KR102080764B1 - Linear source, and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착물질을 증발시켜 기판에 박막을 형성하는 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치에 관한 것이다.
본 발명은, 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와; 상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와; 상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며, 상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며, 상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며, 상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 리니어소스를 개시한다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a linear source for forming a thin film on a substrate by evaporating a deposition material and a thin film deposition apparatus having the same.
The present invention includes a cylinder portion having a horizontal length parallel to the surface of the substrate and having a plurality of nozzles on the upper side of which the deposition material is sprayed upward and having an inner space; At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part; A first temperature control region connected to the lower end of the connection portion and containing a deposition material, the first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region; And a third temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region, and a fourth temperature control region including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control region. The first to fourth temperature control zones are controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material, and the first to fourth temperature control zones are linear sources, characterized in that the heaters are independently controlled. do.

Description

리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치 {Linear source, and substrate processing apparatus}Linear source and thin film deposition apparatus having the same {Linear source, and substrate processing apparatus}

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 증착물질을 증발시켜 기판에 박막을 형성하는 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a linear source for forming a thin film on a substrate by evaporating a deposition material and a thin film deposition apparatus having the same.

평판표시소자(Flat Panel Display)는 액정표시소자 (Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자 (Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다. Flat panel displays include liquid crystal displays, plasma display panels, and organic light emitting diodes.

이 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 고휘도, 경량성 등의 특성이 있으며, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어 초박형으로 만들 수 있는 점 등의 장점을 지니고 있는바, 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Among them, organic light emitting diodes have characteristics such as fast response speed, lower power consumption, higher brightness, and lighter weight than conventional liquid crystal display devices, and can be made ultra thin without requiring a separate back light device. It has been in the spotlight as a next generation display device.

한편, 평판표시소자의 기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는, 증발증착법(Evaporation)과, 이온 플레이팅법(Ion-plating) 및 스퍼터링법(Sputtering)과 같은 물리증착법(PVD)과, 가스반응에 의한 화학기상증착법(CVD) 등이 있다. 이 중에서, 유기발광소자의 유기물층, 무기물층 등과 같은 박막형성에 증발증착법이 사용될 수 있다.On the other hand, as a general method of forming a thin film on a substrate of a flat panel display device, evaporation, physical vapor deposition (PVD) such as ion-plating and sputtering, and gas reaction Chemical vapor deposition (CVD). Among them, an evaporation deposition method may be used to form a thin film such as an organic material layer and an inorganic material layer of the organic light emitting device.

평판표시소자의 기판에 박막을 형성하는 방법 중 증발증착법은 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와, 진공챔버의 하부에 설치되어 증착될 물질이 증발되는 증발원을 포함하는 박막증착장치에 의하여 수행된다.Among the methods of forming a thin film on a substrate of a flat panel display device, the evaporation deposition method is performed by a thin film deposition apparatus including a vacuum chamber for forming a closed processing space, and an evaporation source to be evaporated from a material to be deposited under the vacuum chamber. .

구체적으로 종래의 박막증착장치는 증발원의 상측에 기판처리면이 증발원을 향하도록 기판을 위치시키고 증착물질을 증발시켜 기판처리면에 박막을 증착한다.Specifically, in the conventional thin film deposition apparatus, the substrate is disposed on the upper surface of the evaporation source so that the substrate processing surface faces the evaporation source, and the vapor deposition material is evaporated to deposit the thin film on the substrate processing surface.

한편 기판이 대형화되면서 기판처리면 전체에 대한 균일한 박막형성이 중요한 이슈로 대두되고 있다.On the other hand, as the size of the substrate becomes larger, the formation of uniform thin films over the entire substrate treatment surface has emerged as an important issue.

특히 증발증착법에 위한 박막증착장치는 소정의 패턴화된 박막형성을 위하여 마스크를 복개한 상태에서 이루어지는바 증발되는 증착물질의 증발방향 또한 균일한 박막증착장치에 있어서 중요한 요소로 작용하고 있다.In particular, the thin film deposition apparatus for the evaporation deposition method is made in a state in which the mask is covered to form a predetermined patterned thin film, so that the evaporation direction of the evaporated deposition material is also an important element in the uniform thin film deposition apparatus.

본 발명의 목적은, 증발증착법에 위한 박막증착공정을 수행함에 있어서 기판처리면에 대한 증착물질의 증발방향을 정밀하게 제어하여 보다 균일한 기판처리의 수행이 가능한 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a linear source and a thin film deposition apparatus having the same that can perform a more uniform substrate treatment by precisely controlling the evaporation direction of the deposition material on the substrate treatment surface in performing the thin film deposition process for the evaporation deposition method. To provide.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스를 포함하는 박막증착장치의 리니어소스로서, 상기 리니어소스는, 상기 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와; 상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와; 상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며, 상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며, 상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며, 상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치된 것을 특징으로 하는 리니어소스를 개시한다.The present invention has been created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the process chamber for forming a closed processing space, and the processing space to form a thin film on the substrate located above the processing space A linear source of a thin film deposition apparatus comprising a linear source installed at the lower side of the substrate to heat and evaporate the deposition material, wherein the linear source has a horizontal length parallel to the surface of the substrate and the deposition material is sprayed upwards. A cylinder unit having a plurality of nozzles installed above and having an inner space; At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part; A first temperature control region connected to the lower end of the connection portion and containing a deposition material, the first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region; And a third temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region, and a fourth temperature control region including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control region. The first to fourth temperature control zones are controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material, and the first to fourth temperature control zones are linear sources, characterized in that the heaters are independently controlled. do.

상기 제1온도제어영역은, 상기 도가니부에 담긴 증착물질을 가열하기 위한 하나 이상의 히터가 설치되며, 상기 제2온도제어영역에 설치된 히터에 의하여 전달되는 열을 흡열하는 냉각부가 설치될 수 있다.In the first temperature control region, at least one heater for heating the deposition material contained in the crucible portion may be installed, and a cooling unit for absorbing heat transferred by the heater installed in the second temperature control region may be installed.

상기 냉각부는, 상기 도가니부의 하부보다 상부가 흡열량이 높도록 설치되는 것이 바람직하다.Preferably, the cooling unit is installed so that an upper end portion has a higher endothermic amount than a lower portion of the crucible portion.

상기 냉각부는, 냉매공급장치와, 상기 냉매공급장치와 연결되며 상기 도가니부를 감싸도록 설치된 냉매순환관과, 상기 냉매순환관을 따라서 냉매가 흐르도록 하는 펌프를 포함하며, 상기 냉매순환관은 냉매가 상기 도가니부의 상측에서 유입되어 하측에서 상기 냉매공급장치로 전달되도록 설치될 수 있다.The cooling unit includes a refrigerant supply device, a refrigerant circulation pipe connected to the refrigerant supply device and installed to surround the crucible portion, and a pump for allowing refrigerant to flow along the refrigerant circulation pipe, wherein the refrigerant circulation pipe includes: It may be installed to be introduced from the upper side of the crucible portion and transferred to the refrigerant supply device from the lower side.

상기 냉매순환관은 상기 도가니부를 감싸는 코일 구조를 가지며, 상기 냉매순환관의 코일구조의 상하방향의 피치가 상기 도가니부의 하부보다 상부가 더 작은 것이 바람직하다.The refrigerant circulation tube has a coil structure surrounding the crucible portion, and the pitch in the vertical direction of the coil structure of the refrigerant circulation tube is preferably smaller than the lower portion of the crucible portion.

상기 제3온도제어영역 및 상기 제4온도제어영역은, 코일구조 또는 판형구조의 히터가 설치될 수 있다.In the third temperature control region and the fourth temperature control region, a coil structure or a plate-shaped heater may be installed.

상기 제4온도제어영역은, 상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 원통형 구조의 상기 복수의 노즐들의 반원부분을 각각 감싸며 서로 대향되어 설치되는 제1히터 및 제2히터를 포함하며, 상기 제1히터 및 상기 제2히터는, 직류전원이 연결될 때 상기 제1히터의 +단자와 상기 제2히터의 -단자가 서로 대향되며, 상기 제1히터의 -단자와 상기 제2히터의 +단자가 서로 대향될 수 있다.The fourth temperature control region may include a first heater and a second heater in which a heater having a plate shape surrounds semicircular portions of the plurality of nozzles of a cylindrical structure and is opposed to each other. The first heater and the second heater, when the DC power is connected, the + terminal of the first heater and the-terminal of the second heater are opposed to each other, the-terminal of the first heater and the second heater The + terminals can be opposed to each other.

상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 상기 노즐들의 외주면을 감싸도록 설치되며, 상기 판형구조를 가지는 히터는 상기 노즐의 상하방향을 기준으로 상측, 중앙 및 하측 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 개구부가 형성되어 상기 개구부가 형성된 부분에서 발열량을 높일 수 있다.The fourth temperature control region is provided such that a heater having a plate shape surrounds the outer circumferential surfaces of the nozzles, and the heater having the plate shape has at least one of an upper side, a center, and a lower side of the nozzle based on an up and down direction of the nozzle. The above opening is formed to increase the amount of heat generated at the portion where the opening is formed.

본 발명은 또한 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 상기 리니어소스를 포함하는 박막증착장치를 개시한다.The present invention also includes a process chamber for forming a closed processing space, and the linear source installed below the processing space to form a thin film on a substrate located above the processing space to heat and evaporate the deposition material. A thin film deposition apparatus is disclosed.

본 발명에 따른 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치는, 증착물질이 증발되는 복수의 노즐들이 설치된 실린더부, 증착물질이 담기는 도가니부, 및 도가이부 및 실린더부 사이에 설치되는 연결부를 포함하고, 도가니부로부터 실린더부까지의 온도를 순차적으로 높이고 노즐에서 증착물질을 가장 높은 온도로 기화함으로써 기판처리면에 대한 증착물질의 증발방향을 보다 효율적으로 제어할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, a linear source and a thin film deposition apparatus having the same include a cylinder part in which a plurality of nozzles for evaporating deposition materials are installed, a crucible part containing deposition material, and a connection part installed between the crucible part and the cylinder part, By sequentially increasing the temperature from the crucible portion to the cylinder portion and vaporizing the deposition material at the highest temperature in the nozzle, there is an advantage in that the evaporation direction of the deposition material on the substrate processing surface can be more efficiently controlled.

구체적으로, 종래에는 패턴화된 박막형성을 위하여 마스크를 사용하고 기판처리면에 대한 증착물질의 증발방향, 즉 그 방사각이 큰 경우, 마스크의 개구부 부근에서 기판처리면에 대한 입사각이 커져 정밀한 박막증착이 어려운 문제점이 있었다.Specifically, conventionally, a mask is used to form a patterned thin film, and when the evaporation direction of the deposition material with respect to the substrate processing surface, that is, the radiation angle thereof is large, the incident angle with respect to the substrate processing surface becomes large in the vicinity of the opening of the mask, so that the precise thin film There was a difficult problem of deposition.

그러나, 본 발명에 따른 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치는, 도가니부로부터 실린더부까지의 온도를 순차적으로 높이고 노즐에서 증착물질을 가장 높은 온도로 가열하게 되면 기판처리면에 대한 증착물질의 증발방향을 기판처리면에 대하여 보다 수직에 가깝게 할 수 있어 정밀한 박막증착이 가능한 이점이 있다.However, the linear source and the thin film deposition apparatus having the same according to the present invention, when the temperature from the crucible portion to the cylinder portion is sequentially increased and the deposition material is heated to the highest temperature in the nozzle, the evaporation direction of the deposition material on the substrate treatment surface It can be closer to the perpendicular to the substrate processing surface has the advantage that the precise thin film deposition is possible.

또한 종래에는 연결부의 가열을 위하여 설치된 히터에서 발생된 열이 도가니부에 전달되어 도가니부에서의 온도제어가 어려움이 있으나, 본 발명에 따른 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치는, 도가니부로부터 실린더부까지의 온도를 순차적으로 높이고 노즐에서 증착물질의 가장 높은 온도로 가열함에 있어서 가열 및 냉각을 병행함으로써 도가니부에서의 온도가 연결부에서의 온도보다 낮게 제어할 수 있는 이점이 있다.In addition, in the related art, heat generated from a heater installed for heating a connection part is transmitted to the crucible part, which makes it difficult to control the temperature in the crucible part. However, the linear source and the thin film deposition apparatus having the same according to the present invention have a cylinder part from the crucible part. By sequentially increasing the temperature up to and heating to the highest temperature of the deposition material in the nozzle, there is an advantage that the temperature at the crucible portion can be controlled to be lower than the temperature at the connection portion.

도 1은, 본 발명에 따른 박막증착장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 박막증착장치의 리니어소스를 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1의 리니어소스에 설정된 온도제어영역을 보여주는 개념도이다.
도 4는, 도 3의 제1온도제어영역의 온도제어를 위한 온도제어부의 일예를 보여주는 개념도이다.
도 5a 및 도 5b는, 각각 도 3의 제4온도제어영역의 온도제어를 위한 온도제어부의 일예를 보여주는 평면도 및 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 판형구조의 히터에 개구부가 형성된 예들을 보여주는 개념도들이다.1 is a cross-sectional view showing a thin film deposition apparatus according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a linear source of the thin film deposition apparatus of FIG.
3 is a conceptual diagram illustrating a temperature control region set in the linear source of FIG. 1.
4 is a conceptual diagram illustrating an example of a temperature controller for temperature control of the first temperature control region of FIG. 3.
5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view illustrating an example of a temperature control unit for temperature control of the fourth temperature control region of FIG. 3, respectively.
6A through 6C are conceptual views illustrating examples in which an opening is formed in the heater having the plate-shaped structure shown in FIGS. 5A and 5B.

이하 본 발명에 따른 리니어소스 및 그를 가지는 박막증착장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a linear source and a thin film deposition apparatus having the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 박막증착장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 처리공간(S)의 상측에 위치된 기판(10)의 기판처리면에 박막을 형성하도록 공정챔버(100)의 처리공간(S)의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스(200)을 포함한다.The thin film deposition apparatus according to the present invention, as shown in Figure 1, the process chamber 100 for forming a closed processing space (S); The linear source 200 is installed below the processing space S of the process chamber 100 to form a thin film on the substrate processing surface of the substrate 10 positioned above the processing space S to heat and evaporate the deposition material. ).

여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 액정표시소자 (Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자 (Organic Light Emitting Diodes) 등 기판처리면에 증착물의 증발에 의하여 박막을 형성할 수 있는 부재이면 어떠한 대상도 가능하다.Herein, the substrate 10, which is a substrate processing target, forms a thin film by evaporation of a deposit on a substrate processing surface such as a liquid crystal display, a plasma display panel, and an organic light emitting diode. Any object can be used as long as it can be done.

그리고 상기 기판(10)은, 공정챔버(100) 내로 직접 이송되거나 도 1에 도시된 바와 같이, 기판트레이(20)에 안착되어 이송될 수 있다.The substrate 10 may be directly transferred into the process chamber 100 or may be transported by being seated in the substrate tray 20 as shown in FIG. 1.

그리고 기판처리의 종류에 따라서 기판(10)의 기판처리면에 소정의 패턴으로 증착되도록 패턴화된 개구부가 형성된 마스크(미도시)가 기판처리면에 밀착되어 설치될 수 있다.In addition, a mask (not shown) having a patterned opening formed to be deposited in a predetermined pattern on the substrate processing surface of the substrate 10 may be closely attached to the substrate processing surface according to the type of substrate processing.

상기 공정챔버(100)는 기판처리의 수행을 위하여 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is a configuration for forming a processing space (S) for performing a substrate treatment is possible in a variety of configurations.

일예로서, 상기 공정챔버(100)는, 챔버본체(120)와 서로 탈착가능하게 결합되어 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 리드(110)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the process chamber 100 may include a lid 110 that is detachably coupled with the chamber body 120 to form a sealed processing space S.

그리고 상기 공정챔버(100)는 처리공간(S)에서의 기판처리에 조건에 맞춰 압력유지 및 배기를 위한 배기관(미도시), 기판트레이(20)의 고정 또는 가이드를 위한 부재(미도시) 등 기판처리의 종류에 따라서 다양한 부재, 모듈 등이 설치될 수 있다.The process chamber 100 may include an exhaust pipe (not shown) for maintaining and evacuating pressure, a member (not shown) for fixing or guiding the substrate tray 20 according to conditions for processing the substrate in the processing space S, and the like. Various members, modules, etc. may be installed depending on the type of substrate treatment.

또한 상기 공정챔버(100)는, 기판(10)의 입출을 위한 하나 이상의 게이트(101, 102)가 형성될 수 있다.In addition, the process chamber 100 may include one or more gates 101 and 102 for entering and exiting the substrate 10.

상기 리니어소스(200)는, 처리공간(S)의 상측에 위치된 기판(10)의 기판처리면에 박막을 형성하도록 공정챔버(100)의 처리공간(S)의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The linear source 200 is installed below the processing space S of the process chamber 100 to form a thin film on the substrate processing surface of the substrate 10 positioned above the processing space S to deposit the deposition material. Various configurations are possible with the configuration by heating and evaporating.

일예로서, 상기 리니어소스(200)는, 기판(10)의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐(240)들이 상측에 설치되며 내부공간(IS)를 가지는 실린더부(230)와; 내부공간(IS)과 연통되도록 실린더부(230)와 결합되며, 실린더부(230)의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부(220)와; 연결부(220)의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부(210)를 포함할 수 있다.For example, the linear source 200 has a horizontal length parallel to the surface of the substrate 10 and a plurality of nozzles 240 in which the deposition material is sprayed upward are installed on the upper side, and the internal space IS is formed. The cylinder portion 230 and the branch; At least one connection part 220 coupled to the cylinder part 230 so as to communicate with the internal space IS and protruding downward of the cylinder part 230; It may include a crucible portion 210 connected to the lower end of the connection portion 220 to contain the deposition material.

상기 실린더부(230)는, 기판(10)의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐(240)들이 상측에 설치되며 내부공간(IS)를 가지는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The cylinder portion 230 has a length in a horizontal direction parallel to the surface of the substrate 10 and is provided with a plurality of nozzles 240 in which the deposition material is sprayed upward and provided with an inner space IS. Various configurations are possible.

특히 상기 실린더부(230)는, 기판(10)의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지는 원통형 형상을 가질 수 있으며 양단에는 증발량센서(미도시)에 의하여 증발량을 측정할 수 있도록 측정노즐(250)이 설치될 수 있다.In particular, the cylinder unit 230 may have a cylindrical shape having a length in a horizontal direction parallel to the surface of the substrate 10 and measuring nozzles 250 at both ends to measure the amount of evaporation by an evaporation sensor (not shown). ) Can be installed.

상기 측정노즐(250)은, 원통형 구조의 실린더부(230)의 양단에 설치되어 실린더부(230)의 양단 중 적어도 일측에 설치된 증발량센서(미도시)에 의하여 증발량 측정이 가능하도록 증착물질을 가열하여 분사하는 구성으로서 후술하는 노즐(240)과 동일하거나 유사한 구조를 가지는 것이 바람직하다.The measurement nozzle 250 is installed on both ends of the cylinder portion 230 of the cylindrical structure is heated to deposit the vapor deposition material by the evaporation amount measurement (not shown) installed on at least one side of both ends of the cylinder portion 230 It is preferable to have a structure that is the same as or similar to the nozzle 240 described later as a configuration to spray.

또한 상기 노즐(240)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 노즐(240)과 동일한 조건으로 증발률 측정을 위하여 노즐(240)에 설치되는 동일한 히터(440)가 직렬 또는 병렬로 설치됨이 바람직하다.In addition, the nozzle 240, as shown in Figure 2, it is preferable that the same heater 440 that is installed in the nozzle 240 for the evaporation rate measurement under the same conditions as the nozzle 240 is installed in series or in parallel. .

특히 후술하는 상기 제4온도제어영역(340)은, 노즐(240)과 동일한 조건으로 증발률 측정을 위하여 측정노즐(250)을 포함하는 것이 바람직하다.In particular, the fourth temperature control region 340 to be described later preferably includes a measurement nozzle 250 to measure the evaporation rate under the same condition as the nozzle 240.

그리고 상기 실린더부(230)는, 후술하는 연결부(220)와 연결될 수 있도록 연결부(220)의 숫자에 대응되어 하나 이상의 연결개구(231)가 형성될 수 있다.In addition, the cylinder part 230 may correspond to the number of the connection part 220 to be connected to the connection part 220 which will be described later, one or more connection openings 231 may be formed.

한편 상기 실린더부(230)는, 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐(240)들이 상측에 설치된다.On the other hand, the cylinder portion 230, a plurality of nozzles 240 are sprayed to the upper side is installed on the upper side.

상기 노즐(240)는, 액체 상태로 도가니부(210), 연결부(220) 및 실린더부(230)의 내주면을 따라서 이동된 증착물질을 가열하여 기판(10)의 기판처리면으로 증발하도록 구성된다.The nozzle 240 is configured to heat the deposition material moved along the inner circumferential surfaces of the crucible portion 210, the connection portion 220, and the cylinder portion 230 in a liquid state to evaporate to the substrate processing surface of the substrate 10. .

여기서 상기 노즐(240)는, 복수개로 기판처리면에 평행한 수평방향으로 일렬로 배치되며 실험 등을 통하여 동일한 간격 또는 미리 설정된 간격을 두고 설치될 수 있다.Here, the nozzles 240 are arranged in a row in a horizontal direction parallel to the substrate processing surface in plurality and may be installed at equal intervals or at predetermined intervals through experiments.

예로서, 상기 복수의 노즐(240)들은, 기판(10)의 중앙부분에 대응되는 위치에서는 간격을 상대적으로 크게, 가장자리 부분에 대응되는 위치에서는 간격을 상대적으로 작게 배치될 수 있다.For example, the plurality of nozzles 240 may be arranged to have a relatively large spacing at a position corresponding to the center portion of the substrate 10 and a relatively small spacing at a position corresponding to the edge portion.

한편 상기 복수의 노즐(240)은, 상하로 개구되며 실린더부(210)에 나사결합되는 등 다양한 방식에 의하여 결합될 수 있다.Meanwhile, the plurality of nozzles 240 may be coupled by various methods, such as being vertically opened and screwed to the cylinder portion 210.

상기 연결부(220)는, 내부공간(IS)과 연통되도록 실린더부(230)와 결합되며, 실린더부(230)의 하측으로 돌출되는 구성으로서, 실린더부(230)의 내부공간(IS)과 도가니부(210)가 서로 연통될 수 있도록 상하가 개구된 실린더 형상, 특히 원통형상을 가지는 것이 바람직하다.The connection part 220 is coupled to the cylinder part 230 so as to communicate with the internal space IS, and is configured to protrude to the lower side of the cylinder part 230, and the internal space IS and the crucible of the cylinder part 230. It is preferable to have a cylindrical shape, especially a cylindrical shape, which is opened up and down so that the part 210 can communicate with each other.

그리고 상기 연결부(220)는, 후술하는 도가니부(210)의 설치 숫자에 따라서 하나 이상이 설치될 수 있다.And the connection portion 220, one or more may be installed according to the installation number of the crucible portion 210 to be described later.

상기 도가니부(210)는, 내부공간(IS)과 연통되도록 실린더부(230)와 결합되며, 실린더부(230)의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부(220)와; 연결부(220)의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The crucible portion 210 may be coupled to the cylinder portion 230 so as to communicate with the internal space IS, and at least one connection portion 220 protruding downward of the cylinder portion 230; It is connected to the lower end of the connection portion 220 and can be configured in a variety of configurations as containing the deposition material.

또한 상기 도가니부(210)는, 증착물질의 재충진을 위하여 상하로 이동가능하게 설치되는 것이 바람직하다.In addition, the crucible portion 210 is preferably installed to be movable up and down for refilling the deposition material.

여기서 상기 도가니부(210)로의 증착물질의 재충진은 작업자 또는 별도의 공급장치에 의하여 수행될 수 있다.Here, the refilling of the deposition material into the crucible portion 210 may be performed by an operator or a separate supply device.

또한 상기 도가니부(210)는, 도가니부(210)에서 액체 상태의 증착물질이 도가니부(210)의 내주면 및 연결부(220)의 내주면을 타고 이동될 수 있도록 도가니부(210)의 내주면과 연결부(220)의 내주면이 연속된 면을 형성하도록 연결부(220)의 하단과 결합될 수 있다.In addition, the crucible portion 210 is connected to the inner circumferential surface of the crucible portion 210 so that the vapor deposition material in the liquid state in the crucible portion 210 may move on the inner circumferential surface of the crucible portion 210 and the inner circumferential surface of the connecting portion 220. The inner circumferential surface of the 220 may be combined with the lower end of the connecting portion 220 to form a continuous surface.

또한 상기 도가니부(210)는, 도가니부(210)에서 액체 상태의 증착물질이 도가니부(210)의 내주면 및 연결부(220)의 내주면을 타고 이동될 수 있도록 도가니부(210)의 상단의 일부의 외주면이 연결부(220)의 하단 내주면에 밀착된 상태로 삽입될 수 있다.In addition, the crucible portion 210 may be a portion of the upper portion of the crucible portion 210 so that the deposition material in the liquid state in the crucible portion 210 may move on the inner circumferential surface of the crucible portion 210 and the inner circumferential surface of the connecting portion 220. The outer circumferential surface of the connecting portion 220 may be inserted in close contact with the inner circumferential surface.

한편 기판이 대형화되면서 기판처리면 전체에 대한 균일한 박막형성에 있어서 증발되는 증착물질의 증발방향이 중요한 요소이며 증착물질의 증발방향은 리니어소스(200)에 따라서 달라진다.Meanwhile, as the substrate is enlarged, the evaporation direction of the evaporation material is an important factor in forming a uniform thin film on the entire substrate processing surface, and the evaporation direction of the deposition material varies depending on the linear source 200.

이에, 본 발명에 따른 박막증착장치의 리니어소스(200)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 도가니부(210)를 포함하는 제1온도제어영역(310)과, 연결부(220)를 포함하며 제1온도제어영역(310)보다 온도가 높은 제2온도제어영역(320)과, 실린더부(230)를 포함하며 제2온도제어영역(320)보다 온도가 높은 제3온도제어영역(330)과, 복수의 노즐(240)들을 포함하며 제3온도제어영역(330)보다 온도가 높은 제4온도제어영역(340)으로 설정되며, 제1 내지 제4온도제어영역(310, 320, 330, 340)은, 독립적으로 제어되는 히터들(일부 미도시 미도시)이 각각 설치된다.Accordingly, the linear source 200 of the thin film deposition apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 3, includes a first temperature control region 310 including a crucible portion 210 and a connection portion 220. The third temperature control region 330 including a second temperature control region 320 having a higher temperature than the first temperature control region 310 and a cylinder portion 230 and having a higher temperature than the second temperature control region 320. And a fourth temperature control region 340 including a plurality of nozzles 240 and having a higher temperature than the third temperature control region 330, wherein the first to fourth temperature control regions 310, 320, 330, 340 is provided with heaters (some not shown) independently controlled.

여기서 상기 제1 내지 제4온도제어영역(310, 320, 330, 340)들에 설치되는 히터는, 가열방식에 따라서 코일구조, 판형구조 등 다양한 구조를 가질 수 있다.Here, the heaters installed in the first to fourth temperature control regions 310, 320, 330, and 340 may have various structures such as a coil structure and a plate shape according to a heating method.

특히 상기 제1 내지 제3온도제어영역(310, 320, 330)에 설치되는 히터는, 코일구조를 가지는 것이 바람직하며, 제4온도영역(340)에 설치되는 히터는, 도 2, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 판형구조를 가지는 히터(440)인 것이 바람직하다. 여기서 상기 제3온도제어영역(330)에 설치되는 히터는, 코일구조 또는 판형구조를 가질 수 있다.In particular, the heaters installed in the first to third temperature control regions 310, 320, and 330 preferably have a coil structure, and the heaters installed in the fourth temperature region 340 are illustrated in FIGS. As shown in Figure 5b, it is preferable that the heater 440 having a plate-like structure. Here, the heater installed in the third temperature control region 330 may have a coil structure or a plate shape.

구체적으로 상기 판형구조를 가지는 히터(440)는, 도 2, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 원통형 구조의 노즐(240)의 외주면을 감싸도록 설치되며 노즐(240)의 반원부분을 각각 감싸도록 서로 대향되어 설치되는 제1히터(441) 및 제2히터(442)를 포함할 수 있다.Specifically, the heater 440 having the plate-like structure, as shown in Figures 2, 5A and 5B, is installed to surround the outer peripheral surface of the nozzle 240 of the cylindrical structure and each of the semi-circular portion of the nozzle 240 It may include a first heater 441 and the second heater 442 are installed to face each other to wrap.

그리고 상기 제1히터(441) 및 제2히터(442)는, 복수의 노즐(240)들의 배치방향을 따라서 노즐(240)의 반원부분을 각각 감싸면서 서로 대향되어 설치될 수 있다.The first heater 441 and the second heater 442 may be installed to face each other while wrapping the semicircle portions of the nozzle 240 along the arrangement directions of the plurality of nozzles 240.

특히 상기 제1히터(441) 및 제2히터(442)는, 직류전원이 연결될 때 제1히터(441)의 +단자와 제2히터(442)의 -단자가 서로 대향되며, 제1히터(441)의 -단자와 제2히터(442)의 +단자가 서로 대향되는 것이 바람직하다.In particular, the first heater 441 and the second heater 442, the + terminal of the first heater 441 and the-terminal of the second heater 442 are opposed to each other when the DC power is connected, the first heater ( It is preferable that the negative terminal of 441 and the positive terminal of the second heater 442 face each other.

상기와 같이, 상기 제1히터(441) 및 제2히터(442)는, +단자 및 -단자가 서로 대향되면, 직류전원에 대한 상대위치에 따라서 전압강하에 따른 발열량의 차이를 상쇄시킬 수 있어 균일한 발열량 제어가 가능하다.As described above, when the + and-terminals face each other, the first heater 441 and the second heater 442 may offset the difference in the amount of heat generated by the voltage drop according to the relative position with respect to the DC power source. Uniform calorific value control is possible.

또한 상기 제4온도영역(340)에 설치되는 히터(440)는, 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 판형구조를 가질 때 그 발열량의 패턴변화를 위하여 하나 이상의 개구부(443)가 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIGS. 6A to 6C, when the heater 440 installed in the fourth temperature region 340 has a plate-like structure, one or more openings 443 may be formed to change the pattern of the calorific value. Can be.

구체적으로, 상기 제4온도영역(340)에 설치되는 히터(440), 특히 판형구조를 가지는 히터(440)는, 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 노즐(240)의 상하방향을 기준으로 상측, 중앙 및 하측 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 개구부(443)가 형성되어 개구부(443)가 형성된 부분에서 저항이 증가하여 발열량을 높일 수 있다.In detail, the heater 440 installed in the fourth temperature region 340, in particular, the heater 440 having a plate shape, is based on the vertical direction of the nozzle 240 as illustrated in FIGS. 6A to 6C. Accordingly, one or more openings 443 may be formed in at least one of the upper side, the center, and the lower side to increase resistance in the portion where the openings 443 are formed, thereby increasing the amount of heat generated.

상기 판형구조를 가지는 히터(440)는, 개구부(443)이 형성된 부분에서 전기 저항이 증가하여 발열량이 증가하여 해당 부분에서 다른 부분에 비하여 노즐(240)의 내주면에 존재하는 증착물질을 가열함으로써 증발시 운동에너지를 최대화할 수 있게 된다.The heater 440 having the plate-like structure is evaporated by heating the deposition material existing on the inner circumferential surface of the nozzle 240 compared to other portions in the portion where the electrical resistance increases due to the increase in electrical resistance in the portion where the opening 444 is formed. Can maximize the kinetic energy.

한편, 판형구조를 가지는 히터(440)에 형성되는 개구부(443)의 형성위치, 크기 등 개구부(443)의 구조는, 기판처리면에 대한 증착물질의 증발방향이 증착물질의 종류에 따라서 달라지는바 증착물질의 종류 및 개구부(443)의 크기, 형성위치가 실험적으로 선정될 수 있다.On the other hand, the structure of the opening 443, such as the formation position and size of the opening 443 formed in the heater 440 having a plate-shaped structure, the evaporation direction of the deposition material with respect to the substrate treatment surface varies depending on the type of deposition material. The type of deposition material, the size of the opening 443 and the formation position may be selected experimentally.

한편, 본 발명에 따른 리니어소스(200)는, 도가니부(210), 연결부(220), 실린더부(230) 및 노즐부(240)에 이르는 영역에서 온도가 순차적으로 상승됨으로써 증착물질이 액체상태로 도가니부(210), 연결부(220) 및 실린더부(230)를 거쳐 노즐(240)에 도달하며, 노즐(240)에서, 제4온도제어영역(340)에서 증착물질의 증발이 가능하도록 증착물질이 가장 높은 온도로 제어된다.On the other hand, in the linear source 200 according to the present invention, the temperature is sequentially raised in the region reaching the crucible portion 210, the connection portion 220, the cylinder portion 230 and the nozzle portion 240, the deposition material is in a liquid state The nozzle 240 reaches the nozzle 240 through the crucible part 210, the connection part 220, and the cylinder part 230, and is deposited in the nozzle 240 to enable evaporation of the deposition material in the fourth temperature control region 340. The material is controlled to the highest temperature.

또한 상기 제1온도제어영역(310)은, 제1온도제어영역(310) 내지 제4온도제어영역(340) 중에서 가장 낮은 온도, 단 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어됨이 바람직하다.In addition, the first temperature control region 310 is preferably controlled to the lowest temperature among the first temperature control region 310 to the fourth temperature control region 340, but higher than the vaporization temperature of the deposition material.

한편, 상기 제1온도제어영역(310)은, 인접한 제2온도제어영역(320)에 설치된 히터로부터 열이 전달되어 일부분, 특히 도가니부(210)의 상단부분에서의 온도제어가 원활하지 못하는 문제점이 있을 수 있다.On the other hand, the first temperature control region 310, the heat is transferred from the heater installed in the adjacent second temperature control region 320 is a problem, in particular, the temperature control in the upper portion of the crucible portion 210 is not smooth This can be.

이에, 상기 제1온도제어영역(310)은, 보다 원활한 온도제어를 위하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 도가니부(210)에 담긴 증착물질을 가열하기 위한 하나 이상의 히터(410)가 설치되며, 제2온도제어영역(320)에 설치된 히터(미도시)에 의하여 전달되는 열을 흡열하는 냉각부(490)가 설치될 수 있다.Thus, in order to smoothly control the temperature, the first temperature control region 310 is provided with at least one heater 410 for heating the deposition material contained in the crucible portion 210, as shown in FIG. In addition, a cooling unit 490 for absorbing heat transferred by a heater (not shown) installed in the second temperature control region 320 may be installed.

상기 히터(410)는, 도가니부(210)를 가열함으로써 도가니부(210)에 담긴 증착물질을 소정의 온도로 가열하는 구성으로 가열방식에 따라서 다양한 구조가 가능하다.The heater 410 is configured to heat the evaporation material contained in the crucible portion 210 to a predetermined temperature by heating the crucible portion 210. Various structures are possible according to a heating method.

상기 냉각부(490)는, 제2온도제어영역(320)에 설치된 히터(미도시)에 의하여 전달되는 열을 흡열하는 구성으로 냉각방식에 따라서 다양한 구조가 가능하다.The cooling unit 490 is configured to absorb heat transferred by a heater (not shown) installed in the second temperature control region 320, and thus may have various structures according to a cooling method.

일 예로서, 상기 냉각부(490)는, 냉매공급장치(미도시)와, 냉매공급장치와 연결되며 도가니부를(210) 감싸도록 설치된 냉매순환관(491)과, 냉매순환관(491)을 따라서 냉매가 흐르도록 하는 펌프(미도시)를 포함할 수 있다.For example, the cooling unit 490 may include a refrigerant supply pipe (not shown), a refrigerant circulation pipe 491 connected to the refrigerant supply device, and installed to surround the crucible portion 210, and a refrigerant circulation pipe 491. Therefore, it may include a pump (not shown) to allow the refrigerant to flow.

한편 상기 냉각부(490)는, 제2온도제어영역(320)에 설치된 히터(미도시)에 의하여 전달되는 열을 흡열하기 위하여 도가니부(210)의 하부보다 상부가 흡열량이 높도록 설치되는 것이 바람직하다.On the other hand, the cooling unit 490, the upper end than the lower portion of the crucible portion 210 in order to absorb heat transferred by a heater (not shown) installed in the second temperature control region 320 is installed to have a higher endothermic amount. desirable.

이를 위하여, 상기 냉매순환관(491)은 냉매가 도가니부(210)의 상측에서 유입되어 하측에서 냉매공급장치로 전달되도록 설치되는 것이 바람직하다.To this end, the refrigerant circulation pipe 491 is preferably installed so that the refrigerant is introduced from the upper side of the crucible portion 210 and delivered to the refrigerant supply device from the lower side.

더 나아가, 상기 냉매순환관(491)은 도가니부(210)를 감싸는 코일 구조를 가지며, 냉매순환관(491)의 코일구조의 상하방향의 피치가 도가니부(210)의 하부(P2)보다 상부(P1)가 더 작은 것이 바람직하다.Furthermore, the refrigerant circulation tube 491 has a coil structure surrounding the crucible portion 210, and the pitch of the coil structure of the refrigerant circulation tube 491 in the vertical direction is lower than that of the lower portion P 2 of the crucible portion 210. It is preferred that the upper portion P 1 is smaller.

한편 상기 제1온도제어영역(310)이 인접한 제2온도제어영역(320)에 설치된 히터로부터 열이 전달되어 일부분, 특히 도가니부(210)의 상단부분에서의 온도제어가 원활하지 못하는 문제점을 해결하기 위하여, 제1온도제어영역(310)은, 상하로 분할된 2개 이상의 서브분할온도제어영역(310)들을 포함할 수 있다.On the other hand, since the heat is transferred from the heater installed in the second temperature control region 320 adjacent to the first temperature control region 310, in particular, the temperature control in the upper portion of the crucible portion 210 is not solved. In order to do this, the first temperature control region 310 may include two or more sub-division temperature control regions 310 divided up and down.

여기서 상기 서브분할온도제어영역(310)들은, 독립적으로 온도제어가 가능한 하나 이상의 히터(미도시)가 설치될 수 있으며, 상측의 히터에 의한 열전달을 고려하여 상측에 위치된 서브분할온도제어영역(310)보다 낮은 온도로 제어됨이 바람직하다.Here, the sub-division temperature control regions 310 may be provided with one or more heaters (not shown) capable of independently controlling the temperature, and the sub-division temperature control region located at an upper side in consideration of heat transfer by an upper heater ( It is preferable to control to a temperature lower than 310).

여기서 보다 원활한 온도제어를 위하여, 상기 서브분할온도제어영역(310)들은, 히터 및 냉각장치가 설치될 수 있다.
Here, for smoother temperature control, the subdivision temperature control regions 310 may be provided with a heater and a cooling device.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has just been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, the present invention described above It will be said that both the technical idea and the technical idea which together with the base are included in the scope of the present invention.

100 : 공정챔버 200 : 리니어소스
210 : 도가니부 220 : 연결부
230 : 실린더부100: process chamber 200: linear source
210: crucible portion 220: connection portion
230: cylinder portion

Claims (12)

밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스를 포함하는 박막증착장치의 리니어소스로서,
상기 리니어소스는,
상기 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와;
상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와;
상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며,
상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치되며,
상기 제1온도제어영역은, 상기 도가니부에 담긴 증착물질을 가열하기 위한 하나 이상의 히터가 설치되며, 상기 제2온도제어영역에 설치된 히터에 의하여 전달되는 열을 흡열하는 냉각부가 설치되며,
상기 냉각부는, 상기 도가니부의 하부보다 상부가 흡열량이 높도록 설치된 것을 특징으로 하는 리니어소스.And a process chamber for forming a closed processing space, and a linear source disposed below the processing space to form a thin film on a substrate located above the processing space, and a linear source for heating and evaporating a deposition material. As a source,
The linear source,
A cylinder portion having a horizontal length parallel to the surface of the substrate and having a plurality of nozzles disposed thereon, the nozzles having a plurality of nozzles sprayed thereon and having an inner space therein;
At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part;
Is connected to the bottom of the connecting portion and includes a crucible portion containing a deposition material,
A first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region, and a second temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region. A third temperature control area and a fourth temperature control area including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control area,
The first to fourth temperature control region is controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material,
In the first to fourth temperature control region, the heaters are independently controlled, respectively,
The first temperature control region is provided with one or more heaters for heating the deposition material contained in the crucible portion, a cooling unit for absorbing heat transferred by the heater installed in the second temperature control region,
The cooling source is a linear source, characterized in that the upper end than the lower portion of the crucible portion is installed so that the heat absorbing amount. 삭제delete 삭제delete 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스를 포함하는 박막증착장치의 리니어소스로서,
상기 리니어소스는,
상기 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와;
상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와;
상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며,
상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치되며,
상기 제1온도제어영역은, 상기 도가니부에 담긴 증착물질을 가열하기 위한 하나 이상의 히터가 설치되며, 상기 제2온도제어영역에 설치된 히터에 의하여 전달되는 열을 흡열하는 냉각부가 설치되며,
상기 냉각부는,
냉매공급장치와, 상기 냉매공급장치와 연결되며 상기 도가니부를 감싸도록 설치된 냉매순환관과, 상기 냉매순환관을 따라서 냉매가 흐르도록 하는 펌프를 포함하며,
상기 냉매순환관은 냉매가 상기 도가니부의 상측에서 유입되어 하측에서 상기 냉매공급장치로 전달되도록 설치된 것을 특징으로 하는 리니어소스.And a process chamber for forming a closed processing space, and a linear source disposed below the processing space to form a thin film on a substrate located above the processing space, and a linear source for heating and evaporating a deposition material. As a source,
The linear source,
A cylinder portion having a horizontal length parallel to the surface of the substrate and having a plurality of nozzles disposed thereon, the nozzles having a plurality of nozzles sprayed thereon and having an inner space therein;
At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part;
Is connected to the bottom of the connecting portion and includes a crucible portion containing a deposition material,
A first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region, and a second temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region. A third temperature control area and a fourth temperature control area including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control area,
The first to fourth temperature control region is controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material,
In the first to fourth temperature control region, the heaters are independently controlled, respectively,
The first temperature control region is provided with one or more heaters for heating the deposition material contained in the crucible portion, a cooling unit for absorbing heat transferred by the heater installed in the second temperature control region,
The cooling unit,
A refrigerant supply device, a refrigerant circulation pipe connected to the refrigerant supply device and installed to surround the crucible portion, and a pump for allowing refrigerant to flow along the refrigerant circulation pipe,
The refrigerant circulation pipe is a linear source, characterized in that the refrigerant is introduced from the upper side of the crucible portion is installed to be delivered to the refrigerant supply device from the lower side. 청구항 4에 있어서,
상기 냉매순환관은 상기 도가니부를 감싸는 코일 구조를 가지며,
상기 냉매순환관의 코일구조의 상하방향의 피치가 상기 도가니부의 하부보다 상부가 더 작은 것을 특징으로 하는 리니어소스.The method according to claim 4,
The refrigerant circulation tube has a coil structure surrounding the crucible portion,
And a pitch in the vertical direction of the coil structure of the refrigerant circulation tube is smaller than the lower portion of the crucible portion. 청구항 1 및 청구항 4 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제3온도제어영역 및 상기 제4온도제어영역은, 코일구조 또는 판형구조의 히터가 설치된 것을 특징으로 하는 리니어소스.The method according to any one of claims 1 and 4 to 5,
The third temperature control region and the fourth temperature control region, the linear source, characterized in that the coil structure or a plate-shaped heater is installed. 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스를 포함하는 박막증착장치의 리니어소스로서,
상기 리니어소스는,
상기 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와;
상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와;
상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며,
상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치되며,
상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 원통형 구조의 상기 복수의 노즐들의 반원부분을 각각 감싸며 서로 대향되어 설치되는 제1히터 및 제2히터를 포함하며,
상기 제1히터 및 상기 제2히터는, 직류전원이 연결될 때 상기 제1히터의 +단자와 상기 제2히터의 -단자가 서로 대향되며, 상기 제1히터의 -단자와 상기 제2히터의 +단자가 서로 대향되는 것을 특징으로 하는 리니어소스.And a process chamber for forming a closed processing space, and a linear source disposed below the processing space to form a thin film on a substrate located above the processing space, and a linear source for heating and evaporating a deposition material. As a source,
The linear source,
A cylinder portion having a horizontal length parallel to the surface of the substrate and having a plurality of nozzles disposed thereon, the nozzles having a plurality of nozzles sprayed thereon and having an inner space therein;
At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part;
Is connected to the bottom of the connecting portion and includes a crucible portion containing a deposition material,
A first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region, and a second temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region. A third temperature control area and a fourth temperature control area including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control area,
The first to fourth temperature control region is controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material,
In the first to fourth temperature control region, the heaters are independently controlled, respectively,
The fourth temperature control region may include a first heater and a second heater in which a heater having a plate-shaped structure surrounds semicircular portions of the plurality of nozzles, respectively, and is installed to face each other.
The first heater and the second heater, the + terminal of the first heater and the-terminal of the second heater is opposed to each other when the DC power is connected, the-terminal of the first heater and the + of the second heater A linear source, wherein the terminals are opposed to each other. 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 리니어소스를 포함하는 박막증착장치의 리니어소스로서,
상기 리니어소스는,
상기 기판의 표면과 평행한 수평방향의 길이를 가지며 증착물질이 상측으로 분사되는 복수의 노즐들이 상측에 설치되며 내부공간를 가지는 실린더부와;
상기 내부공간과 연통되도록 상기 실린더부와 결합되며, 상기 실린더부의 하측으로 돌출되는 하나 이상의 연결부와;
상기 연결부의 하단에 연결되며 증착물질이 담기는 도가니부를 포함하며,
상기 도가니부를 포함하는 제1온도제어영역과, 상기 연결부를 포함하며 상기 제1온도제어영역보다 온도가 높은 제2온도제어영역과, 상기 실린더부를 포함하며 상기 제2온도제어영역보다 온도가 높은 제3온도제어영역과, 상기 복수의 노즐들을 포함하며 상기 제3온도제어영역보다 온도가 높은 제4온도제어영역으로 설정되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 상기 증착물질의 기화온도보다 높은 온도로 제어되며,
상기 제1 내지 제4온도제어영역은, 독립적으로 제어되는 히터들이 각각 설치되며,
상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 상기 노즐들의 외주면을 감싸도록 설치되며,
상기 판형구조를 가지는 히터는 상기 노즐의 상하방향을 기준으로 상측, 중앙 및 하측 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 개구부가 형성되어 상기 개구부가 형성된 부분에서 발열량을 높이는 것을 특징으로 하는 리니어소스.And a process chamber for forming a closed processing space, and a linear source installed under the processing space to form a thin film on a substrate positioned above the processing space and heating and evaporating a deposition material. As a source,
The linear source,
A cylinder portion having a horizontal length parallel to the surface of the substrate and having a plurality of nozzles disposed thereon, the nozzles having a plurality of nozzles sprayed thereon and having an inner space therein;
At least one connection part coupled to the cylinder part so as to communicate with the inner space and protruding downward of the cylinder part;
Is connected to the bottom of the connecting portion and includes a crucible portion containing a deposition material,
A first temperature control region including the crucible portion, a second temperature control region including the connection portion and having a higher temperature than the first temperature control region, and a second temperature control region including the cylinder portion and having a higher temperature than the second temperature control region. A third temperature control area and a fourth temperature control area including the plurality of nozzles and having a higher temperature than the third temperature control area,
The first to fourth temperature control region is controlled to a temperature higher than the vaporization temperature of the deposition material,
In the first to fourth temperature control region, the heaters are independently controlled, respectively,
The fourth temperature control region is provided so that the heater having a plate-shaped structure surrounds the outer circumferential surfaces of the nozzles.
The heater having the plate-shaped structure is a linear source, characterized in that at least one opening is formed in at least one of the upper side, the center and the lower side relative to the vertical direction of the nozzle to increase the amount of heat generated in the opening portion is formed. 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 상기 처리공간의 상측에 위치된 기판에 박막을 형성하도록 상기 처리공간의 하측에 설치되어 증착물질을 가열하여 증발시키는 청구항 1 및 청구항 4 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 따른 리니어소스를 포함하는 박막증착장치.Any one of claims 1 and 4 to 5, which is installed below the processing space to form a thin film on the substrate located above the processing space, and a process chamber for forming a closed processing space to heat and evaporate the deposition material. Thin film deposition apparatus comprising a linear source according to one term. 청구항 9에 있어서,
상기 제3온도제어영역 및 상기 제4온도제어영역은, 코일구조 또는 판형구조의 히터가 설치된 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 9,
The third temperature control region and the fourth temperature control region, the thin film deposition apparatus, characterized in that the coil structure or plate-shaped heater is installed. 청구항 9에 있어서,
상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 원통형 구조의 상기 복수의 노즐들의 반원부분을 각각 감싸며 서로 대향되어 설치되는 제1히터 및 제2히터를 포함하며,
상기 제1히터 및 상기 제2히터는, 직류전원이 연결될 때 상기 제1히터의 +단자와 상기 제2히터의 -단자가 서로 대향되며, 상기 제1히터의 -단자와 상기 제2히터의 +단자가 서로 대향되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 9,
The fourth temperature control region may include a first heater and a second heater in which a heater having a plate-shaped structure surrounds semicircular portions of the plurality of nozzles, respectively, and is installed to face each other.
The first heater and the second heater, the + terminal of the first heater and the-terminal of the second heater is opposed to each other when the DC power is connected, the-terminal of the first heater and the + of the second heater Thin film deposition apparatus, characterized in that the terminals are opposed to each other. 청구항 9에 있어서,
상기 제4온도제어영역은, 판형구조를 가지는 히터가 상기 노즐들의 외주면을 감싸도록 설치되며,
상기 판형구조를 가지는 히터는 상기 노즐의 상하방향을 기준으로 상측, 중앙 및 하측 중 적어도 어느 하나에 하나 이상의 개구부가 형성되어 상기 개구부가 형성된 부분에서 발열량을 높이는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method according to claim 9,
The fourth temperature control region is provided so that the heater having a plate-shaped structure surrounds the outer circumferential surfaces of the nozzles.
The heater having the plate-like structure is a thin film deposition apparatus, characterized in that at least one opening is formed in at least one of the upper side, the center and the lower side relative to the vertical direction of the nozzle to increase the amount of heat generated in the opening portion is formed.
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