JP2012238658A - Wafer chamfering part removal device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer chamfering part removal device capable of removing a chamfering part in a two-layer structure wafer in which a surface of the wafer is stuck to a substrate without damaging the substrate.SOLUTION: An wafer chamfering removal device comprises: a chuck table 34; a grinding unit; Z-axis direction feeding means for feeding the grinding unit in a Z-axis direction; Y-axis direction feeding means for relatively feeding the grinding unit in a Y-axis direction; Y-axis direction position detection means; Z-axis direction position detection means; imaging means for imaging a grinding region of a workpiece held in the chuck table 34; boundary height position direction means for detecting a height position of a boundary between a wafer 11 in a two-layer structure wafer 10 held in the chuck table 34 and a substrate 12; and control means. The control means controls the Z-axis direction feeding means on the basis of information for the height position of the boundary between the chamfering part to be removed of the wafer 11 and the substrate 12 detected by the boundary height position detection means.

Description

本発明は、外周に面取り部が形成されたウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおけるウエーハの面取り部を除去するウエーハの面取り部除去装置に関する。   The present invention relates to a wafer chamfered portion removing apparatus for removing a chamfered portion of a wafer in a two-layer structure wafer in which a wafer surface having a chamfered portion formed on the outer periphery is bonded to a substrate.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にIC,LSI等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割する前に、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。   In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by dividing lines called streets formed in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and ICs, LSIs, etc. are divided into the rectangular areas. Form the device. Individual devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a large number of devices are formed in this manner along the streets. In order to reduce the size and weight of the device, the semiconductor wafer is usually ground to a predetermined thickness by cutting the semiconductor wafer along the street and dividing it into individual devices.

しかるに、ウエーハの外周には面取り部が形成されているので、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みまで薄くすると、残存する面取り部が鋭利な所謂ナイフエッジの形態となり、危険であるとともにウエーハを研削している際にナイフエッジから亀裂が入りウエーハが損傷するという問題がある。このような問題を解消するために、ウエーハの面取り部を切削して除去し、面取り部が除去されたウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する加工方法が実施されている。   However, since a chamfered portion is formed on the outer periphery of the wafer, if the back surface of the wafer is ground and thinned to a predetermined thickness, the remaining chamfered portion becomes a sharp so-called knife edge, which is dangerous and causes the wafer to be damaged. During grinding, there is a problem that a crack is generated from the knife edge and the wafer is damaged. In order to solve such a problem, a processing method has been implemented in which a chamfered portion of a wafer is cut and removed, and a back surface of the wafer from which the chamfered portion has been removed is ground to have a predetermined thickness.

また、デバイスが形成されたウエーハの表面をガラス基板やシリコン基板等で支持した裏面照射型のCMOSイメージセンサ等の2層構造ウエーハ、または薄化後に次工程でのハンドリングが問題となるSi貫通電極(TSV)を有したデバイスが表面に形成されたウエーハをサブストレートで貼り合わせた2層構造ウエーハにおいてもウエーハの面取り部を除去することが有効である。   In addition, a wafer with a two-layer structure such as a back-illuminated CMOS image sensor in which the surface of the wafer on which the device is formed is supported by a glass substrate, a silicon substrate, or the like, or a Si through electrode that is problematic in the next process after thinning It is also effective to remove a chamfered portion of a wafer even in a two-layer structure wafer in which a wafer having a device having (TSV) formed on the surface is bonded with a substrate.

なお、デバイスが形成されたウエーハの面取り部を切削して除去した後にウエーハの表面を基板に貼り合わせると、面取り部を切削して除去する際にウエーハの表面が汚染されているので、基板に貼り合わせる前にウエーハの表面を洗浄する必要がある。このため、デバイスが形成されたウエーハの表面を基板に貼り合わせた後に、ウエーハの面取り部を除去する。   In addition, if the chamfered portion of the wafer on which the device is formed is cut and removed, and the wafer surface is bonded to the substrate, the wafer surface is contaminated when the chamfered portion is cut and removed. Before bonding, it is necessary to clean the surface of the wafer. For this reason, after the surface of the wafer on which the device is formed is bonded to the substrate, the chamfered portion of the wafer is removed.

また、支持基板として機能する半導体ウエーハと、活性基板として機能する半導体ウエーハとを貼り合わせたSOI基板において、活性基板として機能する半導体ウエーハの面取り部を研削して除去する方法が下記特許文献1に記載されている。   Patent Document 1 discloses a method for grinding and removing a chamfered portion of a semiconductor wafer functioning as an active substrate in an SOI substrate obtained by bonding a semiconductor wafer functioning as a support substrate and a semiconductor wafer functioning as an active substrate. Have been described.

特開平8−107092号公報JP-A-8-107092

而して、上述したウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおいて、ウエーハの面取り部を除去する際に基板に傷を付けるとデバイスの品質を低下させるという問題がある。   Thus, in the above-described two-layer structure wafer in which the wafer surface is bonded to the substrate, there is a problem that the quality of the device is deteriorated if the substrate is damaged when the chamfered portion of the wafer is removed.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおけるウエーハの面取り部を除去する際に、基板に傷を付けることなく面取り部を除去することができるウエーハの面取り部除去装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is that the substrate is damaged when the chamfered portion of the wafer in the two-layer structure wafer in which the wafer surface is bonded to the substrate is removed. It is an object of the present invention to provide a chamfered portion removing apparatus for a wafer that can remove a chamfered portion without any problem.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、外周に面取り部が形成されたウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおけるウエーハの面取り部を除去するウエーハの面取り部除去装置であって、
被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルを回転駆動するチャックテーブル駆動モータと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削砥石を有する研削工具および該研削工具を回転駆動する研削工具駆動モータを備えた研削ユニットと、該研削ユニットと該チャックテーブルを保持面に対して垂直なZ軸方向に相対的に移動せしめるZ軸方向送り手段と、該研削ユニットと該チャックテーブルをZ軸方向に直交するY軸方向に相対的に移動せしめるY軸方向送り手段と、該研削工具のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段と、該研削工具のZ軸方向位置を検出するためのZ軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物の研削領域を撮像する撮像手段と、該チャックテーブルの保持面に保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハと基板との境界部の高さ位置を検出する境界部高さ位置検出手段と、制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該撮像手段を作動し該チャックテーブルの保持面に基板側が保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハの除去すべき面取り部を検出する面取り部検出工程と、
該境界部高さ位置検出手段を作動するとともに該チャックテーブル駆動モータを作動して該チャックテーブルを回転し、ウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の高さ位置を所定角度毎に検出する境界部高さ位置検出工程と、
該Y軸方向送り手段を作動して該該チャックテーブルに保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハの除去すべき面取り部に該研削工具の研削砥石を位置付ける研削工具位置付け工程と、
該研削工具駆動モータを作動して該研削工具を回転駆動しつつ該チャックテーブル駆動モータを作動して該チャックテーブルを回転するとともに、該境界部高さ位置検出工程が実施されたウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の所定角度毎の高さ位置情報に基づいて該Z軸方向送り手段を制御する面取り部除去工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a chamfered portion removing apparatus for a wafer that removes a chamfered portion of a wafer in a two-layer structure wafer in which the surface of a wafer having a chamfered portion formed on the outer periphery is bonded to a substrate. Because
A grinding tool having a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table driving motor for rotating the chuck table, and a grinding wheel for grinding the workpiece held on the holding surface of the chuck table And a grinding unit having a grinding tool drive motor for rotationally driving the grinding tool, and a Z-axis direction feeding means for moving the grinding unit and the chuck table relatively in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface; Y-axis direction feed means for relatively moving the grinding unit and the chuck table in the Y-axis direction orthogonal to the Z-axis direction; Y-axis direction position detecting means for detecting the Y-axis direction position of the grinding tool; , Z-axis direction position detection means for detecting the position of the grinding tool in the Z-axis direction, and an image of the grinding area of the workpiece held on the holding surface of the chuck table Imaging means, boundary height position detecting means for detecting the height position of the boundary between the wafer and the substrate in the two-layer structure wafer held on the holding surface of the chuck table, and control means. ,
The control means operates the imaging means to detect a chamfered portion detecting step for detecting a chamfered portion to be removed from the wafer in a two-layer structure wafer in which the substrate side is held on the holding surface of the chuck table;
The boundary height position detecting means is operated and the chuck table driving motor is operated to rotate the chuck table so that the height position of the boundary between the chamfered portion to be removed from the wafer and the substrate is set every predetermined angle. A boundary height position detecting step to detect;
A grinding tool positioning step of positioning the grinding wheel of the grinding tool at a chamfer to be removed of the wafer in the two-layer structure wafer held on the chuck table by operating the Y-axis direction feeding means;
While operating the grinding tool drive motor to rotate the grinding tool, the chuck table drive motor is operated to rotate the chuck table, and the wafer in which the boundary height position detecting step has been performed is removed. A chamfered portion removing step for controlling the Z-axis direction feeding means based on height position information for each predetermined angle of the boundary portion between the power chamfered portion and the substrate is performed.
A chamfered portion removing apparatus for a wafer is provided.

上記研削工具の研削砥石の下端の高さ位置を検出するための研削砥石高さ位置検出手段を具備している。
また、上記研削工具の研削砥石の研削面をドレッシングするためのドレス手段を具備していることが望ましい。
Grinding wheel height position detecting means for detecting the height position of the lower end of the grinding wheel of the grinding tool is provided.
In addition, it is desirable that dressing means for dressing the grinding surface of the grinding wheel of the grinding tool is provided.

本発明によるウエーハの面取り部除去装置は、チャックテーブルの保持面に保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハと基板との境界部の高さ位置を検出する境界部高さ位置検出手段を作動してウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の高さ位置を所定角度毎に検出し、研削工具を回転駆動しつつチャックテーブルを回転するとともに境界部高さ位置検出工程が実施されたウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の所定角度毎の高さ位置情報に基づいてZ軸方向送り手段を制御するので、ウエーハが貼り合わされた基板を傷つけることなくウエーハに外周に形成された面取り部を除去することができる。   The wafer chamfered portion removing apparatus according to the present invention operates a boundary height position detecting means for detecting a height position of a boundary portion between a wafer and a substrate in a two-layer structure wafer held on a holding surface of a chuck table. Wafer in which the height position of the boundary portion between the chamfered portion to be removed from the wafer and the substrate is detected at predetermined angles, the chuck table is rotated while the grinding tool is driven to rotate, and the boundary height position detecting step is performed. Since the Z-axis direction feeding means is controlled on the basis of the height position information for each predetermined angle between the chamfered portion to be removed and the substrate, the wafer is formed on the outer periphery without damaging the substrate to which the wafer is bonded. The chamfered portion can be removed.

本発明によって構成されたウエーハの面取り部除去装置の斜視図。The perspective view of the chamfering part removal apparatus of the wafer comprised by this invention. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置に装備される研削ユニットの要部を示す斜視図。The perspective view which shows the principal part of the grinding unit with which the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 1 is equipped. 図2に示す研削ユニットを構成する研削工具の要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the grinding tool which comprises the grinding unit shown in FIG. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置に装備される撮像手段および境界部高さ位置検出手段とチャックテーブルに保持された被加工物との関係を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing a relationship between an imaging unit and a boundary height position detection unit provided in the chamfered part removing apparatus for a wafer shown in FIG. 1 and a workpiece held on a chuck table. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置に装備される境界部高さ位置検出手段によって検出される高さ位置情報を示す図。The figure which shows the height position information detected by the boundary part height position detection means with which the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置によって実施する面取り部除去工程の説明図。Explanatory drawing of the chamfer part removal process implemented by the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 図1に示すウエーハの面取り部除去装置によって実施するドレッシング工程の説明図。Explanatory drawing of the dressing process implemented by the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 本発明によって構成されたウエーハの面取り部除去装置の他の実施形態を示す斜視図。The perspective view which shows other embodiment of the chamfer part removal apparatus of the wafer comprised by this invention. 図9に示すウエーハの面取り部除去装置によって実施する面取り部除去工程の説明図。Explanatory drawing of the chamfer part removal process implemented by the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG. 図9に示すウエーハの面取り部除去装置によって実施するドレッシング工程の説明図。Explanatory drawing of the dressing process implemented by the chamfer part removal apparatus of the wafer shown in FIG.

以下、本発明によって構成されたウエーハの面取り部除去装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of a chamfered portion removing apparatus for a wafer constituted according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明によって構成されたウエーハの面取り部除去装置の斜視図が示されている。
図1に示されたウエーハの面取り部除去装置は、静止基台2を具備している。この静止基台2上には、被加工物を保持し矢印Xで示すX軸方向に移動せしめるチャックテーブル機構3が配設されている。
FIG. 1 is a perspective view of a wafer chamfered portion removing apparatus constructed according to the present invention.
The wafer chamfered portion removing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2. On the stationary base 2, a chuck table mechanism 3 that holds a workpiece and moves it in the X-axis direction indicated by an arrow X is disposed.

図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、静止基台2の上面に配設された一対の案内レール31、31を備えている。この一対の案内レール31、31は、図1においてX軸方向に沿って互いに平行に延設されている。この一対の案内レール31、31上には、チャックテーブル支持基台32が移動可能に配設されている。即ち、チャックテーブル支持基台32には一対の被案内溝321、321が設けられており、この被案内溝321、321を一対の案内レール31、31に嵌合することにより、チャックテーブル支持基台32は一対の案内レール31、31に沿って移動可能に構成される。   The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a pair of guide rails 31, 31 disposed on the upper surface of the stationary base 2. The pair of guide rails 31 are extended in parallel with each other along the X-axis direction in FIG. A chuck table support base 32 is movably disposed on the pair of guide rails 31, 31. In other words, the chuck table support base 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321, and by fitting the guided grooves 321 and 321 to the pair of guide rails 31 and 31, the chuck table support base 32. The base 32 is configured to be movable along a pair of guide rails 31, 31.

チャックテーブル支持基台32上には円筒部材33が配設され、この円筒部材33の上端にチャックテーブル34が回転可能に配設されている。このチャックテーブル34は、チャックテーブル本体341と該チャックテーブル本体341の上面に配設された吸着チャック342とからなっており、チャックテーブル本体341が円筒部材33に回転可能に支持されている。吸着チャック342は多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料から構成されており、図示しない吸引手段に接続されている。従って、図示しない吸引手段を作動すると、吸着チャック342の上面である保持面に負圧が作用し、吸着チャック342の上面に載置された被加工物を吸引保持する。また、チャックテーブル34は、円筒部材33内に配設されたチャックテーブル駆動モータとしてのパルスモータ340によって適宜回動せしめられるようになっている。なお、円筒部材33の上端部には、チャックテーブル34を挿通する穴を有しチャックテーブル支持基台32を覆うカバー部材35が配設されている。   A cylindrical member 33 is disposed on the chuck table support base 32, and a chuck table 34 is rotatably disposed at the upper end of the cylindrical member 33. The chuck table 34 includes a chuck table main body 341 and a suction chuck 342 disposed on the upper surface of the chuck table main body 341, and the chuck table main body 341 is rotatably supported by the cylindrical member 33. The suction chuck 342 is made of an appropriate porous material such as porous ceramics, and is connected to suction means (not shown). Accordingly, when a suction unit (not shown) is operated, a negative pressure is applied to the holding surface, which is the upper surface of the suction chuck 342, and the workpiece placed on the upper surface of the suction chuck 342 is sucked and held. The chuck table 34 is appropriately rotated by a pulse motor 340 as a chuck table drive motor disposed in the cylindrical member 33. A cover member 35 having a hole through which the chuck table 34 is inserted and covering the chuck table support base 32 is disposed at the upper end of the cylindrical member 33.

図1に基づいて説明を続けると、図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、チャックテーブル34を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるためのX軸方向送り手段36を備えている。X軸方向送り手段36は、一対の案内レール31、31の間に平行に配設された雄ネジロッド361と、雄ネジロッド361の一端部を回転可能に支持する軸受362と、雄ネジロッド361の他端に連結され該雄ネジロッド361を正転または逆転駆動するパルスモータ363とからなっている。このように構成されたX軸方向送り手段36は、雄ネジロッド361が上記チャックテーブル支持基台32に形成された雌ネジ322に螺合される。従って、X軸方向送り手段36は、それぞれパルスモータ363を駆動して雄ネジロッド361を正転または逆転駆動することにより、上記チャックテーブル支持基台32に配設されたチャックテーブル34を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動することができる。   1, the chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes an X-axis direction feeding means 36 for moving the chuck table 34 along the pair of guide rails 31 and 31 in the X-axis direction. I have. The X-axis direction feeding means 36 includes a male screw rod 361 disposed in parallel between the pair of guide rails 31, 31, a bearing 362 that rotatably supports one end of the male screw rod 361, and a male screw rod 361. A pulse motor 363 is connected to the end and drives the male screw rod 361 to rotate forward or backward. In the X-axis direction feeding means 36 configured as described above, the male screw rod 361 is screwed into the female screw 322 formed on the chuck table support base 32. Therefore, the X-axis direction feed means 36 drives the pulse motor 363 to drive the male screw rod 361 in the normal direction or the reverse direction, thereby moving the chuck table 34 disposed on the chuck table support base 32 to a pair of guides. It can move in the X-axis direction along the rails 31 and 31.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記チャックテーブル34のX軸方向位置を検出するためのX軸方向位置検出手段37を備えている。X軸方向位置検出手段37は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール371と、チャックテーブル支持基台32に配設されチャックテーブル支持基台32とともにリニアスケール371に沿って移動する読み取りヘッド372とからなっている。このX軸方向位置検出手段37の読み取りヘッド372は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントし、チャックテーブル34の基準位置からの移動量を検出することによりチャックテーブル34のX軸方向位置を検出する。   The wafer chamfered portion removing apparatus in the illustrated embodiment includes X-axis direction position detecting means 37 for detecting the X-axis direction position of the chuck table 34. The X-axis direction position detecting means 37 is a linear scale 371 arranged along the guide rail 31 and a reading which is arranged on the chuck table support base 32 and moves along the linear scale 371 together with the chuck table support base 32. It consists of a head 372. In the illustrated embodiment, the reading head 372 of the X-axis direction position detecting means 37 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means described later counts the input pulse signals and detects the position of the chuck table 34 in the X-axis direction by detecting the amount of movement of the chuck table 34 from the reference position.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記一対の案内レール31、31を跨いでX軸方向と直交する矢印Yで示すY軸方向に沿って配設された門型の支持フレーム4を備えている。この支持フレーム4は、一対の案内レール31、31に沿って移動可能に配設されたチャックテーブル34の移動を許容する開口40が設けられており、その前面4aには一対の案内レール41、41がY軸方向に沿って配設されている。このように構成された支持フレーム4の前面4aの上部に研削手段5が配設されている。研削手段5は、Y軸方向に移動可能に配設されたY軸方向移動基台51と、X軸方向およびY軸方向に対して垂直な矢印Zで示すZ軸方向(チャックテーブル34の保持面に対して垂直な方向)に移動可能に配設されたZ軸方向移動基台52および研削ユニット6を具備している。Y軸方向移動基台51は、後面51bに上記支持フレーム4に設けられた一対の案内レール41、41と嵌合する被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を一対の案内レール41、41に嵌合することにより一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動可能に構成される。なお、X軸方向移動基台51の前面51aには、上記チャックテーブル34の保持面に対して垂直なZ軸方向に沿って一対の案内レール512、512が設けられている。このように構成されたY軸方向移動基台51は、Y軸方向送り手段53によって一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動せしめられる。Y軸方向送り手段53は、一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド531と、雄ネジロッド531の一端部を回転可能に支持する軸受532と、雄ネジロッド531の他端に連結され該雄ネジロッド531を正転または逆転駆動するパルスモータ533とからなっている。このように構成されたY軸方向送り手段53は、雄ネジロッド531がY軸方向移動基台51の後面に突出して設けられた突出部に形成された雌ネジ(図示せず)に螺合される。従って、Y軸方向送り手段53は、パルスモータ533を駆動して雄ネジロッド531を正転または逆転駆動することにより、Y軸方向移動基台51上を一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動することができる。   The chamfered portion removing apparatus for a wafer in the illustrated embodiment includes a gate-type support frame 4 disposed along the Y-axis direction indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction across the pair of guide rails 31, 31. It has. The support frame 4 is provided with an opening 40 that allows movement of a chuck table 34 that is movably disposed along the pair of guide rails 31, 31, and a pair of guide rails 41, 41 is arranged along the Y-axis direction. Grinding means 5 is disposed on the upper portion of the front surface 4a of the support frame 4 thus configured. The grinding means 5 includes a Y-axis direction moving base 51 disposed so as to be movable in the Y-axis direction, and the Z-axis direction (holding the chuck table 34) indicated by an arrow Z perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction. A Z-axis direction moving base 52 and a grinding unit 6 are provided so as to be movable in a direction perpendicular to the surface. The Y-axis direction moving base 51 is provided with guided grooves 511 and 511 which are fitted to the pair of guide rails 41 and 41 provided on the support frame 4 on the rear surface 51b. Is fitted to the pair of guide rails 41, 41 so as to be movable in the Y-axis direction along the pair of guide rails 41, 41. A pair of guide rails 512 and 512 are provided on the front surface 51 a of the X-axis direction moving base 51 along the Z-axis direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 34. The Y-axis direction moving base 51 configured as described above is moved in the Y-axis direction along the pair of guide rails 41 and 41 by the Y-axis direction feeding means 53. The Y-axis direction feeding means 53 includes a male screw rod 531 disposed in parallel between the pair of guide rails 41, a bearing 532 that rotatably supports one end of the male screw rod 531, and a male screw rod 531. A pulse motor 533 is connected to the end and drives the male screw rod 531 to rotate forward or backward. The Y-axis direction feeding means 53 configured as described above is screwed into a female screw (not shown) formed on a protruding portion provided with a male screw rod 531 protruding from the rear surface of the Y-axis direction moving base 51. The Therefore, the Y-axis direction feeding means 53 drives the pulse motor 533 to drive the male screw rod 531 in the normal direction or the reverse direction, so that the Y-axis direction feeding means 53 moves along the Y-axis direction moving base 51 along the pair of guide rails 41, 41. It can move in the axial direction.

上記Z軸方向移動基台52は、後面52bに上記Y軸方向移動基台51の前面51aに設けられた一対の案内レール512、512と嵌合する被案内溝521、521が設けられており、この被案内溝521、521を一対の案内レール512、512に嵌合することにより一対の案内レール512、512に沿ってZ軸方向に移動可能に構成される。このように構成されたZ軸方向移動基台52は、Z軸方向送り手段54によって一対の案内レール512、512に沿ってZ軸方向に移動せしめられる。Z軸方向送り手段54は、一対の案内レール512、512の間に平行に配設された雄ネジロッド541と、雄ネジロッド541の一端部を回転可能に支持する軸受(図示せず)と、雄ネジロッド541の他端に連結され該雄ネジロッド541を正転または逆転駆動するパルスモータ543とからなっている。このように構成されたZ軸方向送り手段54は、雄ネジロッド541がZ軸方向移動基台52の後面に突出して設けられた突出部に形成された雌ネジ(図示せず)に螺合される。従って、Z軸方向送り手段54は、それぞれパルスモータ543を駆動して雄ネジロッド541を正転または逆転駆動することにより、Z軸方向移動基台52上を一対の案内レール512、512に沿ってZ軸方向に移動することができる。   The Z-axis direction moving base 52 is provided with guided grooves 521 and 521 that fit with a pair of guide rails 512 and 512 provided on the front surface 51a of the Y-axis direction moving base 51 on the rear surface 52b. The guided grooves 521 and 521 are fitted to the pair of guide rails 512 and 512 so as to be movable along the pair of guide rails 512 and 512 in the Z-axis direction. The Z-axis direction moving base 52 configured in this way is moved in the Z-axis direction along the pair of guide rails 512 and 512 by the Z-axis direction feeding means 54. The Z-axis direction feeding means 54 includes a male screw rod 541 disposed in parallel between the pair of guide rails 512 and 512, a bearing (not shown) that rotatably supports one end of the male screw rod 541, a male screw A pulse motor 543 is connected to the other end of the screw rod 541 and drives the male screw rod 541 to rotate forward or backward. The thus configured Z-axis direction feeding means 54 is screwed into a female screw (not shown) formed on a protruding portion provided with a male screw rod 541 protruding from the rear surface of the Z-axis direction moving base 52. The Therefore, the Z-axis direction feeding means 54 drives the pulse motor 543 to drive the male screw rod 541 in the normal direction or the reverse direction, thereby moving the Z-axis direction moving base 52 along the pair of guide rails 512 and 512. It can move in the Z-axis direction.

上記Z軸方向移動基台52の前面52aには、研削ユニット6を支持するための研削ユニット支持部材55が装着されている。この研削ユニット支持部材55はL字状に形成され、取り付け部551と、該取り付け部551の下端から直角に水平に延びる支持部552とからなっている。このように構成された研削ユニット支持部材55は、取り付け部551がZ軸方向移動基台52の前面52aに取り付けられる。取り付け部551は、Z軸方向に長い4個の長穴551aが設けられており、この4個の長穴551aをそれぞれ挿通して配設された締結ボルト553によってZ軸方向移動基台52の前面52aに取り付けられる。また、研削ユニット支持部材55を構成する支持部552にはX軸方向に長い4個の長穴552aが設けられており、この4個の長穴552aをそれぞれ挿通して配設された締結ボルト554によって支持部552の下面に研削ユニット6のスピンドルハウジング61を装着する。   A grinding unit support member 55 for supporting the grinding unit 6 is mounted on the front surface 52 a of the Z-axis direction moving base 52. The grinding unit support member 55 is formed in an L shape, and includes an attachment portion 551 and a support portion 552 that extends horizontally from the lower end of the attachment portion 551 at a right angle. The grinding unit support member 55 configured as described above has the attachment portion 551 attached to the front surface 52 a of the Z-axis direction moving base 52. The attachment portion 551 is provided with four long holes 551a that are long in the Z-axis direction, and the fastening bolts 553 that are respectively inserted through the four long holes 551a are provided on the Z-axis direction moving base 52. It is attached to the front surface 52a. The support portion 552 constituting the grinding unit support member 55 is provided with four long holes 552a that are long in the X-axis direction, and fastening bolts that are respectively inserted through the four long holes 552a. The spindle housing 61 of the grinding unit 6 is attached to the lower surface of the support portion 552 by 554.

上述したように研削ユニット支持部材55を構成する支持部552の下面に装着された研削ユニット6について、図2および図3を参照して説明する。
図示の実施形態における研削ユニット6は、上記支持部552の下面に装着されるスピンドルハウジング61と、該スピンドルハウジング61に回転自在に支持された回転スピンドル62と、該回転スピンドル62の前端部に装着された図示しないマウンターを取り付ける締結ボルト64と、該締結ボルト64によって取り付けられた図示しないマウンターに装着される研削工具65と、該研削工具65を図示しないマウンターのフランジとの間に挟持固定する挟持ナット66とによって構成されている。なお、回転スピンドル62は、研削工具駆動モータとしてのサーボモータ67(図1参照)によって回転駆動されるように構成されている。上記研削工具65は、図3に示すように円環状の基台651と、該円環状の基台651の外周部側面に装着された環状の研削砥石652とからなっている。環状の研削砥石652は、厚みが例えば2mmに形成され、外周面がY軸方向に平坦即ち外周面が側面に対して直角に形成されている。
The grinding unit 6 mounted on the lower surface of the support portion 552 constituting the grinding unit support member 55 as described above will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
The grinding unit 6 in the illustrated embodiment is mounted on a spindle housing 61 mounted on the lower surface of the support portion 552, a rotating spindle 62 rotatably supported on the spindle housing 61, and a front end portion of the rotating spindle 62. A clamping bolt 64 for mounting the mounter (not shown), a grinding tool 65 attached to the mounter (not shown) attached by the fastening bolt 64, and a clamp for clamping and fixing the grinding tool 65 to a flange of the mounter (not shown) A nut 66 is used. The rotary spindle 62 is configured to be rotated by a servo motor 67 (see FIG. 1) as a grinding tool drive motor. As shown in FIG. 3, the grinding tool 65 includes an annular base 651 and an annular grinding wheel 652 mounted on the outer peripheral side surface of the annular base 651. The annular grinding wheel 652 is formed to have a thickness of 2 mm, for example, and the outer peripheral surface is flat in the Y-axis direction, that is, the outer peripheral surface is formed perpendicular to the side surface.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記研削ユニット6の研削工具65を構成する研削砥石652のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段68を備えている。Y軸方向位置検出手段68は、支持フレーム4に設けられた案内レール41に沿って配設されたリニアスケール681と、Y軸方向移動基台51に配設されY軸方向移動基台51とともにリニアスケール681に沿って移動する読み取りヘッド682とからなっている。このY軸方向位置検出手段68の読み取りヘッド682は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントし、研削ユニット6の基準位置からの移動量を検出することにより研削砥石652のY軸方向位置を検出する。   The wafer chamfered portion removing apparatus in the illustrated embodiment includes Y-axis direction position detecting means 68 for detecting the Y-axis direction position of the grinding wheel 652 constituting the grinding tool 65 of the grinding unit 6. The Y-axis direction position detecting means 68 includes a linear scale 681 provided along the guide rail 41 provided on the support frame 4, and a Y-axis direction moving base 51, together with the Y-axis direction moving base 51. The reading head 682 moves along a linear scale 681. In the illustrated embodiment, the reading head 682 of the Y-axis direction position detecting means 68 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later counts the input pulse signals and detects the position of the grinding wheel 652 in the Y-axis direction by detecting the amount of movement of the grinding unit 6 from the reference position.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記研削ユニット6の研削工具65を構成する研削砥石652のZ軸方向位置を検出するためのZ軸方向位置検出手段69を備えている。Z軸方向位置検出手段69は、Y軸方向移動基台51に設けられた案内レール511に沿って配設されたリニアスケール691と、Z軸方向移動基台52に配設されZ軸方向移動基台52とともにリニアスケール691に沿って移動する読み取りヘッド692とからなっている。このZ軸方向位置検出手段69の読み取りヘッド692は、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントし、研削ユニット6の基準位置からの移動量を検出することにより研削砥石652のZ軸方向位置を検出する。   The wafer chamfered portion removing apparatus in the illustrated embodiment includes Z-axis direction position detecting means 69 for detecting the Z-axis direction position of the grinding wheel 652 constituting the grinding tool 65 of the grinding unit 6. The Z-axis direction position detecting means 69 includes a linear scale 691 provided along the guide rail 511 provided on the Y-axis direction moving base 51 and a Z-axis direction moving base 52 provided on the Z-axis direction moving base 52. The reading head 692 moves along the linear scale 691 together with the base 52. In the illustrated embodiment, the reading head 692 of the Z-axis direction position detecting means 69 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. And the control means mentioned later counts the input pulse signal, and detects the Z-axis direction position of the grinding wheel 652 by detecting the movement amount from the reference position of the grinding unit 6.

図1を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記研削ユニット6のスピンドルハウジング61に配設され研削工具65の研削砥石652によって研削すべき加工領域を検出するための撮像手段71および上記チャックテーブル34に保持された後述するウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおけるウエーハと基板との境界部、即ちウエーハの下面の高さ位置を検出するための境界部高さ位置検出手段72を具備している。この撮像手段71および境界部高さ位置検出手段72について、図4を参照して説明する。撮像手段71および境界部高さ位置検出手段72は、スピンドルハウジング61に装着されたケース70内に配設されている。撮像手段71は、顕微鏡等の光学系と撮像素子(CCD)等で構成されており、ケース70に配設されたハーフミラー73および対物レンズ74を通してチャックテーブル34に保持された被加工物としての2層構造ウエーハ10を撮像し、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。なお、2層構造ウエーハ10は、ウエーハ11の表面を基板12に貼り合わせた構成である。なお、2層構造ウエーハ10を構成するウエーハ11および基板12の外周にはそれぞれ面取り部111および121が形成されている。   With reference to FIG. 1, the wafer chamfer removing device in the illustrated embodiment is arranged in the spindle housing 61 of the grinding unit 6 and has a processing area to be ground by the grinding wheel 652 of the grinding tool 65. Detects the height position of the boundary between the wafer and the substrate, that is, the lower surface of the wafer in a two-layer structure wafer in which the surface of a wafer described later held on the chuck table 34 and the imaging means 71 for detection is bonded to the substrate. For this purpose, a boundary height position detecting means 72 is provided. The imaging means 71 and the boundary height position detecting means 72 will be described with reference to FIG. The imaging means 71 and the boundary height position detection means 72 are disposed in a case 70 attached to the spindle housing 61. The imaging means 71 is composed of an optical system such as a microscope and an imaging device (CCD) and the like, and serves as a workpiece to be held on the chuck table 34 through a half mirror 73 and an objective lens 74 disposed in the case 70. The two-layer structure wafer 10 is imaged, and the imaged image signal is sent to the control means described later. The two-layer wafer 10 has a configuration in which the surface of the wafer 11 is bonded to the substrate 12. Note that chamfered portions 111 and 121 are formed on the outer circumferences of the wafer 11 and the substrate 12 constituting the two-layer structure wafer 10, respectively.

また、境界部高さ位置検出手段72は、ウエーハに対して透過性を有する波長の検出光を上記ハーフミラー73および対物レンズ74を通してチャックテーブル34に保持された2層構造ウエーハ10におけるウエーハ11に照射し、ウエーハ11の下面で反射した反射光の光路長と基準光路長との差に基づいてウエーハ11の下面の高さ位置を求める高さ位置検出器を用いることができる。この境界部高さ位置検出手段72は、検出信号を後述する制御手段に送る。なお、上述した境界部高さ位置検出手段72としては、例えば大塚電子株式会社によって製造販売されている「反射分光膜厚計FE-3000」を用いることができる。   The boundary height position detection means 72 is applied to the wafer 11 in the two-layer structure wafer 10 held on the chuck table 34 through the half mirror 73 and the objective lens 74 with detection light having a wavelength transmissive to the wafer. A height position detector that obtains the height position of the lower surface of the wafer 11 based on the difference between the optical path length of the reflected light that is irradiated and reflected by the lower surface of the wafer 11 and the reference optical path length can be used. The boundary height position detection means 72 sends a detection signal to a control means described later. As the boundary height position detecting means 72 described above, for example, “reflected spectral film thickness meter FE-3000” manufactured and sold by Otsuka Electronics Co., Ltd. can be used.

図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、上記チャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル支持基台32を覆うカバー部材35の上面に配設され研削工具65の研削砥石652の下端の高さ位置を検出するための研削砥石高さ位置検出手段75を具備している。この研削砥石高さ位置検出手段75は、所定の間隔を置いて互いに対向して配設された発光素子751および受光素子752と、該受光素子752によって受光された光の光量に対応した電圧に変換する光電変換器(図示せず)とを具備し、該光電変換器が受光された光量に対応した電圧信号を後述する制御手段に出力する。このように構成された研削砥石高さ位置検出手段75によって研削砥石652の下端の高さ位置を検出するには、研削砥石高さ位置検出手段75を研削砥石652の直下に位置付け、上記Z軸方向送り手段54を作動して研削砥石652を下降させ、発光素子751と受光素子752との間を研削砥石652が遮った時点における光電変換器からの検出信号に基づいて、上記Z軸方向位置検出手段69からの位置信号によって求める。   Referring back to FIG. 1, the wafer chamfered portion removing apparatus in the illustrated embodiment is disposed on the upper surface of the cover member 35 that covers the chuck table support base 32 constituting the chuck table mechanism 3 and is a grinding tool. Grinding wheel height position detecting means 75 for detecting the height position of the lower end of 65 grinding wheels 652 is provided. The grinding wheel height position detecting means 75 has a light emitting element 751 and a light receiving element 752 which are arranged to face each other at a predetermined interval, and a voltage corresponding to the amount of light received by the light receiving element 752. A photoelectric converter (not shown) for conversion, and outputs a voltage signal corresponding to the amount of light received by the photoelectric converter to a control means described later. In order to detect the height position of the lower end of the grinding wheel 652 by the grinding wheel height position detection means 75 configured as described above, the grinding wheel height position detection means 75 is positioned directly below the grinding wheel 652, and the Z axis Based on the detection signal from the photoelectric converter when the grinding wheel 652 is lowered by operating the direction feed means 54 and the grinding wheel 652 blocks between the light emitting element 751 and the light receiving element 752, It is obtained from the position signal from the detecting means 69.

また、上記チャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル支持基台32を覆うカバー部材35の上面には、研削工具65の研削砥石652の外周面(研削面)をドレッシングするためのドレス手段76が配設されている。このドレス手段76は、ドレッシングボード761と該ドレッシングボード761を支持する支持部材762とからなり、支持部材762がカバー部材35の上面に取り付けられている。   Dressing means 76 for dressing the outer peripheral surface (grinding surface) of the grinding wheel 652 of the grinding tool 65 is arranged on the upper surface of the cover member 35 that covers the chuck table support base 32 constituting the chuck table mechanism 3. It is installed. The dressing means 76 includes a dressing board 761 and a support member 762 that supports the dressing board 761, and the support member 762 is attached to the upper surface of the cover member 35.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は、図5に示すように制御手段20を具備している。制御手段20はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)201と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)202と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)203と、入力インターフェース204および出力インターフェース205とを備えている。このように構成された制御手段20の入力インターフェース204には、X軸方向位置検出手段37の読み取りヘッド372、Y軸方向位置検出手段68の読み取りヘッド682、Z軸方向位置検出手段69の読み取りヘッド692、撮像手段71、境界部高さ位置検出手段72、研削砥石高さ位置検出手段75等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース205からは上記チャックテーブル34を回転駆動するチャックテーブル駆動モータとしてのパルスモータ340、X軸方向送り手段36のサーボモータ363、Y軸方向送り手段53のパルスモータ533、Z軸方向送り手段54のパルスモータ543、研削工具65を回転駆動する研削工具駆動モータとしてのサーボモータ67等に制御信号を出力する。   The wafer chamfered portion removing apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 20 as shown in FIG. The control means 20 is configured by a computer, and a central processing unit (CPU) 201 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 202 that stores control programs and the like, and a read / write that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 203, an input interface 204, and an output interface 205 are provided. The input interface 204 of the control unit 20 configured as described above includes a read head 372 of the X-axis direction position detection unit 37, a read head 682 of the Y-axis direction position detection unit 68, and a read head of the Z-axis direction position detection unit 69. 692, detection signals from the imaging means 71, the boundary height position detecting means 72, the grinding wheel height position detecting means 75, and the like are input. Further, from the output interface 205, a pulse motor 340 as a chuck table driving motor for rotationally driving the chuck table 34, a servo motor 363 of the X-axis direction feeding means 36, a pulse motor 533 of the Y-axis direction feeding means 53, a Z-axis direction. A control signal is output to a pulse motor 543 of the feeding means 54, a servo motor 67 as a grinding tool drive motor that rotationally drives the grinding tool 65, and the like.

図示の実施形態におけるウエーハの面取り部除去装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
先ず、チャックテーブル34上に2層構造ウエーハ10の基板12側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル34上に2層構造ウエーハ10を吸引保持する。従って、チャックテーブル34上に保持された2層構造ウエーハ10は、ウエーハ11が上側となる。このようにしてチャックテーブル34上に2層構造ウエーハ10を吸引保持したならば、X軸方向送り手段36を作動して2層構造ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル34を図4に示すように撮像手段71および境界部高さ位置検出手段72を収容したケース70に配設された対物レンズ74の直下に位置付ける。そして、Z軸方向送り手段54を作動して撮像手段71による撮像画面の中心を2層構造ウエーハ10を構成するウエーハ11の外周縁から例えば1mm内側の位置に位置付ける(面取り部検出工程)。
The chamfered portion removing apparatus for a wafer in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
First, the substrate 12 side of the two-layer structure wafer 10 is placed on the chuck table 34, and the two-layer structure wafer 10 is sucked and held on the chuck table 34 by operating a suction means (not shown). Therefore, in the two-layer structure wafer 10 held on the chuck table 34, the wafer 11 is on the upper side. When the two-layer structure wafer 10 is sucked and held on the chuck table 34 in this way, the chuck table 34 that sucks and holds the two-layer structure wafer 10 by operating the X-axis direction feeding means 36 is shown in FIG. The imaging unit 71 and the boundary height position detection unit 72 are positioned directly below the objective lens 74 disposed in the case 70 that houses the imaging unit 71 and the boundary height position detection unit 72. Then, the Z-axis direction feeding unit 54 is operated to position the center of the imaging screen by the imaging unit 71 at a position, for example, 1 mm inside from the outer peripheral edge of the wafer 11 constituting the two-layer structure wafer 10 (chamfered portion detection step).

次に、境界部高さ位置検出手段72を作動するとともにチャックテーブル駆動モータとしてのパルスモータ340を作動してチャックテーブル34を1回転する。この結果、境界部高さ位置検出手段72によって2層構造ウエーハ10を構成するウエーハ11と基板12との境界部であるウエーハ11の下面の高さ位置(チャックテーブル34の上面からの高さ位置)が図6に示すように1度毎に検出され制御手段20に送られる。制御手段20は、図6に示す高さ位置情報をランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する(境界部高さ位置検出工程)。   Next, the boundary height position detecting means 72 is operated, and the pulse motor 340 as a chuck table driving motor is operated to rotate the chuck table 34 once. As a result, the height position of the lower surface of the wafer 11 (the height position from the upper surface of the chuck table 34), which is the boundary portion between the wafer 11 and the substrate 12 constituting the two-layer structure wafer 10 by the boundary height position detecting means 72. ) Is detected once and sent to the control means 20 as shown in FIG. The control means 20 temporarily stores the height position information shown in FIG. 6 in the random access memory (RAM) 203 (boundary height position detection step).

上述したように境界部高さ位置検出工程を実施したならば、2層構造ウエーハ10を保持したチャックテーブル34を研削工具65による加工領域に移動し、図7の(a)に示すようにウエーハ11の外周部における0度の位置における外周縁から例えば1mm内側の位置を研削工具65を構成する研削砥石652の外側縁の直下に位置付ける(研削工具位置付け工程)。そして、研削工具駆動モータとしてのサーボモータ67を作動して研削工具65を矢印65aで示す方向(研削砥石652を正面から見て時計回りの方向)に回転しつつ上記Z軸方向送り手段54を作動して研削工具65を下降し、研削砥石652の下面(外周縁)をランダムアクセスメモリ(RAM)203に格納された上記図6に示す高さ位置情報におけるウエーハ11の0度位置における高さ(図示の実施形態においてはチャックテーブル34の上面から235μmの位置)に位置付ける。このようにして、研削砥石652の下面(外周縁)をウエーハ11の0度位置における高さ位置に位置付けるに際しては、制御手段20はZ軸方向位置検出手段69からの検出信号に基づいてZ軸方向送り手段54を制御する。次に、研削工具65を矢印65aで示す方向に回転しつつチャックテーブル駆動モータとしてのパルスモータ340を作動してチャックテーブル34を矢印34aで示す方向(チャックテーブル34を正面から見て時計回りの方向)に1回転する。このようにしてチャックテーブル34を1回転する際には、制御手段20は上記図6に示す高さ位置データに基づいて各回転角度に対応した高さ位置となるようにZ軸方向送り手段54を制御する。この結果、図7の(b)に示すようにウエーハ11の外周に形成された面取り部111が研削されて除去される(面取り部除去工程)。この面取り部除去工程においては、研削工具65を上記図6に示す高さ位置データに基づいて各回転角度に対応した高さ位置となるようにZ軸方向送り手段54を制御するので、ウエーハ11が貼り合わされた基板12を傷つけことなくウエーハ11に外周に形成された面取り部111を除去することができる。   If the boundary height position detection step is performed as described above, the chuck table 34 holding the two-layer structure wafer 10 is moved to a processing region by the grinding tool 65, and the wafer is shown in FIG. For example, a position 1 mm inside from the outer peripheral edge at the 0 degree position on the outer peripheral portion of 11 is positioned directly below the outer edge of the grinding wheel 652 constituting the grinding tool 65 (grinding tool positioning step). Then, the Z-axis direction feeding means 54 is operated while rotating the servo motor 67 as a grinding tool drive motor to rotate the grinding tool 65 in the direction indicated by the arrow 65a (the clockwise direction when the grinding wheel 652 is viewed from the front). The grinding tool 65 is actuated to lower and the lower surface (outer peripheral edge) of the grinding wheel 652 is stored in the random access memory (RAM) 203. The height at the 0 degree position of the wafer 11 in the height position information shown in FIG. (In the illustrated embodiment, the position is 235 μm from the upper surface of the chuck table 34). In this way, when positioning the lower surface (outer peripheral edge) of the grinding wheel 652 at the height position at the 0 degree position of the wafer 11, the control means 20 is based on the detection signal from the Z-axis direction position detection means 69. The direction feed means 54 is controlled. Next, while rotating the grinding tool 65 in the direction shown by the arrow 65a, the pulse motor 340 as the chuck table driving motor is operated to move the chuck table 34 in the direction shown by the arrow 34a (clockwise when the chuck table 34 is viewed from the front). Direction). In this way, when the chuck table 34 is rotated once, the control means 20 is based on the height position data shown in FIG. 6 and the Z-axis direction feeding means 54 is set to a height position corresponding to each rotation angle. To control. As a result, as shown in FIG. 7B, the chamfered portion 111 formed on the outer periphery of the wafer 11 is ground and removed (chamfered portion removing step). In this chamfered portion removing step, the Z-axis direction feeding means 54 is controlled so that the grinding tool 65 is at a height position corresponding to each rotation angle based on the height position data shown in FIG. The chamfered portion 111 formed on the outer periphery of the wafer 11 can be removed without damaging the substrate 12 to which is bonded.

なお、2層構造ウエーハ10の中心がチャックテーブル34の中心に正確に保持されていない場合には、チャックテーブル34を回転すると2層構造ウエーハ10の外周が僅かにY軸方向に変位する。このY軸方向の変位を上記面取り部検出工程において2層構造ウエーハ10が例えば1度回動する毎に検出し、検出した変位データをランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。そして、上記面取り部除去工程を実施する際に、変位データに基づいてY軸方向送り手段53を制御して研削工具65を構成する研削砥石652を変位せしめることが望ましい。   When the center of the two-layer structure wafer 10 is not accurately held at the center of the chuck table 34, the outer periphery of the two-layer structure wafer 10 is slightly displaced in the Y-axis direction when the chuck table 34 is rotated. This displacement in the Y-axis direction is detected every time the two-layer structure wafer 10 rotates, for example, once in the chamfered portion detection step, and the detected displacement data is temporarily stored in a random access memory (RAM) 203. When performing the chamfered portion removing step, it is desirable to control the Y-axis direction feeding means 53 based on the displacement data to displace the grinding wheel 652 constituting the grinding tool 65.

上述した面取り部除去工程を実施すると研削工具65を構成する研削砥石652の外周部が摩滅する。この結果、研削砥石652の外周面がY軸方向に平坦即ち外周面が側面に対して直角の状態ではなくなる。このため、面取り部除去工程を実施したならば、研削砥石652の外周面をドレッシングしてY軸方向において平坦に修正するドレッシング工程を実施する。このドレッシング工程は、ドレス手段76のドレッシングボード761を研削工具65による加工領域に移動し、図8に示すよう研削工具65を矢印65aで示す方向に回転しつつ上記Z軸方向送り手段54を作動して研削工具65を下降し、研削砥石652の外周面(研削面)をドレッシングボード761に接触させ所定の圧力で押圧するとともにY軸方向送り手段53を作動して研削工具65をY軸方向に移動させることにより実施する。この結果、研削砥石652の外周面(研削面)はY軸方向に平坦即ち側面に対して直角の状態に修正される。   When the chamfered portion removing step described above is performed, the outer peripheral portion of the grinding wheel 652 constituting the grinding tool 65 is worn away. As a result, the outer peripheral surface of the grinding wheel 652 is not flat in the Y-axis direction, that is, the outer peripheral surface is not perpendicular to the side surface. For this reason, if the chamfered portion removing step is performed, a dressing step is performed in which the outer peripheral surface of the grinding wheel 652 is dressed and corrected flatly in the Y-axis direction. In this dressing step, the dressing board 761 of the dressing means 76 is moved to a processing area by the grinding tool 65, and the Z-axis direction feeding means 54 is operated while rotating the grinding tool 65 in the direction indicated by the arrow 65a as shown in FIG. Then, the grinding tool 65 is lowered, the outer peripheral surface (grinding surface) of the grinding wheel 652 is brought into contact with the dressing board 761 and pressed with a predetermined pressure, and the Y-axis direction feeding means 53 is operated to move the grinding tool 65 in the Y-axis direction. It is carried out by moving to. As a result, the outer peripheral surface (grinding surface) of the grinding wheel 652 is corrected to be flat in the Y-axis direction, that is, perpendicular to the side surface.

上述したようにしてドレッシング工程を実施すると、研削砥石652の外径が減少するため、研削砥石652の下端の高さ位置が変化する。この研削砥石652の下端の高さ位置の変化を検出するために、上記高さ位置検出手段75をドレッシング工程が実施された研削砥石652の直下に位置付ける。そして、Z軸方向送り手段54を作動して研削工具65を下降し、研削砥石652の外周部を高さ位置検出手段75の発光素子751と受光素子752との間に挿入し、研削砥石652が光を遮った時点における光電変換器からの検出信号に基づいて、Z軸方向位置検出手段69からの位置信号によって研削砥石652の下面の高さ位置を求める。このようにして検出した研削砥石652の下面の高さ位置に基づいて、制御手段20は上記面取り部除去工程におけるZ軸方向送り手段54の制御を補正する。   When the dressing process is performed as described above, the outer diameter of the grinding wheel 652 decreases, and thus the height position of the lower end of the grinding wheel 652 changes. In order to detect a change in the height position of the lower end of the grinding wheel 652, the height position detecting means 75 is positioned directly below the grinding wheel 652 on which the dressing process has been performed. Then, the Z-axis direction feeding means 54 is operated to lower the grinding tool 65, and the outer peripheral portion of the grinding wheel 652 is inserted between the light emitting element 751 and the light receiving element 752 of the height position detecting means 75, and the grinding wheel 652 is inserted. Based on the detection signal from the photoelectric converter at the time when the light is blocked, the height position of the lower surface of the grinding wheel 652 is obtained by the position signal from the Z-axis direction position detecting means 69. Based on the height position of the lower surface of the grinding wheel 652 detected in this way, the control means 20 corrects the control of the Z-axis direction feeding means 54 in the chamfered portion removing step.

次に、本発明によって構成されたウエーハの面取り部除去装置の他の実施形態について、図9を参照して説明する。なお、図8に示すウエーハの面取り部除去装置は、上記図1乃至図4に示すウエーハの面取り部除去装置と研削ユニットが相違する以外は実質的に同一でよいため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
図9に示すウエーハの面取り部除去装置の研削ユニット8は、Z軸方向移動基台52の前面52aに装着されたスピンドルハウジング81と、該スピンドルハウジング81に回転自在に配設された回転スピンドル82と、該回転スピンドル82を回転駆動するための研削工具駆動モータとしてのサーボモータ83とを具備している。回転スピンドル82の下端部はスピンドルハウジング81の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端にはマウンター84が設けられている。このマウンター84の下面に研削工具85が装着される。研削工具85は、環状の基台851と該基台851の下面に環状に装着された研削砥石852とからなっており、環状の基台851がマウンター84に締結ボルト86によって取付けられる。環状の研削砥石852は、厚みが例えば3mmに形成され、下面が平面に形成されている。
Next, another embodiment of a wafer chamfered portion removing apparatus constructed according to the present invention will be described with reference to FIG. The chamfered portion removing apparatus for a wafer shown in FIG. 8 may be substantially the same except that the chamfered portion removing apparatus for a wafer shown in FIGS. 1 to 4 is different from the grinding unit. The description is omitted.
The grinding unit 8 of the wafer chamfered portion removing apparatus shown in FIG. 9 includes a spindle housing 81 mounted on the front surface 52a of the Z-axis direction moving base 52, and a rotating spindle 82 rotatably disposed on the spindle housing 81. And a servo motor 83 as a grinding tool drive motor for driving the rotary spindle 82 to rotate. A lower end portion of the rotary spindle 82 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 81, and a mounter 84 is provided at the lower end. A grinding tool 85 is attached to the lower surface of the mounter 84. The grinding tool 85 includes an annular base 851 and a grinding wheel 852 that is annularly attached to the lower surface of the base 851, and the annular base 851 is attached to the mounter 84 by fastening bolts 86. The annular grinding wheel 852 has a thickness of 3 mm, for example, and a lower surface formed in a plane.

図9に示すウエーハの面取り部除去装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
なお、図9に示すウエーハの面取り部除去装置においても上述したようにチャックテーブル34上に2層構造ウエーハ10の基板12側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル34上に2層構造ウエーハ10を吸引保持する。そして、上述した境界部高さ位置検出工程を上述したように実施する。
The wafer chamfer removing apparatus shown in FIG. 9 is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
In the wafer chamfer removing apparatus shown in FIG. 9, as described above, the substrate 12 side of the two-layer structure wafer 10 is placed on the chuck table 34, and a suction means (not shown) is operated to operate the chuck table 34. The two-layer structure wafer 10 is sucked and held on the top. And the boundary part height position detection process mentioned above is implemented as mentioned above.

境界部高さ位置検出工程を実施したならば、2層構造ウエーハ10を保持したチャックテーブル34を研削工具85による加工領域に移動し、図10の(a)に示すようにウエーハ11の外周部における0度の位置における外周縁から例えば1mm内側の位置を研削工具85を構成する研削砥石852の外周縁の直下に位置付ける(研削工具位置付け工程)。そして、研削工具85を矢印85aで示す方向(研削工具85を正面から見て時計回りの方向)に回転しつつ上記Z軸方向送り手段54を作動して研削工具85を下降し、研削砥石852の下面をウエーハ11の0度位置における高さ(図示の実施形態においてはチャックテーブル34の上面から235μmの位置)に位置付ける。このようにして、研削砥石852の下面をウエーハ11の0度位置における高さ位置に位置付けるに際しては、制御手段20はZ軸方向位置検出手段69からの検出信号に基づいてZ軸方向送り手段54を制御する。次に、研削工具85を矢印85aで示す方向に回転しつつパルスモータ340を作動してチャックテーブル34を矢印34aで示す方向(チャックテーブル34を正面から見て時計回りの方向)に1回転する。このようにしてチャックテーブル34を1回転する際には、制御手段20は上記図6に示す高さ位置データに基づいて各回転角度に対応した高さ位置となるようにZ軸方向送り手段54を制御する。この結果、図10の(b)に示すようにウエーハ11に外周に形成された面取り部111が研削されて除去される(面取り部除去工程)。この面取り部除去工程においては、研削工具85を上記図6に示す高さ位置データに基づいて各回転角度に対応した高さ位置となるようにZ軸方向送り手段54を制御するので、ウエーハ11が貼り合わされた基板12を傷つけことなくウエーハ11の外周に形成された面取り部111を除去することができる。   When the boundary height position detection step is performed, the chuck table 34 holding the two-layer structure wafer 10 is moved to a processing region by the grinding tool 85, and the outer peripheral portion of the wafer 11 is shown in FIG. For example, a position 1 mm inside from the outer peripheral edge at the 0 degree position is positioned directly below the outer peripheral edge of the grinding wheel 852 constituting the grinding tool 85 (grinding tool positioning step). Then, while rotating the grinding tool 85 in the direction indicated by the arrow 85a (the clockwise direction when the grinding tool 85 is viewed from the front), the Z-axis direction feeding means 54 is operated to lower the grinding tool 85, and the grinding wheel 852 Is positioned at a height of the wafer 11 at the 0 degree position (in the illustrated embodiment, a position of 235 μm from the upper surface of the chuck table 34). In this way, when the lower surface of the grinding wheel 852 is positioned at the height position at the 0 degree position of the wafer 11, the control means 20 is based on the detection signal from the Z-axis direction position detection means 69 and the Z-axis direction feed means 54. To control. Next, the pulse motor 340 is operated while rotating the grinding tool 85 in the direction indicated by the arrow 85a, and the chuck table 34 is rotated once in the direction indicated by the arrow 34a (clockwise direction when the chuck table 34 is viewed from the front). . In this way, when the chuck table 34 is rotated once, the control means 20 is based on the height position data shown in FIG. 6 and the Z-axis direction feeding means 54 is set to a height position corresponding to each rotation angle. To control. As a result, as shown in FIG. 10B, the chamfered portion 111 formed on the outer periphery of the wafer 11 is ground and removed (chamfered portion removing step). In this chamfer removal step, the Z-axis direction feeding means 54 is controlled so that the grinding tool 85 is at a height position corresponding to each rotation angle based on the height position data shown in FIG. It is possible to remove the chamfered portion 111 formed on the outer periphery of the wafer 11 without damaging the substrate 12 to which is bonded.

図9に示すウエーハの面取り部除去装置においても、2層構造ウエーハ10の中心がチャックテーブル34の中心に正確に保持されていない場合には、チャックテーブル34を回転すると2層構造ウエーハ10の外周が僅かにY軸方向に変位する。このY軸方向の変位を上記面取り部検出工程において2層構造ウエーハ10が例えば1度回動する毎に検出し、検出した変位データをランダムアクセスメモリ(RAM)203に一時格納する。そして、上記面取り部除去工程を実施する際に、変位データに基づいてY軸方向送り手段53を制御して研削工具85を構成する研削砥石852を変位せしめることが望ましい。   Also in the wafer chamfered portion removing apparatus shown in FIG. 9, if the center of the two-layer structure wafer 10 is not accurately held at the center of the chuck table 34, the outer periphery of the two-layer structure wafer 10 can be obtained by rotating the chuck table 34. Is slightly displaced in the Y-axis direction. This displacement in the Y-axis direction is detected every time the two-layer structure wafer 10 rotates, for example, once in the chamfered portion detection step, and the detected displacement data is temporarily stored in a random access memory (RAM) 203. Then, when performing the chamfered portion removing step, it is desirable to control the Y-axis direction feeding means 53 based on the displacement data to displace the grinding wheel 852 constituting the grinding tool 85.

上述した面取り部除去工程を実施すると研削工具85を構成する研削砥石852の下面部が摩滅する。この結果、研削砥石852の下面が平面の状態ではなくなる。このため、面取り部除去工程を実施したならば、研削砥石852の下面をドレッシングして平面に修正するドレッシング工程を実施する。このドレッシング工程は、ドレス手段76のドレッシングボード761を研削工具65による加工領域に移動し、図11に示すよう研削工具85を矢印85aで示す方向に回転しつつ上記Z軸方向送り手段54を作動して研削工具85を下降し、研削砥石852の下面をドレッシングボード761に接触させ所定の圧力で押圧するとともにY軸方向送り手段53を作動して研削工具85をY軸方向に移動させることにより実施する。この結果、研削砥石852の下面(研削面)は平面に修正される。   When the chamfered portion removing process described above is performed, the lower surface portion of the grinding wheel 852 constituting the grinding tool 85 is worn away. As a result, the lower surface of the grinding wheel 852 is not flat. For this reason, if the chamfer part removal process is implemented, the dressing process which dresses the lower surface of the grinding wheel 852 and corrects it to a plane will be implemented. In this dressing process, the dressing board 761 of the dressing means 76 is moved to a processing region by the grinding tool 65, and the Z-axis direction feeding means 54 is operated while rotating the grinding tool 85 in the direction indicated by the arrow 85a as shown in FIG. Then, the grinding tool 85 is lowered, the lower surface of the grinding wheel 852 is brought into contact with the dressing board 761 and pressed with a predetermined pressure, and the Y-axis direction feeding means 53 is operated to move the grinding tool 85 in the Y-axis direction. carry out. As a result, the lower surface (grinding surface) of the grinding wheel 852 is corrected to a flat surface.

上述したようにしてドレッシング工程を実施すると、研削砥石852の外径が減少するため、研削砥石852の下面の高さ位置が変化する。この研削砥石852の下面の高さ位置の変化を検出するために、上記高さ位置検出手段75をドレッシング工程が実施された研削砥石852の直下に位置付ける。そして、Z軸方向送り手段54を作動して研削工具85を下降し、研削砥石852の外周部を高さ位置検出手段75の発光素子751と受光素子752との間に挿入し、研削砥石852が光を遮った時点における光電変換器からの検出信号に基づいて、Z軸方向位置検出手段69からの位置信号のよって研削砥石852の下面の高さ位置を求める。このようにして検出した研削砥石852の下面の高さ位置に基づいて、制御手段20は上記面取り部除去工程におけるZ軸方向送り手段54の制御を補正する。   When the dressing process is performed as described above, the outer diameter of the grinding wheel 852 decreases, and the height position of the lower surface of the grinding wheel 852 changes. In order to detect a change in the height position of the lower surface of the grinding wheel 852, the height position detecting means 75 is positioned directly below the grinding wheel 852 subjected to the dressing process. Then, the Z-axis direction feeding means 54 is operated to lower the grinding tool 85, and the outer peripheral portion of the grinding wheel 852 is inserted between the light emitting element 751 and the light receiving element 752 of the height position detecting means 75, and the grinding wheel 852 is inserted. The height position of the lower surface of the grinding wheel 852 is obtained from the position signal from the Z-axis direction position detecting means 69 based on the detection signal from the photoelectric converter at the time when the light is blocked. Based on the height position of the lower surface of the grinding wheel 852 detected in this way, the control means 20 corrects the control of the Z-axis direction feeding means 54 in the chamfered portion removing step.

2:静止基台
3:チャックテーブル機構
32:チャックテーブル支持基台
34:チャックテーブル
340:チャックテーブル駆動モータとしてのパルスモータ
36:X軸方向送り手段
37:X軸方向位置検出手段
5:研削手段
51:Y軸方向移動基台
52:Z軸方向移動基台
53:Y軸方向送り手段
54:Z軸方向送り手段
6:研削ユニット
65:研削工具
652:環状の研削砥石
67:研削工具駆動モータとしてのサーボモータ
68:Y軸方向位置検出手段
69:Z軸方向位置検出手段
71:撮像手段
72:境界部高さ位置検出手段
75:研削砥石高さ位置検出手段
76:ドレス手段
761:ドレッシングボード
8:研削ユニット
85:研削工具
852:環状の研削砥石
83:研削工具駆動モータとしてのサーボモータ
10:2層構造ウエーハ

11:ウエーハ
12基板
20:制御手段
2: stationary base 3: chuck table mechanism 32: chuck table support base 34: chuck table 340: pulse motor 36 as a chuck table drive motor 36: X-axis direction feed means 37: X-axis direction position detection means 5: grinding means 51: Y-axis direction moving base 52: Z-axis direction moving base 53: Y-axis direction feeding means 54: Z-axis direction feeding means 6: Grinding unit 65: Grinding tool 652: Annular grinding wheel 67: Grinding tool drive motor Servo motor 68: Y-axis direction position detecting means 69: Z-axis direction position detecting means 71: Imaging means 72: Boundary part height position detecting means 75: Grinding wheel height position detecting means 76: Dressing means 761: Dressing board 8: Grinding unit 85: Grinding tool 852: Annular grinding wheel 83: Servo motor as grinding tool drive motor 10: Two-layer structure wafer Ha

11: Wafer 12 substrate 20: Control means

Claims (3)

外周に面取り部が形成されたウエーハの表面を基板に貼り合わせた2層構造ウエーハにおけるウエーハの面取り部を除去するウエーハの面取り部除去装置であって、
被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルを回転駆動するチャックテーブル駆動モータと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削砥石を有する研削工具および該研削工具を回転駆動する研削工具駆動モータを備えた研削ユニットと、該研削ユニットと該チャックテーブルを保持面に対して垂直なZ軸方向に相対的に移動せしめるZ軸方向送り手段と、該研削ユニットと該チャックテーブルをZ軸方向に直交するY軸方向に相対的に移動せしめるY軸方向送り手段と、該研削工具のY軸方向位置を検出するためのY軸方向位置検出手段と、該研削工具のZ軸方向位置を検出するためのZ軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物の研削領域を撮像する撮像手段と、該チャックテーブルの保持面に保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハと基板との境界部の高さ位置を検出する境界部高さ位置検出手段と、制御手段と、を具備し、
該制御手段は、該撮像手段を作動し該チャックテーブルの保持面に基板側が保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハの除去すべき面取り部を検出する面取り部検出工程と、
該境界部高さ位置検出手段を作動するとともに該チャックテーブル駆動モータを作動して該チャックテーブルを回転し、ウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の高さ位置を所定角度毎に検出する境界部高さ位置検出工程と、
該Y軸方向送り手段を作動して該該チャックテーブルに保持された2層構造ウエーハにおけるウエーハの除去すべき面取り部に該研削工具の研削砥石を位置付ける研削工具位置付け工程と、
該研削工具駆動モータを作動して該研削工具を回転駆動しつつ該チャックテーブル駆動モータを作動して該チャックテーブルを回転するとともに、該境界部高さ位置検出工程が実施されたウエーハの除去すべき面取り部と基板との境界部の所定角度毎の高さ位置情報に基づいて該Z軸方向送り手段を制御する面取り部除去工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの面取り部除去装置。
A wafer chamfered portion removing apparatus for removing a wafer chamfered portion in a two-layer structure wafer in which a wafer surface having a chamfered portion formed on the outer periphery is bonded to a substrate,
A grinding tool having a chuck table having a holding surface for holding a workpiece, a chuck table driving motor for rotating the chuck table, and a grinding wheel for grinding the workpiece held on the holding surface of the chuck table And a grinding unit having a grinding tool drive motor for rotationally driving the grinding tool, and a Z-axis direction feeding means for moving the grinding unit and the chuck table relatively in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface; Y-axis direction feed means for relatively moving the grinding unit and the chuck table in the Y-axis direction orthogonal to the Z-axis direction; Y-axis direction position detecting means for detecting the Y-axis direction position of the grinding tool; , Z-axis direction position detection means for detecting the position of the grinding tool in the Z-axis direction, and an image of the grinding area of the workpiece held on the holding surface of the chuck table Imaging means, boundary height position detecting means for detecting the height position of the boundary between the wafer and the substrate in the two-layer structure wafer held on the holding surface of the chuck table, and control means. ,
The control means operates the imaging means to detect a chamfered portion detecting step for detecting a chamfered portion to be removed from the wafer in a two-layer structure wafer in which the substrate side is held on the holding surface of the chuck table;
The boundary height position detecting means is operated and the chuck table driving motor is operated to rotate the chuck table so that the height position of the boundary between the chamfered portion to be removed from the wafer and the substrate is set every predetermined angle. A boundary height position detecting step to detect;
A grinding tool positioning step of positioning the grinding wheel of the grinding tool at a chamfer to be removed of the wafer in the two-layer structure wafer held on the chuck table by operating the Y-axis direction feeding means;
While operating the grinding tool drive motor to rotate the grinding tool, the chuck table drive motor is operated to rotate the chuck table, and the wafer in which the boundary height position detecting step has been performed is removed. A chamfered portion removing step for controlling the Z-axis direction feeding means based on height position information for each predetermined angle of the boundary portion between the power chamfered portion and the substrate is performed.
A chamfered portion removing apparatus for a wafer.
該研削工具の研削砥石の下端の高さ位置を検出するための研削砥石高さ位置検出手段を具備している、請求項1記載のウエーハの面取り部除去装置。   2. The wafer chamfered portion removing device according to claim 1, further comprising a grinding wheel height position detecting means for detecting a height position of a lower end of the grinding wheel of the grinding tool. 該研削工具の研削砥石の研削面をドレッシングするためのドレス手段を具備している、請求項1又は2記載のウエーハの面取り部除去装置。   3. The wafer chamfered portion removing apparatus according to claim 1, further comprising dressing means for dressing a grinding surface of the grinding wheel of the grinding tool.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943488A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 株式会社迪思科 Method for processing wafer
JP2014229875A (en) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社ディスコ Processing apparatus
JP2015199140A (en) * 2014-04-04 2015-11-12 株式会社ディスコ Method for processing laminate circular plate-like object
WO2019124031A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system, substrate processing method and computer storage medium
JP2020040181A (en) * 2018-09-12 2020-03-19 株式会社ディスコ Edge trimming device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003165053A (en) * 2001-11-29 2003-06-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP2010129854A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of removing chamfering portion of wafer, and grinding device
JP2010165802A (en) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer with substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003165053A (en) * 2001-11-29 2003-06-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing device
JP2010129854A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of removing chamfering portion of wafer, and grinding device
JP2010165802A (en) * 2009-01-14 2010-07-29 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer with substrate

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943488A (en) * 2013-01-21 2014-07-23 株式会社迪思科 Method for processing wafer
JP2014139964A (en) * 2013-01-21 2014-07-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing wafer
TWI602229B (en) * 2013-01-21 2017-10-11 Disco Corp Wafer processing methods
JP2014229875A (en) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社ディスコ Processing apparatus
JP2015199140A (en) * 2014-04-04 2015-11-12 株式会社ディスコ Method for processing laminate circular plate-like object
TWI790319B (en) * 2017-12-19 2023-01-21 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate processing system and substrate processing method
JPWO2019124031A1 (en) * 2017-12-19 2020-12-10 東京エレクトロン株式会社 Board processing system, board processing method and computer storage medium
WO2019124031A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-27 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system, substrate processing method and computer storage medium
JP2020040181A (en) * 2018-09-12 2020-03-19 株式会社ディスコ Edge trimming device
CN110893574A (en) * 2018-09-12 2020-03-20 株式会社迪思科 Edge trimming device
JP7222636B2 (en) 2018-09-12 2023-02-15 株式会社ディスコ Edge trimming device
CN110893574B (en) * 2018-09-12 2023-06-02 株式会社迪思科 Edge trimming device
TWI828749B (en) * 2018-09-12 2024-01-11 日商迪思科股份有限公司 edge trimming device

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