JP2014229792A

JP2014229792A - Semiconductor device manufacturing method

Info

Publication number: JP2014229792A
Application number: JP2013109229A
Authority: JP
Inventors: 孝浩伊藤; Takahiro Ito
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2013-05-23
Filing date: 2013-05-23
Publication date: 2014-12-08

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of inhibiting corrosion of a dicing tape and ensuring strength of a semiconductor wafer.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: a support process of attaching a surface 11 of a semiconductor wafer 1 to a support plate 4 to expose a rear face 12; and a thinning process of grinding the exposed rear face 12 of the semiconductor wafer 1 to thin the semiconductor wafer 1. The manufacturing method further comprises: a reinforcement process of attaching a reinforcement tape 2 to the rear face 12 of the thinned semiconductor wafer 1; a removal process of removing the support plate 4 from the surface 11 of the semiconductor wafer 1; and a metal film formation process of forming a metal film 6 on the surface 11 of the semiconductor wafer 1 in a state where a dicing tape 3 is not arranged on the rear face side of the semiconductor wafer 1.

Description

本明細書に開示の技術は、半導体装置の製造方法に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

近年の半導体装置では、電力損失を低減するために半導体ウェハの薄板化が要求されている。そこで近年の半導体装置の製造方法では、半導体ウェハの一方面を支持板に固定し、半導体ウェハの他方面を研削することにより半導体ウェハを薄板化している。また、半導体ウェハを薄板化した後、薄板化した半導体ウェハをダイシングテープに貼り付けると共に、半導体ウェハに固定されている支持板を除去し、その後、ダイシングテープ上の半導体ウェハをダイシングする工程を行っている。 In recent semiconductor devices, it is required to reduce the thickness of a semiconductor wafer in order to reduce power loss. Therefore, in recent semiconductor device manufacturing methods, one surface of a semiconductor wafer is fixed to a support plate, and the other surface of the semiconductor wafer is ground to thin the semiconductor wafer. In addition, after thinning the semiconductor wafer, the thinned semiconductor wafer is affixed to the dicing tape, the support plate fixed to the semiconductor wafer is removed, and then the semiconductor wafer on the dicing tape is diced. ing.

また、例えば特許文献１にも、半導体ウェハをダイシングテープに貼り付けると共に半導体ウェハに固定されている支持板を除去する構成が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a configuration in which a semiconductor wafer is attached to a dicing tape and a support plate fixed to the semiconductor wafer is removed.

特開２０１２−１４６８９２号公報JP 2012-146892 A

ところで、通常の半導体装置の製造方法では、ダイシングリングに固定されたダイシングテープ上で半導体ウェハをダイシングする前に、例えば電極等の金属膜を半導体ウェハに形成したい場合がある。この場合は、例えばめっき法やスパッタリング法により半導体ウェハに金属膜を成膜する。 By the way, in a normal manufacturing method of a semiconductor device, there is a case where it is desired to form a metal film such as an electrode on a semiconductor wafer before dicing the semiconductor wafer on a dicing tape fixed to a dicing ring. In this case, a metal film is formed on the semiconductor wafer by, for example, plating or sputtering.

しかしながら、金属膜を形成するときに半導体ウェハにダイシングテープが貼り付けられた状態であると、金属膜の成膜によりダイシングテープが腐食してしまうことがある。例えばめっき法では、半導体ウェハだけでなくダイシングリングにも金属のめっき膜が成膜されてしまい、ダイシングリングを再利用できなくなることがある。さらにめっき液で腐食することによりダイシングテープをダイシング時に利用できなくなることがある。また、スパッタリング法でも同様の問題が生じてしまう。 However, if the dicing tape is attached to the semiconductor wafer when forming the metal film, the dicing tape may corrode due to the formation of the metal film. For example, in the plating method, a metal plating film is formed not only on the semiconductor wafer but also on the dicing ring, and the dicing ring may not be reused. Furthermore, the dicing tape may not be used during dicing due to corrosion by the plating solution. Also, the same problem occurs in the sputtering method.

一方、薄板化した半導体ウェハにダイシングテープを貼り付ける前に半導体ウェハに金属膜を成膜すれば、上述したダイシングテープの腐食の問題は生じない。しかしながら、薄板化した半導体ウェハを何ら支持しない状態で取り扱うと、半導体ウェハの強度が低いので割れてしまう可能性がある。 On the other hand, if the metal film is formed on the semiconductor wafer before the dicing tape is attached to the thinned semiconductor wafer, the above-described problem of corrosion of the dicing tape does not occur. However, if the thinned semiconductor wafer is handled in a state in which it is not supported at all, the strength of the semiconductor wafer may be low and the semiconductor wafer may be broken.

そこで本明細書は、ダイシングテープが腐食することを防止すると共に半導体ウェハの強度を確保することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above, an object of the present specification is to provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the dicing tape from corroding and ensuring the strength of the semiconductor wafer.

本明細書に開示される半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの一方面を支持板に貼り付け、他方面を露出させる支持工程と、露出した半導体ウェハの他方面を研削して半導体ウェハを薄板化する薄板化工程と、を備えている。また、この製造方法は、薄板化した半導体ウェハの他方面に補強部材を貼り付ける補強工程と、半導体ウェハの一方面から支持板を除去する除去工程と、半導体ウェハの他方面側にダイシングテープを配置しない状態で、半導体ウェハの一方面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を備えている。 A manufacturing method of a semiconductor device disclosed in this specification includes a supporting step of attaching one surface of a semiconductor wafer to a support plate and exposing the other surface, and grinding the other surface of the exposed semiconductor wafer to thin the semiconductor wafer. And a thinning process. The manufacturing method also includes a reinforcing step of attaching a reinforcing member to the other side of the thinned semiconductor wafer, a removing step of removing the support plate from one side of the semiconductor wafer, and a dicing tape on the other side of the semiconductor wafer. A metal film forming step of forming a metal film on one surface of the semiconductor wafer in a non-arranged state.

このような構成によれば、薄板化した半導体ウェハの他方面に補強部材を貼り付け、半導体ウェハの他方面側にダイシングテープを配置しない状態で半導体ウェハの一方面に金属膜を形成する。このため、金属膜を形成するときに、半導体ウェハを補強して強度を確保できると共にダイシングテープが腐食することを防止することができる。すなわち、半導体ウェハに金属膜を形成するときに従来のように半導体ウェハをダイシングテープ上に固定していると、例えばめっき法やスパッタリング法の影響によりダイシングテープが腐食することがある。しかしながら上記の構成によれば、金属膜を形成するときに、ダイシングテープが金属膜の成膜の影響を受けることがなく、ダイシングテープの腐食を防止することができる。また、半導体ウェハに補強部材を貼り付けるので、半導体ウェハに金属膜を形成するときに支持板が無くても強度を確保することができる。このように、補強部材を用いることにより、金属膜の成膜時にダイシングテープが腐食するのを防止すると共に半導体ウェハの強度を確保することができる。 According to such a configuration, the reinforcing member is attached to the other surface of the thinned semiconductor wafer, and the metal film is formed on the one surface of the semiconductor wafer without disposing the dicing tape on the other surface side of the semiconductor wafer. For this reason, when forming a metal film, a semiconductor wafer can be reinforced and intensity | strength can be ensured, and it can prevent that a dicing tape corrodes. That is, when a metal film is formed on a semiconductor wafer, if the semiconductor wafer is fixed on the dicing tape as in the prior art, the dicing tape may corrode due to the influence of, for example, a plating method or a sputtering method. However, according to said structure, when forming a metal film, a dicing tape does not receive the influence of film-forming of a metal film, and can prevent corrosion of a dicing tape. Further, since the reinforcing member is attached to the semiconductor wafer, the strength can be ensured even when the metal film is formed on the semiconductor wafer without the support plate. Thus, by using the reinforcing member, it is possible to prevent the dicing tape from corroding when forming the metal film and to ensure the strength of the semiconductor wafer.

また、上記の半導体装置の製造方法は、金属膜形成工程の後に、補強部材をダイシングテープに貼り付けて半導体ウェハをダイシングテープに固定する固定工程と、ダイシングテープに固定された半導体ウェハと補強部材をダイシングするダイシング工程と、を更に備えていてもよい。 In addition, the semiconductor device manufacturing method includes a fixing step of fixing a semiconductor wafer to a dicing tape by attaching a reinforcing member to the dicing tape after the metal film forming step, and the semiconductor wafer and the reinforcing member fixed to the dicing tape. And a dicing step for dicing.

また、補強部材が、紫外線照射により接着力が低下する接着層を備え、接着層を介して半導体ウェハに貼り付けられており、半導体ウェハをダイシングした後に補強テープに向けて紫外線を照射する紫外線照射工程を更に備えていてもよい。 Further, the reinforcing member includes an adhesive layer whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation, and is attached to the semiconductor wafer through the adhesive layer, and after the semiconductor wafer is diced, the ultraviolet irradiation is applied to the reinforcing tape. You may further provide the process.

また、上記の半導体装置の製造方法において、金属膜形成工程ではめっき法またはスパッタリング法により金属膜を形成することができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device, the metal film can be formed by a plating method or a sputtering method in the metal film forming step.

実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（１）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device concerning an embodiment (1). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（２）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (2). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（３）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (3). 補強テープを貼り付けた状態を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the state which affixed the reinforcement tape. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（４）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (4). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（５）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (5). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（６）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (6). ダイシングテープを貼り付けた状態を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the state which affixed the dicing tape. 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（７）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (7). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（８）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (8). 実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である（９）。It is a figure explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on embodiment (9).

以下、実施形態について添付図面を参照して説明する。実施形態に係る半導体装置の製造方法は、図１〜図１１に示すように、半導体ウェハ１を支持板４で支持する支持工程と、半導体ウェハ１を薄板化する薄板化工程と、半導体ウェハ１に補強テープ２を貼り付ける補強工程と、半導体ウェハ１から支持板４を除去する除去工程と、半導体ウェハ１に金属膜６を形成する金属膜形成工程とを備えている。また、この製造方法は、半導体ウェハ１をダイシングテープ３に固定する固定工程と、半導体ウェハ１をダイシングするダイシング工程と、補強テープ２に紫外線を照射する紫外線照射工程とを備えている。この製造方法について、以下により詳細に説明してゆく。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. As shown in FIGS. 1 to 11, the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment includes a supporting step of supporting the semiconductor wafer 1 with a supporting plate 4, a thinning step of thinning the semiconductor wafer 1, and the semiconductor wafer 1. A reinforcing step of attaching the reinforcing tape 2 to the semiconductor wafer 1, a removing step of removing the support plate 4 from the semiconductor wafer 1, and a metal film forming step of forming the metal film 6 on the semiconductor wafer 1. In addition, the manufacturing method includes a fixing step for fixing the semiconductor wafer 1 to the dicing tape 3, a dicing step for dicing the semiconductor wafer 1, and an ultraviolet irradiation step for irradiating the reinforcing tape 2 with ultraviolet rays. This manufacturing method will be described in more detail below.

実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず図１に示すように、半導体ウェハ１の表面１１（一方面）を支持板４に貼り付け、裏面１２（他方面）を外部に露出させる（支持工程）。半導体ウェハ１は、例えばシリコン（Ｓｉ）から形成され、表面１１および裏面１２を有している。半導体ウェハ１の表面１１は前工程で加工処理されている。支持板４は、半導体ウェハ１より剛性が高い部材である。支持板４には例えばガラス板を用いることができる。また、半導体ウェハ１は接着剤５を介して支持板４に貼り付けられている。半導体ウェハ１の表面１１全体が支持板４で覆われている。こうして半導体ウェハ１が支持板４により支持され、補強されている。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to the embodiment, first, as shown in FIG. 1, the front surface 11 (one surface) of the semiconductor wafer 1 is attached to the support plate 4 and the back surface 12 (the other surface) is exposed to the outside (support). Process). The semiconductor wafer 1 is made of, for example, silicon (Si) and has a front surface 11 and a back surface 12. The surface 11 of the semiconductor wafer 1 is processed in the previous process. The support plate 4 is a member having higher rigidity than the semiconductor wafer 1. For example, a glass plate can be used as the support plate 4. The semiconductor wafer 1 is attached to the support plate 4 via an adhesive 5. The entire surface 11 of the semiconductor wafer 1 is covered with the support plate 4. Thus, the semiconductor wafer 1 is supported and reinforced by the support plate 4.

次に、図２に示すように、露出した半導体ウェハ１の裏面１２を研削して半導体ウェハ１を薄板化する（薄板化工程）。裏面１２の研削は、例えば砥石を有するバックグラインド装置を用いて行うことができる。半導体ウェハ１の薄板化では、半導体ウェハ１の厚みを１５０μｍ以下にすることが好ましい。また、半導体ウェハ１の薄板化と併せて、例えば半導体ウェハ１の裏面１２に裏面電極を形成する等して裏面１２を加工処理してもよい。 Next, as shown in FIG. 2, the exposed back surface 12 of the semiconductor wafer 1 is ground to thin the semiconductor wafer 1 (thinning step). The back surface 12 can be ground using, for example, a back grinding apparatus having a grindstone. In making the semiconductor wafer 1 thin, it is preferable to set the thickness of the semiconductor wafer 1 to 150 μm or less. In addition to the thinning of the semiconductor wafer 1, the back surface 12 may be processed by forming a back electrode on the back surface 12 of the semiconductor wafer 1, for example.

続いて、図３に示すように、薄板化した半導体ウェハ１の裏面１２に補強テープ２を貼り付ける（補強工程）。補強テープ２（補強部材の一例）は、図４に示すように、基材層２１と、基材層２１の一方面に配置された接着層２２とを備えている。補強テープ２は、接着層２２を介して半導体ウェハ１に貼り付けられる。補強テープ２の基材層２１の厚みは、薄板化した半導体ウェハ１を補強する観点から１００μｍ以上であることが好ましい。これにより後述のように半導体ウェハ１から支持板４を除去した後も補強テープ２によって強度を確保することができる。また、補強テープ２は、半導体ウェハ１の端部まで補強する観点から半導体ウェハ１の裏面１２全体を覆う大きさであることが好ましく、半導体ウェハ１の大きさと同等又はそれ以上であることが好ましい。また、基材層２１の材質としては、薬液や真空状態等にさらされたときにも優れた耐久性を有する観点から例えばＰＥＴ、ＰＯ等を用いることができる。また、補強テープ２の接着層２２は、紫外線（ＵＶ）の照射により接着力が低下するようになっている。例えば、接着層２２としては、紫外線硬化性樹脂や光熱変換物質を含む接着剤を用いることができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂を用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 3, the reinforcing tape 2 is attached to the back surface 12 of the thinned semiconductor wafer 1 (reinforcing step). As shown in FIG. 4, the reinforcing tape 2 (an example of a reinforcing member) includes a base material layer 21 and an adhesive layer 22 disposed on one surface of the base material layer 21. The reinforcing tape 2 is attached to the semiconductor wafer 1 via the adhesive layer 22. The thickness of the base material layer 21 of the reinforcing tape 2 is preferably 100 μm or more from the viewpoint of reinforcing the thinned semiconductor wafer 1. As a result, the strength can be ensured by the reinforcing tape 2 even after the support plate 4 is removed from the semiconductor wafer 1 as described later. The reinforcing tape 2 preferably has a size that covers the entire back surface 12 of the semiconductor wafer 1 from the viewpoint of reinforcing the end of the semiconductor wafer 1, and is preferably equal to or larger than the size of the semiconductor wafer 1. . Moreover, as a material of the base material layer 21, for example, PET, PO or the like can be used from the viewpoint of having excellent durability even when exposed to a chemical solution or a vacuum state. Moreover, the adhesive force of the adhesive layer 22 of the reinforcing tape 2 is reduced by irradiation with ultraviolet rays (UV). For example, as the adhesive layer 22, an adhesive containing an ultraviolet curable resin or a photothermal conversion substance can be used. As the ultraviolet curable resin, for example, an epoxy resin can be used.

次に、図５に示すように、半導体ウェハ１に補強テープ２を貼り付けたものを表裏反転させ、半導体ウェハ１の表面１１から支持板４を剥離して除去する（除去工程）。このとき、接着剤５も併せて除去される。除去方法は特に限定されず、従来公知の方法で除去できる。支持板４を除去すると、半導体ウェハ１の表面１１が外部に露出し、表面１１を加工処理できるようになる。 Next, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 1 with the reinforcing tape 2 attached is turned upside down, and the support plate 4 is peeled off from the surface 11 of the semiconductor wafer 1 and removed (removal step). At this time, the adhesive 5 is also removed. The removal method is not particularly limited, and can be removed by a conventionally known method. When the support plate 4 is removed, the surface 11 of the semiconductor wafer 1 is exposed to the outside, and the surface 11 can be processed.

続いて、図６に示すように、半導体ウェハ１の裏面側にダイシングテープ３を配置しない状態で、支持板４を除去した半導体ウェハ１の表面１１に金属膜６を形成する（金属膜形成工程）。金属膜６は、半導体ウェハ１の表面１１における電極や配線にすることができる。本実施形態における金属膜６は、ハンダ付けにより外部の端子と電気的に接続される電極である。また、金属膜形成工程は例えばめっき法、スパッタリング法等により行われる。めっき法では、例えば半導体ウェハ１をアッシング処理した後、めっき液に浸漬して電圧を印加することにより金属膜６を成膜する。また、スパッタリング法では、例えば半導体ウェハ１とターゲット物質を真空チャンバ内に配置して電圧を印加することにより金属膜６を成膜する。金属膜６の材質としては、例えばＮｉ、Ａｕ等を用いることができる。なお、半導体ウェハ１の表面１１に金属膜６を形成する方法はめっき法やスパッタリング法に限定されるものではない。 Subsequently, as shown in FIG. 6, the metal film 6 is formed on the surface 11 of the semiconductor wafer 1 from which the support plate 4 is removed without the dicing tape 3 being disposed on the back surface side of the semiconductor wafer 1 (metal film forming step). ). The metal film 6 can be an electrode or a wiring on the surface 11 of the semiconductor wafer 1. The metal film 6 in the present embodiment is an electrode that is electrically connected to an external terminal by soldering. The metal film forming step is performed by, for example, a plating method or a sputtering method. In the plating method, for example, after ashing the semiconductor wafer 1, the metal film 6 is formed by immersing it in a plating solution and applying a voltage. Further, in the sputtering method, for example, the metal film 6 is formed by placing the semiconductor wafer 1 and the target material in a vacuum chamber and applying a voltage. As a material of the metal film 6, for example, Ni, Au or the like can be used. The method for forming the metal film 6 on the surface 11 of the semiconductor wafer 1 is not limited to the plating method or the sputtering method.

次に、図７に示すように、補強テープ２の一方面をダイシングテープ３に貼り付けて半導体ウェハ１をダイシングテープ３に固定する（固定工程）。ダイシングテープ３は、図８に示すように、基材層３１と、基材層３１の一方面に配置された接着層３２とを備えている。ダイシングテープ３は、接着層３２を介して補強テープ２に貼り付けられる。ダイシングテープ３の基材層３１の材質としては、紫外線を透過するものが好ましく、例えばＰＥＴ、ＰＯ等を用いることができる。また、接着層３２の材質としては、紫外線を照射しても接着力が低下しないものが好ましく、例えば感圧式の接着剤を用いることができる。感圧式の接着剤としては例えばアクリル系の接着剤を用いることができる。また、ダイシングテープ３は、周囲に配置されたダイシングリング３５によって支持されている。 Next, as shown in FIG. 7, one surface of the reinforcing tape 2 is attached to the dicing tape 3 to fix the semiconductor wafer 1 to the dicing tape 3 (fixing step). As shown in FIG. 8, the dicing tape 3 includes a base material layer 31 and an adhesive layer 32 disposed on one surface of the base material layer 31. The dicing tape 3 is attached to the reinforcing tape 2 via the adhesive layer 32. The material of the base material layer 31 of the dicing tape 3 is preferably a material that transmits ultraviolet rays, and for example, PET, PO, or the like can be used. In addition, the material of the adhesive layer 32 is preferably a material that does not decrease the adhesive strength even when irradiated with ultraviolet rays. For example, a pressure-sensitive adhesive can be used. As the pressure-sensitive adhesive, for example, an acrylic adhesive can be used. The dicing tape 3 is supported by a dicing ring 35 disposed around the dicing tape 3.

次に、図９に示すように、ダイシングテープ３に固定された半導体ウェハ１をダイシングする（ダイシング工程）。また、補強テープ２も併せてダイシングする。半導体ウェハ１のダイシングにより、半導体ウェハ１が所定の大きさに切断され、複数の半導体チップ９が形成される。このダイシング工程は、例えば刃先に砥石を有するダイシングブレード３４を用いて行うことができる。また、ダイシング工程では半導体ウェハ１と共に補強テープ２も切断される。半導体ウェハ１は厚み方向に完全に切断され、補強テープ２は厚み方向の途中まで切断される。 Next, as shown in FIG. 9, the semiconductor wafer 1 fixed to the dicing tape 3 is diced (dicing step). The reinforcing tape 2 is also diced together. By dicing the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 is cut into a predetermined size, and a plurality of semiconductor chips 9 are formed. This dicing process can be performed using, for example, a dicing blade 34 having a grindstone at the cutting edge. In the dicing process, the reinforcing tape 2 is also cut together with the semiconductor wafer 1. The semiconductor wafer 1 is completely cut in the thickness direction, and the reinforcing tape 2 is cut halfway in the thickness direction.

半導体ウェハ１をダイシングした後に、図１０に示すように、補強テープ２に向けて紫外線（ＵＶ）を照射する（紫外線照射工程）。紫外線の照射は、ダイシングテープ３の下方に配置された紫外線照射装置（図示せず）により行うことができ、補強テープ２の裏面側から紫外線を照射する。この紫外線の照射により補強テープ２の接着層２１の接着力が低下し、半導体チップ９を補強テープ２から容易に剥がすことができるようになる。一方、ダイシングテープ３の接着層３２は紫外線照射しても接着力が低下せず、補強テープ２がダイシングテープ３に貼りついたままになる。 After the semiconductor wafer 1 is diced, as shown in FIG. 10, the reinforcing tape 2 is irradiated with ultraviolet rays (UV) (ultraviolet irradiation step). The ultraviolet irradiation can be performed by an ultraviolet irradiation device (not shown) arranged below the dicing tape 3, and the ultraviolet irradiation is performed from the back side of the reinforcing tape 2. By the irradiation of the ultraviolet rays, the adhesive force of the adhesive layer 21 of the reinforcing tape 2 is reduced, and the semiconductor chip 9 can be easily peeled from the reinforcing tape 2. On the other hand, even if the adhesive layer 32 of the dicing tape 3 is irradiated with ultraviolet rays, the adhesive force does not decrease, and the reinforcing tape 2 remains attached to the dicing tape 3.

続いて、図１１に示すように、半導体チップ９をピックアップする（ピックアップ工程）。ピックアップ工程では、まずエキスパンドリング３６によりダイシングテープ３を引き伸ばし、隣接する半導体チップ９同士の間隔を大きくする。そして、コレット３７により半導体チップ９を吸引する。これにより、各半導体チップ９を取り出すことができる。その後、得られた半導体チップ９に対して、ダイボンディングやワイヤボンディング等の処理を行うことにより半導体装置を製造することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 11, the semiconductor chip 9 is picked up (pickup process). In the pickup process, first, the dicing tape 3 is stretched by the expand ring 36 to increase the interval between the adjacent semiconductor chips 9. Then, the semiconductor chip 9 is sucked by the collet 37. Thereby, each semiconductor chip 9 can be taken out. Thereafter, a semiconductor device can be manufactured by performing processes such as die bonding and wire bonding on the obtained semiconductor chip 9.

上述の説明から明らかなように、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、薄板化した半導体ウェハ１の裏面１２に補強テープ２を貼り付け、半導体ウェハ１の裏面側にダイシングテープ３を配置しない状態で、半導体ウェハ１の表面１１に金属膜６を形成する。このため、半導体ウェハ１の表面１１に金属膜６を形成するときに、半導体ウェハ１を補強して強度を確保できると共にダイシングテープ３が腐食することを防止することができる。すなわち、半導体ウェハ１に例えばめっき法やスパッタリング法により金属膜６を形成するときに従来のように半導体ウェハ１をダイシングテープ３で固定していると、めっきやスパッタリングの影響によりダイシングテープ３が腐食することがある。しかしながら、上記実施形態によれば、金属膜６を形成するときにダイシングテープ３がめっきやスパッタリングの影響を受けることがなく、ダイシングテープ３の腐食を防止することができる。また、半導体ウェハ１に補強テープ２を貼り付けるので半導体ウェハ１に金属膜６を形成するときに、支持板４を除去しても強度を確保することができる。このように、補強テープ２を用いることにより、金属膜６の成膜時にダイシングテープ３が腐食するのを防止すると共に半導体ウェハ１の強度を確保することができる。特に、めっき法やスパッタリング法により金属膜６を形成する場合は、ダイシングテープ３が腐食し易いので効果的である。また、半導体ウェハ１をダイシングした後は、紫外線照射により補強テープ２の接着層２２の接着力を下げることにより、半導体チップ９を補強テープ２から容易に剥がすことができる。 As is clear from the above description, according to the method of manufacturing a semiconductor device of this embodiment, the reinforcing tape 2 is attached to the back surface 12 of the thinned semiconductor wafer 1 and the dicing tape 3 is attached to the back surface side of the semiconductor wafer 1. The metal film 6 is formed on the surface 11 of the semiconductor wafer 1 without being disposed. For this reason, when forming the metal film 6 on the surface 11 of the semiconductor wafer 1, the semiconductor wafer 1 can be reinforced to ensure strength, and the dicing tape 3 can be prevented from corroding. That is, when the metal film 6 is formed on the semiconductor wafer 1 by, for example, plating or sputtering, if the semiconductor wafer 1 is fixed with the dicing tape 3 as in the past, the dicing tape 3 is corroded by the influence of plating or sputtering. There are things to do. However, according to the above embodiment, the dicing tape 3 is not affected by plating or sputtering when the metal film 6 is formed, and corrosion of the dicing tape 3 can be prevented. Further, since the reinforcing tape 2 is affixed to the semiconductor wafer 1, the strength can be ensured even when the support plate 4 is removed when the metal film 6 is formed on the semiconductor wafer 1. Thus, by using the reinforcing tape 2, it is possible to prevent the dicing tape 3 from corroding when the metal film 6 is formed and to ensure the strength of the semiconductor wafer 1. In particular, when the metal film 6 is formed by plating or sputtering, the dicing tape 3 is easily corroded, which is effective. Further, after the semiconductor wafer 1 is diced, the semiconductor chip 9 can be easily peeled off from the reinforcing tape 2 by reducing the adhesive force of the adhesive layer 22 of the reinforcing tape 2 by irradiating with ultraviolet rays.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.

１；半導体ウェハ
２；補強テープ（補強部材の一例）
３；ダイシングテープ
４；支持板
５；接着剤
６；金属膜
９：半導体チップ
１１；表面（一方面）
１２；裏面（他方面）
２１；基材層
２２；接着層
３１；基材層
３２；接着層
３５；ダイシングリング
３６；エキスパンドリング
３７；コレット 1; Semiconductor wafer 2; Reinforcing tape (an example of a reinforcing member)
3; dicing tape 4; support plate 5; adhesive 6; metal film 9: semiconductor chip 11; surface (one surface)
12: Back side (the other side)
21; base material layer 22; adhesive layer 31; base material layer 32; adhesive layer 35; dicing ring 36; expanding ring 37;

Claims

A support step of attaching one side of the semiconductor wafer to a support plate and exposing the other side;
A thinning process for grinding the other surface of the exposed semiconductor wafer to thin the semiconductor wafer;
A reinforcing step of attaching a reinforcing member to the other surface of the thinned semiconductor wafer;
A removal step of removing the support plate from one side of the semiconductor wafer;
And a metal film forming step of forming a metal film on one surface of the semiconductor wafer without disposing a dicing tape on the other surface side of the semiconductor wafer.

After the metal film forming step, a fixing step of attaching the reinforcing member to the dicing tape and fixing the semiconductor wafer to the dicing tape,
The semiconductor device manufacturing method according to claim 1, further comprising a dicing step of dicing the semiconductor wafer fixed to the dicing tape and the reinforcing member.

The reinforcing member is provided with an adhesive layer whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation, and is attached to the semiconductor wafer via the adhesive layer.
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, further comprising an ultraviolet irradiation step of irradiating the reinforcing member with ultraviolet rays after dicing the semiconductor wafer.

4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the metal film is formed by a plating method or a sputtering method in the metal film forming step.