JP2014218394A - 透明回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 例えば２００℃以上の高温処理を行っても仮固定材由来のアウトガスの発生を低減しつつ所望のパターン加工を清浄に実施可能な透明回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、透明ワークが仮固定材を介して支持体上に仮固定された積層体を準備する積層体準備工程、２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工により前記透明ワークにパターンを形成して透明回路基板を作製する加工工程、及び前記透明回路基板を前記仮固定材から剥離する剥離工程を含み、前記仮固定材についての示差熱−熱重量同時測定を昇温速度５℃／分で４００℃まで昇温させて行った際の前記仮固定材の２００℃以下での重量減少率が１％未満である透明回路基板の製造方法である。
【選択図】 図１Ｂ

Description

本発明は、透明回路基板の製造方法に関する。

近年、電子デバイスやディスプレイ中の部材として、例えば、ＴＦＴ（駆動回路）、カラーフィルター、タッチパネルの回路基板等の軽量で、耐衝撃性を有し、かつ薄型のガラス基板の開発が進められている。

しかしながら、ガラス基板の薄型化が進むにつれ、加工対象であるガラス板の強度の低下や撓みが生じてしまい、製造過程での取り扱いが困難となったり、作業効率が低下したりすることがある。このような事情に対応するためのガラス基板の製造方法として、薄肉ガラス基板を補強材としての支持基板に接着剤を介在させて固定した後、透明電極膜を薄肉ガラス基板の表面に成膜する技術が提案されている（特許文献１）。

特開２０１０−２８５３２４号公報

上記技術では薄肉ガラス基板、仮固定材としての接着剤、及び支持基板を一体としてパターン形成を行うことから、接着剤もその際の加熱処理の影響を受ける。この接着剤は耐熱性を有するものの充分ではなく、加熱処理の影響を無視し得なくなると、接着剤由来のアウトガスが発生し、ガラス基板を汚染したり、所望のパターンを形成することができなかったりする場合がある。

本発明は、透明回路基板の製造に際して見出された上記課題を解決するものであり、例えば２００℃以上の高温処理を行っても仮固定材由来のアウトガスの発生を低減しつつ所望のパターン加工を清浄に実施可能な透明回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者らは鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

本発明は、透明ワークが仮固定材を介して支持体上に仮固定された積層体を準備する積層体準備工程、
２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工により前記透明ワークにパターンを形成して透明回路基板を作製する加工工程、及び
前記透明回路基板を前記仮固定材から剥離する剥離工程
を含み、
前記仮固定材についての示差熱−熱重量同時測定を昇温速度５℃／分で４００℃まで昇温させて行った際の前記仮固定材の２００℃以下の重量減少率が１％未満である透明回路基板の製造方法である。

当該製造方法では、２００℃以下という高温での重量減少率が１％未満という高耐熱性の仮固定材を用いて透明ワークを固定しているので、２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工を行っても、仮固定材由来のアウトガスの発生を充分抑制することができ、その結果、清浄な状態でのパターン加工が可能となり、所望のパターンを形成することができる。なお、重量減少率の測定方法は実施例の記載による。

当該製造方法において、前記仮固定材は、ガラス板に対して０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上１０Ｎ／２０ｍｍ以下の粘着力を有する高粘着層と、ガラス板に対して０Ｎ／２０ｍｍ以上０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満の粘着力を有する低粘着層とを備えることが好ましい。このような構成により、透明ワークの加工時の保持性と加工後の剥離性とを効率良く両立させることができる。

前記パターン形成後の前記積層体の平面視において、前記透明ワーク上のパターン加工領域の外周が前記低粘着層の外周より内側に位置することが好ましい。これにより、透明回路基板のパターン加工領域の外周部を切り取った場合や透明回路基板をパターン加工領域ごとに個片化した場合でも、切り出した透明回路基板に対して低粘着層が割り当てられることになり、支持体からの剥離を容易に行うことができる。なお、１つの低粘着層に対するパターン加工領域の数は１つ又は複数のいずれでもよい。１つの低粘着層に複数のパターン加工領域が割り当てられる場合、最外周に位置するパターン加工領域の外周が低粘着層の外周の内側に位置すればよい。

前記積層体において、前記低粘着層は、前記透明ワークと前記支持体との間に配置され、前記高粘着層は、前記透明回路基板の外周側面と前記支持体の外周側面とを連結するように配置されることが好ましい。これにより、高粘着層は透明ワークの加工領域に付着することがないので、透明ワークを清浄な状態で加工することができる。また、透明ワークの支持体からの剥離には、外周に位置する高粘着層の部分を剥離するか、切り取るだけでよいので、生産効率の向上を図ることができる。

高粘着層が積層体の外周側面に配置されている場合、前記積層体の側面視において、前記高粘着層の高さは、前記積層体の高さの５０％以上１００％未満であることが好ましい。これにより、透明ワークを支持体へしっかり固定させることができるとともに、透明ワークの加工面への高粘着層の回り込みを防止して、透明ワークを清浄に加工することができる。

本発明の一実施形態に係る仮固定材の一部透視平面図である。 図１におけるＸ−Ｘ線断面図である。 本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。 本発明のさらに他の実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。 本発明の別の実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。

本発明の透明回路基板の製造方法は、透明ワークが仮固定材を介して支持体上に仮固定された積層体を準備する積層体準備工程、
２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工により前記透明ワークにパターンを形成して透明回路基板を作製する加工工程、及び
前記透明回路基板を前記仮固定材から剥離する剥離工程
を含み、
前記仮固定材についての示差熱−熱重量同時測定を昇温速度５℃／分で４００℃まで昇温させて行った際の前記仮固定材の２００℃以下での重量減少率が１％未満である。

まず、本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法について、以下に図面を参照しつつ説明する。なお図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。また、本明細書で用いられる「上面」、「下面」など、上下等の位置関係を示す用語は、あくまで説明の便宜のために図中における各構成部材の位置関係を示すためのものであって、仮固定材や半導体装置の実際の姿勢ないし位置関係を限定するものではない。

＜第１実施形態＞
［積層体準備工程］
積層体準備工程では、透明ワークが仮固定材を介して支持体上に仮固定された積層体を準備する。以下では、各部材を説明した後、積層体の形成について説明する。

（仮固定材）
図１Ａは、本発明の一実施形態に係る仮固定材の一部透視平面図であり、図１Ｂは、そのＸ−Ｘ線断面図である。図１Ｂに示すように、仮固定材１１は、周縁部１１Ｐが高粘着層１１ａにより形成されるとともに、周縁部１１Ｐよりも内側の中央部１１Ｃが、高粘着層１１ａとこれより粘着力の低い低粘着層１１ｂとの積層により形成されている。すなわち、仮固定材１１は、低粘着層１１ｂと、低粘着層１１ｂ上に低粘着層１１ｂの上面及び側面を覆う態様で積層された高粘着層１１ａとを有する。低粘着層１１ｂの粘着力は、高粘着層１１ａの粘着力よりも低い。なお、仮固定材１１を支持体に貼り合わせる際は、仮固定材１１は、低粘着層１１ｂが露出している側の面を貼り合わせ面として支持体に貼り合わせられる（図２Ａ参照）。

仮固定材１１では、低粘着層１１ｂより粘着力の高い高粘着層１１ａが周縁部に存在するため、この部分において支持体に強固に貼り合わせることができる。また、高粘着層１１ａのみではなく、高粘着層１１ａよりも粘着力の低い低粘着層１１ｂを有するため、後述する剥離工程において、外力により、容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。

また、仮固定材１１では、高粘着層１１ａのみが露出している面では、仮固定材１１上に配置される透明ワークをより強固に固定することができる。また、中央部１１Ｃは、高粘着層１１ａと低粘着層１１ｂとの積層により形成されている。従って、高粘着層１１ａと低粘着層１１ｂとの積層により形成されている中央部１１Ｃは、高粘着層１１ａのみで形成されている周縁部１１Ｐよりも、相対的に粘着力が低い。これにより、外力を与えることで容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。また、低粘着層１１ｂも支持体と接しているため、剥離工程の後に、当該仮固定材１１を支持体から剥離しやすくなる。従って、支持体を再利用しやすくなる。また、高粘着層１１ａが仮固定材１１における周縁部１１Ｐに形成されているため、後述する剥離工程において、高粘着層１１ａを溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりすることで、中央部１１Ｃに対する周縁部１１Ｐの粘着力を遮断することができ、より容易に支持体１２から仮固定材１１を剥離することができる。

仮固定材１１についての示差熱−熱重量同時測定を昇温速度５℃／分で４００℃まで昇温させて行った際の仮固定材１１の２００℃での重量減少率が１％未満であることが好ましく、０．８％以下がより好ましく、０．６％以下がさらに好ましい。前記重量減少率の下限は低いほどよく、０％以上が好ましいものの、０．０１％以上であってもよい。前記重量減少率が上記範囲にあることで、仮固定材由来のアウトガスの発生を充分抑制することができ、清浄な状態でパターン加工を行うことができ所望のパターンを形成することができる。

仮固定材１１の厚さは特に限定されず、その下限は、例えば５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以上である。５μｍ以上であると、支持体表面や透明ワーク表面の凹凸に追従でき、仮固定材により支持体と透明ワークとの間を隙間なく充填できる。また、仮固定材１１の厚さの上限は、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制することができる。

中央部１１Ｃにおける高粘着層１１ａの厚さは適宜設定できるが、その下限は好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、該厚さの上限は、好ましくは３００μｍ以下であり、より好ましくは２００μｍ以下である。また、中央部１１Ｃにおける低粘着層１１ｂの厚さは高粘着層１１ａと同様の厚さで適宜設定できる。

図１Ａに示すように、仮固定材１１は、平面視したときの形状が矩形である。仮固定材１１の平面視サイズは特に限定されず、加工する透明ワークのサイズに合わせて適宜設定すればよい。例えば、仮固定材１１の一辺の長さは、支持体における対応する辺の長さに対して＋１．０〜−１．０ｍｍが好ましい。

また、仮固定材１１を平面視したとき、低粘着層１１ｂの形状は矩形である。仮固定材１１を平面視したときの低粘着層１１ｂの面積は、仮固定材１１を平面視したときの仮固定材１１の面積に対して、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは５０％以上である。１０％以上であると、透明回路基板と支持体とを分離しやすい。また、低粘着層１１ｂの面積は、好ましくは９９．９５％以下、より好ましくは９９．９％以下である。９９．９５％以下であると、透明ワークを支持体に強固に固定できる。

（高粘着層）
高粘着層１１ａの粘着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのガラス板に対する９０°剥離力が、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．１０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上であると、支持体と仮固定材１１とをより強固に固定することができる。また、該９０°剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、１０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは５Ｎ／２０ｍｍ以下である。

高粘着層１１ａを構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、イミド基を有し、かつ、少なくとも一部にアルキルエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位又は直鎖アルキレンジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂を好適に使用できる。また、シリコーン樹脂も好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。

前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。

前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（アルキルエーテル構造を有するジアミン及び直鎖アルキレンジアミン（両方合わせて「特定ジアミン」ともいう。）、並びにこれら以外のジアミン（以下、「他のジアミン」ともいう。）のいずれをも含む。）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。

前記アルキルエーテル構造を有するジアミンは、アルキルエーテル構造を有し、かつ、アミン構造を有する末端を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。例えば、メチレン骨格及びこれに結合するエーテル基を有するジアミンなどが挙げられる。

前記メチレン骨格及びこれに結合するエーテル基を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、かつ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、かつ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、かつ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのメチレン骨格及びこれに結合するエーテル基を複数組み合わせて有し、かつ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。

前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、高粘着力かつ軽剥離性を奏する高粘着層１１ａを得やすい。

前記直鎖アルキレンジアミンは、直鎖アルキレン構造を有し、かつ、両末端にアミノ基を１つずつ有するジアミンが挙げられる。前記直鎖アルキレンジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，１４−ジアミノテトラデカン、１，１６−ジアミノヘキサデカン、１，２０−ジアミノイコサンなどが挙げられる。前記直鎖アルキレンジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。

前記ポリイミド樹脂の形成には、特定ジアミン以外の他のジアミンを併用することもできる。他のジアミンとしては、芳香族ジアミンを挙げることができる。他のジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。

芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。本明細書において、ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。

アルキルエーテル構造を有するジアミンと他のジアミンとを併用する場合、両者の配合割合は、モル比で５０：５０〜２０：８０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、２０：８０〜５０：５０であり、さらに好ましくは、２５：７５〜４５：５５である。特定ジアミンと他のジアミンとの配合割合が、上記範囲内にあると、耐熱性とともに剥離性により優れる。

また、直鎖アルキレンジアミンと他のジアミンとを併用する場合、両者の配合割合は、モル比で１００：０〜２０：８０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、９５：５〜４０：６０であり、さらに好ましくは、９０：１０〜５０：５０である。特定ジアミンと他のジアミンとの配合割合が、上記範囲内にあると、耐熱性とともに剥離性により優れる。

前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。

前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。

高粘着層１１ａを構成する接着剤組成物は、他の添加剤を含有していてもよい。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。

（低粘着層）
低粘着層１１ｂを構成する接着剤組成物としては特に限定されないが、イミド基を有し、かつ、少なくとも一部に前記他のジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂を好適に使用できる。前記特定ジアミンを用いず、前記他のジアミンのみを用いることで、粘着力を好適に低下させることができる。低粘着層１１ｂの組成や形成方法は、ジアミンとして前記高粘着層の項における前記特定ジアミンを用いず、他のジアミンのみを用いる点を除き、高粘着層と同様の組成及び形成方法を採用することができる。

また、前記他のジアミンとして、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、１，１’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン等のフッ素含有芳香族ジアミンも好適に用いることができる。

低粘着層１１ｂとしては、上述のような樹脂を用いて形成される層以外に、高粘着層１１ａの粘着力より低い粘着力を有し、かつ耐熱性を有する層であれば特に限定することなく用いることができる。そのような層としては、例えば、アルミニウム等の金属や、セラミックス等といった無機材料の薄膜、他のポリイミドやポリエーテルエーテルケトン等の他の耐熱性有機材料の薄膜等が挙げられる。無機材料の薄膜の形成法としては、蒸着法、スパッタ法、化学気相成長法、ゾル−ゲル法等が挙げられる。

低粘着層１１ｂの粘着力は、高粘着層１１ａの粘着力よりも低い。低粘着層１１ｂの粘着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのガラス板に対する９０°剥離力が０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．０１Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満であると、低粘着層１１ｂを容易に剥離できる。該９０°剥離力の下限は、低いほど好ましいが、好ましくは０Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．００１Ｎ／２０ｍｍ以上、さらに好ましくは０．００１５Ｎ／２０ｍｍ以上である。

（仮固定材の他の特性）
前記仮固定材は、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液に室温で５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましく、０．９重量％未満であることがより好ましく、０．８重量％未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は小さいほど好ましい。従って、前記重量減少率の下限は、０重量％以上が好ましいものの、０．００１重量％以上であってもよい。ＴＭＡＨ水溶液に浸漬後の重量減少率が上記範囲であると、耐溶剤性（特に、ＴＭＡＨ水溶液に対する耐溶剤性）を高めることができる。仮固定材の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成（ジアミンのＴＭＡＨ水溶液に対する溶解性）により、コントロールすることができる。前記重量減少率の測定方法は実施例の記載による。

前記仮固定材は、１０％の硫酸水溶液に室温で５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましく、０．９重量％未満であることがより好ましく、０．８重量％未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は小さいほど好ましい。従って、前記重量減少率の下限は、０重量％以上が好ましいものの、０．００１重量％以上であってもよい。硫酸水溶液に浸漬後の重量減少率が上記範囲であると、耐酸性（特に、硫酸水溶液に対する耐酸性）を高めることができる。仮固定材の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成（ジアミンの硫酸水溶液に対する溶解性）により、コントロールすることができる。前記重量減少率の測定方法は実施例の記載による。

前記仮固定材は、１０％の水酸化ナトリウム水溶液に室温で５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましく、０．９重量％未満であることがより好ましく、０．８重量％未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は小さいほど好ましい。従って、前記重量減少率の下限は、０重量％以上が好ましいものの、０．００１重量％以上であってもよい。水酸化ナトリウム水溶液に浸漬後の重量減少率が上記範囲であると、耐アルカリ性（特に、水酸化ナトリウム水溶液に対する耐アルカリ性）を高めることができる。仮固定材の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成（ジアミンの水酸化ナトリウム水溶液に対する溶解性）により、コントロールすることができる。前記重量減少率の測定方法は実施例の記載による。

前記仮固定材は、１００ｍＬのＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に室温で５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましく、０．９重量％未満であることがより好ましく、０．８重量％未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は小さいほど好ましい。従って、前記重量減少率の下限は、０重量％以上が好ましいものの、０．００１重量％以上であってもよい。ＮＭＰに浸漬後の重量減少率が上記範囲であると、耐溶剤性（特に、ＮＭＰに対する耐溶剤性）を高めることができる。仮固定材の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成（ジアミンのＮＭＰに対する溶解性）により、コントロールすることができる。前記重量減少率の測定方法は他の耐薬品性評価の測定手順に従って行うことができる。

（仮固定材の製造方法）
仮固定材１１の製造方法は特に限定されない。第１の方法として、例えば、低粘着層１１ｂを形成するための組成物を含む溶液をセパレータ上に塗布、乾燥して塗布層を形成し、さらに高粘着層１１ａを形成するための組成物を含む溶液を低粘着層１１ｂ上及びその周囲に塗布、乾燥して塗布層を形成することにより製造できる。高粘着層１１ａ上に保護用のセパレータを貼り合わせてもよい。この方法では、低粘着層１１ｂの周囲に形成された塗布層が周縁部１１Ｐの高粘着層１１ａとなる。第２の方法として、高粘着層１１ａ及び低粘着層１１ｂをそれぞれ別のセパレータ上に形成しておき、最後に両者を貼り合わせる手順を採用することができる。この場合、高粘着層１１ａの平面視サイズを低粘着層１１ｂの平面視サイズより大きくしておくことで、低粘着層１１ｂの周囲に周縁部１１Ｐとしての高粘着層１１ａを形成することができる。第３の方法として、セパレータ上に形成していた低粘着層１１ｂを支持体１２に貼り合わせ、その上に別途セパレータ上に形成していた高粘着層１１ａを貼り合わせる手順を採用することができる。この場合も、高粘着層１１ａの平面視サイズを低粘着層１１ｂの平面視サイズより大きくしておくことで、低粘着層１１ｂの周囲に周縁部１１Ｐとしての高粘着層１１ａを形成することができる。さらに、低粘着層１１ｂとして上述の無機薄膜や他の耐熱性有機薄膜等を用いる場合は、第４の方法として、支持体１２に蒸着ないし貼り合わせ等で低粘着層１１ｂを形成しておき、その上に別途セパレータ上に形成していた高粘着層１１ａを貼り合わせる手順や、あるいは、第５の方法として、高粘着層１１ａ上に無機薄膜等からなる低粘着層１１ｂを蒸着や貼り合わせで形成し、これを低粘着層１１ｂが露出している面を貼り合わせ面として支持体１２に貼り合わせるという手順を採用することができる。塗布する溶液の粘度や塗布量は適宜設定すればよい。

（透明ワーク）
透明ワーク１３（図２Ａ参照）としては、透明性及び耐熱性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙、ＦＲＰ、極薄ガラス、物理強化ガラス、化学強化ガラスなどがあげられる。中でも、透明ワークは実質的に可撓性を有しないことが好ましい。実質的に可撓性を有しないとは、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じた３点曲げ試験による曲げ弾性率が５００ＭＰａ以上にて破壊されることをいう。

透明ワーク１３の厚さは、加工後の透明回路基板が組み込まれるデバイスの設計に応じて設定すればよいものの、厚さの上限として５ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。また、透明ワークの厚さの下限は、強度や耐久性の観点から、０．０１ｍｍ以上が好ましく、０．０５ｍｍ以上がより好ましい。

（支持体）
支持体１２（図２Ａ参照）としては特に限定されず、ＳＵＳ板、ガラス板、プラスチック板等が好ましく挙げられる。プラスチック板の材料としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。

支持体１２は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。支持体の厚みは、特に限定されないが、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。

（積層体の形成）
以下では、図１Ａ及び１Ｂに示した仮固定材１１を用いる場合について説明する。図２Ａ〜２Ｄは、本発明の一実施形態に係る透明回路基板の製造方法を説明するための断面模式図である。仮固定材１１を前記第１又は第２の方法で作製する場合は、作製した仮固定材１１からセパレータを剥離し、仮固定材１１の下面を貼り合わせ面として支持体１２に貼り合わせる（図２Ａ参照）。貼り合わせ方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、２０℃〜１５０℃、０．０１ＭＰａ〜１０ＭＰａ、１ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。上述したように、仮固定材１１は、低粘着層１１ｂと比較して粘着力の高い高粘着層１１ａが下面に露出しているため、支持体１に強固に貼り合わせることができる。仮固定材１１を前記第３ないし第５の方法で作製する場合は、仮固定材１１が支持体１２上に貼り合わされた状態で作製されるので、そのまま次工程に用いることができる。

次に、仮固定材１１上に透明ワーク１３を貼り合わせることで積層体１０を形成することができる。貼り合わせ方法は特に限定されないが、圧着が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールやプレス等の押圧手段により押圧が行われる。凹凸追従性、被着体、支持体の総厚の観点から、プレス方式が望ましい。圧着の条件としては、温度：４０℃〜２００℃、押圧：０．１ｋｇ／ｃｍ^２〜１００ｋｇ／ｃｍ^２、減圧雰囲気：１〜１００ｔｏｒｒ（１．３３×１０^２Ｐａ〜１．３３×１０^４Ｐａ）、時間：６０〜６００ｓが好ましい。

［加工工程］
図２Ｂに示すように、加工工程では、２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工により前記透明ワーク１３にパターン１４を形成して透明回路基板１５を作製する。

透明ワーク１３に対する加工としては特に限定されず、加工後の透明回路基板１５が適用されるデバイス設計に応じて従来公知のプロセスを採用することができるが、代表的にはパターン形成が挙げられる。パターン１４としては、透明ワークを、その用途であるフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）や有機ＥＬパネルのベース基板、あるいは電子ペーパー、ＬＣＤ、有機ＥＬを表示部とするディスプレイの駆動回路、カラーフィルター、さらにはタッチパネルの回路基板や太陽電池の製膜プロセス等の用途に用いるために必要とされる該透明ワーク上に形成される回路や薄膜、素子等が挙げられる。このパターンとしては上記の用途に必要なものであれば良く、パターンの形状や材質は適宜選択することができる。

透明回路基板として、ＴＦＴ（駆動回路）やカラーフィルター等の回路基板が形成された部材とする場合には、公知のフォトリソグラフィー工程を経ることで回路基板を作製することができる。代表的なフォトリソグラフィー工程としては、有機又は無機薄膜の形成、レジスト組成物の塗布、レジスト塗膜のベーキング、露光、レジスト塗膜のエッチング、前記薄膜のエッチング、レジスト膜の除去等の手順を繰り返すことにより、所望のパターン回路を形成することができる。

該加工工程では、上述のように、薄膜の形成、レジスト膜のベーキングやエッチング後の洗浄及び乾燥等を行うことから、仮固定材１１にはレジスト膜やめっき配線形成時の耐薬品性、薄膜形成やベーキング、乾燥の際の耐熱性、スパッタリング等による薄膜（配線）形成の際の耐真空性が要求される。従来では上記のような加熱処理や真空処理により、仮固定材１１からアウトガスが発生し、仮固定材１１と透明ワーク１３との界面や仮固定材１１と支持体１３との界面に気泡が生じたり、アウトガスによる薄膜形成不良が生じたりし、あるいは上記のような薬品処理により仮固定材１１が変性ないし変形してしまうために、所望のパターン形成を行うことができない場合があった。本発明では、耐熱性、耐薬品性、耐真空性の仮固定材１１を用いているので、目的とするパターン形成を行うことができる。

透明回路基板としては、片面回路、両面回路、多層回路等の各透明回路基板とすることができ、回路の形成のみではなく、素子等を実装することもできる。透明ワークの両面に回路を形成するには、片面に回路を形成した後、その回路形成面を仮固定材を介して支持体に固定して他面に回路を形成する手段を採用できる。

透明ワーク上に例えば有機トランジスタを形成する場合、その材料としては、特に限定されることがなく、低分子系有機半導体材料、高分子系有機半導体材料、有機・無機ハイブリッド半導体材料を使用でき、ゲート絶縁材料としては有機ポリマー材料や無機材料を用いることができる。

有機トランジスタを形成する手段としては転写法等が挙げられ、電極や配線はフィルム上に直接描画することにより形成することができる。それらの材料としては、銀等の金属ナノ粒子を含有する金属ナノペーストやインク、金属酸化物のナノ粒子を含有するペーストやインクを採用できる。また導電性ポリマーの溶液などを採用しても良い。こうしたトランジスタ、電極・配線の描画方法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷、フレキソ印刷、ナノプリント技術を採用することができる。さらにＴＦＴ回路等を転写によってフィルム上に形成しても良い。

このようにして製造されるフレキシブル回路基板上に、さらに液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示層を形成させるために必要な層を形成させることが可能であり、それぞれのディスプレイに応じた層構造となるように加工される。

図２Ｂに示すように、透明回路基板１５を形成した積層体１０の平面視において、前記透明ワーク１３上のパターン加工領域の外周（パターン１４の最外周）が前記低粘着層１１ｂの外周より内側に位置することが好ましい。これにより、透明回路基板のパターン加工領域の外周部を切り取った場合や透明回路基板をパターン加工領域ごとに個片化した場合でも、切り出した透明回路基板に対して低粘着層１１ｂが割り当てられることになり、支持体１２からの剥離を容易に行うことができる。

［剥離工程］
次に、透明回路基板１５を前記仮固定材１１から剥離する。具体的にはまず、図２Ｃ及び２Ｄに示すように、仮固定材１１における支持体１２側の面を界面として、支持体１２と仮固定材１１とを剥離する。上述したように、仮固定材１１は、高粘着層１１ａのみではなく、高粘着層１１ａよりも粘着力の低い低粘着層１１ｂを有するため、外力により、容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。

また、仮固定材１１の中央部１１Ｃは、高粘着層１１ａと低粘着層１１ｂとの積層により形成されている。従って、高粘着層１１ａと低粘着層１１ｂとの積層により形成されている中央部１１Ｃは、高粘着層１１ａのみで形成されている周縁部１１Ｐよりも、相対的に粘着力が低い。これにより、外力を与えることで容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。また、高粘着層１１ａが仮固定材１１における周縁部１１Ｐに形成されているため、高粘着層１１ａを溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりすることで、中央部１１Ｃに対する周縁部１１Ｐの粘着力を遮断することができ、より容易に支持体１２から仮固定材１１を剥離することができる。高粘着層１１ａの粘着力を遮断ないし低下させる方法としては、溶剤により高粘着層１１ａを溶解させて粘着力を遮断させる方法、高粘着層１１ａに、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて粘着力を遮断させる方法、高粘着層１１ａを加熱により粘着力が低下する材料で形成しておき、加熱により粘着力を低下させる方法等を挙げることができる。図２Ｃでは、剥離に先立ち、中央部１１Ｃの外周よりわずかに内側の位置にて物理的な切込みを入れている。これにより、中央部１１Ｃに対する周縁部１１Ｐの粘着力が遮断され、中央部１１Ｃでは支持体に対し低粘着層１１ｂのみが粘着力を有することになるので、中央部１１Ｃの支持体１２からの剥離をより容易にすることができる。

次いで、図２Ｄに示すように、透明回路基板１５を仮固定材１１ともに支持体１２から剥離することで、透明回路基板１５を回収することができる。パターン１４が形成されたパターン加工領域を含む透明回路基板１５は、低粘着層１１ｂの上方に位置するので、透明回路基板１５の支持体１２からの剥離を容易に行うことができる。なお、図２Ａ〜２Ｄでは、仮固定材１１上に透明回路基板１５を１つ作製する態様を示しているものの、これに限定されず、仮固定材１１上に透明ワークを複数貼り合わせ、それぞれの透明ワークにパターン加工を行って複数の透明回路基板を作製し、その後上述のような高粘着層１１ａの粘着力の遮断を行って、個々の透明回路基板を回収するという手順も採用することができる。あるいは、１つの透明ワークに対して複数のパターン加工領域を形成し、パターン加工領域ごとにダイシング等を行うことで複数の透明回路基板を作製し、その後上述のような高粘着層１１ａの粘着力の遮断を行って、個々の透明回路基板を回収するという手順を採用することができる。

仮固定材１１とともに剥離した透明回路基板１５において、仮固定材は特段の処理を施すことなく剥離により透明回路基板１５から仮固定材１１を取り除くことができる。

＜第２実施形態＞
本発明の仮固定材は、仮固定材１１の形状に限定されない。図３は、本発明の第２実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。図３に示すように、仮固定材２１は、周縁部２１Ｐが高粘着層２１ａにより形成されるとともに、周縁部２１Ｐよりも内側の中央部２１Ｃが、低粘着層２１ｂにより形成されている。低粘着層２１ｂの粘着力は、高粘着層２１ａの粘着力よりも低い。

仮固定材２１では、中央部２１Ｃが低粘着層２１ｂにより形成されているため、剥離工程において、外力により、容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。

仮固定材２１の中央部２１Ｃが低粘着層２１ｂにより形成されており、低粘着層２１ｂも支持体と接しているため、剥離工程の際に、当該仮固定材２１を支持体から剥離しやすくなる。従って、支持体を再利用しやすくなる。また、高粘着層２１ａが仮固定材２１における周縁部２１Ｐに形成されているため、剥離工程において、高粘着層２１ａを溶剤により溶解させたり、カッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、中央部２１Ｃに対する高粘着層２１ａの粘着力を遮断して、仮固定材２１を支持体からより容易に剥離することができる。

仮固定材２１の組成等を含めその他の事項に関しては、第１実施形態と同様とすることができる。

＜第３実施形態＞
本発明の仮固定材は、仮固定材１１、２１の形状に限定されない。図４は、本発明の第３実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。図４に示すように、仮固定材３１は、高粘着層３１ａと低粘着層３１ｂとの積層により形成されている。低粘着層３１ｂの粘着力は、高粘着層３１ａの粘着力よりも低い。

仮固定材３１では、高粘着層３１ａが存在するため、加工工程等において透明回路基板を支持体に固定しておくことができる。また、高粘着層３１ａのみではなく、高粘着層３１ａよりも粘着力の低い低粘着層３１ｂを有するため、剥離工程において、外力により、容易に支持体と透明回路基板とを上下に分離することが可能となる。

高粘着層３１ａの厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは２０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、透明ワーク表面の凹凸に追従でき、透明ワークと支持体との間に仮固定材３１を隙間なく充填できる。また、高粘着層３１ａの厚さは、例えば、１００μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以下である。１００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

低粘着層３１ｂの厚さは特に限定されず、例えば、１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以上である。１μｍ以上であると、支持体表面の凹凸に追従でき、透明ワークと支持体との間に仮固定材３１を隙間なく充填できる。また、低粘着層３１ｂの厚さは、例えば、５０μｍ以下であり、好ましくは２０μｍ以下である。５０μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。

低粘着層３１ｂの粘着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのガラス板に対する９０°剥離力が０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．０４Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満であると、支持体から透明回路基板を容易に分離できる。一方、該９０°剥離力の下限は、好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上、さらに好ましくは０．０３Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、透明ワークを支持体に良好に固定でき、パターン加工を良好に行うことができる。

仮固定材３１の組成等を含めその他の事項に関しては、第１実施形態と同様とすることができる。

＜第４実施形態＞
本発明の仮固定材は、仮固定材１１、２１、３１の形状に限定されない。図５は、本発明の第４実施形態に係る仮固定材を示す断面模式図である。図５に示すように、積層体４０において、低粘着層４１ｂは、透明ワーク４３と支持体４２との間に配置され、高粘着層４１ａは、透明ワーク４３の外周側面と支持体４２の外周側面とを連結するように配置されている。これにより、高粘着層４１ａは透明ワーク４３のパターン４４が形成されているパターン加工領域に付着することがないので、透明ワーク４３を清浄な状態で加工することができる。また、透明ワーク４３の支持体４２からの剥離には、外周に位置する高粘着層４１ａの部分を剥離するか、切り取るだけでよいので、生産効率の向上を図ることができる。

高粘着層４１ａが積層体４０の外周側面に配置されている場合、積層体４０の側面視において、高粘着層４１ａの高さｈは、積層体の高さＨの５０％以上１００％未満であることが好ましく、６０％以上９０％未満であることが好ましい。これにより、透明ワーク４３を支持体４２へしっかり固定させることができるとともに、透明ワーク４３の加工面への高粘着層４１ａの回り込みを防止して、透明ワーク４３を清浄に加工することができる。

高粘着層４１ａの厚さ（積層体４０の外周側面からの突出量）は特に限定されないものの、その上限は５００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましい。これにより、高粘着層４１ａのパターン加工領域への回り込み、又は支持体４２への付着させないことが望ましい場合の支持体４２への付着を防止することができる。また、上記厚さの下限は、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。これにより、透明ワーク４３の支持体４２への固定をより強固にすることができる。

仮固定材４１を含む積層体４０の形成方法は、例えば、セパレータ上に形成した低粘着層４１ｂを支持体４２に貼り合わせ、低粘着層４１ｂ上に透明ワーク４３を貼り合わせて低粘着積層体とした後、低粘着積層体の外周側面（すなわち、透明ワーク４３の外周側面の一部、低粘着層４１ｂの外周側面、及び支持体４２の外周側面の一部）にわたるように高粘着層４１ａを形成するという手順を採用することができる。低粘着積層体の外周側面への高粘着層４１ａの形成方法としては、高粘着層４１ａ形成用の組成物溶液を該外周側面に塗布するという手順を採用することができる。

仮固定材４１の組成等を含めその他の事項に関しては、第１実施形態と同様とすることができる。

＜その他の実施形態＞
仮固定材の平面視したときの高粘着層及び低粘着層の形状は矩形に限定されず、それぞれ独立して円形、多角形、楕円形等、他の形状でもよい。

以上、本実施形態に係る透明回路基板の製造方法の一例について説明したが、本発明における透明回路基板の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例で使用した成分は以下のとおりである。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
エラスマー１０００：イハラケミカル工業社製のアルキルエーテル構造を有するジアミン（分子量：１２２９．７）
Ｄｙｍｅｒ１０７５：クローダジャパン社製の直鎖アルキレンジアミン（分子量：５３７．０）
ＴＦＭＢ：２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（分子量：３２０．２）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
市販ポリイミドシート：東レ・デュポン社製のポリイミドフィルム「カプトン（登録商標）２０ＥＮ」

（実施例１）
窒素気流下の雰囲気において、３０５．５ｇのＮＭＰ中に、エラスマー１０００を３３．９５ｇ、ＤＤＥを１７．４２ｇ、及びＰＭＤＡを２５ｇ、それぞれ８０℃で混合して反応させ、高粘着層用のポリアミック酸溶液Ａ１を得た。また、表１の低粘着層用の配合に従い、ポリアミック酸溶液Ａ１と同様の方法でポリアミック酸溶液Ａ２を得た。得られたポリアミック酸溶液Ａ１を２３℃になるまで冷却し、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ１０μｍのポリアミック酸シートＡ１（高粘着層の前駆体）を得た。同様にポリアミック酸溶液Ａ２にて厚さ５μｍのポリアミック酸シートＡ２（低粘着層の前駆体）を得た。

ポリアミック酸シートＡ２を１２０ｍｍ×１２０ｍｍの大きさとし、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさとしたポリアミック酸シートＡ１に９０℃で互いの重心がほぼ一致するように貼り合わせ、ポリアミック酸シートＡを得た。得られたポリアミック酸シートＡを１０Ｐａ以下の真空雰囲気下、３５０℃×１．５ｈｒの条件でイミド化させ、高粘着層であるポリイミドシートＡ１と低粘着層であるポリイミドシートＡ２との積層体である仮固定材Ａを得た。

得られた仮固定材Ａを、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板に、ポリイミドシートＡ２の部分が中央にくるように９０℃で貼り合わせ、ガラス板の外周部に沿って仮固定材Ａを切り取り、ガラス板付き仮固定材Ａを得た。

（実施例２）
高粘着層及び低粘着層の各層の配合及び厚さを表１に従ったこと以外は、実施例１と同様に仮固定材Ｂ及びガラス板付き仮固定材Ｂを得た。

（実施例３）
表１に配合に従い、実施例１と同様の手順で高粘着層の前駆体である厚さ１０μｍのポリアミック酸シートＣ１を得た。

別途、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板に１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×厚さ５０ｎｍのアルミニウム蒸着膜Ｃ２（蒸着装置：ＵＬＶＡＣ社製の「ＵＰＣ−４１０」、条件：７０Ａ、１０ｓ）を形成し、低粘着層とした。

形成したアルミニウム蒸着膜Ｃ２上に、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさとしたポリアミック酸シートＣ１を９０℃で互いの重心がほぼ一致するように貼り合わせた。次いで、貼り合わせたポリアミック酸シートＣ１を３５０℃×１．５ｈｒの条件で１０Ｐａ以下の真空雰囲気でイミド化させて、ポリイミドシートＣ１とアルミニウム蒸着膜Ｃ２との積層体である仮固定材Ｃを得た。

最後に、ガラス板の外周部に沿って仮固定材Ｃを切り取り、ガラス板付き仮固定材Ｃを得た。

（実施例４）
表１に配合に従い、実施例１と同様の手順で高粘着層の前駆体である厚さ２０μｍのポリアミック酸シートＤ１を得た。市販ポリイミドシート（カプトン（登録商標））Ｄ２を１２０ｍｍ×１２０ｍｍの大きさとし、２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさとしたポリアミック酸シートＤ１に９０℃で互いの重心がほぼ一致するように貼り合わせ、ポリアミック酸シートＤを得た。得られたポリアミック酸シートＤを１０Ｐａ以下の真空雰囲気下、３５０℃×１．５ｈｒの条件でイミド化させ、高粘着層であるポリイミドシートＤ１と低粘着層である市販ポリイミドシートＤ２との積層体である仮固定材Ｄを得た。

得られた仮固定材Ｄを、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板に、市販ポリイミドシートＤ２の部分が中央にくるように１５０℃で貼り合わせ、ガラス板の外周部に沿って仮固定材Ｄを切り取り、ガラス板付き仮固定材Ｄを得た。

（比較例１）
表１に配合に従い、実施例１と同様の手順で厚さ２０μｍのポリアミック酸シートＥ１を得た。得られたポリアミック酸シートＥ１を１０Ｐａ以下の真空雰囲気下、３５０℃×１．５ｈｒの条件でイミド化させ、ポリイミドシートＥ１単層からなる仮固定材Ｅを得た。

得られた仮固定材Ｅを、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ１ｍｍのガラス板に９０℃で貼り合わせ、ガラス板の外周部に沿って仮固定材Ｅを切り取り、ガラス板付き仮固定材Ｅを得た。

［高粘着層及び低粘着層の粘着力の測定］
各実施例及び比較例のポリアミック酸シートＡ１〜Ｅ１のみ及びポリアミック酸シートＡ２〜Ｂ２のみからなる層をそれぞれガラス板に貼り合せ、窒素雰囲気下、３００℃で１．５時間の条件でイミド化させ、高粘着層及び低粘着層単体としてガラス板付きポリイミドシートを得た。なお、実施例３では、ガラス板にアルミニウム蒸着膜Ｃ２を形成して低粘着層とし、実施例４では、カプトン（登録商標）ポリイミドシートＤ２をそのまま低粘着層として、それぞれガラス板に貼り合わせた。ガラス板付き高粘着層Ａ１〜Ｅ１及びガラス板付き低粘着層Ａ２〜Ｄ２のそれぞれを２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°剥離力評価を行った。結果を表２に示す。

［耐薬品性評価］
実施例及び比較例の仮固定材Ａ〜Ｅの中心付近を５０ｍｍ□に切り取り測定サンプルとし、２５℃、２０％Ｒｈに制御されたデシケータ内で２４時間乾燥させた後、測定サンプルの重量を測定し、重量１とした。その後、１００ｍｌの１０％水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液に測定サンプルを室温で５分間浸漬させ、超純水で十分に洗浄した後、再び２４時間デシケータにて乾燥させて、重量２を測定した。この重量１と重量２を以下式１に当てはめ、重量減少率を算出し、耐アルカリ性を評価した。
重量減少率（％）＝｛（重量１−重量２）／重量１｝×１００・・・式１

同様に、各サンプルを１００ｍｌの１０％硫酸水溶液（室温）に５分間浸漬し耐酸性を、各サンプルを１００ｍｌの３％水酸化テトラメチルアンモニウム（室温）に５分間浸漬し耐溶剤性をそれぞれ評価した。耐アルカリ性、耐酸性、耐溶剤性の評価のいずれも、重量減少率が１％未満の場合を「○」、１％以上の場合を「×」として評価した。結果を表２に示す。

（示差熱−熱重量同時測定による重量減少率の測定）
各サンプルを約１０ｍｇ採取した後、示差熱−熱重量同時測定計（リガク社製、「ＴＭＡ−８３１０」）を用い、窒素雰囲気中（流量：１００ｍｌ／分）、温度範囲２５〜４００℃で５℃／分の昇温速度でサンプルを加熱した。その際の初期重量と２００℃における重量_２００とから２００℃での重量減少率（％）を下記式に基づき測定した。
重量減少率（％）＝｛（初期重量−重量_２００）／初期重量｝×１００

［プロセス耐性評価］
ガラス板付き仮固定材Ａ〜Ｅに１００ｍｍ×６０ｍｍの強化ガラス（コーニング社製、「ゴリラガラス」）を１２０℃、４．５ｋＮ、３０００Ｐａ、６０秒の条件で貼り合わせた。その後、３００℃、５Ｐａの雰囲気に３時間暴露する真空高温処理を加え、強化ガラスの剥離や仮固定材のガラス板からの剥離が確認されなかった場合を「○」、確認された場合を「×」として評価した。結果を表２に示す。

［対ガラス板剥離性評価］
プロセス耐性評価の手順にて強化ガラスを貼り合わせたガラス板付仮固定材Ａ〜Ｅのガラス板外周部より、２０ｍｍ内側を仮固定材の真上から、ガラス板に達するまで切込みを入れ、ガラス板が目視できる状態とした。切り込みの後、強化ガラスを真空ピンセットを用いて、上方向に吸着した。吸着により強化ガラスと仮固定材とをガラス板から剥離できた場合を「○」、剥離できなかった場合を「×」として評価した。結果を表２に示す。

［対強化ガラス剥離性評価］
プロセス耐性評価の手順にて強化ガラスと仮固定材Ａ〜Ｅとの貼り合わせ及び真空高温処理を施した後、粘着テープ（Ｎｏ．３１５Ｂ、日東電工社製）を仮固定材表面に貼り合わせた後、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて５Ｎのロードセルを用いて９０°剥離力で仮固定材と強化ガラスとを剥離し、仮固定材を強化ガラスから剥離できた場合を「○」、温度設定を１００℃として剥離できた場合を「△」、剥離できなかった場合を「×」として評価した。結果を表２に示す。

表１から分かるように、実施例の仮固定材は、強化ガラス加工時の保持性と加工後の剥離性、耐薬品性、耐熱性（アウトガスの抑制）のいずれも良好な結果となった。比較例の仮固定材は、耐薬品性には良好であったものの、強化ガラスを保持することができず、強化ガラスの加工を行うことができないことが分かった。

１０、４０ 積層体
１１、２１、３１、４１ 仮固定材
１１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ 高粘着層
１１ｂ、２１ｂ、３１ｂ、４１ｂ 低粘着層
１１Ｃ、２１Ｃ 仮固定材の中央部
１１Ｐ、２１Ｐ 仮固定材の周縁部
１２、４２ 支持体
１３、４３ 透明ワーク
１４、４４ パターン
１５、４５ 透明回路基板
ｈ 高粘着層の高さ
Ｈ 積層体の高さ

Claims (5)

1. 透明ワークが仮固定材を介して支持体上に仮固定された積層体を準備する積層体準備工程、
   ２００℃以上の加熱処理を含むパターン加工により前記透明ワークにパターンを形成して透明回路基板を作製する加工工程、及び
   前記透明回路基板を前記仮固定材から剥離する剥離工程
   を含み、
   前記仮固定材についての示差熱−熱重量同時測定を昇温速度５℃／分で４００℃まで昇温させて行った際の前記仮固定材の２００℃での重量減少率が１％未満である透明回路基板の製造方法。
2. 前記仮固定材が、
   ガラス板に対して０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上１０Ｎ／２０ｍｍ以下の粘着力を有する高粘着層と、
   ガラス板に対して０Ｎ／２０ｍｍ以上０．０５Ｎ／２０ｍｍ未満の粘着力を有する低粘着層と
   を備える請求項１に記載の透明回路基板の製造方法。
3. 前記パターン形成後の前記積層体の平面視において、前記透明ワーク上のパターン加工領域の外周が前記低粘着層の外周より内側に位置する請求項２に記載の透明回路基板の製造方法。
4. 前記積層体において、
   前記低粘着層は、前記透明ワークと前記支持体との間に配置され、
   前記高粘着層は、前記透明ワークの外周側面と前記支持体の外周側面とを連結するように配置される請求項２に記載の透明回路基板の製造方法。
5. 前記積層体の側面視において、前記高粘着層の高さは、前記積層体の高さの５０％以上１００％未満である請求項４に記載の透明回路基板の製造方法。
   
   
   
   
   

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