JP2014198861A - Vacuum evaporation system and vacuum deposition method - Google Patents

Vacuum evaporation system and vacuum deposition method Download PDF

Info

Publication number
JP2014198861A
JP2014198861A JP2013073900A JP2013073900A JP2014198861A JP 2014198861 A JP2014198861 A JP 2014198861A JP 2013073900 A JP2013073900 A JP 2013073900A JP 2013073900 A JP2013073900 A JP 2013073900A JP 2014198861 A JP2014198861 A JP 2014198861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
evaporation source
evaporation
substrate
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013073900A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
智彦 尾方
Tomohiko Ogata
智彦 尾方
三宅 竜也
Tatsuya Miyake
竜也 三宅
松浦 宏育
Hiroyasu Matsuura
宏育 松浦
友香 木谷
Yuka Kitani
友香 木谷
惇也 佐々木
Junya Sasaki
惇也 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2013073900A priority Critical patent/JP2014198861A/en
Publication of JP2014198861A publication Critical patent/JP2014198861A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum evaporation system and a vacuum deposition method, capable of reducing a useless vapor deposition material unused for vapor deposition on a substrate, or capable of controlling a film thickness by a simple mechanism.SOLUTION: In a vacuum evaporation system or a vacuum deposition method, a vapor distribution changing corresponding to the amount of a vapor deposition material in a crucible is blown out from a nozzle of an evaporation source 1, and the vapor deposition material is deposited onto a rotating substrate 2. The deposition amount of the vapor deposition material is detected by a film thickness sensor, and a distance L between a rotation center axis 2c of the substrate and a normal 10h of the nozzle parallel to the rotation center axis is changed based on the detection result.

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(有機ELディスプレイ)などの薄膜デバイスを大形基板に形成する際に、大型基板に対して材料蒸気を放出し成膜する真空蒸着装置及び真空蒸着方法に関する。また、本発明は有機ELに限らず、他のFPD、半導体、太陽電池等の分野に適用可能である。   The present invention relates to a vacuum vapor deposition apparatus and a vacuum vapor deposition method for emitting a material vapor to a large substrate when forming a thin film device such as an organic electroluminescence display (organic EL display) on a large substrate. Further, the present invention is not limited to the organic EL, and can be applied to other fields such as FPD, semiconductor, and solar cell.

ディスプレイ装置のうち、有機ELディスプレイ装置は、視野角が広いだけでなく、応答性も良いため、次世代のディスプレイとして注目されている。有機ELディスプレイを構成する発光素子は、アノードとカソードの両電極に挟まれた有機膜の発光層からなる。発光効率を高めるため、さらに電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層ならびに正孔注入層などの中間層を、選択的に挿入している。これらの電極、発光層ならびに中間層は、数nmから数百nmの薄膜である。この薄膜を形成する技術の一つが真空蒸着(以下、蒸着という)である。   Among display devices, organic EL display devices are attracting attention as next-generation displays because they have not only a wide viewing angle but also good responsiveness. A light emitting element constituting an organic EL display is composed of a light emitting layer of an organic film sandwiched between both an anode and a cathode. In order to increase luminous efficiency, intermediate layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer are selectively inserted. These electrodes, light emitting layer and intermediate layer are thin films of several nm to several hundred nm. One technique for forming this thin film is vacuum vapor deposition (hereinafter referred to as vapor deposition).

真空蒸着装置は、蒸着材料を封入する坩堝、非接触または一部部材を介して坩堝を加熱するヒータ、ヒータの周囲に設けて蒸発源の周囲に熱を漏らさないための断熱材、上記の要素を収めるハウジングから構成される。この蒸発源には、Knudsenセル(以下、Kセルとする)が良く用いられている。Kセルは、一般的に円筒形状であり、1つの円筒状の坩堝と1つのノズルを持つことが多い。Kセルをノズルが真上に来るように配置したとき、基板はノズルに対面するように配置される。   The vacuum deposition apparatus includes a crucible that encloses a deposition material, a heater that heats the crucible through a non-contact or partial member, a heat insulating material that is provided around the heater so as not to leak heat around the evaporation source, and the above elements It is comprised from the housing which accommodates. As this evaporation source, a Knudsen cell (hereinafter referred to as K cell) is often used. The K cell is generally cylindrical and often has one cylindrical crucible and one nozzle. When the K cell is arranged so that the nozzle is directly above, the substrate is arranged to face the nozzle.

基板上に有機層や電極となる金属層を蒸着するとき、蒸着膜の膜厚を均一化することが重要な課題となる。Kセルを1つ用いて蒸着を行うとき、上面に配置した基板を回転させることで膜厚均一性を得ることが一般的に行われている。その際、基板の回転速度は、できるだけ速くし、回転方向にムラが無いようにする。膜厚均一性を確保する為に、基板の回転軸とKセルのノズル法線はずらして配置する。基板の回転軸とKセルのノズル法線の距離を調整し、各層に必要な数パーセントの膜厚均一性を確保している。しかし、Kセルは、材料消費によりノズルから放射される材料蒸気の分布が変化するため、最適な基板回転軸とKセルノズル法線の距離は時間とともに変化し、膜厚均一性は悪くなっていく。   When depositing an organic layer or a metal layer serving as an electrode on a substrate, it is an important issue to make the thickness of the deposited film uniform. When vapor deposition is performed using one K cell, it is a common practice to obtain film thickness uniformity by rotating a substrate disposed on the upper surface. At that time, the rotation speed of the substrate is made as fast as possible so that there is no unevenness in the rotation direction. In order to ensure film thickness uniformity, the rotation axis of the substrate and the nozzle normal of the K cell are shifted from each other. The distance between the rotation axis of the substrate and the nozzle normal of the K cell is adjusted to ensure the film thickness uniformity of several percent required for each layer. However, in the K cell, the distribution of the material vapor radiated from the nozzle changes due to material consumption, so the optimum distance between the substrate rotation axis and the K cell nozzle normal changes with time, and the film thickness uniformity deteriorates. .

特許文献1では、補正板をKセルと基板の間に置くことで蒸気分布の一部をカットし、より膜厚均一性を良くしている。
また、特許文献2では、2つの膜厚センサにより材料蒸気の分布をモニタし、蒸気分布に合わせて蒸発源の位置を調整することにより、膜厚均一性を向上させている。
In Patent Document 1, a correction plate is placed between the K cell and the substrate to cut a part of the vapor distribution, thereby improving the film thickness uniformity.
In Patent Document 2, the distribution of material vapor is monitored by two film thickness sensors, and the film thickness uniformity is improved by adjusting the position of the evaporation source in accordance with the vapor distribution.

特開平5−339707号公報JP-A-5-339707 特開2011−137187号公報JP 2011-137187 A

従来では、特許文献1に挙げられている、補正板により膜厚分布を調整する方法が取られてきた。しかし、特許文献1の方法では、材料利用効率が悪化し、高価な蒸着材料が無駄になってしまう。
また、特許文献2では、材料蒸気の分布を蒸着中に取得し、基板回転軸中心とノズル法線の距離を調整することで、蒸気分布変化に対する膜厚均一性の悪化を防止しようとしてきた。しかし、1つの蒸発源に対して膜厚センサを2つ有し、複数の膜厚センサにより蒸着される基板を複雑に制御しなければならず、装置構成が大きくなり、しかも膜厚の制御が複雑化してくる。
Conventionally, a method of adjusting the film thickness distribution using a correction plate, which is described in Patent Document 1, has been taken. However, in the method of Patent Document 1, material utilization efficiency is deteriorated, and an expensive vapor deposition material is wasted.
In Patent Document 2, a material vapor distribution is acquired during vapor deposition, and the distance between the center of the substrate rotation axis and the nozzle normal is adjusted to prevent deterioration of film thickness uniformity due to a change in vapor distribution. However, there are two film thickness sensors for one evaporation source, the substrate to be deposited by a plurality of film thickness sensors must be controlled in a complicated manner, the apparatus configuration becomes large, and the film thickness can be controlled. It gets complicated.

従って、本発明の目的は、基板の蒸着に利用されない無駄な蒸着材料を低減できる、又は、単純な機構で膜厚の制御が可能な真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a vacuum vapor deposition apparatus and a vacuum vapor deposition method that can reduce useless vapor deposition materials that are not used for vapor deposition of a substrate or that can control the film thickness with a simple mechanism.

本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも下記の特徴を有する。
本発明の真空蒸着装置又は真空蒸着方法は、坩堝内の蒸着材料の量に応じて変化する蒸気分布を蒸発源のノズルから噴出させ、回転している基板に対して前記蒸着材料を蒸着し、前記蒸着材料の蒸着量を膜厚センサで検出し、前記検出した結果に基づいて、前記基板の回転中心軸と前記回転中心軸と平行な前記ノズルの法線との距離を変動させることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention has at least the following features.
The vacuum vapor deposition apparatus or the vacuum vapor deposition method of the present invention ejects a vapor distribution that changes according to the amount of the vapor deposition material in the crucible from the nozzle of the evaporation source, vapor deposits the vapor deposition material on the rotating substrate, The deposition amount of the deposition material is detected by a film thickness sensor, and the distance between the rotation center axis of the substrate and the normal line of the nozzle parallel to the rotation center axis is changed based on the detected result. And

また、前記膜厚センサを一つ有し、前記距離の変動を前記基板と平行な面内で行ってもよい。
さらに、前記距離の変動を、前記蒸発源を載置する回転台座を回転させて行ってもよい。
In addition, one film thickness sensor may be provided, and the variation in the distance may be performed in a plane parallel to the substrate.
Further, the distance may be changed by rotating a rotary base on which the evaporation source is placed.

また、前記距離の変動を、前記蒸気分布を表すn値と前記距離の関係から求められた一定の回転速度で前記回転台座を回転させて行ってもよい。
さらに、前記距離の変動を、前記蒸発源を載置する台座を2次元また又は1次元に移動させて行ってもよい。
Further, the distance may be changed by rotating the rotating base at a constant rotational speed obtained from the relationship between the n value representing the vapor distribution and the distance.
Further, the distance may be changed by moving a pedestal on which the evaporation source is placed in two dimensions or one dimension.

また、前記1次元又は前記2次元の移動は、前記蒸発源が前記基板の回転中心軸に向かう方向に移動させて行ってもよい。
さらに、前記回転台座の回転中心の同心円状に、又は前記基板の回転中心軸の両側の前記台座に複数の前記蒸発源を設け、蒸着中の前記蒸発源の前記蒸着材料が規定量以下になった場合に他の前記蒸発源に切り替えて行ってもよい。
Further, the one-dimensional or two-dimensional movement may be performed by moving the evaporation source in a direction toward the rotation center axis of the substrate.
Further, a plurality of the evaporation sources are provided concentrically around the rotation center of the rotation base or on the pedestals on both sides of the rotation center axis of the substrate, and the evaporation material of the evaporation source during the evaporation is less than a specified amount. In this case, it may be switched to another evaporation source.

本発明によれば、基板の蒸着に利用されない無駄な蒸着材料を低減できる、又は、単純な機構で膜厚の制御が可能な真空蒸着装置及び真空蒸着方法を提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a vacuum vapor deposition apparatus and a vacuum vapor deposition method that can reduce useless vapor deposition materials that are not used for vapor deposition of a substrate or can control the film thickness with a simple mechanism.

実施形態である蒸着装置における本発明の基本的な考え方を説明する図である。It is a figure explaining the fundamental view of the present invention in the vapor deposition apparatus which is an embodiment. 本発明における蒸着装置構成での基板中心−ノズル法線距離と蒸発源の蒸気分布、膜厚分布の関係である。It is the relationship between the substrate center-nozzle normal distance, the vapor distribution of the evaporation source, and the film thickness distribution in the vapor deposition apparatus configuration in the present invention. 従来例における膜厚調整機構を示す図である。It is a figure which shows the film thickness adjustment mechanism in a prior art example. 本発明における蒸着装置構成図である。It is a vapor deposition apparatus block diagram in this invention. 本発明における移動手段が回転台である場合の蒸着装置構成図である。It is a vapor deposition apparatus block diagram in case the moving means in this invention is a turntable. 本発明における図3の構成の上面図である。It is a top view of the structure of FIG. 3 in this invention. 本発明における蒸着装置構成で、直線移動機構による膜厚均一性向上を説明する装置構成図である。It is an apparatus block diagram explaining the film thickness uniformity improvement by a linear moving mechanism by the vapor deposition apparatus structure in this invention. 本発明における蒸着装置構成で、回転台による蒸発源交換の実施例を説明する装置構成図である。It is an apparatus block diagram explaining the Example of evaporation source replacement | exchange by a turntable with the vapor deposition apparatus structure in this invention. 本発明における蒸着装置構成で、材料供給の実施例を説明する装置構成図である。It is an apparatus block diagram explaining the Example of material supply by the vapor deposition apparatus structure in this invention. 本発明における蒸着装置構成で、直線移動機構による膜厚均一性向上と膜厚制御方法を説明する装置構成図である。It is an apparatus block diagram explaining the film thickness uniformity improvement and film thickness control method by a linear movement mechanism by the vapor deposition apparatus structure in this invention. 本発明における蒸着装置構成で、直線移動機構による膜厚均一性向上と膜厚制御方法を説明する装置構成図である。It is an apparatus block diagram explaining the film thickness uniformity improvement and film thickness control method by a linear movement mechanism by the vapor deposition apparatus structure in this invention. 図2に示すグラフに、n値変化に対して蒸発源1をリニアに移動させる一点鎖線で示す準最適値直線を破線で示す最適値曲線に沿って付加した図である。FIG. 3 is a diagram in which a quasi-optimal value line indicated by a one-dot chain line for linearly moving the evaporation source 1 with respect to a change in n value is added to the graph shown in FIG. 2 along an optimal value curve indicated by a broken line.

以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、実施形態である真空蒸着装置(以下、単に蒸着装置という)100における本発明の基本的な考え方を説明する図である。
蒸発源1は、図示しない坩堝、ヒータ、断熱材、ハウジングから構成されている。蒸発源1には蒸気を放出するための開口部であるノズル10が存在している。ノズル10からは、材料蒸気20が蒸気分布を持って放出される。ノズルから放出された材料蒸気20は、1台の膜厚センサ50により検出され、膜厚制御コントローラ70によって蒸発源1への投入電力が制御される。
FIG. 1 is a diagram illustrating a basic concept of the present invention in a vacuum vapor deposition apparatus (hereinafter simply referred to as a vapor deposition apparatus) 100 according to an embodiment.
The evaporation source 1 includes a crucible (not shown), a heater, a heat insulating material, and a housing. The evaporation source 1 includes a nozzle 10 that is an opening for discharging vapor. The material vapor 20 is discharged from the nozzle 10 with a vapor distribution. The material vapor 20 discharged from the nozzle is detected by one film thickness sensor 50, and the power supplied to the evaporation source 1 is controlled by the film thickness controller 70.

ノズル10に対向して、下面に蒸着されるように基板2が設置してある。材料蒸気20の分布はノズル10から放射状に広がって行くため、基板回転中心軸2cはノズル法線10hからずらして設置し、基板2を回転させることで基板に付着する膜厚分布を改善している。   The substrate 2 is placed so as to be deposited on the lower surface facing the nozzle 10. Since the distribution of the material vapor 20 spreads radially from the nozzle 10, the substrate rotation center axis 2c is shifted from the nozzle normal line 10h, and rotating the substrate 2 improves the film thickness distribution attached to the substrate. Yes.

基板回転駆動系80は、図1のように基板2の上方に設置していることが多い。基板回転の速度は、基板2上に蒸着される膜厚がムラにならないように、十分速い速度に加速される。また、基板2とノズル10の距離は、基板2の大きさと材料蒸気20の分布、ノズル10から基板2へと与えられる熱量を鑑みて決定する。   The substrate rotation drive system 80 is often installed above the substrate 2 as shown in FIG. The rotation speed of the substrate is accelerated to a sufficiently high speed so that the film thickness deposited on the substrate 2 does not become uneven. The distance between the substrate 2 and the nozzle 10 is determined in view of the size of the substrate 2 and the distribution of the material vapor 20 and the amount of heat given from the nozzle 10 to the substrate 2.

また、これらの蒸発源1、基板2、膜厚センサ50は、真空チャンバ60内に収められており、蒸着は、真空バルブ61を開き真空排気系62により真空チャンバ60内を真空環境に置いた上で行われる。   Further, the evaporation source 1, the substrate 2, and the film thickness sensor 50 are housed in a vacuum chamber 60. For vapor deposition, the vacuum valve 61 is opened and the vacuum chamber 60 is placed in a vacuum environment by a vacuum exhaust system 62. Done on.

材料蒸気20の分布は、ノズル法線10h方向から飛散方向の角度をθとすると、cosθのn乗に比例する関数で近似できる。この時、定数であるnの値で蒸気分布を記述する。このn値が大きいほど蒸気分布はシャープであり、n値が小さければ蒸気分布はブロードとなる。Kセルにより蒸着を行う場合、時間が経って材料が少なくなると、一般的にn値は小さくなる。n値の減少に従い、膜厚均一性は悪化する。   The distribution of the material vapor 20 can be approximated by a function proportional to the nth power of cos θ, where θ is the angle in the scattering direction from the direction of the nozzle normal 10h. At this time, the vapor distribution is described with a constant value of n. The larger the n value, the sharper the vapor distribution, and the smaller the n value, the broader the vapor distribution. When vapor deposition is performed using a K cell, the n value generally decreases as the material decreases with time. As the n value decreases, the film thickness uniformity deteriorates.

図2は、基板上のn値及び基板回転中心軸2cとノズル法線10hとの距離Lと、膜厚分布の関係を示す例を示す図である。図2は、横軸を基板上のn値を、縦軸に基板回転中心軸2cとノズル法線10hとの距離(以下、基板・ノズル中心間距離という)Lを示し、膜厚分布の偏差値(分散値)をパラメータとして曲線又は曲線で形成される範囲を示している。図2において破線が最適値曲線を示し、最適値曲線を挟んで白地部分が偏差値(分散値)±5%以内、ドット部分が±5〜10%、ドットの外側部分が±10〜15%以内を示す。   FIG. 2 is a diagram showing an example of the relationship between the n value on the substrate, the distance L between the substrate rotation center axis 2c and the nozzle normal 10h, and the film thickness distribution. FIG. 2 shows the n value on the substrate on the horizontal axis, the distance L between the substrate rotation center axis 2c and the nozzle normal 10h (hereinafter referred to as the distance between the substrate and the nozzle center) on the vertical axis, and the deviation of the film thickness distribution. A curve or a range formed by a curve is shown using a value (dispersion value) as a parameter. In FIG. 2, the broken line indicates the optimum value curve, the white background portion within the optimum value curve is within a deviation value (dispersion value) ± 5%, the dot portion is ± 5 to 10%, and the outer portion of the dot is ± 10 to 15%. Indicates within.

図2に示すように、基板上のn値の悪化(変化)、即ち蒸気分布はブロード化に伴い、膜厚分布偏差値(分散値)を所定の範囲に維持するためには、蒸発源1の位置を固定しているだけでは不可能であることがわかる。従って、基板上のn値の悪化(変化)に伴い、縦軸に示す基板・ノズル中心間距離Lを変える必要がある。
そのために、本発明では、基板・ノズル中心間距離Lを変動できる蒸発源移動機構30を設ける。制御装置90は、膜厚制御コントローラ70から情報に基づいて蒸発源移動機構30、基板回転駆動系80及び真空排気系62等を制御する。
As shown in FIG. 2, in order to maintain the film thickness distribution deviation value (dispersion value) within a predetermined range as the n value on the substrate deteriorates (changes), that is, the vapor distribution becomes broader, the evaporation source 1 It turns out that it is impossible only by fixing the position of. Therefore, the substrate-nozzle center distance L shown on the vertical axis needs to be changed as the n value on the substrate deteriorates (changes).
Therefore, in the present invention, the evaporation source moving mechanism 30 that can change the distance L between the substrate and the nozzle center is provided. The control device 90 controls the evaporation source moving mechanism 30, the substrate rotation drive system 80, the vacuum exhaust system 62, and the like based on information from the film thickness controller 70.

本発明は、実施形態である蒸着装置100において、少なくとも下記の効果を奏する。
第1に、引用文献1では、坩堝内の蒸着材料量に応じて蒸気分布の変化する蒸発源において、図3に示すように膜厚修正板9で材料蒸気20を遮って、膜厚均一性の改善を図っていた。一方、本発明では、基板上のn値の悪化(変化)に伴い、基板・ノズル中心間距離Lを短くすることで、材料利用効率が悪化することなく、膜厚均一性を改善できる。
The present invention has at least the following effects in the vapor deposition apparatus 100 according to the embodiment.
First, in Cited Document 1, in an evaporation source whose vapor distribution changes according to the amount of vapor deposition material in the crucible, the material vapor 20 is blocked by the film thickness correcting plate 9 as shown in FIG. I was trying to improve. On the other hand, in the present invention, the film thickness uniformity can be improved without deteriorating the material utilization efficiency by shortening the distance L between the substrate and the nozzle center as the n value on the substrate deteriorates (changes).

第2に、引用文献2では、坩堝内の蒸着材料量に応じて蒸気分布の変化する蒸発源において、2つ有膜厚センサ50の結果に基づいて、複雑な機構を用い複雑な計算を行い、膜厚均一性の改善を図っていた。一方、本発明は、基板上のn値の悪化(変化)に伴い、基板・ノズル中心間距離Lを短くする単純な機構を用いて複雑な計算をすることなく、膜厚均一性を改善できる。   Secondly, in Cited Document 2, in an evaporation source whose vapor distribution changes according to the amount of vapor deposition material in the crucible, a complicated calculation is performed using a complicated mechanism based on the results of the two film thickness sensors 50. The film thickness uniformity was improved. On the other hand, the present invention can improve the film thickness uniformity without complicated calculations using a simple mechanism that shortens the distance L between the substrate and the nozzle center as the n value on the substrate deteriorates (changes). .

以上の説明において、膜厚センサ50は1台とした。それは、本発明において制御量は基板・ノズル中心間距離Lの一つであり、観測量も一つで十分である。しかしながら、膜厚センサ50のデータをチェックしたり、平均値をとって制御したり、等のために、複数の膜厚センサ50を設けることは吝かでない。   In the above description, the film thickness sensor 50 is assumed to be one. That is, in the present invention, the control amount is one of the distance L between the substrate and the nozzle center, and one observation amount is sufficient. However, it is not uncommon to provide a plurality of film thickness sensors 50 for checking the data of the film thickness sensors 50, controlling by taking an average value, or the like.

(実施例1)
図4は、蒸発源移動機構30の第1の実施例30Aを示す図である。蒸発源移動機構30Aは、蒸発源1を載置する台座31と、台座31を基板2と平行な面内を2次元移動させる2次元移動機構32とを有する。2次元移動機構32は、例えば、直角を成す基板の2辺と平行に台座31を移動させるレール32a、32bを有し、台座31及びレール32aに固定された図示しないナットを、回転させた図示しないボールネジで移動させる2方向移動機機構で構成される。
(Example 1)
FIG. 4 is a diagram showing a first embodiment 30A of the evaporation source moving mechanism 30. As shown in FIG. The evaporation source moving mechanism 30 </ b> A includes a pedestal 31 on which the evaporation source 1 is placed, and a two-dimensional moving mechanism 32 that moves the pedestal 31 in a plane parallel to the substrate 2. The two-dimensional moving mechanism 32 includes, for example, rails 32a and 32b that move the pedestal 31 parallel to two sides of the substrate that form a right angle, and a nut (not shown) fixed to the pedestal 31 and the rail 32a is rotated. It consists of a two-way moving mechanism that moves with a ball screw that does not.

n値の減少に伴い、膜厚分布を改善する為に、蒸発源1は、蒸発源移動機構30Aによって、ノズル10を基板2に向けた姿勢を維持し、所定の位置に自由に移動することが出来る。移動は、基板・ノズル中心間距離Lが、膜厚分布を改善する方向に行われる。膜厚分布を改善するための基板・ノズル中心間距離Lは、膜厚センサ50等の情報を蒸着中に取得し、計算しても良い。N値とあらかじめ蒸発源の特性を評価し、データとして入力しておいても良い。ある蒸発源の蒸着特性を決めるパラメータとしては、るつぼ内の残材料量とヒータへの投入電力がある。蒸発源の構成がわかっている場合、残材料量とヒータ投入電力に対応して、N値と蒸着レートが決定される。そのため、投入電力と蒸着レートが既知である場合、投入電力と蒸着レートからN値、すなわち最適な基板・ノズル中心間距離Lを求めることができる。本実施例では、データと基板・ノズル中心間距離Lは1対1の関係にあるので、予めN値と蒸発源1の特性を評価し、前述の関係をデータとして入力することができる。その場合、制御量である基板・ノズル中心間距離Lを計算することなく容易に得ることができる。この点は、他の実施例でも同様である。   In order to improve the film thickness distribution as the n value decreases, the evaporation source 1 maintains the posture of the nozzle 10 toward the substrate 2 and freely moves to a predetermined position by the evaporation source moving mechanism 30A. I can do it. The movement is performed in such a direction that the distance L between the substrate and the nozzle center improves the film thickness distribution. The distance L between the substrate and the nozzle center for improving the film thickness distribution may be calculated by acquiring information on the film thickness sensor 50 or the like during the vapor deposition. The N value and the characteristics of the evaporation source may be evaluated in advance and input as data. Parameters that determine the evaporation characteristics of a certain evaporation source include the amount of remaining material in the crucible and the input power to the heater. When the configuration of the evaporation source is known, the N value and the deposition rate are determined in accordance with the amount of remaining material and the heater input power. Therefore, when the input power and the deposition rate are known, the N value, that is, the optimum substrate-nozzle center distance L can be obtained from the input power and the deposition rate. In this embodiment, since the data and the substrate / nozzle center distance L are in a one-to-one relationship, the N value and the characteristics of the evaporation source 1 can be evaluated in advance, and the above relationship can be input as data. In this case, the substrate / nozzle center distance L, which is a control amount, can be easily obtained without calculating. This is the same in other embodiments.

(実施例2)
図5は、蒸発源移動機構30の第2の実施例30Bを示す図である。蒸発源移動機構30Bは、蒸発源1を載置する円板状の回転可能な回転台座31Bと、回転台座31Bを基板2と平行な面内を回転させる回転駆動機構33とを有する。回転駆動機構33は、例えば、回転台座31Bの回転軸33cを直接又は間接的に回転させる駆動源を有する。
(Example 2)
FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment 30B of the evaporation source moving mechanism 30. As shown in FIG. The evaporation source moving mechanism 30 </ b> B includes a disk-shaped rotatable rotating pedestal 31 </ b> B on which the evaporation source 1 is placed, and a rotation driving mechanism 33 that rotates the rotating pedestal 31 </ b> B in a plane parallel to the substrate 2. The rotation drive mechanism 33 has, for example, a drive source that rotates the rotation shaft 33c of the rotation base 31B directly or indirectly.

実施例2では、基板・ノズル中心間距離Lを回転台座31Bの回転運動により最適化する例である。   In the second embodiment, the distance L between the substrate and the center of the nozzle is optimized by the rotational movement of the rotary base 31B.

図6は、図4を基板2上方向から見た上面図である。基板・ノズル中心間距離Lは、基板回転中心軸2cから回転台回転中心33cまでの距離Laとし、回転台回転中心33cからノズル法線10hまでの距離Lbと、基板回転中心軸2c・回転台回転中心33c・ノズル法線10hの成す角φとすると、式(1)により決まる。
L=2La×Lb×Cosφ (1)
そこで、LaとLbは装置の設計時点で固定してしまい、基板・ノズル中心間距離Lが与えられれば、φの角度も決まり。簡単な計算で所定の位置に蒸発源1を移動できる簡単な構成となる。
FIG. 6 is a top view of FIG. 4 viewed from above the substrate 2. The substrate-nozzle center distance L is the distance La from the substrate rotation center axis 2c to the turntable rotation center 33c, the distance Lb from the turntable rotation center 33c to the nozzle normal line 10h, the substrate rotation center axis 2c, and the turntable. The angle φ formed by the rotation center 33c and the nozzle normal line 10h is determined by the equation (1).
L = 2La × Lb × Cosφ (1)
Therefore, La and Lb are fixed at the time of designing the apparatus, and if the substrate-nozzle center distance L is given, the angle of φ is also determined. It becomes a simple structure which can move the evaporation source 1 to a predetermined position by simple calculation.

(実施例3)
図7は、蒸発源移動機構30の第3の実施例30Cを示す図である。蒸発源移動機構30Cは、蒸発源1を載置する台座31と、例えば、台座31を基板2と平行な面内で基板回転中心軸2cを通るように直線的に移動させるレール34aとを有する1次元移動機機構34で構成される。レール34aは、実施例1のレール32aと同じ機構を有し、その駆動方法も同じである。
Example 3
FIG. 7 is a diagram showing a third embodiment 30C of the evaporation source moving mechanism 30. As shown in FIG. The evaporation source moving mechanism 30 </ b> C includes a pedestal 31 on which the evaporation source 1 is placed and, for example, a rail 34 a that linearly moves the pedestal 31 so as to pass through the substrate rotation center axis 2 c in a plane parallel to the substrate 2. It is composed of a one-dimensional mobile mechanism 34. The rail 34a has the same mechanism as the rail 32a of the first embodiment, and the driving method is the same.

レール34a、もしくは、レール34aの延長線が基板回転中心軸2cを通るように設置すれば、最小の移動で基板・ノズル中心間距離Lを調整でき、移動時間等の速度向上、移動の制御性向上ができる。   If the rail 34a or an extension line of the rail 34a is installed so as to pass through the substrate rotation center axis 2c, the distance L between the substrate and the center of the nozzle can be adjusted with the minimum movement, the speed of the movement time etc. is improved, and the controllability of the movement You can improve.

勿論、1方向移動機機構34の移動方向は、実施例1と同様に基板2の辺と平行でもよいし、基板2の辺と平行でなくてもよく、基板・ノズル中心間距離Lを変えることができれば、どのような方向でもよい。どのような方向でもよい点は、実施例1も同様である。   Of course, the moving direction of the one-way moving mechanism 34 may be parallel to the side of the substrate 2 as in the first embodiment, or may not be parallel to the side of the substrate 2, and the distance L between the substrate and the nozzle center is changed. Any direction is possible as long as it is possible. The same applies to Example 1 in that any direction is acceptable.

この構成によって、台座31に搭載された蒸発源1を蒸発源移動機構30Cによって、直線的に移動させることで、基板・ノズル中心間距離Lを調整することができる。   With this configuration, the substrate-nozzle center distance L can be adjusted by linearly moving the evaporation source 1 mounted on the base 31 by the evaporation source moving mechanism 30C.

(実施例4)
図8は、実施例2の派生例である実施例4を示す図である。実施例4が実施例2と異なる点は、回転台座31Bに複数個(図8では2個)の蒸発源1を設置している点であり、蒸発源移動機構30Bは同じで機構である。実施例4では、一つの蒸発源1の蒸着材料がなくなった場合、他の蒸発源1に切り替えて使用することで、長時間蒸着に供することが出来る。
Example 4
FIG. 8 is a diagram illustrating a fourth embodiment that is a derivative example of the second embodiment. The fourth embodiment is different from the second embodiment in that a plurality of (two in FIG. 8) evaporation sources 1 are installed on the rotary base 31B, and the evaporation source moving mechanism 30B is the same mechanism. In Example 4, when the vapor deposition material of one evaporation source 1 runs out, it can use for vapor deposition for a long time by switching to another evaporation source 1 and using it.

実施例4は、回転台座31Bを膜厚均一性の向上をさせるためだけではなく、長時間稼働をさせるための機構としても用いることになる。蒸着中は、例えば、1時間に数度以下の低速で回転台座31Bを回転させて膜厚分布が良くなる位置に蒸発源1を移動させる。そして、蒸発源1に入っている蒸着材料が少なくなった際に、回転台座31Bを数十度回転させ、他の蒸発源に切り替える。他の蒸発源に切り替えるタイミングを計る方法としては、膜厚センサ50で検出する蒸着速度、坩堝内の蒸着材料を検出する重量センサ、蒸発源1に投入されている電力量及び蒸発源1内の温度等の値を、例えば1項目選んでモニタリングし、使用しても良い。   In the fourth embodiment, the rotating base 31B is used not only for improving the film thickness uniformity but also as a mechanism for operating for a long time. During vapor deposition, for example, the rotation base 31B is rotated at a low speed of several degrees or less per hour, and the evaporation source 1 is moved to a position where the film thickness distribution is improved. And when the vapor deposition material in the evaporation source 1 decreases, the rotation base 31B is rotated several tens of degrees to switch to another evaporation source. As a method for measuring the timing of switching to another evaporation source, the deposition rate detected by the film thickness sensor 50, the weight sensor for detecting the deposition material in the crucible, the amount of electric power supplied to the evaporation source 1 and the evaporation source 1 A value such as temperature may be monitored by selecting one item, for example.

本実施例は、実施例1、実施例3の台座に複数の蒸発源1を設けることで適用できる。
その場合は、例えば、蒸発源移動機構30A又は30Cを、基板回転中心軸2cを中心とする同心円上に複数を設けてもよい。また、実施例1では、台座31を基板2の下部側一面に設けて、その台座に複数の蒸発源1を設けてもよい。
This embodiment can be applied by providing a plurality of evaporation sources 1 on the pedestal of the first and third embodiments.
In that case, for example, a plurality of evaporation source moving mechanisms 30A or 30C may be provided on a concentric circle with the substrate rotation center axis 2c as the center. In the first embodiment, the pedestal 31 may be provided on the lower surface of the substrate 2, and the plurality of evaporation sources 1 may be provided on the pedestal.

(実施例5)
図9は、実施例4の派生例である実施例5を示す図である。実施例5は、図8に示す実施例4の構造に蒸着材料を投入する材料投入機構40を付加したものである。材料投入機構40は、蒸着中の蒸発源1とは別の蒸発源1の坩堝に投入するように設置するのが好ましい。なぜなら、蒸着中の坩堝に材料投入をする場合には、材料投入によって坩堝内の温度が極端に下がることによるレートの変動、もしくはノズル詰まりなどの障害が生じないように、少量ずつしか投入できないからである。蒸着に寄与していない蒸発源1に材料を投入することで、レート変動などが生じることなく蒸着材料を一度に投入することが出来る。蒸着材料が投入された蒸発源は、使用している蒸発源の蒸着材料が少なくなった際に、切り替えて使用すればよい。この方法を取ることによって、蒸発源の個数が2個であっても、材料投入さえ行えば長時間メンテナンスを行うことなく蒸着を行うことが出来る。
(Example 5)
FIG. 9 is a diagram illustrating a fifth embodiment which is a derivative example of the fourth embodiment. In the fifth embodiment, a material input mechanism 40 for adding a vapor deposition material is added to the structure of the fourth embodiment shown in FIG. The material charging mechanism 40 is preferably installed so as to be charged into a crucible of the evaporation source 1 different from the evaporation source 1 during vapor deposition. This is because when a material is charged into the crucible during vapor deposition, it can be charged only in small amounts so that the rate of fluctuation in the temperature inside the crucible due to the material charging or a problem such as nozzle clogging does not occur. It is. By introducing the material into the evaporation source 1 that does not contribute to the vapor deposition, the vapor deposition material can be charged at a time without causing a rate fluctuation. The evaporation source into which the vapor deposition material is charged may be switched and used when the vapor deposition material of the evaporation source used is low. By adopting this method, even if the number of evaporation sources is two, vapor deposition can be performed without performing maintenance for a long time as long as the materials are charged.

(実施例6)
実施例6は、実施例4の派生例である。実施例6の実施例4と異なる点は、蒸発源1を切り替えるタイミングを計る方法である。
Example 6
The sixth embodiment is a derivative example of the fourth embodiment. The difference of the sixth embodiment from the fourth embodiment is a method of measuring the timing for switching the evaporation source 1.

実施例4では、蒸発源を切り替えるタイミングを膜厚センサ50で検出する蒸着速度、坩堝内の蒸着材料を検出する重量センサ、蒸発源1に投入されている電力量及び蒸発源1内の温度等の1項目のデータから算出していた。   In the fourth embodiment, the evaporation rate at which the evaporation source is switched is detected by the film thickness sensor 50, the weight sensor for detecting the evaporation material in the crucible, the amount of power supplied to the evaporation source 1, the temperature in the evaporation source 1, and the like. It was calculated from the data of one item.

一方、実施例6では、膜厚センサ50で検出する蒸着速度と、蒸発源1に投入されている電力量の両方から、坩堝内に有る残りの蒸着材料の量を算出する。坩堝内の残材料量とn値の関係をデータ化しておくことによって、残材料量から基板・ノズル中心間距離Lを決定する回転台台座31Bの回転速度の最適を算出・設定することにより、蒸着装置を長時間稼働させて、膜厚均一性をより良い状態で稼働できる。   On the other hand, in Example 6, the amount of the remaining vapor deposition material in the crucible is calculated from both the vapor deposition rate detected by the film thickness sensor 50 and the electric energy supplied to the evaporation source 1. By calculating and setting the optimum rotation speed of the rotating base 31B that determines the distance L between the substrate and the nozzle center from the remaining material amount by converting the relationship between the remaining material amount in the crucible and the n value into data, By operating the vapor deposition apparatus for a long time, the film thickness uniformity can be improved.

(実施例7)
図10は、実施例3の派生例である実施例7を示す図である。図10は、図7に示す実施例3の構成から、膜厚センサ50とノズル10の位置関係が、蒸発源1が動いた際にも変化しないように、膜厚センサ50を台座31に固定している。なお、蒸発源移動機構30Cは、実施例3と異なり、基板2の辺と平行に設けている。
(Example 7)
FIG. 10 is a diagram illustrating a seventh embodiment which is a derivative example of the third embodiment. 10, the film thickness sensor 50 is fixed to the pedestal 31 so that the positional relationship between the film thickness sensor 50 and the nozzle 10 does not change even when the evaporation source 1 moves from the configuration of the third embodiment shown in FIG. doing. Unlike the third embodiment, the evaporation source moving mechanism 30 </ b> C is provided in parallel with the side of the substrate 2.

実施例7は、膜厚センサ50とノズル10の位置関係を固定することにより、蒸発源1の位置移動による膜厚センサ50で検出する蒸着レートのn値換算値を変更しなくてもよく、計算が簡単で制御し易くなる。   In Example 7, by fixing the positional relationship between the film thickness sensor 50 and the nozzle 10, it is not necessary to change the n-value conversion value of the deposition rate detected by the film thickness sensor 50 due to the position movement of the evaporation source 1. Calculation is simple and easy to control.

本方法は、実施例1、実施例2及び実施例4にも適用できる。図8に示す実施例4においては、それぞれの蒸発源1に膜厚センサ50を設けるとよい。   This method can also be applied to Example 1, Example 2, and Example 4. In Example 4 shown in FIG. 8, it is preferable to provide a film thickness sensor 50 in each evaporation source 1.

(実施例8)
図11は、図10は、実施例3の派生例である実施例8を示す図である。図10に示す実施例7では、膜厚センサ50を台座31の上に固定した。実施例8では台座31以外の真空装置内の構造物に固定し、蒸発源1が移動するとノズル10と膜厚センサ50の位置関係が変化する。このような構成であると、坩堝内の蒸着材料量が変化した際にn値も変化し、膜厚センサ50で検出される蒸着速度一定の条件で坩堝への投入電力を制御した場合、坩堝への投入電力が変化してしまう。しかし、膜厚センサ50で検出される蒸着速度一定の条件で、坩堝への投入電力ではなく、基板回転中心とノズル法線の距離Lを制御するようにし、膜厚センサ50の位置を最適な位置に設置することにより、一つの膜厚センサ50のみで蒸発源の位置を最適な位置に制御することができる。実施例8の構成において、膜厚センサ50の位置は、n値変化に対して最適又は所定の位置に蒸発源1を移動させた際に、膜厚センサ50で検出する蒸着速度が常に一定となる場所が望ましい。
(Example 8)
FIG. 11 is a diagram illustrating an eighth embodiment that is a derivative example of the third embodiment. In Example 7 shown in FIG. 10, the film thickness sensor 50 was fixed on the pedestal 31. In Example 8, it fixes to the structure in vacuum apparatuses other than the base 31, and if the evaporation source 1 moves, the positional relationship of the nozzle 10 and the film thickness sensor 50 will change. With such a configuration, when the amount of vapor deposition material in the crucible changes, the n value also changes, and when the input power to the crucible is controlled under the condition of a constant vapor deposition rate detected by the film thickness sensor 50, The input power to will change. However, under the condition that the deposition rate detected by the film thickness sensor 50 is constant, not the input power to the crucible but the distance L between the substrate rotation center and the nozzle normal is controlled so that the position of the film thickness sensor 50 is optimal. By installing at the position, the position of the evaporation source can be controlled to the optimum position by only one film thickness sensor 50. In the configuration of the eighth embodiment, the position of the film thickness sensor 50 is optimal for the n value change or when the evaporation source 1 is moved to a predetermined position, the deposition rate detected by the film thickness sensor 50 is always constant. A place that is desirable.

本実施例も、実施例7と同様に、実施例1、実施例2及び実施例4にも適用できる。   The present embodiment can be applied to the first, second, and fourth embodiments as in the seventh embodiment.

(実施例9)
最後に、各実施例における蒸発源1の移動制御方法について説明する。
図12は、図2に示すグラフに、n値変化に対して蒸発源1をリニアに移動させる一点鎖線で示す準最適値直線を破線で示す最適値曲線に沿って付加した図である。n値と基板・ノズル中心間距離Lの関係は、最適値曲線、膜厚均一性が±5%である境界線からも分かるように、曲線となる。この曲線に沿わせるように蒸発源1をリニアに移動させようとすると、蒸発源1の移動速度を逐次変化させなければ成らない。
Example 9
Finally, the movement control method of the evaporation source 1 in each embodiment will be described.
FIG. 12 is a diagram in which a quasi-optimum straight line indicated by a one-dot chain line for linearly moving the evaporation source 1 with respect to a change in n value is added to the graph shown in FIG. 2 along an optimal value curve indicated by a broken line. The relationship between the n value and the substrate / nozzle center distance L is a curve as can be seen from the optimum value curve and the boundary line with a film thickness uniformity of ± 5%. If the evaporation source 1 is to be moved linearly along this curve, the moving speed of the evaporation source 1 must be sequentially changed.

実施例2において、図5に示す蒸発源1を破線で示す位置から実線で示す位置に反時計回りに等速で回転させる。その場合の蒸発源1の軌道が図12に示す最適値曲線の非直性を打ち消すように、回転座台31Bの中心位置及び蒸発源1の回転範囲を設定する。
この結果、実施例2では、回転座台31Bを単に等速運動させるだけで、最適値曲線又は近似最適値曲線に沿って蒸発源1を移動させることができ、膜厚均一性を確保できる。
In Example 2, the evaporation source 1 shown in FIG. 5 is rotated from the position indicated by the broken line to the position indicated by the solid line counterclockwise at a constant speed. In this case, the center position of the rotary seat 31B and the rotation range of the evaporation source 1 are set so that the trajectory of the evaporation source 1 cancels the instability of the optimum value curve shown in FIG.
As a result, in Example 2, the evaporation source 1 can be moved along the optimum value curve or the approximate optimum value curve simply by moving the rotary seat 31B at a constant speed, and the film thickness uniformity can be ensured.

一方、実施例1、3の場合は、蒸発源1を直線的に移動させる場合は、最適値曲線に沿った移動は実現できないが、等速運動で準最適値直線に沿った移動を実現できる。また、実施例1の場合は、等速運動はできないが最適値曲線に沿うように位置制御することはできる。   On the other hand, in the case of Examples 1 and 3, when the evaporation source 1 is moved linearly, the movement along the optimum value curve cannot be realized, but the movement along the quasi-optimum value line can be realized by constant velocity motion. . In the case of the first embodiment, it is not possible to perform a constant velocity motion, but the position can be controlled so as to follow the optimum value curve.

以上のように本発明の実施形態について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。   Although the embodiments of the present invention have been described above, various alternatives, modifications, and variations can be made by those skilled in the art based on the above description, and the present invention is not limited to the various embodiments described above without departing from the spirit of the present invention. It encompasses alternatives, modifications or variations.

1:蒸発源 2:基板
2c:基板回転中心軸 10:ノズル
10h:ノズル法線 20:材料蒸気
30、30A、30B、30C:蒸発源移動機構
31:台座 31B:回転台座
32:2次元移動機構 32a、32b、32c:レール
33:回転駆動機構 34:1次元移動機構
40:材料投入機構 50:膜厚センサ
60:真空チャンバ 61:真空バルブ
62:真空排気系 70:膜厚制御コントローラ
80:基板回転駆動系 90:制御装置
100:真空蒸着装置(蒸着装置)
L:基板回転中心軸とノズル法線との距離(基板・ノズル中心間距離)
1: evaporation source 2: substrate 2c: substrate rotation center axis 10: nozzle 10h: nozzle normal 20: material vapor 30, 30A, 30B, 30C: evaporation source moving mechanism 31: pedestal 31B: rotating pedestal 32: two-dimensional movement mechanism 32a, 32b, 32c: Rail 33: Rotation drive mechanism 34: One-dimensional movement mechanism 40: Material input mechanism 50: Film thickness sensor 60: Vacuum chamber 61: Vacuum valve 62: Vacuum exhaust system 70: Film thickness controller 80: Substrate Rotation drive system 90: Control device 100: Vacuum vapor deposition device (vapor deposition device)
L: Distance between substrate rotation center axis and nozzle normal (distance between substrate and nozzle center)

Claims (20)

坩堝内の蒸着材料の量に応じて変化する蒸気分布をノズルから噴出させ、回転している基板に対して前記蒸着材料を蒸着する蒸発源と、
前記蒸着材料の蒸着量を検出する膜厚センサと、
前記膜厚センサの検出結果に基づいて、前記基板の回転中心軸と前記回転中心軸と平行な前記ノズルの法線との距離を変動させる蒸発源移動機構と、
前記膜厚センサからの情報に基づいて前記蒸発源移動機構を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする真空蒸着装置。
An evaporation source for ejecting a vapor distribution varying according to the amount of the vapor deposition material in the crucible from the nozzle, and depositing the vapor deposition material on a rotating substrate;
A film thickness sensor for detecting a deposition amount of the deposition material;
An evaporation source moving mechanism that varies a distance between a rotation center axis of the substrate and a normal line of the nozzle parallel to the rotation center axis based on a detection result of the film thickness sensor;
A control device for controlling the evaporation source moving mechanism based on information from the film thickness sensor;
A vacuum evaporation apparatus characterized by comprising:
請求項1に記載の真空蒸着装置であって、
前記膜厚センサを一つ有し、
前記蒸発源移動機構は、前記距離の変動を前記基板と平行な面内で行うことを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 1,
Having one film thickness sensor;
The vacuum evaporation apparatus characterized in that the evaporation source moving mechanism changes the distance in a plane parallel to the substrate.
請求項1又は2に記載の真空蒸着装置であって、
前記蒸発源移動機構は、前記蒸発源を載置し回転可能な回転台座と、前記回転台座を回転させる回転駆動手段とを有することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 1 or 2,
The evaporation source moving mechanism includes a rotary pedestal on which the evaporation source can be placed and rotated, and a rotation driving unit that rotates the rotary pedestal.
請求項3に記載の真空蒸着装置であって、
前記制御装置は、前記蒸気分布を表す蒸気分布n値と前記距離の関係から一定になるように求められた前記回転台座の回転速度で前記回転台座を回転させることを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 3, wherein
The vacuum deposition apparatus characterized in that the control device rotates the rotating pedestal at a rotation speed of the rotating pedestal determined so as to be constant from a relationship between a vapor distribution n value representing the vapor distribution and the distance.
請求項3又は4に記載の真空蒸着装置であって、
前記回転台座は、前記回転台座の回転中心の同心円状に複数の前記蒸発源を有することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 3 or 4,
The vacuum deposition apparatus, wherein the rotary base has a plurality of the evaporation sources concentrically around the rotation center of the rotary base.
請求項5に記載の真空蒸着装置であって、
前記膜厚センサは、複数の前記蒸発源に対して設けられていることを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 5,
The vacuum deposition apparatus, wherein the film thickness sensor is provided for a plurality of the evaporation sources.
請求項1又は2に記載の真空蒸着装置であって、
前記蒸発源移動機構は、前記蒸発源を載置する台座と、前記台座を2次元また又は1次元に移動させる1次元駆動手段又は2次元駆動手段とを有することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 1 or 2,
The vacuum evaporation apparatus characterized in that the evaporation source moving mechanism has a pedestal on which the evaporation source is placed, and a one-dimensional driving means or a two-dimensional driving means for moving the pedestal two-dimensionally or one-dimensionally.
請求項7に記載の真空蒸着装置であって、
前記1次元移動手段又は前記2次元駆動手段は、前記蒸発源が前記基板の回転中心軸に向かって移動させる駆動手段であることを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 7,
The one-dimensional moving unit or the two-dimensional driving unit is a driving unit that moves the evaporation source toward a rotation center axis of the substrate.
請求項7又は8に記載の真空蒸着装置であって、
前記基板の回転中心軸の両側に台座は設け、前記蒸発源と前記厚膜モニタとそれぞれ有することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 7 or 8,
A vacuum evaporation system characterized in that pedestals are provided on both sides of the rotation center axis of the substrate, and each has the evaporation source and the thick film monitor.
請求項5又は9に記載の真空蒸着装置であって、
蒸着中の前記蒸発源の前記蒸着材料が規定量以下になった場合に他の前記蒸発源に切り替えて使用することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 5 or 9,
A vacuum deposition apparatus, wherein the evaporation source is switched to another evaporation source when the evaporation material of the evaporation source during vapor deposition becomes a specified amount or less.
請求項10に記載の真空蒸着装置であって、
それぞれの前記蒸発源に前記蒸着材料を供給する供給手段を少なくとも一つ備え、
前記供給手段は、他の前記蒸発源に前記蒸着材料を投入することを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 10, wherein
At least one supply means for supplying the vapor deposition material to each of the evaporation sources;
The vacuum vapor deposition apparatus, wherein the supply means throws the vapor deposition material into another evaporation source.
請求項5又は9に記載の真空蒸着装置であって、
前記制御装置は、前記膜厚センサの検出結果から得られる前記蒸着材料の蒸着速度と、前記蒸発源に投入されている電力量、坩堝内の蒸着材料を検出する重量センサ及び前記蒸発源内の温度のうち少なくとも一つに基づいて、他の前記蒸発源に切り換えることを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 5 or 9,
The control device includes a vapor deposition rate of the vapor deposition material obtained from a detection result of the film thickness sensor, an electric energy supplied to the evaporation source, a weight sensor for detecting the vapor deposition material in the crucible, and a temperature in the evaporation source. The vacuum evaporation apparatus is characterized by switching to the other evaporation source based on at least one of them.
請求項3又は7に記載の真空蒸着装置であって、
膜厚センサは、前記回転台座又は前記台座以外の前記真空蒸着装置の構造物に設けたことを特徴とする真空蒸着装置。
The vacuum evaporation apparatus according to claim 3 or 7,
The film thickness sensor is provided in a structure of the vacuum evaporation apparatus other than the rotating pedestal or the pedestal.
坩堝内の蒸着材料の量に応じて変化する蒸気分布を蒸発源のノズルから噴出させ、回転している基板に対して前記蒸着材料を蒸着する蒸着ステップと、
前記蒸着材料の蒸着量を膜厚センサで検出する検出ステップと、
前記検出ステップの検出結果に基づいて、前記基板の回転中心軸と前記回転中心軸と平行な前記ノズルの法線との距離を変動させる変動ステップと、
を有することを特徴とする真空蒸着方法。
A vapor deposition step of ejecting a vapor distribution varying according to the amount of the vapor deposition material in the crucible from a nozzle of the evaporation source, and depositing the vapor deposition material on a rotating substrate;
A detection step of detecting a deposition amount of the deposition material with a film thickness sensor;
Based on the detection result of the detection step, a fluctuation step for changing the distance between the rotation center axis of the substrate and the normal line of the nozzle parallel to the rotation center axis;
A vacuum deposition method characterized by comprising:
請求項14に記載の真空蒸着方法であって、
前記変動ステップは、前記距離の変動を前記基板と平行な面内で行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 14,
The fluctuating step performs the fluctuating distance in a plane parallel to the substrate.
請求項14又は15に記載の真空蒸着方法であって、
前記変動ステップは、前記蒸発源を載置する回転台座を回転させて行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 14 or 15,
The variable evaporation step is performed by rotating a rotary base on which the evaporation source is placed.
請求項16に記載の真空蒸着方法であって、
前記変動ステップは、前記蒸気分布を表すn値と前記距離の関係から求められた一定の回転速度で前記回転台座を回転させて行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 16,
The fluctuating step is performed by rotating the rotating pedestal at a constant rotational speed obtained from the relationship between the n value representing the vapor distribution and the distance.
請求項14又は15に記載の真空蒸着方法であって、
前記変動ステップ、前記蒸発源を載置する台座を2次元また又は1次元に移動させて行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 14 or 15,
A vacuum deposition method, wherein the fluctuating step is performed by moving a pedestal on which the evaporation source is placed two-dimensionally or one-dimensionally.
請求項18に記載の真空蒸着方法であって、
前記1次元又は前記2次元の移動は、前記蒸発源が前記基板の回転中心軸に向かう方向に移動させて行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 18,
The one-dimensional or two-dimensional movement is performed by moving the evaporation source in a direction toward the rotation center axis of the substrate.
請求項16又は17に記載の真空蒸着方法であって、
前記回転台座の回転中心の同心円状に、又は前記基板の回転中心軸の両側の前記台座に複数の前記蒸発源を設け、
蒸着中の前記蒸発源の前記蒸着材料が規定量以下になった場合に他の前記蒸発源に切り替えて行うことを特徴とする真空蒸着方法。
The vacuum deposition method according to claim 16 or 17,
A plurality of the evaporation sources are provided concentrically around the rotation center of the rotation base or on the base on both sides of the rotation center axis of the substrate,
A vacuum deposition method, wherein the evaporation source is switched to another evaporation source when the vapor deposition material of the evaporation source during vapor deposition falls below a specified amount.
JP2013073900A 2013-03-29 2013-03-29 Vacuum evaporation system and vacuum deposition method Pending JP2014198861A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013073900A JP2014198861A (en) 2013-03-29 2013-03-29 Vacuum evaporation system and vacuum deposition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013073900A JP2014198861A (en) 2013-03-29 2013-03-29 Vacuum evaporation system and vacuum deposition method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014198861A true JP2014198861A (en) 2014-10-23

Family

ID=52355957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013073900A Pending JP2014198861A (en) 2013-03-29 2013-03-29 Vacuum evaporation system and vacuum deposition method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014198861A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017110260A (en) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社オプトラン Film deposition apparatus and film deposition method
JP2017190513A (en) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社昭和真空 Vapor deposition apparatus
JP2020164920A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 キヤノントッキ株式会社 Film deposition apparatus and film deposition method
JP6959680B1 (en) * 2020-11-13 2021-11-05 株式会社シンクロン Film deposition equipment
CN114481037A (en) * 2022-01-26 2022-05-13 合肥维信诺科技有限公司 Combination measuring instrument, calibration device and evaporation system
WO2024116599A1 (en) * 2022-11-29 2024-06-06 キヤノントッキ株式会社 Film forming device and film forming method

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017110260A (en) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社オプトラン Film deposition apparatus and film deposition method
JP2017190513A (en) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社昭和真空 Vapor deposition apparatus
JP2020164920A (en) * 2019-03-29 2020-10-08 キヤノントッキ株式会社 Film deposition apparatus and film deposition method
CN111748772A (en) * 2019-03-29 2020-10-09 佳能特机株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP7301578B2 (en) 2019-03-29 2023-07-03 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus and film forming method
CN111748772B (en) * 2019-03-29 2024-01-02 佳能特机株式会社 Film forming apparatus and film forming method
JP6959680B1 (en) * 2020-11-13 2021-11-05 株式会社シンクロン Film deposition equipment
WO2022102355A1 (en) * 2020-11-13 2022-05-19 株式会社シンクロン Film formation device
JP2022078588A (en) * 2020-11-13 2022-05-25 株式会社シンクロン Film formation device
CN114481037A (en) * 2022-01-26 2022-05-13 合肥维信诺科技有限公司 Combination measuring instrument, calibration device and evaporation system
CN114481037B (en) * 2022-01-26 2024-05-28 合肥维信诺科技有限公司 Combined measuring instrument, calibrating device and evaporation system
WO2024116599A1 (en) * 2022-11-29 2024-06-06 キヤノントッキ株式会社 Film forming device and film forming method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014198861A (en) Vacuum evaporation system and vacuum deposition method
KR100645719B1 (en) Effusion cell for depositing material and deposition apparatus having it
KR101223723B1 (en) Apparatus for thin layer deposition, method for manufacturing of organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the method
KR101885245B1 (en) Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same
JP6139423B2 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and organic electroluminescence element manufacturing method
KR102002849B1 (en) Deposition device
JP2011012309A (en) Vacuum vapor deposition apparatus
KR101979360B1 (en) APPARATUS FOR MEASURING quantity of deposition material, DEPOSITING APPARATUS COMPRISING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY
JP2022179487A (en) Film deposition device and electronic device manufacturing method
JP4696710B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition source
KR20150113742A (en) Evaporation source and deposition apparatus including the same
JP2013185252A (en) Evaporation source apparatus, vacuum deposition apparatus, and method for producing organic el display device
JP2012214834A (en) Vacuum deposition apparatus, and method for manufacturing organic el display device
KR102080764B1 (en) Linear source, and substrate processing apparatus
JP2014152365A (en) Vacuum evaporation system
JP4026449B2 (en) Organic electroluminescence device manufacturing equipment
KR100684739B1 (en) Apparatus for sputtering organic matter
JP2017025355A (en) Vapor deposition apparatus, and vapor deposition method
KR20200081187A (en) Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device
US9650710B2 (en) Sputtering device and sputtering method
KR101648489B1 (en) Apparatus for depositing thin films and method using the same
KR20140123313A (en) Thin film deposition processing apparatus
JP7163211B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
EP3604609B1 (en) Apparatus for manufacturing display apparatus
KR101530027B1 (en) Inline deposition apparatus for manufacturing oled