding a wafer, a rotation means for rotating the chuck table, a processing means for processing a wafer held by the chuck table, and the chuck table and the processing means are moved in a processing transfer direction (X Axial direction), and an indexing conveying means for relatively moving the chuck table and the processing means in an indexing conveying direction (Y-axis direction) orthogonal to a processing conveying direction (X-axis direction), X-axis direction position detection means for detecting the position of the chuck table in the X-axis direction, Y-axis direction position detection means for detecting the position of the chuck table in the Y-axis direction, and imaging means for imaging a wafer held on the chuck table And, a method for detecting the center of a wafer in a processing apparatus comprising a control means equipped with a memory for storing a predetermined characteristic pattern formed on the wafer,
When detecting the center of the first wafer,
A wafer position in which a characteristic pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and a line to be divided formed on the wafer is positioned parallel to the processing transfer direction (X-axis direction) based on the captured image signal. The setting process,
The outer periphery of the wafer on which the wafer positioning process has been performed is moved to the imaging area by the imaging means, and based on the detection signals from the X-axis direction position detection means and the Y-axis direction position detection means, the outer circumference of the wafer A center coordinate detection step of obtaining coordinate values of at least three points imaged by the imaging means at an edge, obtaining a coordinate value of the center of the wafer from the coordinate values of the three points, and storing the coordinate value of the center in the memory;
A feature pattern imaging step of positioning an area including the feature pattern of the wafer on which the wafer positioning step has been performed, in an imaging area of the imaging means, and imaging a region including the feature pattern by the imaging means;
Performs a coordinate position relationship generation process of generating positional relationship information of the coordinate value of the center of the wafer obtained by the feature pattern imaged by the feature pattern imaging process and the center coordinate detection process, and storing the location relationship information in the memory. and,
When detecting the center of the wafer after the second page,
A wafer position in which a characteristic pattern formed on the wafer held on the chuck table is imaged by the imaging means, and a line to be divided formed on the wafer is positioned parallel to the processing transfer direction (X-axis direction) based on the captured image signal. The setting process,
A feature pattern imaging step of positioning an area including the feature pattern of the wafer on which the wafer positioning step has been performed, in an imaging area of the imaging means, and imaging a region including the feature pattern by the imaging means;
And a wafer center positioning step of determining a center of a wafer based on a position of a feature pattern captured in the feature pattern imaging step and positional relationship information stored in the memory.
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