JP2014229620A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 電気化学デバイスであって、
   マグネシウムを含むアノードと、
   カソードと、
   以下の式を有する組成物を含むカルボラニルマグネシウム電解質とを含み、前記以下の式は、
   式（Ｉ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）Ｘ、
   式（ＩＩ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）Ｙ、
   式（ＩＩＩ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）_２、
   式（ＩＶ）：Ｍｇ_２（Ｃ_２Ｂ_ｊＨ_ｊ）Ｘ_２、または、
   上述の式のうち少なくとも２つの式の組合せを含み、ここで、ｉは１または２であり、ｊは８から１１までの整数であり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｙは非ハロゲン化モノアニオンである、電気化学デバイス。
2. カルボラニルマグネシウム電解質のカルボラニルアニオンを表わすＣ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１ は、イコサヘドラル−クロソ−カルボラニルアニオンであり、（ｉ＋ｊ）は１２に等しい、請求項１に記載の電気化学デバイス。
3. ＸはＣｌ⁻またはＢｒ⁻またはＩ⁻である、請求項１に記載の電気化学デバイス。
4. Ｙは（ＢＨ_４）⁻である、請求項１に記載の電気化学デバイス。
5. 電解質は３．０Ｖよりも高い電位で安定している、請求項１に記載の電気化学デバイス。
6. 電気化学デバイスを準備するためのプロセスであって、
   マグネシウムまたはマグネシウム合金で構成されるアノードと、カソードとを外部の導電性構造を介して接続するステップと、
   アノードおよびカソードを、以下の式を有する組成物を含むカルボラニルマグネシウム電解質と接触させるステップとを含み、前記以下の式は、
   式（Ｉ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）Ｘ、
   式（ＩＩ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）Ｙ、
   式（ＩＩＩ）：Ｍｇ（Ｃ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１）_２、
   式（ＩＶ）：Ｍｇ_２（Ｃ_２Ｂ_ｊＨ_ｊ）Ｘ_２、または、
   上述の式のうち少なくとも２つの式の組合せを含み、ここで、ｉは１または２であり、ｊは８から１１までの整数であり、Ｘはハロゲン化物であり、Ｙは非ハロゲン化モノアニオンである、プロセス。
7. カルボラニルマグネシウム電解質のカルボラニルアニオンを表わすＣ_ｉＢ_ｊＨ_ｊ＋１ は、イコサヘドラル−クロソ−カルボラニルアニオンであり、（ｉ＋ｊ）は１２に等しい、請求項６に記載のプロセス。
8. ＸはＣｌ⁻またはＢｒ⁻またはＩ⁻である、請求項６に記載のプロセス。
9. Ｙは（ＢＨ_４）⁻である、請求項６に記載のプロセス。
10. Ｃ _ｉ Ｂ _ｊ Ｈ _ｉ＋ｊ に従った式を有するカルボランをグリニャール試薬またはジアルキルマグネシウム化合物と接触させる工程を含み、前記接触によってカルボラニルマグネシウム電解質が生成する、請求項６に記載のプロセス。
11. 式ＬｉＣ _ｉ Ｂ _ｊ Ｈ _ｊ＋１ または式Ｌｉ _２ Ｃ _２ Ｂ _ｊ Ｈ _ｊ によって表わされるカルボラニルリチウムをマグネシウム塩と接触させる工程を含み、前記接触によってカルボラニルマグネシウム電解質が生成する、請求項６に記載のプロセス。
12. 式ＡｇＣ _ｉ Ｂ _ｊ Ｈ _ｊ＋１ によって表わされるカルボラニル銀をマグネシウム塩と接触させる工程を含み、前記接触によってカルボラニルマグネシウム電解質が生成する、請求項６に記載のプロセス。
13. 電解質は３．０Ｖよりも高い電位で安定している、請求項１２に記載のプロセス。