TWI420313B - 資料管理方法、記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置 - Google Patents

Description

資料管理方法、記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置

本發明是有關於一種資料管理方法，且特別是有關於一種用於嵌入式記憶體儲存裝置的資料管理方法及使用此方法的記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置。

數位相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由於可複寫式可複寫式非揮發性記憶體(rewritable non-volatile memory)具有資料非揮發性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適於此些電子產品。廣泛用於手機的嵌入式多媒體卡(embeded Multi Media Card,eMMC)就是一種以快閃記憶體作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年快閃記憶體產業成為電子產業中相當熱門的一環。

一般來說，用於電子產品的嵌入式多媒體卡(embeded Multi Media Card,eMMC)是用於燒錄電子產品的映象檔(image file)，例如，作業系統。特別是，為了便於大量生產，映象檔會預先燒錄到嵌入式多媒體卡製造中，之後預存有映象檔的嵌入式多媒體卡才會焊接至電子產品的電路基板上。

在快閃記憶體模組中，資料是根據記憶胞內所儲存之電荷來識別。然而，在某些對記憶體較特殊的環境下，例如焊接時，其高溫會對記憶胞內所儲存之電荷造成影響(例如，漏電)。因此，預存於嵌入式多媒體卡的資料可能會因此而發生錯誤。

本發明提供一種資料管理方法、記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置，其能夠重新儲存資料，以有效地使用嵌入式記憶體儲存裝置的儲存空間。

本發明提供一種資料管理方法，其能夠避免因焊接而遺失預存於嵌入式記憶體儲存裝置的資料。

本發明提供一種記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置，其所執行之寫入機制能夠防止預存於嵌入式記憶體儲存裝置的資料遺失。

本發明提供一種用於嵌入式記憶體儲存裝置的資料管理方法，其中此嵌入式記憶體儲存裝置具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面。本資料管理方法包括偵測一狀態標示單元的一狀態，其中當僅快速實體頁面被用來儲存一資料時，此狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態，並且當此些快速實體頁面與慢速實體頁面皆被用來儲存資料時，狀態標示單元的狀態被標記為第二狀態。本資料管理方法更包括當狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，自動地讀取所儲存之資料，使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存此資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法，更包括：從主機系統接收至少一標準指令；判斷此標準指令是否屬於一特殊態樣；以及僅當此標準指令屬於特殊態樣時，才偵測上述狀態標示單元的狀態。

在本發明之一實施例中，上述之同時使用至少部份快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述資料的步驟包括：藉由執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部份快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述資料。

本發明範例實施例提出一種記憶體控制器，用於配置在嵌入式記憶體儲存裝置中以管理此嵌入式記憶體儲存裝置的可複寫式非揮發性記憶體模組，其中此可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面。本記憶體控制器包括主機介面、記憶體介面與記憶體管理電路。主機介面用以耦接至一主機系統。記憶體介面用以耦接至此可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至此主機介面與記憶體介面。在此，此記憶體管理電路用以偵測狀態標示單元的狀態，其中當僅此些快速實體頁面被用來儲存一資料時，此狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態。此外，其中當狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，記憶體管理電路自動地讀取所儲存之資料，使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存此資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路從主機系統接收至少一標準指令並且判斷此標準指令是否屬於一特殊態樣。並且，僅當此標準指令屬於此特殊態樣時，上述之記憶體管理電路才偵測上述狀態標示單元的狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路藉由執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部份快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述資料。

本發明範例實施例提出一種嵌入式記憶體儲存裝置，其包括連接器、可複寫式非揮發性記憶體模組與記憶體控制器。連接器用以耦接至主機系統。可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與慢速實體頁面。記憶體控制器耦接至此連接器與可複寫式非揮發性記憶體模組。在此，記憶體控制器用以偵測狀態標示單元的狀態，其中當僅此些快速實體頁面被用來儲存一資料時，此狀態標示單元的該狀態被標記為一第一狀態。此外，其中當狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，記憶體控制器自動地讀取所儲存之資料，使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存此資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器從主機系統接收至少一標準指令並且判斷此標準指令是否屬於一特殊態樣。並且，僅當此標準指令屬於此特殊態樣時，上述之記憶體控制器才偵測上述狀態標示單元的狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器藉由執行來自於主機系統的多個寫入指令來同時使用至少部份快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述資料。

本發明範例實施例提出一種資料管理方法，其用於防止在一嵌入式記憶體儲存裝置中的一預定資料遺失，其中此嵌入式記憶體儲存裝置具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面。本防止資料遺失方法包括：燒錄步驟與重新儲存步驟。燒錄步驟用以僅使用嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面來儲存此預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態，其中此狀態標示單元是儲存在嵌入式記憶體儲存裝置中。重新儲存步驟用以使用嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存此預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態；判斷是否從主機系統接收到預定製造商指令；判斷此狀態標示單元的狀態是否為初始狀態；以及僅當接收到預定製造商指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，才執行上述燒錄步驟。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：判斷是否從主機系統接收到預定製造商指令；判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態；以及僅當接收到預定製造商指令並且狀態標示單元的狀態為第一狀態時，才執行上述重新儲存步驟。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態；從主機系統接收至少一標準指令；判斷所接收之標準指令是否屬於特殊態樣；判斷狀態標示單元的狀態是否為初始狀態；以及僅當所接收的標準指令屬於特殊態樣並且狀態標示單元的狀態為初始狀態時，才執行上述燒錄步驟。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：從主機系統接收至少一標準指令；判斷所接收的標準指令是否屬於特殊態樣；判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態；以及僅當所接收的標準指令屬於特殊態樣並且狀態標示單元的狀態為第一狀態時，才執行上述重新儲存步驟。

在本發明之一實施例中，該重新儲存步驟是藉由執行來自於一主機系統的多個寫入指令時執行，以將預定資料分批地重新儲存至嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面與慢速實體頁面中。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：在上述燒錄步驟與上述重新儲存步驟之間，將嵌入式記憶體儲存裝置以一焊接方式黏著至一電路基板上。

在本發明之一實施例中，上述之資料管理方法更包括：將此些實體區塊至少分組為一儲存區與一系統區，其中此狀態標示單元被儲存於此系統區的實體區塊中。

本發明範例實施例提出一種記憶體控制器，用於配置在嵌入式記憶體儲存裝置中以管理此嵌入式記憶體儲存裝置的可複寫式非揮發性記憶體模組，其中此可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面。本記憶體控制器包括主機介面、記憶體介面與記憶體管理電路。主機介面用以耦接至一主機系統。記憶體介面用以耦接至此可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至此主機介面與記憶體介面。在此，此記憶體管理電路用以僅使用此些快速實體頁面來儲存一預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為一第一狀態。此外，記憶體管理電路更用以使用此些快速實體頁面與此些慢速實體頁面來重新儲存此預定資料並且將狀態標示單元的該狀態標記為第二狀態。再者，記憶體管理電路將此狀態標示單元是儲存在可複寫式非揮發性記憶體模組中。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當記憶體管理電路從主機系統中接收到一預定製造商指令並且，上述狀態標示單元的狀態為初始狀態時，記憶體管理電路才僅使用此些快速實體頁面來寫入預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為該第一狀態。

在本發明之一實施例中，僅當記憶體管理電路從主機系統接收到一預定製造商指令並且上述狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述之記憶體管理電路才使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存該預定資料並且將此狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當記憶體管理電路從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，記憶體管理電路才僅使用此些快速實體頁面來寫入上述預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態

在本發明之一實施例中，僅當記憶體管理電路從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述之記憶體管理電路才使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路於執行來自於主機系統的多個寫入指令期間將預定資料分批地重新儲存至此些快速實體頁面與慢速實體頁面中。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體管理電路將此些實體區塊至少分組為一儲存區與一系統區，並且將上述狀態標示單元儲存於系統區的實體區塊中。

本發明範例實施例提出一種嵌入式記憶體儲存裝置，其包括連接器、可複寫式非揮發性記憶體模組與記憶體控制器。連接器用以耦接至主機系統。可複寫式非揮發性記憶體模組具有多個實體區塊並且每一實體區塊具有多個快速實體頁面與慢速實體頁面。記憶體控制器耦接至此連接器與可複寫式非揮發性記憶體模組。在此，記憶體控制器用以僅使用此些快速實體頁面來儲存一預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態，其中記憶體控制器將狀態標示單元是儲存在可複寫式非揮發性記憶體模組中。此外，記憶體控制器更用以使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存此預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器將狀態標示單元的狀態初始地標記為一初始狀態。並且，其中僅當控制器從主機系統中接收到一預定製造商指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，記憶體控制器才僅使用此些快速實體頁面來寫入上述預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。

在本發明之一實施例中，僅當記憶體控制器從主機系統接收到一預定製造商指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述之記憶體控制器才使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器將狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。並且，僅當記憶體控制器從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為初始狀態時，上述之記憶體控制器才僅使用此些快速實體頁面來寫入預定資料並且將此狀態標示單元的狀態標記為第一狀態

在本發明之一實施例中，僅當記憶體控制器從主機系統接收屬於特殊態樣的至少一標準指令並且此狀態標示單元的狀態為第一狀態時，上述之記憶體控制器才使用此些快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存上述預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器於執行來自於主機系統的多個寫入指令期間將上述預定資料分批地重新儲存至此些快速實體頁面與慢速實體頁面中。

在本發明之一實施例中，上述之記憶體控制器將此些實體區塊至少分組為一儲存區與一系統區，並且將上述狀態標示單元儲存於系統區的實體區塊中。

基於上述，本發明範例實施例的方法、記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置能夠有效地防止預存在可複寫式非揮發性記憶體模組中的資料因焊接而遺失。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

本發明提出一種資料管理方法，其能夠根據嵌入式記憶體儲存裝置的儲存狀態來重新整理資料，藉此有效地使用嵌入式記憶體儲存裝置的儲存空間。此外，本發明的資料管理方法透過使用燒錄機制將預定資料儲存於較穩定的快速實體頁面中並且之後再使用還原機制將預定資料重新儲存於快速實體頁面與慢速實體頁面中，由此可避免儲存於嵌入式記憶體儲存裝置中的資料，因較特殊的環境，如焊接所產生的高溫，而產生錯誤位元。以下將以數個範例實施例並配合圖式來詳細說明本發明。

[第一範例實施例]

圖1是根據本發明第一範例實施例所繪示的電子裝置與嵌入式記憶體儲存裝置。

請參照圖1，電子裝置1000包括微處理器與隨機存取記憶體(未繪示)。在本發明實施例中，嵌入式記憶體儲存裝置100是嵌入在電子裝置1000的電路基板上。藉由微處理器與隨機存取記憶體的運作可從嵌入式記憶體儲存裝置100中讀取資料或將資料寫入至嵌入式記憶體儲存裝置100中。例如，電子裝置1000為智慧型手機並且嵌入式記憶體儲存裝置100是用以儲存此智慧型手機的作業系統。

在本範例實施例中，嵌入式記憶體儲存裝置100可為嵌入式多媒體卡(Embedded Multi Media Card,eMMC)。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，嵌入式記憶體儲存裝置100亦可為嵌入式安全數位卡(Embeded Secure Digital,eSD)或其他嵌入式非揮發性記憶體儲存裝置。

圖2是繪示圖1所示的嵌入式記憶體儲存裝置的概要方塊圖。

請參照圖2，嵌入式記憶體儲存裝置100包括連接器102、記憶體控制器104與可複寫式非揮發性記憶體模組106。在一範例實施例中，此連接器102、記憶體控制器104與可複寫式非揮發性記憶體模組106可皆封裝於一顆晶片中。

在本範例實施例中，連接器102是相容於MMC標準。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，連接器102亦可以是符合SD標準或其他嵌入式介面標準。

記憶體控制器104用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令，並且根據電子裝置1000的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組106中進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。

可複寫式非揮發性記憶體模組106是耦接至記憶體控制器104，並且用以儲存電子裝置1000所寫入之資料。可複寫式非揮發性記憶體模組106具有多個實體區塊。每一實體區塊分別具有複數個實體頁面，其中屬於同一個實體區塊之實體頁面可被獨立地寫入且被同時地抹除。更詳細來說，實體區塊為抹除之最小單位。亦即，每一實體區塊含有最小數目之一併被抹除之記憶胞。實體頁面為程式化的最小單元。即，實體頁面為寫入資料的最小單元。然而，必須瞭解的是，在本發明另一範例實施例中，寫入資料的最小單位亦可以是實體扇區或其他大小。例如，每一實體區塊是由128個實體頁面所組成。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，每一實體區塊是可由256個實體頁面或其他任意個實體頁面所組成。每一實體頁面包括使用者資料(user data)位元區與冗餘(redundancy)位元區。使用者資料位元區用以儲存使用者的資料，而冗餘位元區用以儲存系統的資料(例如，錯誤校正碼)。

在本範例實施例中，可複寫式非揮發性記憶體模組106為多階記憶胞(Multi Level Cell,MLC)NAND型快閃記憶體模組。具體來說，NAND型快閃記憶體模組可根據每一記憶胞可儲存的資料位元數而區分為MLC NAND型快閃記憶體模組及單階層記憶胞(Single-Level Cell,SLC)NAND型快閃記憶體模組。SLC NAND型快閃記憶體模組的每個記憶胞僅能儲存1個位元資料，而MLC NAND型快閃記憶體模組的每個記憶胞可儲存至少2個以上的位元資料。例如，以4階記憶胞NAND型快閃記憶體模組為例，每一記憶胞可儲存2個位元資料(即，"11"、"10"、"00"與"01")。基此，對4階記憶胞快閃記憶體模組的寫入可區分為2個階段。第一階段是下頁面(lower page)的寫入，並且第二階段為上頁面(upper page)的寫入，其中下頁面的寫入速度會快於上頁面。因此，MLC NAND型快閃記憶體模組的實體頁面可被區分為慢速實體頁面(即，上頁面)與快速實體頁面(即，下頁面)。特別是，相較於上頁面來說，下頁面的儲存可靠度較高。類似地，在8階記憶胞NAND型快閃記憶體模組或16階記憶胞NAND型快閃記憶體模組的案例中，記憶胞可儲存更多位元資料並且會以更多階段來寫入。在此，將寫入速度最快的實體頁面稱為下頁面，其他寫入速度較慢的頁面統稱為上頁面。例如，上頁面包括具有不同寫入速度的多個頁面。此外，在其他實施例中，上頁面也可為寫入速度最慢的頁面，或者寫入速度最慢與部份寫入速度快於寫入速度最慢頁面的頁面。例如，在8階記憶胞NAND型快閃記憶體模組中，下頁面為寫入速度最快與寫入速度次快的頁面，上頁面則為寫入速度最慢與寫入速度次慢的頁面。

圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示之實體區塊的示意圖。

請參照圖3，4階記憶胞快閃記憶體模組的實體區塊內的實體頁面可根據其寫入特性區分為複數個快速實體頁面310與複數個慢速實體頁面320，其中寫入資料至快速實體頁面310的速度快於寫入資料至慢速實體頁面320的速度並且資料儲存於快速實體頁面310的可靠度高於慢速實體頁面320的可靠度。此外，資料必須根據實體頁面的編號依序地被寫入。

圖4是根據本發明第一範例實施例所繪示之記憶體控制器的概要方塊圖。

請參照圖4，記憶體控制器104包括記憶體管理電路202、主機介面204與記憶體介面206。

記憶體管理電路202用以控制記憶體控制器104的整體運作。例如，記憶體管理電路202可是由多個控制模組(例如，寫入模組、讀取模組、抹除模組等)所組成，並且在記憶體儲存裝置100運作時，記憶體管理電路202此些模塊會根據電子裝置1000的指令對可複寫式非揮發性記憶體模組106進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。

在本範例實施例中，記憶體管理電路202的控制模組是以程式來實作。例如，記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)與唯讀記憶體(未繪示)，並且此些控制指令是被燒錄至此唯讀記憶體中。在此，此些微程式亦稱為韌體。當記憶體儲存裝置100運作時，此些微程式會由微處理器單元來執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。

在本發明另一範例實施例中，上述微程式亦可儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106的特定區域(例如，記憶體模組中專用於存放系統資料的系統區)中。此外，記憶體管理電路202具有微處理器單元(未繪示)、唯讀記憶體(未繪示)及隨機存取記憶體(未繪示)。特別是，此唯讀記憶體具有驅動碼，並且當記憶體控制器104被致能時，微處理器單元會先執行此驅動碼段來將儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106中之微程式載入至記憶體管理電路202的隨機存取記憶體中。之後，微處理器單元會運轉此微程式以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。此外，在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202的控制模組亦可以一硬體型式來實作。

主機介面邏輯介面204是耦接至記憶體管理電路202並且用以接收與識別電子裝置1000所傳送的指令與資料。也就是說，電子裝置1000所傳送的指令與資料會透過主機介面邏輯介面204來傳送至記憶體管理電路202。在本範例實施例中，主機介面邏輯介面204是相容於eMMC標準。然而，必須瞭解的是本發明不限於此，主機介面邏輯介面204亦可以是相容於eSD標準或其他適合的資料傳輸標準。

記憶體介面206是耦接至記憶體管理電路202並且用以存取可複寫式非揮發性記憶體模組106。也就是說，欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料會經由記憶體介面206轉換為可複寫式非揮發性記憶體模組106所能接受的格式。

錯誤校正電路208是耦接至記憶體管理電路202並且用以執行錯誤檢查與校正程序以確保資料的正確性。具體來說，在執行寫入指令時，錯誤校正電路208會為欲寫入之資料產生對應的錯誤校正碼，並且記憶體管理電路202會將此資料與對應的錯誤校正碼寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組106中。之後，當記憶體管理電路202從可複寫式非揮發性記憶體模組106中讀取資料時會同時讀取此資料對應的錯誤檢查與校正碼，並且錯誤校正電路208會依據此錯誤檢查與校正碼對所讀取的資料執行錯誤檢查與校正程序。

在本發明一範例實施例中，記憶體控制器104還包括緩衝記憶體210。緩衝記憶體210是耦接至記憶體管理電路202並且用以暫存來自於電子裝置1000的資料與指令或來自於可複寫式非揮發性記憶體模組106的資料。

在本發明一範例實施例中，記憶體控制器104還包括電源管理電路212。電源管理電路212是耦接至記憶體管理電路202並且用以控制嵌入式記憶體儲存裝置100的電源。

在本範例實施例中，記憶體管理電路202可在可複寫式非揮發性記憶體模組106中儲存狀態標示單元(例如，一旗標暫存器)並且將此狀態標示單元的狀態初始地標記為初始狀態。例如，在本發明範例實施例中，記憶體管理電路202會將實體區塊分組為儲存區與系統區並且將狀態標示單元儲存在系統區的實體區塊中。儲存區的實體區塊用以儲存使用者資料(例如，電子裝置所存取之資料)並且系統區的實體區塊用以儲存嵌入式記憶體儲存裝置100的系統資料(例如，實體區塊的數目、實體頁面的數目等)。

特別是，當僅使用實體區塊的快速實體頁面來儲存資料時，記憶體管理電路202會將此狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。

圖5是根據本發明第一範例實施例所繪示之僅以快速實體頁面來儲存資料的示意圖，為了方便說明在此假設所儲存之資料大小是等於一個實體區塊的大小並且可複寫式非揮發性記憶體模組106是由實體區塊502與實體區塊504所組成。

請參照圖5，原本應被儲存在實體區塊502的慢速實體頁面中的資料會被儲存在實體區塊504的快速實體頁面中。由於此筆資料是被儲存於快速實體頁面中(如虛線所示)，因此，資料會不易發生錯誤位元而遺失。

此外，當正常地使用實體區塊的快速實體頁面與慢速實體頁面來儲存資料時，記憶體管理電路202會將此狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

圖6是根據本發明第一範例實施例所繪示之以快速實體頁面與慢速實體頁面來儲存資料的示意圖。

請參照圖6，記憶體管理電路202是正常地使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面與慢速實體頁面來儲存資料(如虛線所示)。由於快速實體頁面與慢速實體頁面皆會被使用來儲存資料，因此，嵌入式記憶體儲存裝置100的儲存空間會被充分的使用。在此，正常地使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面與慢速實體頁面來儲存資料亦稱為正常儲存機制。

在本範例實施例中，當從電子裝置1000或其他外部主機接收到預定製造商指令(vender command)時，記憶體管理電路202會偵測狀態標示單元的狀態。倘若狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，記憶體管理電路202會自動地讀取原先儲存於嵌入式記憶體儲存裝置100中的資料，使用嵌入式記憶體儲存裝置100的快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。也就是說，當接收到預定製造商指令時，記憶體管理電路202自動地根據嵌入式記憶體儲存裝置100的狀態，來將資料重新儲存以更有效率地使用儲存空間。

值得一提的是，在此，預定製造商指令是預先設計用以啟動重新儲存機制的指令。然而，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202亦可根據標準指令中的資訊來啟動重新儲存機制。例如，當主機系統連續下達數個寫入指令時，記憶體管理電路202會啟動重新儲存機制。或者，當寫入指令中包含特定參數時，記憶體管理電路202會啟動重新儲存機制。又或者，當主機系統使用保留給使用者自行定義之標準指令時，記憶體管理電路202會啟動重新儲存機制。

圖7是根據本發明第一範例實施例所繪示的資料管理方法的流程圖。

請參照圖7，在步驟S701，記憶體管理電路202會判斷是否接收到預定製造商指令。倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S703中，記憶體管理電路202會判斷狀態標示單元的狀態是否被標記為第一狀態。

倘若狀態標示單元的狀態非被標記為第一狀態時，圖7的流程會被結束。倘若狀態標示單元的狀態被標記為第一狀態時，在步驟S705中，記憶體管理電路202會使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存原先已儲存在可複寫式非揮發性記憶體模組之快速實體頁面的資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

[第二範例實施例]

第二範例實施例的嵌入式記憶體儲存裝置的結構本質上是相同於第一範例實施例的嵌入式記憶體儲存裝置，以下將配合圖2與圖3的硬體元件來說明第二範例實施例與第一範例實施例的差異之處。

在第二範例實施例中，嵌入式記憶體儲存裝置100是以焊接方式黏著至電子裝置1000的電路基板上，以與電子裝置1000的微處理器耦接。並且，在焊接之前，預定資料(例如，用於電子裝置1000的作業系統映象檔)會透過一燒錄機制被儲存至可複寫式非揮發性記憶體模組106中。

在此燒錄機制中，嵌入式記憶體儲存裝置100的記憶體控制器104僅使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面來儲存預定資料。具體來說，當從主機系統(未繪示)接收到預定製造商指令時，記憶體管理電路202會識別狀態標示單元的狀態。倘若狀態標示單元的狀態被標記為初始狀態時，記憶體管理電路202會僅使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面來儲存主機系統欲寫入的預定資料(如圖5所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。籍此，由於此筆資料是被儲存於快速實體頁面中，其在通過工作機台之焊接時，其資料會較穩定而不被破壞。

此外，在本範例實施例中，當此嵌入式記憶體儲存裝置100處於一常溫或較穩定之工作環境之後(例如，在通過了一焊接機台之後)，預定資料會被如第一範例實施例所述之重新儲存機制來重新儲存至可複寫式非揮發性記憶體模組106中。即，記憶體管理電路202會使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存原先已儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組106之快速實體頁面的預定資料(如圖6所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。

如上所述，快速頁面的可靠度高於慢速頁面，因此，在焊接之前僅以快速頁面來儲存資料，可有效減少在將嵌入式記憶體儲存裝置100焊接至電子裝置1000的電路基板的過程中，儲存於嵌入式記憶體儲存裝置100的資料因高溫而發生錯誤位元的機會。接著，在焊接之後，使用快速頁面與慢速頁面來重新儲存原先所儲存之資料可使嵌入式記憶體儲存裝置100的儲存空間被更有效的運用。

值得一提的是，在此，預定製造商指令是預先設計用以啟動燒錄機制及重新儲存機制的指令。然而，本發明不限於此，在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202亦可根據標準指令中的資訊來啟動燒錄機制及重新儲存機制。例如，當主機系統連續下達數個寫入指令時，記憶體管理電路202會認為其屬於一預設之特殊態樣因此而啟動燒錄機制及重新儲存機制。或者，當寫入指令中包含特定參數時，記憶體管理電路202會啟動燒錄機制及重新儲存機制。又或者，當主機系統使用保留給使用者自行定義之標準指令時，記憶體管理電路202會啟動燒錄機制及重新儲存機制。

圖8是根據本發明第一範例實施例所繪示的資料管理方法的流程圖。

請參照圖8，在步驟S801中，會判斷是否接收到預定製造商指令。

倘若未接收到預定製造商指令時，則結束圖8的流程。

倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S803中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為初始狀態。

倘若狀態標示單元的狀態為初始狀態時，在步驟S805中，僅使用嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面來儲存預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在此，步驟S805亦稱為燒錄步驟。

倘若狀態標示單元的狀態非為初始狀態時，在步驟S807中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態。

倘若狀態標示單元的狀態為第一狀態時，在步驟S809中，使用嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存原先儲存在嵌入式記憶體儲存裝置中之預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。在此，步驟S809亦稱為重新儲存步驟。

倘若狀態標示單元的狀態非為第一狀態時，則結束圖8的流程。也就是說，倘若狀態標示單元的狀態非為初始狀態或第一狀態並且接收到預定製造商指令，則所接收到的預定製造商指令會被忽略。

如上所述，燒錄機制或重新儲存機制亦可根據標準指令中的資訊來啟動。因此，在本發明另一範例實施例中，圖8的步驟S801亦可以判斷是否接收到屬於特殊態樣的標準指令來取代。

[第三範例實施例]

根據第二範例實施例之資料管理方法是在焊接之後執行重新儲存步驟來將整個預定資料重新儲存於嵌入式記憶體儲存裝置的實體區塊中。而第三範例實施例之資料管理方法是在後續執行寫入指令時將儲存於多個快速實體頁面中的預定資料分批地重新儲存，而不會在焊接之後立即將所有預定資料重新儲存於嵌入式記憶體儲存裝置的實體區塊中。第三範例實施例的嵌入式記憶體儲存裝置的結構本質上是相同於第一範例實施例的嵌入式記憶體儲存裝置，以下將配合圖2與圖3的硬體元件來說明第二範例實施例與第一範例實施例的差異之處。

同樣地，在第三範例實施例中，當記憶體控制器104接收到預定製造商指令並且狀態標示單元的狀態為初始狀態，記憶體管理電路202會僅使用可複寫式非揮發性記憶體模組106的快速實體頁面來儲存預定資料(例如，如圖5所示)並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。

之後，當記憶體控制器104從電子裝置1000中接收到寫入指令時或開機訊號時，記憶體管理電路202會判斷欲寫入之實體頁面中是否儲存以燒錄機制所寫入的預定資料，其中，判斷的方式可例如是透過一預定資料還原表。倘若欲寫入之實體頁面中已儲存以燒錄機制所寫入之預定資料時，記憶體管理電路202會藉由在執行寫入指令的同時一併整理此預定資料。也就是說，記憶體管理電路202會在執行寫入指令時使用快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存預定資料。也就是說，記憶體管理電路202是在後續需寫入資料時才分批地將以燒錄機制所寫入之預定資料重新儲存至實體區塊中。

特別是，在第三範例實施例中，記憶體管理電路202會建立一預定資料還原表來記錄用以儲存以燒錄機制寫入之預定資料的實體頁面。並且，當儲存於某一實體頁面的預定資料已被使用正常儲存機制來重新儲存時，記憶體管理電路202會於此預定資料還原表中記錄此資訊。也就是說，記憶體管理電路202會在執行寫入指令時根據預定資料還原表來重新儲存未以正常儲存機制儲存之預定資料。

圖9是根據本發明第三範例實施例所繪示之執行燒錄步驟的流程圖。

請參照圖9，在步驟S901中，會判斷是否接收到預定製造商指令。

倘若未接收到預定製造商指令時，則結束圖9的流程。

倘若接收到預定製造商指令時，在步驟S903中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為初始狀態。

倘若狀態標示單元的狀態為初始狀態時，在步驟S905中，僅使用嵌入式記憶體儲存裝置的快速實體頁面來儲存預定資料並且將狀態標示單元的狀態標記為第一狀態。在此，步驟S905亦稱為燒錄步驟。

圖10是根據本發明第三範例實施例所繪示之於執行寫入指令時將預定資料重新儲存的流程圖。

請參照圖10，在接收到寫入指令後，在步驟S1001中，會判斷狀態標示單元的狀態是否為第一狀態。

倘若狀態標示單元的狀態為第一狀態時，在步驟S1003中，記憶體管理電路202會根據預定資料還原表判斷對應此寫入指令的實體頁面是否儲存以燒錄機制寫入之預定資料(即，尚未以還原正常儲存機制重新儲存之預定資料)。

倘若對應此寫入指令的實體頁面儲存以燒錄機制寫入之預定資料，在步驟S1005中，執行此寫入指令並且同時使用正常儲存機制來重新儲存此預定資料。

倘若對應此寫入指令的實體頁面未儲存以燒錄機制寫入之預定資料，在步驟S1007中，執行此寫入指令。

之後，在步驟S1009中，會根據預定資料還原表來判斷所有以燒錄機制所儲存之預定資料是否皆已使用正常儲存機制來重新儲存。

倘若所有以燒錄機制所儲存之預定資料皆已使用正常儲存機制來重新儲存，在步驟S1011中，將狀態標示單元的狀態標記為第二狀態。之後，結束圖10的流程。

值得一提的是，在本發明另一範例實施例中，記憶體管理電路202亦可在執行實體區塊的平均抹損(wear-leveling)程序而需搬移資料時一併重新儲存以燒錄機制所寫入之預定資料。因此，在本發明另一範例實施例中，圖10的步驟S1001與步驟S1003亦可以判斷是否執行平均抹損程序以及判斷欲搬移之資料是否為以燒錄機制寫入之預定資料來取代。在此，平均抹損程序為此領域技術人員所熟知的技術，在此不詳細描述。

綜合上述，本發明範例實施例的資料管理方法是透過重新儲存機制來將僅使用快速實體頁面儲存之資料使用快速實體頁面與慢速實體頁面來重新儲存，基此，可有效地使用嵌入式記憶體儲存裝置的儲存空間。此外，在本發明範例實施例中，燒錄機制僅使用嵌入式記憶體儲存裝置中較為穩定的快速實體頁面來儲存預定資料。之後，當嵌入式記憶體儲存裝置以焊接黏著至電子裝置的電路基板上時可有效地避免因高溫而產生資料錯誤。再者，於焊接之後，透過上述還原正常儲存機制，嵌入式記憶體儲存裝置即可正常地根據電子裝置的指令來進行資料的存取。基此，本發明範例實施例之資料管理方法、記憶體控制器與嵌入式記憶體儲存裝置可有效地避免因焊接所產生的資料遺失。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1000．．．電子裝置

100．．．嵌入式記憶體儲存裝置

102．．．連接器

104．．．記憶體控制器

106．．．可複寫式非揮發性記憶體模組

202．．．記憶體管理電路

204．．．主機介面

206．．．記憶體介面

208．．．錯誤校正電路

210．．．緩衝記憶體

212．．．電源管理電路

310．．．快速實體頁面

320．．．慢速實體頁面

502、504．．．實體區塊

S701、S703、S705．．．資料管理的步驟

S801、S803、S805、S809．．．資料管理的步驟

S901、S903、S905．．．燒錄步驟

S1001、S1003、S1005、S1007、S1009、S1011．．．於執行寫入指令時將預定資料重新儲存的步驟

圖1是根據本發明第一範例實施例所繪示的電子裝置與嵌入式記憶體儲存裝置。

圖2是繪示圖1所示的嵌入式記憶體儲存裝置的概要方塊圖。

圖3是根據本發明第一範例實施例所繪示之實體區塊的示意圖。

圖4是根據本發明第一範例實施例所繪示之記憶體控制器的概要方塊圖。

圖5是根據本發明第一範例實施例所繪示之以快速實體頁面儲存資料的範例示意圖。

圖6是根據本發明第一範例實施例所繪示之以快速實體頁面與慢速實體頁面儲存資料的範例示意圖。

圖7是根據本發明第一範例實施例所繪示的資料管理方法的流程圖。

圖8是根據本發明第二範例實施例所繪示的資料管理方法的流程圖。

圖9是根據本發明第三範例實施例所繪示之執行燒錄步驟的流程圖。

圖10是根據本發明第三範例實施例所繪示之於執行寫入指令時將預定資料重新儲存的流程圖。

S701、S703、S705．．．資料管理的步驟

Claims (33)

1. 一種用於嵌入式記憶體儲存裝置的資料管理方法，其中該嵌入式記憶體儲存裝置具有多個實體區塊並且該些實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面，該資料管理方法包括：讀取一預定資料，其中該預定資料僅儲存於該些快速實體頁面的至少其中之一；以及重新儲存該預定資料至該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
2. 如申請專利範圍第1項所述之資料管理方法，更包括：一燒錄步驟，用以僅使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一來儲存該預定資料，並且將一狀態標示單元的一狀態標記為一第一狀態，其中該狀態標示單元是儲存在該嵌入式記憶體儲存裝置中。
3. 如申請專利範圍第2項所述之資料管理方法，更包括：將該狀態標示單元的該狀態初始地標記為一初始狀態；判斷是否從一主機系統接收到一預定製造商指令；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該初始狀態；以及僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示單元的該狀態為該初始狀態時，才執行該燒錄步驟。
4. 如申請專利範圍第1項所述之資料管理方法，更包括：偵測一狀態標示單元的一狀態，其中當僅該些快速實體頁面的至少其中之一被用來儲存該預定資料時，該狀態標示單元的該狀態為一第一狀態。
5. 如申請專利範圍第4項所述之資料管理方法，更包括：當該狀態標示單元的該狀態為該第一狀態時，讀取該預定資料，再一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料；以及標記該狀態標示單元的狀態為一第二狀態。
6. 如申請專利範圍第5項所述之資料管理方法，更包括：判斷是否從一主機系統接收到一預定製造商指令；判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該第一狀態；以及僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示單元的該狀態為該第一狀態時，才執行該重新儲存步驟。
7. 如申請專利範圍第4項所述之資料管理方法，更包括：從一主機系統接收至少一標準指令；判斷該至少一標準指令是否屬於一特殊態樣；以及僅當該至少一標準指令屬於該特殊態樣時，才偵測該 狀態標示單元的狀態。
8. 如申請專利範圍第1項所述之資料管理方法，其中重新儲存該預定資料至該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一的步驟包括：藉由執行來自於一主機系統的多個寫入指令來一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
9. 如申請專利範圍第8項所述之資料管理方法，更包括：將該預定資料分批地重新儲存至該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
10. 如申請專利範圍第1項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的資料管理方法，其中該預定資料為一映像檔或一作業系統檔。
11. 一種嵌入式記憶體儲存裝置，包括：一連接器，用以耦接至一主機系統；一可複寫式非揮發性記憶體模組，具有多個實體區塊，並且每一該些實體區塊具有多個快速實體頁面與慢速實體頁面；以及一記憶體控制器，耦接至該連接器與該可複寫式非揮發性記憶體模組，其中，該記憶體控制器用以讀取一預定資料，該預定資料僅儲存於該些快速實體頁面的至少其中之一，再一併 使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
12. 如申請專利範圍第11項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以僅使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一來儲存該預定資料，並且將一狀態標示單元的一狀態標記為一第一狀態，其中該狀態標示單元是儲存在該嵌入式記憶體儲存裝置中。
13. 如申請專利範圍第12項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以將該狀態標示單元的該狀態初始地標記為一初始狀態。
14. 如申請專利範圍第12項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以判斷是否從一主機系統接收到一預定製造商指令，且判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該初始狀態；其中，僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示單元的該狀態為該初始狀態時，該記憶體控制器才僅使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一來儲存該預定資料。
15. 如申請專利範圍第11項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以偵測一狀態標示單元的一狀態；其中，當僅該些快速實體頁面的至少其中之一被用來儲存該預定資料時，該狀態標示單元的該狀態為一第一狀態。
16. 如申請專利範圍第15項所述之嵌入式記憶體儲 存裝置，其中該記憶體控制器更用以當該狀態標示單元的該狀態為該第一狀態時，讀取該預定資料，再一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料，並且標記該狀態標示單元的狀態為一第二狀態。
17. 如申請專利範圍第16項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以判斷是否從該主機系統接收到一預定製造商指令，以及判斷該狀態標示單元的該狀態是否為該第一狀態；其中，僅當接收到該預定製造商指令並且該狀態標示單元的該狀態為該第一狀態時，該記憶體控制器才一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
18. 如申請專利範圍第15項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以從該主機系統接收至少一標準指令，並且判斷該至少一標準指令是否屬於一特殊態樣；其中，僅當該至少一標準指令屬於該特殊態樣時，該記憶體控制器才偵測該狀態標示單元的狀態。
19. 如申請專利範圍第11項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以藉由執行來自於該主機系統的多個寫入指令來一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
20. 如申請專利範圍第15項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以將該預定資料分批地重新儲存至該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
21. 如申請專利範圍第11項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該預定資料為一映像檔或作業系統檔。
22. 一種嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，其中該嵌入式記憶體儲存裝置具有多個實體區塊，並且該些實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面，該嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法包括：僅使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一來儲存一預定資料；將該嵌入式記憶體儲存裝置經過一高溫製程；以及一併使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
23. 如申請專利範圍第22項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，其中該高溫製程包括：將該嵌入式記憶體儲存裝置以一焊接方式黏著至一電路基板上。
24. 如申請專利範圍第22項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，其更包括：從一主機系統接收至少一標準指令；判斷該至少一標準指令是否屬於一特殊態樣；以及 僅當該至少一標準指令屬於該特殊態樣時，一併使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
25. 如申請專利範圍第22項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，其更包括：於執行來自於一主機系統的多個寫入指令的期間，將該預定資料分批地重新儲存至該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
26. 如申請專利範圍第22項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，更包括：當該嵌入式記憶體儲存裝置經過該高溫製程後，將該預定資料分批地重新儲存至該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
27. 如申請專利範圍第22項所述之嵌入式記憶體儲存裝置的製造方法，其中該預定資料為一映像檔或一作業系統檔。
28. 一種嵌入式記憶體儲存裝置，包括：一連接器，用以耦接至一主機系統；一可複寫式非揮發性記憶體模組，具有多個實體區塊，並且每一該些實體區塊具有多個快速實體頁面與慢速實體頁面；以及 一記憶體控制器，耦接至該連接器與該可複寫式非揮發性記憶體模組，且該記憶體控制器用以將一預定資料僅儲存於該多個快速實體頁面的至少其中之一；其中，當該嵌入式記憶體儲存裝置經過一高溫製程後，該記憶體控制器用以讀取該預定資料，再一併使用該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
29. 如申請專利範圍第28項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中當該嵌入式記憶體儲存裝置經過該高溫製程後，該嵌入式記憶體儲存裝置以一焊接方式黏著至一電路基板上。
30. 如申請專利範圍第28項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以從該主機系統接收至少一標準指令，並判斷該至少一標準指令是否屬於一特殊態樣；其中，僅當該至少一標準指令屬於該特殊態樣時，該記憶體控制器才一併使用該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一來重新儲存該預定資料。
31. 如申請專利範圍第28項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制器更用以於執行來自於該主機系統的多個寫入指令的期間，將該預定資料分批地重新儲存至該嵌入式記憶體儲存裝置的該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。
32. 如申請專利範圍第28項所述之嵌入式記憶體儲存裝置，其中該預定資料為一映像檔或一作業系統檔。
33. 一種用於嵌入式記憶體儲存裝置的資料管理方法，其中該嵌入式記憶體儲存裝置具有多個實體區塊，並且該些實體區塊具有多個快速實體頁面與多個慢速實體頁面，該資料管理方法包括：將該嵌入式記憶體儲存裝置經過一高溫製程；偵測一預定資料是否僅被儲存在該些快速實體頁面的至少其中之一；以及若該預定資料僅被儲存在該些快速實體頁面的至少其中之一，重新儲存該預定資料至該些快速實體頁面的至少其中之一與該些慢速實體頁面的至少其中之一。