JP2014179599A - 微細バネを使用するマイクロプラズマ生成 - Google Patents
微細バネを使用するマイクロプラズマ生成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014179599A JP2014179599A JP2014031628A JP2014031628A JP2014179599A JP 2014179599 A JP2014179599 A JP 2014179599A JP 2014031628 A JP2014031628 A JP 2014031628A JP 2014031628 A JP2014031628 A JP 2014031628A JP 2014179599 A JP2014179599 A JP 2014179599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tip portion
- curved
- electrode
- microspring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T23/00—Apparatus for generating ions to be introduced into non-enclosed gases, e.g. into the atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
Abstract
【解決手段】電極140は、平面111上に配置された導電(例えば、金、または他の金属)構造であり、支持構造によって面111の上方に維持され、先端部分133が、電極140から固定ギャップ距離G1で維持される。動作中、システム電圧源150は、正(または、負)電圧電位を微細バネ130のアンカー部分131に印加し、負(または、正)電圧電位を電極140に印加する。十分大きいプラズマ生成電圧VPLASMAを生成することによって、微細バネ130の先端部分133での電流密集は、先端部分133を取り囲む空気を満たした領域105の一部において中性分子を十分イオン化して、マイクロプラズマ現象Pを生成する電界Eを作り出す。
【選択図】図1
Description
Claims (2)
- マイクロプラズマを生成するためのシステムであって、前記システムは、
平面を有するベース基板と、
前記ベース基板の前記平面に平行に配置されるアンカー部分、前記アンカー部分に一体式に接続されて前記平らなベース面から離れて湾曲する第1の端を有する湾曲本体部分、および前記湾曲本体部分の第2の端に一体式に接続される先端部分を備える湾曲微細バネであって、前記アンカー、前記本体、および前記先端部分は、導電性材料を備え、前記先端部分は、前記平面の上方に位置する空気を満たした領域内に固定配置される、湾曲微細バネと、
前記先端部分が前記電極から固定ギャップ距離で維持されるように前記微細バネの前記先端部分に隣接する前記平面上に、または前記平面の上方に配置される電極と、
前記第1の電極に結合される、および前記湾曲微細バネの前記アンカー部分に結合される電圧源であって、前記電圧源は、前記微細バネの前記先端部分と前記電極との間の固定ギャップ距離間にプラズマ生成電圧を生成して、前記先端部分での電流密集により前記先端部分を取り囲む前記空気を満たした領域の一部において中性分子を十分にイオン化する電界を作り出し、マイクロプラズマを生成するための手段を備える、電圧源とを備える、システム。 - 回路組立品であって、
上面を有して前記上面に配置される第1の導体パッドを備える第1の基板と、
前記第1の基板に実装される第2の基板であって、前記第2の基板の下面が前記第1の基板の前記上面と相対し、それにより、空気を満たしたチャネル領域が前記上面と前記下面との間に画定され、前記第2の基板が、前記下面に配置されて前記第2の基板に配置される集積回路に結合される第2の導体パッドを備える、第2の基板と、
前記第1の基板の前記上面と前記第2の基板の前記下面との間に画定される空気を満たしたチャネル領域内に配置され、前記第2の導体パッドに電気的に接続される第1の端部、前記第1の導体パッドに電気的に接続される第2の端部、および前記第1の端部と前記第2の端部との間に伸びる湾曲本体部分を備える少なくとも1つの湾曲相互接続微細バネと、
イオン風エンジンであって、
前記第1の基板の前記上面ならびに前記第2の基板の下面の一方に取り付けられるアンカー部分、前記アンカー部分に一体式に接続されて前記平らなベース面から離れて湾曲する第1の端を有する湾曲本体部分、および前記湾曲本体部分の第2の端に一体式に接続される先端部分を備える湾曲アノード微細バネであって、前記アンカー、前記本体、および前記先端部分は導電性材料を備え、前記先端部分は、前記空気を満たしたチャネル領域内に固定配置される、湾曲アノード微細バネと、
前記第1の基板の前記上面ならびに前記第2の基板の前記下面の一方に配置され、前記アノード微細バネの前記先端部分から固定ギャップ距離で維持される電極構造体と、を含む、イオン風エンジンと、を備える、
回路組立品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/802,569 US9210785B2 (en) | 2013-03-13 | 2013-03-13 | Micro-plasma generation using micro-springs |
US13/802,569 | 2013-03-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179599A true JP2014179599A (ja) | 2014-09-25 |
JP2014179599A5 JP2014179599A5 (ja) | 2017-03-30 |
JP6147684B2 JP6147684B2 (ja) | 2017-06-14 |
Family
ID=51524561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014031628A Expired - Fee Related JP6147684B2 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-21 | 微細バネを使用するマイクロプラズマ生成 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9210785B2 (ja) |
JP (1) | JP6147684B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10403601B2 (en) * | 2016-06-17 | 2019-09-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor package and related methods |
CN109860382B (zh) * | 2019-01-30 | 2020-06-09 | 江苏大学 | 一种用于功率型led散热的集成式离子风热沉 |
US11908782B2 (en) * | 2021-03-22 | 2024-02-20 | Xerox Corporation | Spacers formed on a substrate with etched micro-springs |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003511640A (ja) * | 1999-10-14 | 2003-03-25 | クリクタフォビッチ、イゴール・エー | 静電的流体加速装置 |
WO2012057271A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 京セラ株式会社 | イオン風発生体及びイオン風発生装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3842189A (en) | 1973-01-08 | 1974-10-15 | Rca Corp | Contact array and method of making the same |
US5613861A (en) | 1995-06-07 | 1997-03-25 | Xerox Corporation | Photolithographically patterned spring contact |
US7453339B2 (en) | 2005-12-02 | 2008-11-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electromechanical switch |
US20100116460A1 (en) | 2008-11-10 | 2010-05-13 | Tessera, Inc. | Spatially distributed ventilation boundary using electrohydrodynamic fluid accelerators |
US20100155025A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Tessera, Inc. | Collector electrodes and ion collecting surfaces for electrohydrodynamic fluid accelerators |
US8736049B1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-05-27 | Palo Alto Research Center Incorporated | Micro-plasma generation using micro-springs |
-
2013
- 2013-03-13 US US13/802,569 patent/US9210785B2/en active Active
-
2014
- 2014-02-21 JP JP2014031628A patent/JP6147684B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003511640A (ja) * | 1999-10-14 | 2003-03-25 | クリクタフォビッチ、イゴール・エー | 静電的流体加速装置 |
WO2012057271A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 京セラ株式会社 | イオン風発生体及びイオン風発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9210785B2 (en) | 2015-12-08 |
US20140265848A1 (en) | 2014-09-18 |
JP6147684B2 (ja) | 2017-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5492367B2 (ja) | 窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージ | |
KR101353927B1 (ko) | 얇은 다이들 및 금속 기판들을 사용하는 반도체 다이 패키지들 | |
TWI241882B (en) | A microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same | |
KR101014980B1 (ko) | Ic 디바이스를 회로 보드에 접속하기 위한 스카이빙된전기적 컨택트 및 스카이빙에 의한 컨택트 방법 | |
US7589417B2 (en) | Microelectronic assembly having thermoelectric elements to cool a die and a method of making the same | |
US20150214198A1 (en) | Stacked semiconductor system having interposer of half-etched and molded sheet metal | |
TW201025520A (en) | Flexible and stackable semiconductor die packages, systems using the same, and methods of making the same | |
US20140008783A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape | |
JP5808345B2 (ja) | 熱管理のための微細加工されたピラーフィン | |
JP6147684B2 (ja) | 微細バネを使用するマイクロプラズマ生成 | |
US20100301484A1 (en) | Lga substrate and method of making same | |
US8736049B1 (en) | Micro-plasma generation using micro-springs | |
US20140374912A1 (en) | Micro-Spring Chip Attachment Using Solder-Based Interconnect Structures | |
JP5748547B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI505521B (zh) | 具有獨立電傳與熱傳路徑之並列式發光二極體(led)及其製造方法 | |
TW200411886A (en) | An assembly method for a passive component | |
US8614514B1 (en) | Micro-spring chip attachment using ribbon bonds | |
EP1995777A1 (en) | Transistor package with wafer level dielectric isolation | |
US11183443B2 (en) | Semiconductor structure and method for manufacturing the same | |
JP2005510877A (ja) | 電子装置 | |
KR100901241B1 (ko) | 희생층을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2008098564A (ja) | 電子デバイスの製造方法、及び、半導体装置 | |
TW200924138A (en) | Array package substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170220 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170220 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6147684 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |