JP2014209673A - 電力増幅器 - Google Patents

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Abstract

【課題】アイドル電流などの他の特性を変化させることなくAM−AM特性を調整することができる電力増幅器を得る。【解決手段】バイアス端子T1,T2にはそれぞれバイアスが供給される。トランジスタM1のゲートはバイアス端子T1に接続され、ソースは接地されている。トランジスタM2のゲートはバイアス端子T2に接続され、ソースはトランジスタM1のドレインに接続されている。固定容量C1と可変抵抗Rv1がトランジスタM2のゲートと接地点との間に直列に接続されている。【選択図】図1

Description

本発明は、主に携帯電話等の移動体通信用の電力増幅器に関する。
現在、CDMA(Code Division Multiple Access)などの携帯電話用高周波電力増幅器において、コストを低減するためにCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)のカスコードアンプを用いた電力増幅器の開発が活発になってきている。カスコードアンプの入力電力に対する利得の変動がAM−AM特性であり、位相の変動がAM−PM特性である。AM−AM特性と歪み特性は相関があり、AM−AMの変化量を低減できると、歪み特性を改善することができる。
なお、カスコードアンプの0GHz〜60GHzでの利得の周波数特性S21(一定の入力電力に対する利得の周波数依存性)、特に利得の跳ね上げ量を調整する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかし、この技術はカスコードアンプのAM−AM特性(及びAM−PM特性)を調整するものではない。
特開2003−92523号公報
従来は、カスコードアンプのAM−AM特性(及びAM−PM特性)を調整するにはトランジスタのゲート(ベース)バイアス、ドレイン(コレクタ)バイアス、入力電源インピーダンス、出力負荷インピーダンスを調整していた。しかし、AM−AM特性(及びAM−PM特性)だけでなく、アイドル電流、効率、飽和出力電力など変化させたくない特性も変化してしまうという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はアイドル電流などの他の特性を変化させることなくAM−AM特性を調整することができる電力増幅器を得るものである。
本発明に係る電力増幅器は、それぞれバイアスが供給される第1及び第2のバイアス端子と、前記第1のバイアス端子に接続された第1の制御端子と、接地された第1の端子と、第2の端子とを有する第1のトランジスタと、前記第2のバイアス端子に接続された第2の制御端子と、前記第2の端子に接続された第3の端子と、第4の端子とを有する第2のトランジスタと、前記第2の制御端子と接地点との間に接続された容量と、前記第2の制御端子と接地点との間において前記容量に直列に接続された可変抵抗とを備えることを特徴とする。
本発明により、アイドル電流などの他の特性を変化させることなくAM−AM特性を調整することができる。
本発明の実施の形態1に係るカスコードアンプを示す回路図である。 本発明の実施の形態1に係る可変抵抗を示す回路図である。 本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す回路図である。 可変抵抗の抵抗値とカスコードアンプのAM−AM特性(ΔGain)とAM−PM特性(ΔPhase)の関係を示す図である。 AM−AM特性(ΔGain)と歪み特性(ACLR5M)の関係を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る電力増幅器を示す回路図である。 本発明の実施の形態2に係る電力増幅器の歪み特性(ACLR)の負荷依存性を示す図である。 本発明の実施の形態3に係るカスコードアンプを示す回路図である。 本発明の実施の形態3に係る電力増幅器を示す回路図である。 本発明の実施の形態4に係る電力増幅器を示す回路図である。 可変抵抗の抵抗値が一定の場合の温度変化に対する利得と歪み特性(ACLR5M)の関係を示す図である。 本発明の実施の形態5に係る電力増幅器を示す回路図である。
本発明の実施の形態に係る電力増幅器について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係るカスコードアンプを示す回路図である。トランジスタM1、M2はnチャネルMOSトランジスタである。入力端子INにはRF入力信号が入力され、出力端子OUTからRF出力信号が出力される。バイアス端子T1,T2にはそれぞれバイアスVg1,Vg2が供給される。電源端子T3は電源に接続される。
トランジスタM1のゲートは、入力整合回路1を介して入力端子INに接続され、かつバイアス端子T1に接続される。トランジスタM1のソースは接地されている。従って、トランジスタM1はソース接地アンプである。トランジスタM2のゲートはバイアス端子T2に接続され、ソースはトランジスタM1のドレインに接続されている。トランジスタM2のドレインはフィードラインL1を介して電源端子T3に接続され、かつ出力整合回路2を介して出力端子OUTに接続されている。フィードラインL1は特定の電気長を有する線路でインダクタとして作用する。
トランジスタM2のゲートと接地点との間に固定容量C1と可変抵抗Rv1が直列に接続されている。従って、トランジスタM2は、ゲートが固定容量C1と可変抵抗Rv1を介して高周波的に接地されたゲート接地アンプである。トランジスタM1とトランジスタM2はカスコード接続されている。トランジスタM1,M2と固定容量C1と可変抵抗Rv1がカスコードアンプCA1を構成する(図1の点線枠内)。
図2は、本発明の実施の形態1に係る可変抵抗を示す回路図である。固定抵抗Ra,Rb,Rcが互いに並列に接続され、それらにそれぞれスイッチSWa,SWb,SWcが直列に接続されている。スイッチSWa,SWb,SWcを切り替えることで抵抗値を調整することができる。
図3は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す回路図である。バイアス回路3はバイアス端子T1,T2にそれぞれバイアスVg1,Vg2を供給する。出力電力検知回路4は、電力増幅器の出力線路に設けられた方向性結合器5と、その方向性結合器5に接続された検波器6とを有する。出力電力検知回路4は、カスコードアンプCA1から出力された出力信号の電力を検知して電気信号に変換する。
発振器7がスイッチ8を介してカスコードアンプCA1の入力に接続されている。この発振器7とスイッチ8がBIST(Built-in self test)を構成する。制御回路9のデジタル回路10がスイッチ8をオンし発振器7を起動することで、発振器7は既知の数ポイントの入力電力を持つテスト信号を発生してカスコードアンプCA1に入力させる。出力電力検知回路4は、カスコードアンプCA1から出力された出力信号の電力を検知する。デジタル回路10は、既知の数ポイントの入力電力と検知した出力電力に基づいて電力増幅器の初期のAM−AM特性(異なる数ポイントの利得の差ΔGain)を求める。
デジタル回路10は、求めた初期のAM−AM特性を、デジタルインターフェイスを介してベースバンドLSI11に送信する。ベースバンドLSI11は、予め設定値として内部に保持する所望のAM−AM特性と、デジタル回路10が求めた初期のAM−AM特性とを比較することで、デジタルインターフェイスを介してΔGainの増減指令をデジタル回路10へ伝送する。メモリ12は、所望の可変抵抗値にセットするために必要な情報を保持する。デジタル回路10は、カスコードアンプCA1のAM−AM特性が所望の特性になるように可変抵抗Rv1の制御電圧contを決定し、可変抵抗Rv1の抵抗値を制御する。
図4は、可変抵抗の抵抗値とカスコードアンプのAM−AM特性(ΔGain)とAM−PM特性(ΔPhase)の関係を示す図である。可変抵抗Rv1の抵抗値が大きいほどΔGainとΔPhaseの絶対値は大きくなる。この関係性を利用し、電圧制御などで可変抵抗Rv1の抵抗値を変化させることにより電力増幅器のAM−AM特性とAM−PM特性を調整することができる。
図5は、AM−AM特性(ΔGain)と歪み特性(ACLR5M)の関係を示す図である。AM−AM特性と歪み特性は相関があり、AM−AMの変化量を低減できると、歪み特性を改善できる。
本実施の形態では、カスコードアンプCA1のAM−AM特性が初期状態から所望の特性になるように可変抵抗Rv1の抵抗値を制御する。これにより、トランジスタの動作級やアイドル電流などの他の特性を変化させることなく、電力増幅器の動作時に所望のAM−AM特性を得ることができる。このため、電力増幅器内の能動素子や受動素子の製造ばらつきに起因する歪みばらつきを抑制することができる。
なお、電力増幅器は多段構成でもよいが、ここではAM−AM特性調整機能のない増幅器は省略している。また、検出が容易になるように本実施の形態ではAM−AM特性のみを検出して調整しているが、AM−PM特性を検出して調整してもよい。
実施の形態2.
図6は、本発明の実施の形態2に係る電力増幅器を示す回路図である。実施の形態1の発振器7とスイッチ8の代わりに入力電力検知回路13が設けられている。入力電力検知回路13は、電力増幅器の入力線路に設けられた方向性結合器14と、その方向性結合器14に接続された検波器15とを有する。入力電力検知回路13は、カスコードアンプCA1に入力される入力信号の電力を検知する。
制御回路9は、入力信号の電力と出力信号の電力からAM−AM特性(ΔGain)を求め、この求めたAM−AM特性が任意の動作状態において所望の特性になるように可変抵抗Rv1の抵抗値を制御する。ここで「任意の動作状態」として、周波数依存性、出力負荷インピーダンス依存性、Vc依存性などが挙げられる。これらの値によってAM−AM特性(ΔGain)が変化する。
この中の出力負荷インピーダンス依存性について説明する。携帯電話などの移動体端末において、アンテナのインピーダンスは移動体端末の使用状況により変化する。以前は送信電力増幅器の出力端子からアンテナまでの経路にアイソレータが設けられていたため、アンテナのインピーダンスが変化しても送信電力増幅器の出力負荷インピーダンスは所定のインピーダンス(例えば50Ω)に固定されていた。しかし、小型化、低コスト化のため近年はアイソレータを配置しないため、アンテナのインピーダンスの変化に伴い送信電力増幅器の出力負荷インピーダンスは変化する。
図7は、本発明の実施の形態2に係る電力増幅器の歪み特性(ACLR)の負荷依存性を示す図である。出力負荷インピーダンスが変化すると、歪み特性(ACLR)が変化することが分かる。そこで、本実施の形態により負荷変動に対する高周波電力増幅器の歪み特性の変動量を補償することで、任意の出力負荷インピーダンスにおいても良好な歪み特性(ACLR)を得ることができる。
実施の形態3.
図8は、本発明の実施の形態3に係るカスコードアンプを示す回路図である。2段のカスコードアンプCA1,CA2が接続されている。トランジスタM1,M2と固定容量C1と可変抵抗Rv1がカスコードアンプCA1を構成し、トランジスタM3,M4と固定容量C2と可変抵抗Rv2がカスコードアンプCA2を構成する。
トランジスタM2のドレインに印加されたドレインバイアスVdがトランジスタM3のゲートに印加されないよう、トランジスタM2のドレインとトランジスタM3のゲートの間に固定容量C3が設けられている。
図9は、本発明の実施の形態3に係る電力増幅器を示す回路図である。制御回路9は、カスコードアンプCA1,CA2のAM−AM特性が所望の特性になるように制御信号cont1,cont2を出力して、それぞれのカスコードアンプCA1,CA2の可変抵抗Rv1,Rv2の抵抗値を制御する。これにより、カスコードアンプ1段のみの場合に比べ、AM−AM特性(及びAM−PM特性)の調整範囲を広げることができる。なお、カスコードアンプは2段に限らず3段以上でもよい。
実施の形態4.
図10は、本発明の実施の形態4に係る電力増幅器を示す回路図である。出力線路LOUTがカスコードアンプCA1の出力に接続されている。温度検知回路16は出力線路LOUTの温度を検知する。制御回路9は、検知された温度に応じて可変抵抗Rv1の抵抗値を制御してAM−AM特性が所望の特性になるようにする。具体的には、制御回路9のデジタル回路10は、メモリ12に予め設定された温度特性データと検知された温度に基づいて可変抵抗Rv1の抵抗値を所望の値にセットし、温度変化に対しAM−AM特性が所望の特性になるようにする。
図11は、可変抵抗の抵抗値が一定の場合の温度変化に対する利得と歪み特性(ACLR5M)の関係を示す図である。温度変化に伴って利得と歪み特性が変化する。そこで、本実施の形態では温度に応じてAM−AM特性(ΔGain)を調整することで、温度変化に対する歪み特性の変動を抑制することができる。
実施の形態5.
図12は、本発明の実施の形態5に係る電力増幅器を示す回路図である。可変抵抗Rv1の抵抗値を電圧制御する制御信号が供給される外部端子17が設けられている。これにより、通信機器用端末基板上に実装後でもユーザーが可変抵抗Rv1の抵抗値を外部から直接調整して、高周波電力増幅器のAM−AM特性(ΔGain)を所望の値に調整することができる。従って、複数の変調や周辺状況に応じた最適な歪み特性(ACLR)が得られるため、高周波電力増幅器の品種のバリエーションを抑えられ、開発効率を改善することができる。
4 出力電力検知回路、7 発振器、9 制御回路、13 入力電力検知回路、16 温度検知回路、17 外部端子、C1 固定容量(容量)、CA1,CA2 カスコードアンプ、M1,M3 トランジスタ(第1のトランジスタ)、M2,M4 トランジスタ(第2のトランジスタ)、Rv1 可変抵抗、T1 バイアス端子(第1のバイアス端子)、T2 バイアス端子(第2のバイアス端子)

Claims (7)

  1. それぞれバイアスが供給される第1及び第2のバイアス端子と、
    前記第1のバイアス端子に接続された第1の制御端子と、接地された第1の端子と、第2の端子とを有する第1のトランジスタと、
    前記第2のバイアス端子に接続された第2の制御端子と、前記第2の端子に接続された第3の端子と、第4の端子とを有する第2のトランジスタと、
    前記第2の制御端子と接地点との間に接続された容量と、
    前記第2の制御端子と接地点との間において前記容量に直列に接続された可変抵抗とを備えることを特徴とする電力増幅器。
  2. 前記第1及び第2のトランジスタと前記容量と前記可変抵抗がカスコードアンプを構成し、
    前記カスコードアンプの入力電力に対する利得の変動であるAM−AM特性が所望の特性になるように前記可変抵抗の抵抗値を制御する制御回路を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。
  3. 前記カスコードアンプの入力にテスト信号を供給する発振器と、
    前記カスコードアンプから出力された出力信号の電力を検知する出力電力検知回路とを更に備え、
    前記制御回路は、前記テスト信号の電力と前記出力信号の電力から前記AM−AM特性を求め、この求めた前記AM−AM特性が所望の特性になるように前記可変抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
  4. 前記カスコードアンプに入力される入力信号の電力を検知する入力電力検知回路と、
    前記カスコードアンプから出力された出力信号の電力を検知する出力電力検知回路とを更に備え、
    前記制御回路は、前記入力信号の電力と前記出力信号の電力から前記AM−AM特性を求め、この求めた前記AM−AM特性が所望の特性になるように前記可変抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
  5. 前記カスコードアンプが複数段接続され、
    前記制御回路は、複数段の前記カスコードアンプのAM−AM特性が所望の特性になるようにそれぞれのカスコードアンプの前記可変抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の電力増幅器。
  6. 前記カスコードアンプの出力に接続された出力線路と、
    前記出力線路の温度を検知する温度検知回路とを更に備え、
    前記制御回路は、検知された前記温度に応じて前記可変抵抗の抵抗値を制御することを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。
  7. 前記可変抵抗の抵抗値を制御する制御信号が供給される外部端子を更に備えることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の電力増幅器。
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