JP2014182832A5 - 格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法 - Google Patents
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Description
本発明は半導体メモリ装置に係り、より具体的にはデータ信頼性を高くすることができ
る格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法に関する。
る格納装置、不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法に関する。
前記目的を達成するための本発明による格納装置は、第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、信頼性モード情報が格納される第1レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第2レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含む。
前記目的を達成するための本発明による運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法は、前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第1レジスタから読み出す段階と、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも1つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第2レジスタに書き込む段階と、前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込む。
前記目的を達成するための本発明による埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージプログラム方法は、運営体系イメージ情報が存在するか否かを確認する段階と、前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングするか否かを検出する段階と、前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングする場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含む。
前記目的を達成するための本発明による埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージプログラム方法は、運営体系イメージ情報が存在するか否かを確認する段階と、前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングするか否かを検出する段階と、前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングする場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含む。
前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第2メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第1レジスタ、運営体系イメージ情報が格納される第2レジスタ、及び前記信頼性モードの活性化情報を格納する第3レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、前記メモリコントローラは、ホストから前記運営体系イメージ情報を受信して前記第2レジスタに格納し、前記ホストから運営体系イメージの書込み命令語を受信し、前記第3レジスタの第1ビットの値を設定して前記信頼性モードを活性化し、前記運営体系イメージを前記第1メモリ領域にプログラムし、そして前記信頼性モードが活性化された状態の間は、前記運営体系イメージの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遮断し、前記第1メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第2メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする。
また、前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第2メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第1レジスタ、プリソルダリングデータのサイズ情報を含むプリソルダリングデータ情報が格納される第2レジスタ、及び外部装置から前記不揮発性格納装置に前記プリソルダリングデータをプログラムするための信頼性モードの状態情報を格納する第3レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、前記メモリコントローラは、前記外部装置に前記信頼性モード情報を伝送し、前記外部装置から前記プリソルダリングデータ情報を受信して前記第2レジスタに格納し、前記外部装置から提供される第1値を第3レジスタに格納して前記信頼性モードを活性化し、前記外部装置からプリソルダリングデータの書込み命令語を受信し、前記プリソルダリングデータを前記第1メモリ領域に書き込み、前記外部装置から伝達された前記プリソルダリングデータの量が前記第2レジスタに格納された前記プリソルダリングデータのサイズ情報と一致すると、前記第3レジスタの第1値を第2値に変換し、前記第1メモリ領域への前記プリソルダリングデータの書込み動作を中止し、前記第3レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が非活性化された状態の間に、前記プリソルダリングデータの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遂行し、前記第1メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第2メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする。
また、前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第2メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第1レジスタ、プリソルダリングデータのサイズ情報を含むプリソルダリングデータ情報が格納される第2レジスタ、及び外部装置から前記不揮発性格納装置に前記プリソルダリングデータをプログラムするための信頼性モードの状態情報を格納する第3レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、前記メモリコントローラは、前記外部装置に前記信頼性モード情報を伝送し、前記外部装置から前記プリソルダリングデータ情報を受信して前記第2レジスタに格納し、前記外部装置から提供される第1値を第3レジスタに格納して前記信頼性モードを活性化し、前記外部装置からプリソルダリングデータの書込み命令語を受信し、前記プリソルダリングデータを前記第1メモリ領域に書き込み、前記外部装置から伝達された前記プリソルダリングデータの量が前記第2レジスタに格納された前記プリソルダリングデータのサイズ情報と一致すると、前記第3レジスタの第1値を第2値に変換し、前記第1メモリ領域への前記プリソルダリングデータの書込み動作を中止し、前記第3レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が非活性化された状態の間に、前記プリソルダリングデータの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遂行し、前記第1メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第2メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする。
Claims (25)
- 第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、
信頼性モード情報が格納される第1レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第2レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含むことを特徴とする格納装置。 - 前記第1メモリ領域のセル当たりの格納ビット数は前記第2メモリ領域のセル当たりの格納ビット数より少ないことを特徴とする請求項1に記載の格納装置。
- 前記第1レジスタの信頼性モード情報が信頼性非保証モードに設定される前には前記運営体系イメージは前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域に移動できないように設定されることを特徴とする請求項2に記載の格納装置。
- 前記運営体系イメージ情報は、前記運営体系イメージに対するセクタ開始アドレス、セクタカウントの中で少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項2に記載の格納装置。
- 前記メモリコントローラは、書込み要請されるデータのセクタアドレスが前記運営体系イメージ情報と一致する場合に前記書込み要請されるデータを信頼性保証モードに管理することを特徴とする請求項4に記載の格納装置。
- 前記メモリコントローラは、前記運営体系イメージに対する書込みモードを活性化及び非活性化するためのフィールドを有する第3レジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置。
- 前記第2レジスタは、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも1つが書き込まれる複数のレジスタセットで構成されることを特徴とする請求項6に記載の格納装置。
- 前記第3レジスタは、
前記第2レジスタの設定が完了された後に前記運営体系イメージの書込みモードを活性化する第1ビットと、
前記運営体系イメージの書込みモードの完了の後に信頼性保証モードにしたがう前記運営体系イメージの書込みモードを永久的に非活性化するための第2ビットのフィールド値と、を含むことを特徴とする請求項6に記載の格納装置。 - 前記メモリコントローラは前記第2ビットの設定が非活性状態に維持される場合、書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードを解除した状態で前記不揮発性メモリ装置に書き込むことを特徴とする請求項8に記載の格納装置。
- 運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法において、
前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第1レジスタから読み出す段階と、
前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも1つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第2レジスタに書き込む段階と、
前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、
前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込むことを特徴とするプログラム方法。 - 前記プログラムする段階が終了されると、前記運営体系イメージの書込みの可否を検証する段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のプログラム方法。
- 前記検証する段階で前記運営体系イメージの書込みが完了したことが検出されると、前記運営体系イメージの書込み動作の時、前記信頼性非保証モードを選択するための第3レジスタを設定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のプログラム方法。
- 前記メモリカードを表面実装技術又は赤外線リフロ方式でモバイル装置に装着する段階をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のプログラム方法。
- 埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージのプログラム方法において、
運営体系イメージ情報が存在するかを確認する段階と、
前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングされるか否かを検出する段階と、
前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングされる場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含むことを特徴とするプログラム方法。 - 前記書込み要請が前記運営体系イメージ情報と一致しない場合には前記書込み要請される運営体系イメージに対する信頼性保証モードが解除されることを特徴とする請求項14に記載のプログラム方法。
- 高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第2メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、
信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第1レジスタ、運営体系イメージ情報が格納される第2レジスタ、及び前記信頼性モードの活性化情報を格納する第3レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、
ホストから前記運営体系イメージ情報を受信して前記第2レジスタに格納し、前記ホストから運営体系イメージの書込み命令語を受信し、前記第3レジスタの第1ビットの値を設定して前記信頼性モードを活性化し、前記運営体系イメージを前記第1メモリ領域にプログラムし、そして前記信頼性モードが活性化された状態の間は、前記運営体系イメージの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遮断し、
前記第1メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第2メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする不揮発性格納装置。 - 前記第1レジスタはベンダー特定レジスタ(Vendor specific register)であることを特徴とする請求項16に記載の不揮発性格納装置。
- 前記運営体系イメージ情報はセクタ開始アドレスとセクタカウントとの中で少なくとも1つを含む前記運営体系イメージのサイズ情報を含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性格納装置。
- 前記メモリコントローラは前記運営体系イメージ情報を前記第2レジスタに格納した後に前記信頼性モードを活性化することを特徴とする請求項16に記載の不揮発性格納装置。
- 前記メモリコントローラは前記第3レジスタの第1ビットの値を設定して前記信頼性モードを非活性化することを特徴とする請求項16に記載の不揮発性格納装置。
- 前記メモリコントローラは前記運営体系イメージが前記第1メモリ領域にプログラムされた後に前記信頼性モードを非活性化することを特徴とする請求項20に記載の不揮発性格納装置。
- 前記信頼性モードが非活性化されると、前記メモリコントローラは前記運営体系イメージを前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域に移動させることを特徴とする請求項21に記載の不揮発性格納装置。
- 不揮発性格納装置において、
高信頼性モード又は低信頼性モードに各々動作する複数のメモリセルを含む第1メモリ領域と第2メモリ領域とを含み、前記第1メモリ領域は高信頼性モードに動作し、前記第2メモリ領域は低信頼性モードに動作する不揮発性メモリ装置と、
信頼性モードを支援するか否かを指示する信頼性モード情報が格納される第1レジスタ、プリソルダリングデータのサイズ情報を含むプリソルダリングデータ情報が格納される第2レジスタ、及び外部装置から前記不揮発性格納装置に前記プリソルダリングデータをプログラムするための信頼性モードの状態情報を格納する第3レジスタを含むメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、
前記外部装置に前記信頼性モード情報を伝送し、前記外部装置から前記プリソルダリングデータ情報を受信して前記第2レジスタに格納し、
前記外部装置から提供される第1値を第3レジスタに格納して前記信頼性モードを活性化し、
前記外部装置からプリソルダリングデータの書込み命令語を受信し、
前記プリソルダリングデータを前記第1メモリ領域に書き込み、
前記外部装置から伝達された前記プリソルダリングデータの量が前記第2レジスタに格納された前記プリソルダリングデータのサイズ情報と一致すると、前記第3レジスタの第1値を第2値に変換し、前記第1メモリ領域への前記プリソルダリングデータの書込み動作を中止し、
前記第3レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が非活性化された状態の間に、前記プリソルダリングデータの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動を遂行し、
前記第1メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数は前記第2メモリ領域に含まれるメモリセルのセル当たり格納ビット数より少ないことを特徴とする不揮発性格納装置。 - 前記プリソルダリングデータは運営体系イメージを含むことを特徴とする請求項23に記載の不揮発性格納装置。
- 前記第3レジスタに格納された前記信頼性モードの状態情報が活性化された状態の間には、前記プリソルダリングデータの前記第1メモリ領域から前記第2メモリ領域への移動は遮断されることを特徴とする請求項23に記載の不揮発性格納装置。
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