KR20130045431A - Thin film deposition apparatus with improved deposition rate - Google Patents

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이재욱
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Abstract

PURPOSE: A thin film deposition apparatus with improved deposition efficiency is provided to vapor deposit a deposition material intensively on a substrate which maintains at an optimal temperature. CONSTITUTION: A thin film deposition apparatus with improved deposit efficiency comprises a deposition source(23), a temperature control unit(37), and a chamber(30). The deposition source stores a deposition source material(31) and discharges the deposition material on a substrate(21). The temperature control unit is installed in the periphery of the substrate. The chamber accommodates the disposition source and the temperature control unit.

Description

증착 효율이 개선된 박막 증착 장치{THIN FILM DEPOSITION APPARATUS WITH IMPROVED DEPOSITION RATE}Thin film deposition apparatus with improved deposition efficiency {THIN FILM DEPOSITION APPARATUS WITH IMPROVED DEPOSITION RATE}

본 발명은 증착 효율이 개선된 박막 증착 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판 또는 기판 주변의 온도를 적정 온도로 유지하는 온도조절부를 챔버 내에 설치함으로써, 증착 물질의 집중적 증착을 유도하고 증착면의 박막 균일도를 개선시키는 박막 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus having improved deposition efficiency, and more particularly, by installing a temperature control unit in a chamber that maintains a substrate or a temperature around the substrate at an appropriate temperature, inducing intensive deposition of a deposition material and forming a thin film on a deposition surface. A thin film deposition apparatus for improving uniformity.

일반적으로, 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes(OLED))는 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있는 자체 발광형 디스플레이 소자로서, 사진보다 선명한 화질에 사각이 거의 없고, 두께도 LCD에 비해 3분의 1로 줄일 수 있으며, 소비 전력이 낮고, 응답속도가 LCD의 1/1000 수준으로 빨라 고품질의 동영상을 구현할 수 있다. In general, organic light emitting diodes (OLEDs) are self-luminous display devices that are in the spotlight as next generation display devices, and have almost no blind spots in picture quality than pictures, and are one third of the thickness of LCDs. It can reduce the power consumption and the response speed is as fast as 1/1000 of LCD, so high quality video can be realized.

상기와 같은 특징을 갖는 유기발광소자는 양극으로부터 정공이 정공수송층(Hole Transfer Layer)으로 이동하고, 음극으로부터 전자가 전자수송층(Electron Transfer Layer)으로 이동한 후, 상기 정공수송층과 전자수송층 사이에 위치한 발광층(Light Emitting Layer)에서 상기 정공과 전자가 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정 파장의 빛이 발생한다. In the organic light emitting device having the above characteristics, holes move from a cathode to a hole transfer layer, electrons move from an anode to an electron transfer layer, and are located between the hole transport layer and the electron transport layer. In the light emitting layer, the holes and the electrons recombine to form excitons, and light having a specific wavelength is generated by energy from the formed excitons.

상기 정공수송층, 발광층, 전자수송층 등과 같은 유기 박막층은 일반적으로 고진공 챔버 내에서 도가니에 담긴 유기물을 증발시켜 증발된 유기물을 기판의 일면에 증착하여 형성한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 유기물을 저장하는 도가니와 이를 가열하는 히터 등의 가열수단으로 이루어진 증착원(13)에 유기물을 넣고 가열함으로써 증발된 유기물을 고진공 챔버 내의 기판(11)상에 증착시킨다. 그러나, 이러한 증착은 증발된 유기물의 자유운동으로 인한 랜덤한 증착으로서 높은 증착 효율을 얻기가 곤란하다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해, 큰 도가니를 이용하여 유기물의 증발량을 늘리거나, 다수의 노즐을 갖는 선형 또는 면 증착원을 이용하기도 하나, 유기물의 증발량을 일정하게 유지하기 어려워 기판의 중심부와 가장 자리의 박막 두께가 달라지는 문제가 발생한다. 특히, 최근의 대면적화된 기판에 대해서는 증착면의 박막 균일도(uniformity)가 더욱 떨어진다. 일반적으로 유기물의 증착 두께는 200~2000Å범위로 이루어져야 하고, 균일도가 5% 이하로 증착되어야 한다. The organic thin film layer such as the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer is generally formed by evaporating the organic material contained in the crucible in the high vacuum chamber by depositing the evaporated organic material on one surface of the substrate. As shown in FIG. 1, the organic substance is deposited on the substrate 11 in the high vacuum chamber by heating the organic substance in a deposition source 13 including a crucible for storing the organic substance and a heating means such as a heater for heating the organic substance. However, such deposition is a random deposition due to the free movement of the evaporated organics, making it difficult to obtain high deposition efficiency. In order to solve this problem, a large crucible may be used to increase the amount of evaporation of organic matter, or a linear or surface deposition source having a plurality of nozzles may be used, but it is difficult to maintain a constant amount of evaporation of organic matter. The problem arises that the thin film thickness of. In particular, thin film uniformity of the deposition surface is further degraded for the recent large area substrates. In general, the deposition thickness of the organic material should be in the range of 200 ~ 2000Å, uniformity should be deposited to 5% or less.

상기와 같은 종래기술이 안고 있는 문제점을 해소하기 위해, 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0024223호(2011.03.09)에 "증발 장치 및 이를 포함하는 진공 증착 장치" (특허문헌 1)가 개시되어 있다. 구체적으로, 특허문헌 1에는 도가니 덮개(320) 상에 차단판(360)을 마련하고, 차단판(360)의 표면 또는 내부에 냉각수 유로 등 냉각 수단을 설치하여 증착원으로부터 기판으로 전달되는 열을 차단하여, 기판에 증착되는 박막의 균일도를 높이고 유기물의 손실을 줄이고 있다(도 9, 단락번호 [0007], [0049], [0050] 참조). In order to solve the problems of the prior art as described above, the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0024223 (2011.03.09) "Evaporation apparatus and vacuum deposition apparatus including the same" (Patent Document 1) is disclosed have. Specifically, Patent Document 1 provides a blocking plate 360 on the crucible cover 320 and a cooling means such as a cooling water flow path on the surface or inside of the blocking plate 360 to provide heat transferred from the deposition source to the substrate. By blocking, increasing the uniformity of the thin film deposited on the substrate and reducing the loss of organic matter (see Fig. 9, paragraph numbers [0007], [0049], [0050]).

그러나, 특허문헌 1의 증착 장치는 증착원 주변의 온도를 낮춤으로써 유기물의 증발량이 감소하고, 증착 효율을 유지하기 위해 히터의 용량이 증대되어 균일한 온도 제어가 어려우며, 유기물이 원하는 양으로 제어되어 증발된다고 하더라도 차단판에 설치된 냉각 수단의 설치 및 제어가 쉽지 않다는 문제점을 안고 있다. However, in the deposition apparatus of Patent Document 1, the evaporation amount of the organic material is reduced by lowering the temperature around the deposition source, and the capacity of the heater is increased to maintain the deposition efficiency, making it difficult to control uniform temperature, and the organic material is controlled to the desired amount. Even if evaporated, there is a problem that the installation and control of the cooling means installed in the blocking plate is not easy.

한편, 대한민국 공개특허공보 제10-2007-0038640호(2007.04.11)에 "하향식 열적 유도 증착에 의한 선형의 대면적 유기소자양산장비" (특허문헌 2)가 개시되어 있다. 구체적으로, 특허문헌 2에는 금속기판(21)을 칠러(55)와 연결된 냉각장치(54)와 접촉하게 함으로써, 금속기판(21)의 열에너지를 뺏도록 하여 금속기판을 냉각시키고 있다 (도 8, 5페이지 두번째 단락 참조). Meanwhile, Korean Unexamined Patent Publication No. 10-2007-0038640 (April 11, 2007) discloses "Linear large-area organic device mass production equipment by a bottom-up thermal induction deposition" (Patent Document 2). Specifically, in Patent Document 2, the metal substrate 21 is brought into contact with the cooling device 54 connected to the chiller 55, thereby releasing heat energy of the metal substrate 21 to cool the metal substrate (Fig. 8, See second paragraph on page 5.)

그러나, 특허문헌 2의 증착 장치는 냉각 장치를 기판의 일부에 직접 접촉시킴으로써 기판의 온도 분포에 불균형을 가져와 기판 전체의 박막 균일도가 일정하지 않다는 문제점을 안고 있다. However, the vapor deposition apparatus of patent document 2 has the problem that unevenness of the temperature distribution of a board | substrate is brought about by making a cooling apparatus directly contact a part of board | substrate, and the uniformity of the thin film of the whole board | substrate is not constant.

1. 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0024223호(2011.03.09)1. Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0024223 (2011.03.09) 2. 대한민국 공개특허공보 제10-2007-0038640호(2007.04.11)2. Republic of Korea Patent Publication No. 10-2007-0038640 (2007.04.11)

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 적정 온도로 유지된 기판에 증착 물질이 집중적으로 증착될 수 있도록 유도함으로써 증착 효율이 개선된 박막 증착 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art, and to provide a thin film deposition apparatus having improved deposition efficiency by inducing a concentrated deposition of a deposition material on a substrate maintained at an appropriate temperature.

본 발명의 다른 목적은 증착면의 박막 균일도를 개선시키는 박막 증착 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus for improving the thin film uniformity of the deposition surface.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 증착 물질을 저장하고, 상기 증착 물질을 기판에 배출하는 적어도 하나 이상의 증착원; 상기 기판의 주변에 설치되어 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절하는 적어도 하나 이상의 온도조절부; 및 상기 증착원 및 온도조절부를 수용하는 적어도 하나 이상의 챔버를 포함하는 박막 증착 장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, at least one deposition source for storing the deposition material, and discharge the deposition material on a substrate; At least one temperature controller installed around the substrate to adjust the temperature of the substrate or the substrate; And at least one chamber accommodating the deposition source and the temperature control unit.

본 발명의 한 실시형태에 의하면, 상기 온도조절부는 기판의 주변에 위치하는 냉온판; 및 상기 냉온판의 온도를 제어하는 온도제어유닛을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 증착원은 상기 챔버의 하면에 위치하고, 상기 냉온판은 상기 챔버의 상면에 위치하되, 상기 기판은 상기 증착원과 상기 냉온판 사이에 배치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the temperature control unit comprises a cold and hot plate located around the substrate; And a temperature control unit for controlling the temperature of the cold plate, wherein the deposition source is located on a lower surface of the chamber, and the cold plate is located on an upper surface of the chamber, wherein the substrate is connected to the deposition source. It may be disposed between the cold plate.

상기 냉온판은 상기 챔버의 상면의 면적 또는 기판의 면적에 대응되는 면적을 갖도록 설치되거나, 상기 챔버 또는 기판의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치될 수 있으며, 상기 증착원은 상기 냉온판에 대응되는 수만큼 구비될 수 있다. The cold plate may be installed to have an area corresponding to the area of the upper surface of the chamber or the area of the substrate, or may be installed to have a length corresponding to the horizontal length or vertical length of the chamber or the substrate, the deposition source is the cold temperature The number corresponding to the plate may be provided.

상기 박막 증착 장치에서, 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 내릴 때는 상기 온도제어유닛으로 상기 냉온판을 냉각하고, 상기 기판 또는 기판의 주변 온도를 올릴 때는 상기 챔버 내부의 분위기 온도를 이용하거나 상기 온도제어유닛으로 상기 냉온판을 가열할 수 있다. In the thin film deposition apparatus, the temperature control unit cools the cold plate when the temperature is lowered around the substrate or the substrate, and when the ambient temperature of the substrate or the substrate is raised, use the ambient temperature inside the chamber or control the temperature. The cold plate may be heated by a unit.

본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 상기 냉온판은 다수의 유닛으로 구성되어 유닛마다 온도 조절이 가능하다. According to another embodiment of the present invention, the cold plate is composed of a plurality of units, the temperature can be adjusted for each unit.

상기 박막 증착 장치는 상기 온도조절부를 통해 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 70℃ 이하로 유지할 수 있다. The thin film deposition apparatus may maintain the temperature of the substrate or the substrate periphery at 70 ° C. or less through the temperature controller.

본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 박막 증착 장치는 상기 챔버 내에 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 감지하는 적어도 하나 이상의 온도감지센서를 추가로 포함할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the thin film deposition apparatus may further include at least one temperature sensor in the chamber to sense the temperature of the substrate or the surroundings of the substrate.

본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 박막 증착 장치는 상기 증착원에 연결되어 다수의 노즐을 구비하며, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출되는 적어도 하나 이상의 노즐부를 추가로 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 노즐부는 상기 기판에 대한 거리 조절이 가능하다. According to another embodiment of the present invention, the thin film deposition apparatus includes a plurality of nozzles connected to the deposition source, and further includes at least one nozzle portion discharged through the plurality of nozzles when the deposition material is discharged. In this case, the nozzle unit can adjust the distance to the substrate.

본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 박막 증착 장치는 상기 증착원에 연결되어 다수의 노즐을 구비하며, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출되는 적어도 하나 이상의 노즐부를 추가로 포함하되, 상기 냉온판은 상기 노즐부의 가로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치될 수 있으며, 이 경우 상기 노즐부는 상기 기판에 대한 거리 조절이 가능하다. According to another embodiment of the present invention, the thin film deposition apparatus includes a plurality of nozzles connected to the deposition source, and further includes at least one nozzle portion discharged through the plurality of nozzles when the deposition material is discharged. However, the cold plate may be installed to have a length corresponding to the horizontal length of the nozzle portion, in this case, the nozzle portion is possible to adjust the distance to the substrate.

본 발명의 또 다른 실시형태에 의하면, 박막 증착 장치는 상기 챔버가 2개 이상일 때, 각각의 챔버가 서로 연속적으로 연결되어 구성된 인라인(inline) 방식일 수 있으며, 각 챔버에는 상기 증착원 및 냉온판이 각각 하나씩 수용되며, 상기 각 챔버의 증착원에는 서로 다른 증착 물질이 저장될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the thin film deposition apparatus may be an inline method in which each chamber is continuously connected to each other when two or more chambers are provided, and each chamber may include the deposition source and the cold plate. Each one is accommodated, different deposition materials may be stored in the deposition source of each chamber.

상기와 같이 이루어진 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 적어도 하나 이상의 온도조절부를 통해 기판 또는 기판 주변의 온도 상승을 방지하고 적정 온도로 유지함으로써 기판에 증착 물질이 집중적으로 증착될 수 있도록 유도하여 증착 효율을 개선한다. Thin film deposition apparatus according to the present invention made as described above to prevent the temperature rise around the substrate or the substrate through at least one or more temperature control unit to maintain a proper temperature to induce the deposition material to be concentrated on the substrate to increase the deposition efficiency Improve.

또한, 증착 물질의 사용량을 증대시켜 증착 물질의 손실을 줄일 수 있으며, 증착면의 박막 균일도를 개선시켜 대면적 기판에 대응할 수 있다. In addition, it is possible to reduce the loss of the deposition material by increasing the amount of the deposition material, and to improve the uniformity of the thin film on the deposition surface to cope with a large area substrate.

도 1은 종래의 박막 증착 장치를 설명하는 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 박막 증착 장치를 설명하는 개념도이다.
도 3은 본 발명에 따른 박막 증착 장치의 챔버 내부의 일예를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 박막 증착 장치의 온도조절부의 일예를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 박막 증착 장치의 온도조절부의 또 다른 일예를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 인라인 방식의 박막 증착 장치를 설명하는 개념도이다.
1 is a conceptual diagram illustrating a conventional thin film deposition apparatus.
2 is a conceptual diagram illustrating a thin film deposition apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing an example inside the chamber of the thin film deposition apparatus according to the present invention.
4 is a plan view showing an example of a temperature control unit of the thin film deposition apparatus according to the present invention.
5 is a plan view showing another example of the temperature control unit of the thin film deposition apparatus according to the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating an inline thin film deposition apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 증착 효율이 개선된 박막 증착 장치를 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a thin film deposition apparatus having improved deposition efficiency according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited thereto.

본 발명에 따른 박막 증착 장치의 기술적 특징은 도 2에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 냉온판(25)을 포함하는 온도조절부를 기판(21) 주변에 설치하여 기판 또는 기판 주변의 온도 상승으로 인한 증착 효율이 떨어지는 것을 방지하는 것에 있다. 종래에는 도 1에 나타낸 바와 같이, 증발된 유기물의 랜덤한 증착으로 인해 높은 증착 효율을 얻기가 곤란하였으나, 본 발명에 의하면 기판 또는 기판 주변의 온도를 적정 온도로 유지함으로써 기판에 증착 물질이 집중적으로 증착될 수 있도록 유도하여 증착 효율을 개선할 수 있다. 또한, 증착 물질의 사용량을 증대시켜 증착 물질의 손실을 줄일 수 있으며, 증착면의 박막 균일도를 개선시켜 대면적 기판에 대응할 수 있다. Technical features of the thin film deposition apparatus according to the present invention, as shown in Figure 2, for example, by installing a temperature control unit including a cold plate 25 around the substrate 21, the deposition due to the temperature rise around the substrate or the substrate It is to prevent efficiency from falling. In the related art, as shown in FIG. 1, it is difficult to obtain high deposition efficiency due to random deposition of evaporated organic materials. It can be induced to be deposited to improve the deposition efficiency. In addition, it is possible to reduce the loss of the deposition material by increasing the amount of the deposition material, and to improve the uniformity of the thin film on the deposition surface to cope with a large area substrate.

보다 구체적으로, 본 발명의 한 실시형태에 따른 박막 증착 장치는 도 3에 나타낸 바와 같이, 내부의 도가니에 저장된 증착 물질(31)을 가열 증발시키고 패턴이 형성된 마스크(22)를 거쳐 기판(21)에 배출하는 증착원(23); 기판(21) 상부에 위치하여 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절하는 냉온판(25); 저장된 냉각수 또는 열수를 상기 냉온판(25)에 공급하는 저장탱크(35)와 냉각수 또는 열수의 공급량을 조절하는 조절밸브(34) 및 냉각수 또는 열수의 유로인 공급관(32)과 회수관(33); 기판 또는 기판 주변의 온도를 감지하는 온도감지센서(36); 상기 저장탱크(35)에 저장된 물을 냉각 또는 가열하여 냉온판(25)의 온도를 제어하는 온도제어유닛(37); 및 고진공 챔버(30)로 구성된다. More specifically, the thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention heat evaporates the deposition material 31 stored in the crucible therein as shown in FIG. 3, and passes the substrate 21 through a patterned mask 22. A deposition source 23 discharged to the; Located on the substrate 21, the cold or hot plate 25 for controlling the temperature of the substrate or the periphery of the substrate; The storage tank 35 for supplying the stored coolant or hot water to the cold plate 25, the control valve 34 for controlling the supply amount of the coolant or hot water, and the supply pipe 32 and the recovery pipe 33, which are channels of the coolant or hot water. ; A temperature sensor 36 for sensing a temperature around the substrate or the substrate; A temperature control unit 37 for controlling the temperature of the cold plate 25 by cooling or heating the water stored in the storage tank 35; And a high vacuum chamber 30.

상기 냉온판(25)은 기판(21)의 면적에 대응되는 면적을 갖도록 설치되어 있으나, 챔버(30) 상면의 면적에 대응되는 면적을 갖도록 설치되어 기판의 가장 자리 주변도 적정 온도로 유지될 수 있도록 변경할 수도 있다. 또한, 상기 냉온판(25)을 기판(21) 또는 챔버(30)의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치함으로써, 컨베이어 등을 통해 이동 중인 기판 또는 기판의 주변 온도를 조절하여, 온도조절부의 설치 및 관리 효율을 극대화시킬 수도 있다. The cold plate 25 is installed to have an area corresponding to the area of the substrate 21, but is installed to have an area corresponding to the area of the upper surface of the chamber 30 can also be maintained at an appropriate temperature around the edge of the substrate You can change it to do so. In addition, by installing the cold plate 25 to have a length corresponding to the horizontal length or vertical length of the substrate 21 or the chamber 30, by controlling the ambient temperature of the substrate or the substrate moving through the conveyor, temperature, It is also possible to maximize the efficiency of installation and management of the control unit.

구체적으로, 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 4.5세대(730×920mm) 이상, 바람직하게는 5.5세대(1300×1500mm) 이상, 보다 바람직하게는 8세대(2200×2500mm) 이상의 대형 기판에도 대응하여 사용할 수 있으므로, 상기 냉온판(25)은 이러한 기판의 면적 또는 길이에 대응되도록 설치할 수 있다. 챔버(30)의 크기는 챔버 내에 수용되는 기판의 크기 및 수에 따라 적절히 설계할 수 있으며, 상기 냉온판(25)은 이러한 챔버 상면의 면적 또는 길이에 대응되도록 설치할 수 있다. 냉온판의 형상은 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절할 수 있는 것이라면 제한이 없으며, 구체적으로 플레이트 형상이나 원통 형상을 가질 수 있다. Specifically, the thin film deposition apparatus according to the present invention can be used correspondingly to a large substrate of 4.5 generations (730 × 920 mm) or more, preferably 5.5 generations (1300 × 1500 mm) or more, and more preferably 8 generations (2200 × 2500 mm) or more. As such, the cold plate 25 may be installed to correspond to the area or length of the substrate. The size of the chamber 30 may be appropriately designed according to the size and number of substrates accommodated in the chamber, and the cold plate 25 may be installed to correspond to the area or length of the upper surface of the chamber. The shape of the cold plate is not limited as long as it can adjust the temperature of the substrate or the periphery of the substrate, and specifically, may have a plate shape or a cylindrical shape.

한편, 상기 증착원(23)에는 다수의 노즐(24)을 구비한 노즐부가 연결되어, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출함으로써 증착 물질의 사용효율을 높일 수 있다. 또한, 상기 냉온판(25)은 상기 노즐부의 가로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치하여 증착면의 기판 또는 기판 주변의 온도 조절을 보다 효과적으로 제어할 수도 있다. 상기 노즐부는 기판에 대한 거리 조절이 가능하게 변경하여 노즐부와 기판과의 높이 조절을 통해 증착 효율 및 박막 균일도를 높일 수도 있다. On the other hand, the nozzle source having a plurality of nozzles 24 is connected to the deposition source 23, when the deposition material is discharged through the plurality of nozzles can be used to increase the use efficiency of the deposition material. In addition, the cold plate 25 may be installed to have a length corresponding to the horizontal length of the nozzle portion to more effectively control the temperature control of the substrate or the substrate around the deposition surface. The nozzle unit may be changed to adjust the distance to the substrate to increase the deposition efficiency and the film uniformity by adjusting the height of the nozzle unit and the substrate.

상기 증착원(23)은 하나의 도가니로 이루어질 수도 있으나, 냉온판(25)에 대응되는 수만큼 다수 구비할 수도 있다. 또한, 다수의 노즐을 갖는 노즐부를 통해 선형 또는 면 증착원의 형태로 구성하여 기판의 대형화에 대응할 수도 있다. The deposition source 23 may be formed of a single crucible, but may be provided as many as the number corresponding to the cold plate 25. In addition, it may be configured in the form of a linear or surface deposition source through a nozzle unit having a plurality of nozzles to cope with the increase in size of the substrate.

상기 온도감지센서(36)는 기판 또는 기판 주변의 온도를 감지하고, 이에 따라 온도조절부의 온도제어유닛(37)은 상기 기판 또는 기판 주변의 온도가 기준 온도 범위를 벗어나면, 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 기준 온도 범위가 되도록 냉온판(25)을 제어한다. 기판에 집중적인 증착을 유도하기 위해서는 기판 또는 기판 주변의 온도를 70℃ 이하로 유지하는 것이 바람직하다. 기판 또는 기판 주변의 온도가 70℃를 넘게 되면 증발된 유기물의 랜덤 운동이 증가하여 기판의 집중적 증착이 어려워지고 박막 균일도도 떨어지게 된다. 한편, 챔버 내에 다수의 온도감지센서(36)를 설치하여 기판 중심부와 가장 자리의 온도를 별도로 측정함으로써 다수의 구획을 갖는 냉온판에 대응할 수도 있다. The temperature sensor 36 detects a temperature around the substrate or the substrate, and accordingly, the temperature control unit 37 of the temperature controller is configured such that the temperature around the substrate or the substrate is outside the reference temperature range. The cold plate 25 is controlled so that the temperature is within the reference temperature range. In order to induce intensive deposition on the substrate, it is desirable to maintain the temperature of the substrate or the surroundings of the substrate at 70 ° C or lower. When the temperature around the substrate or the substrate exceeds 70 ℃, the random movement of the evaporated organic matter increases, making it difficult to concentrate the deposition of the substrate and the thin film uniformity. On the other hand, by installing a plurality of temperature sensor 36 in the chamber to measure the temperature of the center and the edge of the substrate separately may correspond to the cold plate having a plurality of compartments.

본 발명에 따른 온도조절부는 도 4에 나타낸 바와 같이, 저장탱크(41), 공급관(42), 회수관(43), 조절밸브(44), 냉온판(45) 및 온도제어유닛(46)으로 구성될 수 있다. 상기 냉온판(45)는 내부에 구획이 없는 단일 구조로 구성되어 있으나, 도 5에 나타낸 바와 같이, 냉온판(55)을 기판의 중심부(55a)와 양 가장 자리(55b)에 대응하는 세 개의 구획으로 나누어 별도로 냉각수 또는 열수를 공급 관리할 수도 있다. 이 경우, 기판의 가장 자리가 중심부에 비해 증착 효율이 떨어지는 경우, 기판 전체에 균일한 박막이 형성될 수 있도록 기판 가장 자리 또는 중심부의 냉각수 또는 열수 공급을 적절히 조절할 수 있다. 한편, 상기 냉각수 또는 열수 대신에 냉각 또는 가열된 공기를 이용함으로써 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절할 수도 있다. 또한, 기판 또는 기판 주변의 온도를 올릴 때는 상기 온도조절부를 이용하지 않고 챔버 내부의 분위기 온도를 이용할 수도 있다. As shown in FIG. 4, the temperature control unit according to the present invention includes a storage tank 41, a supply pipe 42, a recovery pipe 43, a control valve 44, a cold plate 45, and a temperature control unit 46. Can be configured. The cold plate 45 has a single structure having no compartment therein, but as shown in FIG. 5, the cold plate 55 has three portions corresponding to the central portion 55a and both edges 55b of the substrate. It may be divided into compartments to separately supply and control cooling water or hot water. In this case, when the deposition efficiency of the substrate is lower than that of the center portion, the cooling water or the hot water supply of the substrate edge or the center portion may be appropriately adjusted so that a uniform thin film may be formed on the entire substrate. On the other hand, by using the cooled or heated air instead of the cooling water or hot water it is also possible to adjust the temperature of the substrate or the substrate surroundings. In addition, when raising the temperature of the substrate or the periphery of the substrate, the atmosphere temperature inside the chamber may be used without using the temperature control unit.

본 발명에 따른 냉온판은 기판 또는 기판 주변의 온도를 효율적으로 조절하여 증착 효율 및 박막 균일도를 개선시키는 것이라면, 구체적인 챔버 내 위치에는 제한이 없다. 즉, 상기 온도조절부를 구성하는 냉온판은 상향식, 하향식 또는 수직형의 증착 방식에 따라 기판의 수평면과 마주하되 증착원이 위치하지 않는 면에 설치할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 박막 증착 장치는 증착원이 챔버의 하면에 위치하고, 냉온판이 챔버의 상면에 위치하되, 상기 기판이 상기 증착원과 냉온판 사이에 배치되는 상향식의 구조를 갖는다. If the cold plate according to the present invention is to improve the deposition efficiency and the thin film uniformity by efficiently controlling the temperature of the substrate or the substrate surroundings, there is no limitation in the specific chamber position. That is, the cold plate constituting the temperature control unit may be installed on the surface facing the horizontal surface of the substrate according to the bottom-up, top-down or vertical deposition method, but the deposition source is not located. Preferably, the thin film deposition apparatus according to the present invention has a bottom-up structure in which the deposition source is located on the lower surface of the chamber and the cold plate is located on the upper surface of the chamber, and the substrate is disposed between the deposition source and the cold plate.

본 발명에 따른 박막 증착 장치에서, 하나의 챔버 내에는 증착 물질을 저장하고 이를 기판에 배출하는 적어도 하나 이상의 증착원; 상기 기판의 주변에 설치되어 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절하는 적어도 하나 이상의 온도조절부; 및 상기 증착원에 연결되어 다수의 노즐을 구비하며, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출되는 적어도 하나 이상의 노즐부가 수용될 수 있다. 하나의 챔버에 수용되는 증착원, 온도조절부 및 노즐부의 개수는 구체적으로 제한되지 않으며, 상기 기판의 면적, 노즐의 분사면적, 노즐의 수 등을 고려하여 서로 간의 설치 간격을 결정하면 된다. 즉, 기판 또는 기판 주변의 온도 상승을 방지하고 적정 온도로 유지함으로써 기판에 증착 물질이 집중적으로 증착될 수 있도록 유도하여 증착 효율을 개선할 수 있다면 생산효율 및 제조비용을 고려하여 적절한 수로 설치할 수 있다. 구체적으로, 하나의 챔버에 수용되는 냉온판이 2개 이상일때, 증착원은 상기 냉온판에 대응되는 수만큼 구비될 수 있으며, 상기 증착원 각각에는 서로 다른 증착 물질이 저장될 수 있다.In the thin film deposition apparatus according to the present invention, at least one deposition source for storing and discharging the deposition material in one chamber; At least one temperature controller installed around the substrate to adjust the temperature of the substrate or the substrate; And a plurality of nozzles connected to the deposition source, and at least one nozzle unit discharged through the plurality of nozzles when the deposition material is discharged may be accommodated. The number of deposition sources, temperature controllers, and nozzles accommodated in one chamber is not particularly limited, and the installation intervals may be determined in consideration of the area of the substrate, the spray area of the nozzles, the number of nozzles, and the like. That is, if the deposition efficiency can be improved by inducing the deposition material to be concentrated on the substrate by preventing the rise of the temperature of the substrate or the surroundings of the substrate and maintaining the proper temperature, it can be installed in an appropriate number considering the production efficiency and manufacturing cost. . Specifically, when there are two or more cold plates accommodated in one chamber, the deposition sources may be provided in a number corresponding to the cold plates, and different deposition materials may be stored in each of the deposition sources.

본 발명에 따른 박막 증착 장치는 도 6에 나타낸 바와 같이, 챔버가 2개 이상일 때, 각각의 챔버가 서로 연속적으로 연결되어 구성된 인라인(inline) 방식일 수 있다. 인라인 방식은 생산효율이 높고 대면적 기판에 용이하게 대응한다. 특히, 본 발명에 따른 인라인 방식의 박막 증착 장치에서, 각 챔버에 증착원 및 온도조절부가 각각 하나씩 수용되며, 상기 각 챔버의 증착원에 서로 다른 증착 물질이 저장되는 경우가 보다 바람직하다. 한편, 상기 박막 증착 장치는 단일 챔버로 구성될 수도 있으며, 중앙 챔버에 오각형 또는 육각형 형태로 다른 챔버들이 붙어 기판을 하나씩 번갈아 증착하는 클러스터(cluster) 방식으로 구성될 수도 있다. As illustrated in FIG. 6, the thin film deposition apparatus according to the present invention may have an inline method in which two chambers are continuously connected to each other. The in-line method has high production efficiency and easily copes with large area substrates. In particular, in the in-line type thin film deposition apparatus according to the present invention, it is more preferable that one deposition source and one temperature control unit are accommodated in each chamber, and different deposition materials are stored in the deposition source of each chamber. The thin film deposition apparatus may be configured as a single chamber, or may be configured in a cluster manner in which different chambers are attached to the central chamber in the form of a pentagon or a hexagon to alternately deposit the substrates one by one.

본 발명에 따른 박막 증착 장치는 유기발광소자 제조용 박막 증착 장치인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 박막 증착 장치를 사용하는 것을 제외하면, 통상적인 제조방법에 따라 유기발광소자를 제조할 수 있다. 구체적인 일 예를 들면, 세정된 유리기판에 ITO와 금속막을 스퍼터링 방법으로 증착한 후, 사진식각 공정을 이용하여 패턴하고 차례대로 식각하여 양극을 형성한다. 절연층을 증착하고 사진식각 공정을 이용하여 패턴하고 식각한 후, 쉐도우 마스크를 이용하여 음극분리 격벽을 형성한다. 그 후, 유기발광소자의 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 형성하는 각각의 유기물을, 본 발명에 따른 박막 증착 장치의 고진공 챔버 내 도가니에 넣고 증착원 내 히터를 이용하여 유기물을 증발시켜 증발된 유기물을 기판의 일면에 증착함으로써 상기 유기물층을 차례대로 하나씩 형성한다. 이 때, 온도조절부를 통해 기판 또는 기판 주변의 온도 상승을 방지하고 적정 온도로 유지함으로써 기판에 유기물이 집중적으로 증착될 수 있도록 유도하여 증착 효율을 개선한다. 상기 유기물층을 형성한 후, 쉐도우 마스크를 이용하여 금속막을 증착하여 음극을 형성하고, 봉지과정을 거쳐 유기발광소자를 완성한다. The thin film deposition apparatus according to the present invention is preferably a thin film deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting device. Except for using the thin film deposition apparatus according to the present invention, it is possible to manufacture an organic light emitting device according to a conventional manufacturing method. For example, ITO and a metal film are deposited on the cleaned glass substrate by a sputtering method, and then patterned and etched sequentially using a photolithography process to form an anode. After the insulating layer is deposited, patterned and etched using a photolithography process, a cathode separation partition is formed using a shadow mask. Then, each organic material forming the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer of the organic light emitting device is put in a crucible in a high vacuum chamber of the thin film deposition apparatus according to the present invention, and the organic material is evaporated by evaporating the organic material using a heater in the deposition source. Is deposited on one surface of the substrate to form the organic layers one by one. At this time, the temperature control unit prevents the temperature rise around the substrate or the substrate and maintains the proper temperature to induce the organic material to be concentrated on the substrate to improve the deposition efficiency. After the organic material layer is formed, a metal film is deposited using a shadow mask to form a cathode, and an organic light emitting device is completed through an encapsulation process.

21: 기판 22: 마스크
23: 증착원 24: 노즐
25: 냉온판 30: 챔버
31: 증착 물질 32: 공급관
33: 회수관 34: 조절밸브
35: 저장탱크 36: 온도감지센서
37: 온도제어유닛
21: substrate 22: mask
23: vapor deposition source 24: nozzle
25: cold plate 30: chamber
31: deposition material 32: supply pipe
33: recovery pipe 34: control valve
35: storage tank 36: temperature sensor
37: temperature control unit

Claims (19)

증착 물질을 저장하고, 상기 증착 물질을 기판에 배출하는 적어도 하나 이상의 증착원;
상기 기판의 주변에 설치되어 기판 또는 기판 주변의 온도를 조절하는 적어도 하나 이상의 온도조절부; 및
상기 증착원 및 온도조절부를 수용하는 적어도 하나 이상의 챔버를 포함하는 박막 증착 장치.
At least one deposition source for storing deposition material and discharging the deposition material to a substrate;
At least one temperature controller installed around the substrate to adjust the temperature of the substrate or the substrate; And
Thin film deposition apparatus comprising at least one chamber for receiving the deposition source and the temperature control unit.
제 1 항에 있어서,
상기 온도조절부는 기판의 주변에 위치하는 냉온판; 및 상기 냉온판의 온도를 제어하는 온도제어유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method of claim 1,
The temperature control unit is a cold hot plate located around the substrate; And a temperature control unit for controlling the temperature of the cold plate.
제 2 항에 있어서,
상기 증착원은 상기 챔버의 하면에 위치하고, 상기 냉온판은 상기 챔버의 상면에 위치하되,
상기 기판은 상기 증착원과 상기 냉온판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method of claim 2,
The deposition source is located on the lower surface of the chamber, the cold plate is located on the upper surface of the chamber,
And the substrate is disposed between the deposition source and the cold plate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 냉온판은 상기 챔버의 상면의 면적에 대응되는 면적을 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And the cold plate is installed to have an area corresponding to the area of the upper surface of the chamber.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 냉온판은 상기 챔버의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
The cold plate is a thin film deposition apparatus, characterized in that installed to have a length corresponding to the horizontal length or vertical length of the chamber.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 냉온판은 상기 기판의 면적에 대응되는 면적을 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And the cold plate is installed to have an area corresponding to that of the substrate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 냉온판은 상기 기판의 가로 길이 또는 세로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
The cold plate is a thin film deposition apparatus, characterized in that installed to have a length corresponding to the horizontal length or vertical length of the substrate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 증착원은 상기 냉온판에 대응되는 수만큼 구비되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
The deposition source is a thin film deposition apparatus, characterized in that provided with a number corresponding to the cold plate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 내릴 때는 상기 온도제어유닛으로 상기 냉온판을 냉각하고, 상기 기판 또는 기판의 주변 온도를 올릴 때는 상기 챔버 내부의 분위기 온도를 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And the temperature control unit cools the cold plate when the temperature is lowered around the substrate or the substrate, and uses an ambient temperature inside the chamber when raising the ambient temperature of the substrate or the substrate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 내릴 때는 상기 온도제어유닛으로 상기 냉온판을 냉각하고, 상기 기판 주변의 온도를 올릴 때는 상기 온도제어유닛으로 상기 냉온판을 가열하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
And the temperature control unit cools the cold and hot plates when the temperature around the substrate or the substrate is lowered, and heats the cold and hot plates with the temperature control unit when the temperature around the substrate is raised.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서
상기 냉온판은 다수의 유닛으로 구성되어 유닛마다 온도 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3
The cold plate is composed of a plurality of units thin film deposition apparatus, characterized in that the temperature can be adjusted for each unit.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 온도조절부를 통해 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 70℃ 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Thin film deposition apparatus, characterized in that for maintaining the temperature of the substrate or the substrate surrounding the substrate through the temperature control unit 70 ℃ or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 챔버 내에 상기 기판 또는 기판 주변의 온도를 감지하는 적어도 하나 이상의 온도감지센서를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Thin film deposition apparatus further comprises at least one temperature sensor in the chamber to sense the temperature of the substrate or around the substrate.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착원에 연결되어 다수의 노즐을 구비하며, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출되는 적어도 하나 이상의 노즐부를 추가로 포함하는 박막 증착 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And a plurality of nozzles connected to the deposition source, and further comprising at least one nozzle unit discharged through the plurality of nozzles when the deposition material is discharged.
제 14 항에 있어서,
상기 노즐부는 상기 기판에 대한 거리 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
15. The method of claim 14,
The nozzle unit is a thin film deposition apparatus, characterized in that for controlling the distance to the substrate.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 증착원에 연결되어 다수의 노즐을 구비하며, 상기 증착 물질이 배출될 때 상기 다수의 노즐을 통해서 배출되는 적어도 하나 이상의 노즐부를 추가로 포함하되,
상기 냉온판은 상기 노즐부의 가로 길이에 대응되는 길이를 갖도록 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to claim 2 or 3,
Is provided with a plurality of nozzles connected to the deposition source, and further comprises at least one nozzle portion discharged through the plurality of nozzles when the deposition material is discharged,
And the cold plate is installed to have a length corresponding to the horizontal length of the nozzle unit.
제 16 항에 있어서,
상기 노즐부는 상기 기판에 대한 거리 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
17. The method of claim 16,
The nozzle unit is a thin film deposition apparatus, characterized in that for controlling the distance to the substrate.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 챔버가 2개 이상일 때, 각각의 챔버가 서로 연속적으로 연결되어 구성된 인라인(inline) 방식인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And at least two chambers, each chamber being connected in series to each other in a thin film deposition apparatus, characterized in that the inline (inline) method.
제 18 항에 있어서,
각 챔버에는 상기 증착원 및 냉온판이 각각 하나씩 수용되며, 상기 각 챔버의 증착원에는 서로 다른 증착 물질이 저장되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method of claim 18,
The deposition source and the cold plate is accommodated one by one in each chamber, the thin film deposition apparatus, characterized in that different deposition materials are stored in the deposition source of each chamber.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170064753A (en) * 2015-12-02 2017-06-12 세메스 주식회사 Apparatus of manufacturing display cells and method of controlling temperature thereof
KR20190127258A (en) * 2018-05-04 2019-11-13 주식회사 야스 Multipurpose Deposit System with Surface Evaporator
KR20200069276A (en) * 2020-06-08 2020-06-16 주식회사 야스 Multipurpose Deposit System with Surface Evaporator
CN118166331A (en) * 2024-05-14 2024-06-11 龙焱能源科技(杭州)有限公司 Continuous deposition device and continuous deposition system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102080764B1 (en) * 2014-07-11 2020-02-24 주식회사 원익아이피에스 Linear source, and substrate processing apparatus
CN105316626A (en) * 2015-11-20 2016-02-10 苏州赛森电子科技有限公司 Coating film raw material guiding device of evaporation table for semiconductor processing
CN108179383A (en) * 2017-12-29 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 cooling system and evaporator
US20190203342A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Cooling system and evaporation machine
CN110106475B (en) * 2019-05-22 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 Evaporation device and control method of driving assembly thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766426A (en) * 1995-02-14 1998-06-16 Sputtered Films, Inc. Apparatus for, and method of, depositing a film on a substrate
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170064753A (en) * 2015-12-02 2017-06-12 세메스 주식회사 Apparatus of manufacturing display cells and method of controlling temperature thereof
KR20190127258A (en) * 2018-05-04 2019-11-13 주식회사 야스 Multipurpose Deposit System with Surface Evaporator
KR20200069276A (en) * 2020-06-08 2020-06-16 주식회사 야스 Multipurpose Deposit System with Surface Evaporator
CN118166331A (en) * 2024-05-14 2024-06-11 龙焱能源科技(杭州)有限公司 Continuous deposition device and continuous deposition system
CN118166331B (en) * 2024-05-14 2024-09-13 龙焱能源科技(杭州)有限公司 Continuous deposition device and continuous deposition system

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