JP2014183085A - マルチチップモジュール用基板、マルチチップモジュール用多層配線基板、マルチチップモジュール及びマルチチップ多層配線モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】高密度に異種の電子部品（チップ）を搭載することにより、高機能化と低コスト化を図ったマルチチップモジュール用基板、マルチチップモジュール用多層配線基板、マルチチップモジュール及びマルチチップ多層配線モジュールを提供する。
【解決手段】ベース基板１１と、ベース基板１１の表面上において複数の領域が画定され、領域毎に電極ピッチの異なる複数の電極パッド１６〜１９が形成されたマルチチップモジュール用基板１０を準備する。次いで、前記複数の領域に形成された複数の電極パッド１６〜１９上に接合部を介し、各領域の電極パッド１６〜１９の電極ピッチに合致した端子ピッチを有する複数の電子部品２１〜２４を搭載してマルチチップモジュール２０を得る。
【選択図】図２

Description

本発明は、携帯電話機器の分野や電子機器の分野において好適に用いることのできるマルチチップモジュール用基板、マルチチップモジュール用多層配線基板、マルチチップモジュール及びマルチチップ多層配線モジュールに関する。

近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度化、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度化、高機能化への対応が要求されている。

このような要求を満足すべく、複数の機能を１つの基板内に組み込んでなるマルチチップモジュールという概念が提起されており、マルチチップモジュールの設計手法としても各種の提案がなされている。特に、マルチチップモジュールの利点は、ＤＲＡＭ，ＳＲＡＭなどのメモリチップや、ロジック，アナログ回路等の多種多様な機能を１つの基板内に集積することにより、上記要求を満足する高密度かつ高機能なデバイスを実現できることである。

しかしながら、このようなデバイスを実現するためには、１つの基板上に異種の電子部品（チップ）を同時に搭載する必要があるものの、これらデバイスの規格が多岐に亘り、その結果、当該デバイスの大きさや端子ピッチも多岐に亘るため、上述のような搭載は複数の工程を伴うともに、工程が複雑化してしまい、デバイスの製造コストが増大してしまうという問題があった。

このような問題に鑑みて、基板上に複数の領域を画定し、これら複数の領域に電極パッドを形成するに際して、これら電極パッドの電極ピッチを複数の領域の全体に亘って一定としたマルチチップモジュール用基板を形成し、当該マルチチップモジュール用基板の電極パッド上に電子部品を搭載してマルチチップモジュールを製造することが提案されている（特許文献１）。

しかしながら、この方法では、異種の電子部品の端子ピッチを上記電極パッドの電極ピッチと一致させる必要があるため、使用できる電子部品に制約が生じるとともに、別途特別に電子部品を作製する必要が生じることから、上記要求を満足する高密度かつ高機能なデバイスを得るための製造コストを低減することができない。

特開２００２−１９０５６８号

本発明は、高密度に異種の電子部品（チップ）を搭載することにより、高機能化を図ったマルチチップモジュールを低コストで提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、
ベース基板と、
前記ベース基板の表面上において複数の領域が画定され、領域毎に電極ピッチの異なる複数の電極パッドが形成されていることを特徴とする、マルチチップモジュール用基板に関する。

また、本発明は、
ベース基板と、前記ベース基板の表面上において複数の領域が画定され、領域毎に電極ピッチの異なる複数の電極パッドが形成されたマルチチップモジュール用基板と、
前記複数の領域に形成された前記複数の電極パッド上に接合部を介して搭載され、各領域の電極パッドの電極ピッチに合致した端子ピッチを有する複数の電子部品と、
を具えることを特徴とする、マルチチップモジュールに関する。

本発明によれば、電子部品（チップ）を搭載する基板を複数の領域に画定し、領域毎に異なる電極ピッチで電極パッドを形成するようにしている。したがって、端子ピッチの異なる異種の電子部品（チップ）を搭載するに際して、複数の領域に形成した電極パッドの電極ピッチをこれら異種の電子部品（チップ）の端子ピッチと一致するようにして設定することにより、上述した異種の電子部品（チップ）として既存のものを用いることができる。一方、ベース基板の表面に異なる電極ピッチで電極パッドを形成するに際しては、これら電極ピッチに対応したフォトマスクを準備すれば足りる。

上述のようなフォトマスクは比較的安価に製造することができるため、電子部品の制約解除に伴う製造コストの低減により、高密度かつ高機能なデバイスである上記マルチチップモジュールを低コストで得ることができる。

さらに、ベース基板上において画定する複数の領域の位置を変化させることにより、各領域に属する電極パッドのベース基板上における絶対的位置が変化するような場合であっても、各領域の電極ピッチに対応した複数のフォトマスクを準備しておけば、ベース基板上における電極パッドの位置変化に応じて逐次フォトマスクを形成することなく、上述した複数のフォトマスクを組み合わせ、ベース基板上での配置を適宜変化させることにより、上記ベース基板上における複数の領域の変化、すなわち電極パッドの絶対的位置の変化に対応することができる。

したがって、高密度かつ高機能なデバイスである上記マルチチップモジュールをより低コストで得ることができる。

また、上述のように複数のフォトマスクを用いる場合は、その一部を他の技術分野で使用するフォトマスクで代替することもでき、このような観点からも上記マルチチップモジュールをより低コストで得ることができる。

本発明の一態様においては、上記接合部の高さを、電極ピッチの大きさに比例させることができる。すなわち、接合部の高さが大きくなるにつれて電極ピッチを大きくすることができる。

接合部の高さが大きくなって電極ピッチが大きくなれば、製造誤差等による電極ピッチ同士の接触による電気的短絡の防止をより確実に行うことができるとともに、基板と電子部品との間にアンダーフィル樹脂等を充填する場合において、基板と電子部品との距離が接合部の高さに比例して大きくなっているので、アンダーフィル樹脂等の充填を容易に行うことができる。

なお、本発明において、上記マルチチップモジュール用基板は多層配線基板とすることができる。すなわち、
複数の配線層と、
それぞれが前記複数の配線層間を電気的に分離するようにして配設された複数の絶縁層と、
記複数の配線層を電気的に接続するための層間接続体とを具え、
前記複数の配線層の表面に位置する配線層に複数の領域が画定され、当該表面に位置する配線層は、画定された前記領域毎にピッチの異なる複数の電極ランドを含むことを特徴とする、マルチチップモジュール用多層配線基板とすることができる。

上述したマルチチップモジュール用基板を用いてマルチチップモジュールを製造した場合、その表面に搭載した電子部品（チップ）は、表面にインクジェットなどの方法によって配設した配線等によって電気的に接続することになる。したがって、上記基板には、上記配線等を形成するための領域を別途確保しておく必要があり、この領域の大きさ如何では、マルチチップモジュールの高密度化、すなわち小型化を図ることができない。

しかしながら、上述のようなマルチチップモジュール用多層配線基板では、表面の電極ランドに搭載した電子部品（チップ）同士を多層配線基板内に配設した内部配線層及び層間接続体を介して電気的に接続することができるので、基板表面に配線等を形成するための領域を別途確保する必要がない。したがって、上記マルチチップモジュール用多層配線基板を用いて製造したマルチチップ多層配線モジュールの高密度化、すなわち小型化を図ることができる。

なお、上記マルチチップ多層配線モジュールは、
複数の配線層と、それぞれが前記複数の配線層間を電気的に分離するようにして配設された複数の絶縁層と、前記複数の配線層を電気的に接続するための層間接続体とを有し、前記複数の配線層の表面に位置する配線層に複数の領域が画定され、当該表面に位置する配線層は、画定された前記領域毎にピッチの異なる複数の電極ランドを含むマルチチップモジュール用多層配線基板と、
前記複数の領域に形成された前記複数の電極ランド上に接合部を介して搭載され、各領域の電極ランドのピッチに合致した端子ピッチを有する複数の電子部品と、
を具えることを特徴とする。

なお、マルチチップ多層配線モジュールにおいても、接合部の高さを、ピッチの大きさに併せて大きくすることができる。すなわち、接合部の高さが大きくなるにつれて電極ランドのピッチを大きくすることができる。これによって、マルチチップモジュールにおいて説明したような作用効果を奏することができる。

以上、本発明によれば、高密度に異種の電子部品（チップ）を搭載することにより、高機能化を図ったマルチチップモジュールを低コストで提供することができる。

第１の実施形態のマルチチップモジュール用基板の概略構成を示す斜視図である。 第１の実施形態のマルチチップモジュールの概略構成を示す斜視図である。 第２の実施形態のマルチチップモジュール用多層配線基板の概略構成を示す斜視図である。 図３に示すマルチチップモジュール用多層配線基板のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面を一部拡大して示す図である。 第２の実施形態のマルチチップ多層配線モジュールの概略構成を示す斜視図である。 図５に示すマルチチップ多層配線モジュールのＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面を一部拡大して示す図である。

以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態のマルチチップモジュール用基板の概略構成を示す斜視図であり、図２は、本実施形態のマルチチップモジュールの概略構成を示す斜視図である。なお、図２では、本実施形態の特徴を明確にすべく、電子部品（チップ）を電気的に接続する表面配線等の記載は省略している。

図１に示すように、本実施形態のマルチチップモジュール用基板１０は、例えば半導体やセラミックス、樹脂等の有機材料からなるベース基板１１を有しており、このベース基板１１の表面は、複数の領域１１Ａ（第１の領域）, １１Ｂ（第２の領域），１１Ｃ（第３の領域）及び１１Ｄ（第４の領域）に分割画定されている。

第１の領域１１Ａ内には、複数の第１の電極パッド１６が電極ピッチｄ１で形成されており、第２の領域１１Ｂ内には、複数の第２の電極パッド１７が電極ピッチｄ２で形成されている。また、第３の領域１１Ｃ内には、複数の第３の電極パッド１８が電極ピッチｄ３で形成されており、第４の領域１１Ｄ内には、複数の第４の電極パッド１９が電極ピッチｄ４で形成されている。

なお、本実施形態において、電極ピッチｄ１〜ｄ４は、ｄ２、ｄ１、ｄ４及びｄ３の順に大きくなっている（ｄ２＞ｄ１＞ｄ４＞ｄ３）が、これら電極ピッチの大きさは必要に応じて適宜に設定することができる。また、本実施形態では、ベース基板１１を第１の領域１１Ａ〜第４の領域１１Ｄの４つに分割して画定しているが、これら領域の数及び大きさ等は必要に応じて適宜設定することができる。

また、第１の電極パッド１６〜第４の電極パッド１９は、例えばセミアディティブ法及びサブトラクティブ法などの汎用の方法で形成することができる。

図１に示すマルチチップモジュール用基板１０に対して異種の電子部品（チップ）を図示しない接合部を介して搭載する場合、第１の電極パッド１６〜第４の電極パッド１９の電極ピッチｄ１〜ｄ４を上記異種の電子部品（チップ）の端子ピッチと一致させるようにする。本実施形態では、第１の電極パッド１６〜第４の電極パッド１９の電極ピッチｄ１〜ｄ４を、既存の電子部品（チップ）２１，２２，２３及び２４の端子ピッチと一致させる。

これによって、マルチチップモジュール用基板１０の第１の領域１１Ａの第１の電極パッド１６上に既存の電子部品（チップ）２１を図示しない接合部を介して搭載することができ、第２の領域１１Ｂの第２の電極パッド１７上に既存の電子部品（チップ）２２を図示しない接合部を介して搭載することができる。また、マルチチップモジュール用基板１０の第３の領域１１Ｃの第３の電極パッド１８上に既存の電子部品（チップ）２３を図示しない接合部を介して搭載することができ、第４の領域１１Ｄの第４の電極パッド１９上に既存の電子部品（チップ）２４を図示しない接合部を介して搭載することができる。この結果、図２に示すようなマルチチップモジュール２０を得ることができる。

このように、図１に示すマルチチップモジュール用基板１０に異種の電子部品（チップ）２１〜２４を搭載して、図２に示すマルチチップモジュール２０を得る際に、マルチチップモジュール用基板１０の電極パッド１６〜１９の電極ピッチｄ１〜ｄ４を、異種の電子部品（チップ）２１〜２４の端子ピッチと一致させるように設定しておくことにより、異種の電子部品（チップ）２１〜２４として既存のものを用いることができるので、これら電子部品（チップ）２１〜２４に対する制約を解除することができる。

一方、ベース基板１１の表面に異なる電極ピッチで電極パッドを形成するに際しては、これら電極ピッチに対応したフォトマスクを準備すれば足りる。これらフォトマスクは、図１に示すマルチチップモジュール用基板１０に異種の電子部品（チップ）を、図２に示すようなマルチチップモジュール２０と異なる配置で配設する場合についても適用することができるので、異なる配置で異種の電子部品（チップ）を配設するようなマルチチップモジュール間での転用が可能となる。結果として、マルチチップモジュール２０を低コストで得ることができる。

また、ベース基板１１上において画定する複数の領域１１Ａ〜１１Ｄの位置を変化させることにより、各領域１１Ａ〜１１Ｄに属する電極パッド１６〜１９のベース基板１１上における絶対的位置が変化するような場合であっても、各領域１１Ａ〜１１Ｄの電極ピッチｄ１〜ｄ４に対応した複数のフォトマスクを準備しておけば、ベース基板１１上における電極パッド１６〜１９の位置変化に応じて逐次フォトマスクを形成することなく、上述した複数のフォトマスクを組み合わせ、ベース基板１１上での配置を適宜変化させることにより、ベース基板１１上における複数の領域１１Ａ〜１１Ｄの変化、すなわち電極パッド１６〜１９の絶対的位置の変化に対応することができる。

例えば、図１に示すマルチチップモジュール用基板１０では、ベース基板１１上において左方から右方に向けて領域１１Ａ〜１１Ｄを画定しているが、この領域の画定順序を１１Ａ、１１Ｄ、１１Ｂ及び１１Ｃとしたとする。この場合、ベース基板１１上における電極パッド１６〜１９の絶対的な形成位置が、第１の電極パッド１６、第４の電極パッド１９、第２の電極パッド１７及び第３の電極パッド１８の順に変わる。

この場合において、領域毎に電極パッドの形成位置に対応した４つのフォトマスク（第１の領域１１Ａの第１の電極パッド１６に対応した第１のフォトマスク、第２の領域１１Ｂの第２の電極パッド１７に対応した第２のフォトマスク、第３の領域１１Ｃの第３の電極パッド１８に対応した第３のフォトマスク及び第４の領域１１Ｄの第４の電極パッド１９に対応した第４のフォトマスク）を形成しておくことにより、これら４つのフォトマスクの配列順序を変えるのみで、上述した領域１１Ａ〜１１Ｄの配列順序の変更に基づく、電極パッド１６〜１９の絶対的な形成位置の変化に対応することができる。

例えば、図１に示すように、ベース基板１１上において左方から右方に向けて領域１１Ａ〜１１Ｄを画定している場合は、同様に、第１のフォトマスク〜第４のフォトマスクを左方から右方に向けて順次に配列することにより、各領域に属する電極パッド１６〜１９を形成することができるが、上記のように、左方から右方に向けて領域１１Ａ、１１Ｄ、１１Ｂ及び１１Ｃの順に画定している場合は、同様に、第１のフォトマスク、第４のフォトマスク、第２のフォトマスク及び第３のフォトマスクの順に配列することにより、各領域に属する電極パッド１６〜１９を形成することができる。

なお、上述のようにフォトマスクを配列した後は、露光現像処理を行うが、フォトマスクを配列する以前には、例えばめっき法によってベース基板１１上に一様な金属膜を形成しておく。

また、上述のように複数のフォトマスクを用いる場合は、その一部を他の技術分野で使用するフォトマスクで代替することもでき、このような観点からも上記マルチチップモジュールをより低コストで得ることができる。

なお、図２に示すマルチチップモジュール２０では、接合部は図示されていないが、上記接合部の高さを、各電極ピッチｄ１〜ｄ４の大きさに比例させることができる。すなわち、接合部の高さが大きくなるにつれて電極ピッチｄ１〜ｄ４を大きくすることができる。この点については、次の実施形態において詳述する。

（第２の実施形態）
図３は、本実施形態のマルチチップモジュール用多層配線基板の概略構成を示す斜視図であり、図４は、図３に示すマルチチップモジュール用多層配線基板のＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面を一部拡大して示す図である。また、図５は、本実施形態のマルチチップ多層配線モジュールの概略構成を示す斜視図であり、図６は、図５に示すマルチチップ多層配線モジュールのＩ−Ｉ線に沿って切った場合の断面を一部拡大して示す図である。

なお、図３〜図６では、本実施形態の特徴を明確にすべく、保護層として機能するレジスト層等の記載は省略している。

また、図１及び図２に示すマルチチップモジュール用基板１０及びマルチチップモジュール２０における構成要素と同一あるいは類似の構成要素については同一の符号を用いている。

図３及び図４に示すように、本実施形態のマルチチップモジュール用多層配線基板３０は、上から順に第１の配線層３１、第２の配線層３２、第３の配線層３３及び第４の配線層３４が形成され、第１の配線層３１及び第２の配線層３２間を電気的に絶縁するための第１の絶縁層４１、第２の配線層３２及び第３の配線層３３間を電気的に絶縁するための第２の絶縁層４２、並びに第３の配線層３３及び第４の配線層３４間を電気的に絶縁するための第３の絶縁層４３が形成されている。

また、第１の配線層３１及び第２の配線層３２間は、第１の絶縁層４１を貫通するようにして形成された第１の層間接続体５１によって電気的に接続され、第２の配線層３２及び第３の配線層３３間は、第２の絶縁層４２を貫通するようにして形成された第２の層間接続体５２によって電気的に接続され、第３の配線層３３及び第４の配線層３４間は、第３の絶縁層４３を貫通するようにして形成された第３の層間接続体５３によって電気的に接続されている。

本実施形態において、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の表面に位置する第１の配線層３１は複数の電極ランドを形成している。また、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の表面は、複数の領域３０Ａ（第１の領域）, ３０Ｂ（第２の領域），３０Ｃ（第３の領域）及び３０Ｄ（第４の領域）に分割画定されている。

第１の領域３０Ａ内には、第１の配線層３１を構成する複数の第１の電極ランド３１ａがピッチｄ１で形成されており、第２の領域３０Ｂ内には、第１の配線層３１を構成する複数の第２の電極ランド３１ｂがピッチｄ２で形成されている。また、第３の領域３０Ｃ内には、第１の配線層３１を構成する複数の第３の電極ランド３１ｃがピッチｄ３で形成されており、第４の領域３０Ｄ内には、第１の配線層３１を構成する複数の第４の電極ランド３１ｄがピッチｄ４で形成されている。

なお、本実施形態において、ピッチｄ１〜ｄ４は、ｄ２、ｄ１、ｄ４及びｄ３の順に大きくなっている（ｄ２＞ｄ１＞ｄ４＞ｄ３）が、これらピッチの大きさは必要に応じて適宜に設定することができる。また、本実施形態では、マルチチップモジュール用多層配線基板３０を第１の領域３０Ａ〜第４の領域３０Ｄの４つに分割して画定しているが、これら領域の数及び大きさ等は必要に応じて適宜設定することができる。

また、図３及び図４に示すマルチチップモジュール用多層配線基板３０は、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法及び印刷法などの汎用の方法で形成することができる。

図３及び図４に示すマルチチップモジュール用多層配線基板３０に対して異種の電子部品（チップ）を接合部を介して搭載する場合、第１の電極ランド３１ａ〜第４の電極ランド３１ｄのピッチｄ１〜ｄ４を上記異種の電子部品（チップ）の端子ピッチと一致させるようにする。本実施形態では、第１の電極ランド３１ａ〜第４の電極ランド３１ｄのピッチｄ１〜ｄ４を、既存の電子部品（チップ）２１，２２，２３及び２４の端子ピッチと一致させる。

これによって、図５及び図６に示すように、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の第１の領域３０Ａの第１の電極ランド３１ａ上に既存の電子部品（チップ）２１を接合部５５を介して搭載することができ、第２の領域３０Ｂの第２の電極ランド３１ｂ上に既存の電子部品（チップ）２２を接合部５６を介して搭載することができる。また、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の第３の領域３０Ｃの第３の電極ランド３１ｃに既存の電子部品（チップ）２３を図示しない接合部を介して搭載することができ、第４の領域３０Ｄの第４の電極ランド３１ｄ上に既存の電子部品（チップ）２４を図示しない接合部を介して搭載することができる。この結果、図５及び図６に示すようなマルチチップ多層配線モジュール６０を得ることができる。

このように、図３及び図４に示すマルチチップモジュール用多層配線基板３０に異種の電子部品（チップ）２１〜２４を搭載して、図５及び図６に示すマルチチップ多層配線モジュール６０を得る際に、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の電極ランド３１ａ〜３１ｄのピッチｄ１〜ｄ４を、異種の電子部品（チップ）２１〜２４の端子ピッチと一致させるように設定しておくことにより、異種の電子部品（チップ）２１〜２４として既存のものを用いることができるので、これら電子部品（チップ）２１〜２４に対する制約を解除することができる。

一方、第１の配線層３１をパターニングして、異なるピッチで電極ランドを形成するに際しては、これらピッチに対応したフォトマスクを準備すれば足りる。このようなフォトマスクは比較的安価に製造することができるため、電子部品の制約解除に伴う製造コストの低減により、高密度かつ高機能なデバイスである上記マルチチップ多層配線モジュール６０を低コストで得ることができる。

また、本実施形態のマルチチップ多層配線モジュール６０では、表面の電極ランド３１ａ〜３１ｄに搭載した電子部品（チップ）同士をマルチチップモジュール用多層配線基板３０内に配設した配線層３２〜３４及び層間接続体５１〜５３を介して電気的に接続することができるので、基板３０の表面に配線等を形成するための領域を別途確保する必要がない。したがって、マルチチップモジュール用多層配線基板３０を用いて製造したマルチチップ多層配線モジュール６０は、表面に配線等を形成する第１の実施形態のマルチチップモジュール２０に比較して高密度化、すなわち小型化を図ることができる。

さらに、画定した複数の領域３０Ａ〜３０Ｄの位置を変化させることにより、各領域３０Ａ〜３０Ｄに属する電極ランド３１ａ〜３１ｄの絶対的位置が変化するような場合であっても、各領域３０Ａ〜３０Ｄのピッチｄ１〜ｄ４に対応した複数のフォトマスクを準備しておけば、電極ランド３１ａ〜３１ｄの位置変化に応じて逐次フォトマスクを形成することなく、上述した複数のフォトマスクを組み合わせ、第１の配線層３１をパターニングする際の配置を適宜変化させることにより、複数の領域３０Ａ〜３０Ｄの変化、すなわち電極ランド３１ａ〜３１ｄの絶対的位置の変化に対応することができる。

例えば、図３及び図４に示すマルチチップモジュール用多層配線基板３０では、左方から右方に向けて領域３０Ａ〜３０Ｄを画定しているが、この領域の画定順序を３０Ａ、３０Ｄ、３０Ｂ及び３０Ｃとしたとする。この場合、電極ランド３１ａ〜３１ｄの絶対的な形成位置が、第１の電極ランド３１ａ、第４の電極ランド３１ｄ、第２の電極ランド３１ｂ及び第３の電極パッド３１ｃの順に変わる。

この場合において、領域毎に電極パッドの形成位置に対応した４つのフォトマスク（第１の領域３０Ａの第１の電極ランド３１ａに対応した第１のフォトマスク、第２の領域３０Ｂの第２の電極ランド３１ｂに対応した第２のフォトマスク、第３の領域３０Ｃの第３の電極ランド３１ｃに対応した第３のフォトマスク及び第４の領域３０Ｄの第４の電極ランド３１ｄに対応した第４のフォトマスク）を形成しておくことにより、これら４つのフォトマスクの配列順序を変えるのみで、上述した領域３０Ａ〜３０Ｄの配列順序の変更に基づく、電極ランド３１ａ〜３１ｄの絶対的な形成位置の変化に対応することができる。

例えば、図３及び図５に示すように、左方から右方に向けて領域３０Ａ〜３０Ｄを画定している場合は、同様に、第１のフォトマスク〜第４のフォトマスクを左方から右方に向けて順次に配列することにより、各領域に属する電極ランド３１ａ〜３１ｄを形成することができるが、左方から右方に向けて領域３０Ａ、３０Ｄ、３０Ｂ及び３０Ｃの順に画定している場合は、同様に、第１のフォトマスク、第４のフォトマスク、第２のフォトマスク及び第３のフォトマスクの順に配列することにより、各領域に属する電極ランド３１ａ〜３１ｄを形成することができる。

また、上述のように複数のフォトマスクを用いる場合は、その一部を他の技術分野で使用するフォトマスクで代替することもでき、このような観点からも上記マルチチップモジュールをより低コストで得ることができる。

なお、図６に示すマルチチップ多層配線モジュール６０では、第１の電子部品（チップ）２１の接合部５５の高さｈ１及びピッチｄ１に比較して、第２の電子部品（チップ）２２の接合部５６の高さｈ２及びピッチｄ２は大きくなっている。すなわち、接合部の高さが大きくなるにつれてピッチを大きくしている。

したがって、第２の電子部品（チップ）２２の接合部５６においては、製造誤差等による電極ランド３１ｂ同士の接触による電気的短絡の防止をより確実に行うことができるとともに、基板３０と第２の電子部品（チップ）２２との間にアンダーフィル樹脂等を充填する場合において、基板３０と電子部品２２との距離が接合部５６の高さに比例して大きくなっているので、アンダーフィル樹脂等の充填を容易に行うことができる。

なお、本実施形態では、マルチチップモジュール用多層配線基板３０の配線層の数を４としたが、当該配線層の数は必要に応じて任意の数とすることができる。

以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。

１０ マルチチップモジュール用基板
１１ ベース基板
１１Ａ （ベース基板）の第１の領域
１１Ｂ （ベース基板）の第２の領域
１１Ｃ （ベース基板）の第３の領域
１１Ｄ （ベース基板）の第１の領域
１６ 第１の電極パッド
１７ 第２の電極パッド
１８ 第３の電極パッド
１９ 第４の電極パッド
２１ 第１の電子部品（チップ）
２２ 第２の電子部品（チップ）
２３ 第３の電子部品（チップ）
２４ 第４の電子部品（チップ）
ｄ１ 第１の電極ピッチ、第１のピッチ
ｄ２ 第２の電極ピッチ、第２のピッチ
ｄ３ 第３の電極ピッチ、第３のピッチ
ｄ４ 第４の電極ピッチ、第４のピッチ
３０ マルチチップモジュール用多層配線基板
３０Ａ （マルチチップモジュール用多層配線基板の）第１の領域
３０Ｂ （マルチチップモジュール用多層配線基板の）第２の領域
３０Ｃ （マルチチップモジュール用多層配線基板の）第３の領域
３０Ｄ （マルチチップモジュール用多層配線基板の）第４の領域
３１ 第１の配線層
３１ａ 第１の電極ランド
３１ｂ 第２の電極ランド
３１ｃ 第３の電極ランド
３１ｄ 第４の電極ランド
３２ 第２の配線層
３３ 第３の配線層
３４ 第４の配線層
４１ 第１の絶縁層
４２ 第２の絶縁層
４３ 第３の絶縁層
５１ 第１の層間接続体
５２ 第２の層間接続体
５３ 第３の層間接続体
５５，５６ 接合部

Claims (6)

1. ベース基板と、
   前記ベース基板の表面上において複数の領域が画定され、領域毎に電極ピッチの異なる複数の電極パッドが形成されていることを特徴とする、マルチチップモジュール用基板。
2. 複数の配線層と、
   それぞれが前記複数の配線層間を電気的に分離するようにして配設された複数の絶縁層と、
   前記複数の配線層を電気的に接続するための層間接続体とを具え、
   前記複数の配線層の表面に位置する配線層に複数の領域が画定され、当該表面に位置する配線層は、画定された前記領域毎にピッチの異なる複数の電極ランドを含むことを特徴とする、マルチチップモジュール用多層配線基板。
3. ベース基板と、前記ベース基板の表面上において複数の領域が画定され、領域毎に電極ピッチの異なる複数の電極パッドが形成されたマルチチップモジュール用基板と、
   前記複数の領域に形成された前記複数の電極パッド上に接合部を介して搭載され、各領域の電極パッドの電極ピッチに合致した端子ピッチを有する複数の電子部品と、
   を具えることを特徴とする、マルチチップモジュール。
4. 前記接合部の高さが、前記電極ピッチの大きさの増大にともなって増大することを特徴とする、請求項３に記載のマルチチップモジュール。
5. 複数の配線層と、それぞれが前記複数の配線層間を電気的に分離するようにして配設された複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層を貫通して前記複数の配線層を電気的に接続するための層間接続体とを有し、前記複数の配線層の表面に位置する配線層に複数の領域が画定され、当該表面に位置する配線層は、画定された前記領域毎にピッチの異なる複数の電極ランドを含むマルチチップモジュール用多層配線基板と、
   前記複数の領域に形成された前記複数の電極ランド上に接合部を介して搭載され、各領域の電極ランドのピッチに合致した端子ピッチを有する複数の電子部品と、
   を具えることを特徴とする、マルチチップ多層配線モジュール。
6. 前記接合部の高さが、前記ピッチの大きさの増大にともなって増大することを特徴とする、請求項５に記載のマルチチップ多層配線モジュール。

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