JP2014222253A - 分析素子チップ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、表面プラズモン共鳴分析装置、又は表面プラズモン共鳴蛍光分析装置に用いられる分析素子チップであって、プリズム11と、プリズム11の所定の面13の面上に形成され、その表面15aに生理活性物質16が固定される金属薄膜15と、検体が金属薄膜15と接しつつ流れる流路21を形成する流路部材20とを備え、金属薄膜15のX線回折におけるメインピークの半値幅が0.353以下であるとともに、前記分析素子チップは、流路21内に保存液が封入された状態又は金属薄膜15の表面上に水を溜めた状態にすることによって、金属薄膜15を多湿環境下においた状態で保存されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
・到達真空度:1×10−7Torr
・成膜真空度:5×10−4Torr
・ガス:99.9999%アルゴン
・カソード電力:100W(13.56MHz)
・支援コイル電力:可変(13.56MHz)
・膜厚:50〜55nm
・成膜構成:Au
・成膜レート:0.1nm/sec
・基板:COP樹脂
X線回折装置により、この成膜条件で成膜した金属薄膜におけるX線回折のメインピークの半値幅を測定し、金属薄膜を多湿環境下におくために本実施例では当該金属薄膜の表面上に水を溜めた状態にして6ヶ月間経過後に金属薄膜の表面を観察した。その結果を、以下の表1及び図2に示す。
・到達真空度:1×10−7Torr
・成膜真空度:3×10−7Torr
・電子銃電力:6kV,80mA
・膜厚:50〜55nm
・成膜構成:Au
・成膜レート:1nm/sec
・成膜温度:可変
・基板:BK7
X線回折装置により、この成膜条件で成膜した金属薄膜におけるX線回折のメインピークの半値幅を測定し、金属薄膜を多湿環境下におくために本実施例では当該金属薄膜の表面上に水を溜めた状態にして6ヶ月間経過後に金属薄膜の表面を観察した。その結果を以下の表2及び図3に示す。
11 プリズム
13 反射面(所定の面)
15 金属薄膜
15a 金属薄膜の表面
16 生理活性物質
20 流路部材
21 流路
Claims (2)
- 表面プラズモン共鳴の共鳴角の変化に基づいて検体を分析する表面プラズモン共鳴分析装置、又は検体に含まれる蛍光物質が表面プラズモン共鳴に基づくエバネッセント波により励起されて発した蛍光を測定する表面プラズモン共鳴蛍光分析装置に用いられる分析素子チップであって、
プリズムと、前記プリズムの所定の面の面上に形成され、その表面に生理活性物質が固定される金属薄膜と、前記検体が前記金属薄膜と接しつつ流れる流路を形成する流路部材とを備え、
前記金属薄膜のX線回折におけるメインピークの半値幅が0.353以下であるとともに、
前記分析素子チップは、前記流路内に保存液が封入された状態又は前記金属薄膜の表面上に水を溜めた状態にすることによって、前記金属薄膜を多湿環境下においた状態で保存されていることを特徴とする分析素子チップ。 - 前記金属薄膜は、金薄膜である請求項1に記載の分析素子チップ。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2006242916A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 全反射減衰を利用するセンサユニット及び測定方法 |
JP2008034366A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性材料およびその製造方法 |
JP2009133844A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Seikoh Giken Co Ltd | バイオセンサおよびその製造方法、およびセンサ計測システム |
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