JP2014175395A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014175395A JP2014175395A JP2013045297A JP2013045297A JP2014175395A JP 2014175395 A JP2014175395 A JP 2014175395A JP 2013045297 A JP2013045297 A JP 2013045297A JP 2013045297 A JP2013045297 A JP 2013045297A JP 2014175395 A JP2014175395 A JP 2014175395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- heat treatment
- housing
- treatment apparatus
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】半導体基板を熱処理した後、基板搬送フォークを基板保持具の半導体基板間に挿入させるとき、基板搬送フォークが半導体基板に当たることを防止する。
【解決手段】本実施形態の熱処理装置は、複数枚の半導体基板を棚状に保持する基板保持具を熱処理炉内に収容して熱処理する装置であって、熱処理装置の筐体と、前記筐体に取り付けられたベースプレートとを備える。そして、前記基板保持具に前記半導体基板を載置する基板搬送フォークと、前記ベースプレートに取り付けられ、前記基板搬送フォークを上下方向に移動駆動する上下移動機構とを備える。更に、前記ベースプレートを前記筐体に対して上下方向への移動を許容するように、前記ベースプレートを前記筐体に取り付ける取付部材を備える。
【選択図】図6
【解決手段】本実施形態の熱処理装置は、複数枚の半導体基板を棚状に保持する基板保持具を熱処理炉内に収容して熱処理する装置であって、熱処理装置の筐体と、前記筐体に取り付けられたベースプレートとを備える。そして、前記基板保持具に前記半導体基板を載置する基板搬送フォークと、前記ベースプレートに取り付けられ、前記基板搬送フォークを上下方向に移動駆動する上下移動機構とを備える。更に、前記ベースプレートを前記筐体に対して上下方向への移動を許容するように、前記ベースプレートを前記筐体に取り付ける取付部材を備える。
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、熱処理装置に関する。
半導体基板であるウエハを熱処理する熱処理装置は、多数のウエハを収容するキャリアと、多数のウエハを棚状に配列支持するウエハボート(基板保持具)と、このウエハボートを搬入した状態でウエハを熱処理する熱処理炉と、キャリアとウエハボートとの間でウエハを搬送するウエハ搬送装置とを備えている。ウエハ搬送装置は、ウエハを載置するウエハ搬送フォーク(基板搬送フォーク)と、このウエハ搬送フォークを水平方向(XY方向)に移動駆動する水平移動機構と、ウエハ搬送フォークを上下方向(Z方向)に移動駆動する上下移動機構とを備えている。上下移動機構は、ウエハ搬送フォークを上下方向に移動案内する上下案内部材を備えており、この上下案内部材を熱処理装置の筐体(ハウジング)に固定している。
上記構成においては、熱処理炉によりウエハを熱処理した後、熱処理炉から取り出したウエハボートからキャリアへウエハを搬送する場合、ウエハ搬送装置のウエハ搬送フォークをウエハボートに支持されたウエハの間に挿入する。このとき、ウエハ搬送フォークがウエハに当たってしまうという不具合が発生することがあった。
そこで、半導体基板を熱処理した後、基板搬送フォークを基板保持具の半導体基板の間に挿入させるときに、基板搬送フォークが半導体基板に当たってしまうことを防止することができる熱処理装置を提供する。
本実施形態の熱処理装置は、複数枚の半導体基板を棚状に保持する基板保持具を熱処理炉内に収容して熱処理する熱処理装置であって、熱処理装置の筐体と、前記筐体に取り付けられたベースプレートとを備える。そして、前記基板保持具に前記半導体基板を載置する基板搬送フォークと、前記ベースプレートに取り付けられ、前記基板搬送フォークを上下方向に移動駆動する上下移動機構とを備える。更に、前記ベースプレートを前記筐体に対して上下方向への移動を許容するように、前記ベースプレートを前記筐体に取り付ける取付部材を備える。
以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
(第1実施形態)
以下、縦型の熱処理装置の一実施形態について図1ないし図7を参照して説明する。まず、図1は、上記熱処理装置の内部を示す平面図である。図2は、上記熱処理装置の図1中の右方側から見た縦断面図である。
以下、縦型の熱処理装置の一実施形態について図1ないし図7を参照して説明する。まず、図1は、上記熱処理装置の内部を示す平面図である。図2は、上記熱処理装置の図1中の右方側から見た縦断面図である。
上記熱処理装置の外装体を構成する筐体1内には、半導体基板であるウエハWを収納したキャリア3が装置に対して搬入、搬出されるための搬入搬出領域2と、キャリア3内のウエハを搬送して後述の熱処理炉内に搬入するためのローディング室であるローディングエリア4とが設けられている。搬入搬出領域2とローディングエリア4とは、隔壁5により仕切られている。搬入搬出領域2は大気雰囲気とされ、ローディングエリア4は例えば清浄乾燥気体雰囲気(パーティクル及び有機成分が少なく、露点−60℃以下の空気)とされている。
搬入搬出領域2は、第1の領域6、第2の領域7とからなる。第1の領域6には、キャリア3を載置するための第1の載置台8が設けられている。キャリア3としては、半導体基板である例えば直径300mmのウエハWが複数枚例えば25枚棚状に配列されて収納され、前面の図示しない取り出し口が蓋体により塞がれた例えば樹脂からなる密閉型のFOUP(搬送容器)が用いられる。第2の領域7には、第2の載置台9とキャリア保管部10が設けられると共に、キャリア3を第1の載置台8、第2の載置台9並びにキャリア保管部10の間で搬送するキャリア搬送機構11が設けられている。
また、図1に示すように、隔壁5には、キャリア3内とローディングエリア4とを連通する開口部12が設けられており、開口部12は扉13により開閉される。キャリア3の蓋体は、蓋開閉機構14により開閉される。
また、ローディングエリア4の上方には、下端が炉口として開口する縦型の熱処理炉15が設けられている。ローディングエリア4内には、例えば2基のウエハボート16が設けられている。これらウエハボート16は、夫々多数枚のウエハWを棚状に配列保持する基板保持具をなすものである。ここで、ウエハボート16の構成について簡単に説明すると、天板18と底板19との間に、天板18と底板19とを接続する複数本の支柱20が設けられており、この支柱20に形成された溝部20a(図7参照)にウエハWの周縁部が保持されて、例えば100枚程度のウエハWを所定の間隔で上下に配列して保持できる構成となっている。底板19の下部には底板19を下方から支持する支持部21が設けられている。
そして、ローディングエリア4内には、ウエハボート16を載置するためのステージが3箇所に用意されている。このステージの一つは、熱処理炉15の下方側に設けられた基板保持具昇降機構をなすボートエレベータ22の上に設けられている。このボートエレベータ22は昇降自在に構成され、その上には、熱処理炉15の蓋体23とステージをなす断熱材24とがこの順序で設けられている。断熱材24は例えば石英等により構成されており、その上にウエハボート16が搭載されるようになっている。
ボートエレベータ22は、上下方向に伸びるガイドレール(図示しない)に沿って移動機構26により昇降自在に構成され、こうしてウエハボート16をロード位置とアンロード位置との間で昇降させるようになっている。ロード位置とは、ウエハボート16が熱処理炉15内の反応容器15aに搬入され、熱処理炉15の開口部を蓋体23が覆う位置である。アンロード位置とは、ウエハボート16が熱処理炉15の下方側に搬出される位置(図1、図2に示す位置)である。
ステージとしてはさらに第1のステージ27と第2のステージ28とが設けられている。第1のステージ27は、ウエハボート16と第2の載置台9上のキャリア3との間でウエハの移載を行なう際に、当該ウエハボート16が載置されるステージである。また、第2のステージ28は、熱処理炉15にて熱処理を行なう前後のウエハボート16を仮置きするために用いられるステージである。
さらに、ローディングエリア4には、ボートエレベータ22と、第1のステージ27と、第2のステージ28との間でウエハボート16の移載を行うボート搬送機構29が設けられている。このボート搬送機構29は保持具搬送機構をなすものであり、図1に示すように、アーム駆動部30により、昇降自在、水平軸周りに回転自在、進退自在に構成される多関節アーム31を備える。この多関節アーム31の先端には、平面形状が略U字型であって、開口部32aがウエハボート16の支持部21よりも大きく、底板19よりも小さい保持アーム32を備えている。
この実施形態では、図1に示すように、第1のステージ27と第2のステージ28との間の部位に、ボート搬送機構29が配設されると共に、このボート搬送機構29の左方にアンロード位置にあるボートエレベータ22が配設されている。そして、ボート搬送機構29では、保持アーム32により移動対象のウエハボート16の支持部21の周囲を囲み、次いで当該保持アーム32を上昇させることにより、底板19を持ち上げて移動させ、その反対の動作にて、移動先のステージにウエハボート16の搬送を行なう。この際、ウエハボート16を移動元のステージから一旦ボート搬送機構29に向けて移動させ、次いで、移動先のステージに向けてウエハボート16を移動させるようになっている。
また、ローディングエリア4における搬入搬出領域2に近い側の部位には、ウエハ搬送装置(基板搬送装置)33が第1のステージ27に隣接するように設けられている。このウエハ搬送装置33は、第1のステージ27上のウエハボート16と第2の載置台9上のキャリア3との間でウエハWの移載を行うものである。
このウエハ搬送装置33は、図3に示すように、ウエハWを保持するフォーク(基板搬送フォーク)34と、このフォーク34を支持するフォーク支持基体35と、このフォーク支持基体35を矢印A方向に移動可能に支持する移動支持基体36と、この移動支持基体36を鉛直軸回りに回動可能に支持する回動支持基体37と、この回動支持基体37を上下方向に移動可能に支持する上下移動機構38と備えている。この上下移動機構38は、ボールねじ43のねじ軸39及び2本のガイドレール40が設けられた駆動プレート41を備えて構成されている。駆動プレート41は、ベースプレート42に取り付けられている。
ねじ軸39と、上記回動支持基体37に設けられたナット部37aとからボールねじ43が構成される。上記回動支持基体37に設けられた2個のガイド凸部(図示しない)をガイドレール40に摺動可能に嵌合させることにより、回動支持基体37はガイドレール40によって上下方向へ移動可能に案内される。この構成の場合、ボールねじ43のねじ軸39を図示しないモータにより回転駆動することにより、ねじ軸39の回転量及び回転方向に応じて回動支持基体37(即ち、ナット部37a)を上下方向に精密に移動駆動できる構成となっている。
ベースプレート42は、熱処理装置の筐体1にねじ止めされている。具体的には、図4に示すように、ベースプレート42の上端部に、ねじを挿通させる例えば2個の貫通孔42aが形成され、中間部及び下端部に、ねじを挿通させる例えば6個の貫通状の長孔42bが形成されている。なお、貫通孔42a、42bの数は、ベースプレート42の材料や大きさ等に応じて適宜変更してもよい。この場合、図5に示すように、筐体1にベースプレート42を当接させ、ベースプレート42の貫通孔42a及び長孔42bにねじ44を挿通させ、これら挿通させたねじ44を筐体1のねじ穴にねじ締め固定している。この構成の場合、長孔42b及びねじ44が取付部材を構成している。
長孔42bに挿通させるねじ44の頭部44aのベースプレート42と当接する面44bには、ねじ44より摩擦係数の小さい材料がコーティングされている。摩擦係数の小さい材料としては、例えばポリテトラフルオロエチレン、ナイロン、ポリオキシメチレンなどの樹脂や、モリブデン合金等の金属を用いることが好ましい。尚、樹脂を用いる場合、ベースプレート42の配設環境の最高到達温度に耐えられる融点を持つ材料を選択する必要がある。また、ねじ44より摩擦係数の小さい材料を、ねじ44の頭部44aにコーティングする代わりに、ベースプレート42の長孔42bの開口縁部(ねじ44の頭部44aと当接する面)に、コーティングするように構成しても良い。尚、ベースプレート42の材質は例えばAlとMgの鋳造合金であり、筐体1の材質は例えば鋼鉄である。また、ねじ44の材質は例えば鉄、ステンレス、黄銅、アルミ合金、またはチタン等である。
ここで、熱処理炉15から取り出したウエハボート16からキャリア3へウエハWをウエハ搬送装置33によって搬送する処理について説明する。まず、熱処理炉15から取り出した直後のウエハボート16の温度は例えば600〜800℃程度の高温であるが、ローディングエリア4に設けられた空冷装置(図示しない)により冷却されることにより、ウエハ搬送機構33の周辺の温度は例えば60〜80℃程度になっている。このようにウエハ搬送機構33の周辺の温度が60〜80℃程度であると、ベースプレート42の熱膨張率が熱処理装置の筐体1の熱膨張率よりも大きいために、ベースプレート42の方が大きく熱膨張する。本実施形態の場合、ベースプレート42の材質はAlとMgの鋳造合金であり、その熱膨張率は25×10−6である。これに対して、筐体1の材質は鋼鉄であり、その熱膨張率は11.7×10−6である。
このため、ベースプレートが筐体に完全に固定されていると、ベースプレートおよび筐体が反るように変形してしまうことから、フォークが上または下方向に少し斜めに傾斜してしまう。この結果、フォークをウエハボートのウエハの間に挿入させたときに、フォークがウエハに当たってしまうという不具合が発生するおそれがあった。
これに対して、本実施形態によれば、ベースプレート42は、ベースプレート42の一端部分、例えば上端部だけが筐体1にねじ44止めされ、他の部分は、長孔42bを介して筐体1にねじ44止めされているので、図6に示すように、ベースプレート42は筐体1に押さえ付けられ、筐体1に対してベースプレート42は下方へ向けて自由に熱膨張(伸長)して移動することが可能である。これにより、ベースプレート42は、熱膨張しても、従来構成とは異なり、反るような変形が生じなくなることから、ウエハ搬送装置33のフォーク34が傾斜することを防止でき、フォーク34の水平度を保持できる(図5、図6及び図7参照)。この結果、フォーク34をウエハボート16に支持されたウエハWの間に挿入させたときに、フォーク34がウエハに当たることを防止できる。尚、図6及び図7において、2点鎖線は、ベースプレート42の熱膨張前のフォーク34の位置を示す。
また、本実施形態においては、ベースプレート42が熱膨張したとき、即ち、フォーク34が上下方向に位置がずれたときに、ベースプレート42が伸長する他端、例えば下端部にレーザー光等を照射してその反射光を検知することにより、フォーク34の位置を検知する位置検知装置(図示しない)を備えている。この位置検知装置の検知信号に基づいて、フォーク34の上下方向の位置のずれ(図7参照)を検知して、該位置のずれを補正することができる。尚、位置検知装置としては、レーザー光等を照射して反射光を検知する構成のものに限られるものではなく、カメラで撮影して画像認識する構成のものでも良く、また、接触型のセンサを用いてフォーク34の上下方向の位置を検知する構成のものでも良い。また、フォーク34の上下方向の位置を検知する位置検知装置の代わりに、ベースプレート42の上下方向の位置を検知する位置検知装置を設けるように構成しても良い。
(第2実施形態)
図8及び図9は、第2実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第2実施形態では、長孔42bとねじ44の代わりに、押え部材(取付部材)45を用いるように構成した。
図8及び図9は、第2実施形態を示すものである。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。第2実施形態では、長孔42bとねじ44の代わりに、押え部材(取付部材)45を用いるように構成した。
具体的には、押え部材45は、ベースプレート42を押え付ける押え部46と、筐体1にねじ止めされる取付部47と、押え部46と取付部47を連結する連結部48とを有する。押え部46の内面(ベースプレート42に当接する面)には、すべり部材49が貼り付けられている。上記すべり部材49は、押え部材45より摩擦係数の小さい材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ナイロン、ポリオキシメチレンなどの樹脂や、モリブデン合金等の金属を用いて形成されている。
上記構成の押え部材45を用いてベースプレート42を筐体1に取り付けるに際しては、まず、図8に示すように、ベースプレート42の上端部を筐体1に例えば4本のねじ44で締め付け固定する。そして、ベースプレート42の片側3か所ずつ、両側合わせて6か所に上記押え部材45の押え部46を当接させて押え付けると共に、押え部材45の取付部47を筐体1にねじ44で締め付け固定する。なお、押え部材45が設けられる数は、ベースプレート42の長さや熱処理中にベースプレート42に加わる熱等を考慮して適宜調整することができる。
上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。尚、図8においては、ベースプレート42と筐体1だけを図示し、駆動プレート41、上下移動機構38及びフォーク34等は図示することを省略した。
(その他の実施形態)
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した第1実施形態では、ねじ44の頭部44aのベースプレート42と当接する面44bに、ねじ44より摩擦係数の小さい材料をコーティングするように構成したが、これに限られるものではなく、ねじ44より摩擦係数の小さい材料から形成されたワッシャー、または、表面にねじ44より摩擦係数の小さい材料がコーティングされたワッシャーを、ねじ44の頭部44aとベースプレート42との間に介在させるように構成しても良い。
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した第1実施形態では、ねじ44の頭部44aのベースプレート42と当接する面44bに、ねじ44より摩擦係数の小さい材料をコーティングするように構成したが、これに限られるものではなく、ねじ44より摩擦係数の小さい材料から形成されたワッシャー、または、表面にねじ44より摩擦係数の小さい材料がコーティングされたワッシャーを、ねじ44の頭部44aとベースプレート42との間に介在させるように構成しても良い。
また、第1実施形態では、ベースプレート42の上端部を筐体1にねじ44にて移動不可に固定したが、これに限られるものではなく、ベースプレート42の下端部または中間部を筐体1にねじ44にて移動不可に固定しても良い。また、ベースプレート42の上端部等の一部を筐体1に移動不可に固定することを止めて、全て長孔42bとねじ44で締め付け固定してベースプレート42を移動可能なように構成しても良い。
更に、第2実施形態では、すべり部材49を押え部材45より摩擦係数の小さい材料で形成したが、これに限られるものではなく、すべり部材49の表面(特には、ベースプレート42に当接する面)に押え部材45より摩擦係数の小さい材料をコーティングするように構成しても良い。また、すべり部材49を省略し、押え部材45の押え部46の内面(ベースプレート42に当接する面)に押え部材45より摩擦係数の小さい材料をコーティングするように構成しても良い。また、ベースプレート42の表面に、特には、押え部材45の押え部46と当接する面に、押え部材45より摩擦係数の小さい材料をコーティングするように構成しても良い。
更にまた、第2実施形態では、ベースプレート42の上端部を筐体1にねじ44にて移動不可に固定したが、これに限られるものではなく、ベースプレート42の中間部や下端部を筐体1にねじ44にて移動不可に固定するように構成しても良い。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1は筐体、2は搬入搬出領域、3はキャリア、4はローディングエリア、11はキャリア搬送機構、15は熱処理炉、16はウエハボート(基板保持具)、20は支柱、29はボート搬送機構、33はウエハ搬送装置、34はフォーク(基板搬送フォーク)、35はフォーク支持基体、36は移動支持基体、37は回動支持基体、38は上下移動機構、39はねじ軸、40はガイドレール、41は駆動プレート、42はベースプレート、42bは長孔、43はボールねじ、44はねじ、45は押え部材(取付部材)、46は押え部、47は取付部、48は連結部、49はすべり部材である。
Claims (5)
- 複数枚の半導体基板を棚状に保持する基板保持具を熱処理炉内に収容して熱処理する熱処理装置であって、
熱処理装置の筐体と、
前記筐体に取り付けられたベースプレートと、
前記基板保持具に前記半導体基板を載置する基板搬送フォークと、
前記ベースプレートに取り付けられ、前記基板搬送フォークを上下方向に移動駆動する上下移動機構と、
前記ベースプレートを前記筐体に対して上下方向への移動を許容するように、前記ベースプレートを前記筐体に取り付ける取付部材と、
を備えた熱処理装置。 - 前記取付部材は、前記ベースプレートに形成された上下方向に延びる長孔と、この長孔に挿入されるねじとを備えることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 前記ねじの頭部の前記ベースプレートと当接する面には、前記ねじより摩擦係数の小さい材料がコーティングされていることを特徴とする請求項2記載の熱処理装置。
- 前記取付部材は、前記ベースプレートを押え付ける押え部と、前記筐体にねじ止めされる取付部と、前記押え部と前記取付部を連結する連結部とを備えることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 前記押え部のうちの前記ベースプレートに当接する面には、前記取付部材より摩擦係数の小さい材料からなる、または前記取付部材より摩擦係数の小さい材料が表面にコーティングされたすべり部材が設けられていることを特徴とする請求項4記載の熱処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013045297A JP2014175395A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 熱処理装置 |
US14/019,992 US20140255863A1 (en) | 2013-03-07 | 2013-09-06 | Thermal treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013045297A JP2014175395A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175395A true JP2014175395A (ja) | 2014-09-22 |
Family
ID=51488234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013045297A Pending JP2014175395A (ja) | 2013-03-07 | 2013-03-07 | 熱処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140255863A1 (ja) |
JP (1) | JP2014175395A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110858059B (zh) * | 2018-08-24 | 2021-06-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种垂向运动机构及光刻设备 |
JP7300817B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-06-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145264A (ja) * | 1997-09-06 | 1999-05-28 | Anelva Corp | 静電吸着ステージ及びこの静電吸着ステージを備えた基板処理装置 |
JP2004125638A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Canon Inc | 変位センサ及び干渉計の固定方法 |
JP2008059918A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2013026509A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
-
2013
- 2013-03-07 JP JP2013045297A patent/JP2014175395A/ja active Pending
- 2013-09-06 US US14/019,992 patent/US20140255863A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145264A (ja) * | 1997-09-06 | 1999-05-28 | Anelva Corp | 静電吸着ステージ及びこの静電吸着ステージを備えた基板処理装置 |
JP2004125638A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Canon Inc | 変位センサ及び干渉計の固定方法 |
JP2008059918A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sharp Corp | プラズマプロセス装置 |
JP2013026509A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140255863A1 (en) | 2014-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8181769B2 (en) | Workpiece transfer mechanism, workpiece transfer method and workpiece processing system | |
JP5549441B2 (ja) | 保持体機構、ロードロック装置、処理装置及び搬送機構 | |
KR100613171B1 (ko) | 반도체 기판 냉각 방법 및 장치 | |
US10256128B2 (en) | Cooling mechanism and processing system | |
JP3635061B2 (ja) | 被処理体収容ボックスの開閉蓋の開閉装置及び被処理体の処理システム | |
EP1752725B1 (en) | Vertical heat treatment equipment and method for transferring object to be treated | |
JP5050761B2 (ja) | 被処理体の処理システム及び被処理体の熱処理方法 | |
KR20120092057A (ko) | 열처리 장치 및 열처리 방법 | |
JP5729148B2 (ja) | 基板搬送容器の開閉装置、蓋体の開閉装置及び半導体製造装置 | |
JP6232164B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR20210033886A (ko) | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법 | |
JP2014175395A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2010287635A (ja) | リフロー装置 | |
JP5614352B2 (ja) | ローディングユニット及び処理システム | |
TW201802941A (zh) | 基板處理裝置、溫度測定單元及半導體裝置之製造方法 | |
US8545158B2 (en) | Loading unit and processing system | |
JP7190977B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI789436B (zh) | 收納盒開啟器 | |
KR101296476B1 (ko) | 피처리체의 이동 적재 기구 및 피처리체의 처리 시스템 | |
JP2011061149A (ja) | 共通搬送装置及びこれを用いた処理システム | |
JP2014207338A (ja) | 基板把持装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板把持方法 | |
JP2009188161A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008235810A (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法 | |
JP2001068425A (ja) | 半導体熱処理装置及び方法 | |
JP2018022773A (ja) | 蓋体及びこれを用いた基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |