JP2014175039A - 抵抗メモリ要素の特性化パラメータの形成のための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 増分信号は、各抵抗メモリ要素の最小プログラミング時間あるいは最小プログラミング電圧ステップよりも少ない、持続時間およびピーク電圧のうちの少なくとも1つを含むように定義される。特性化手順は繰り返して実行され、それは少なくとも、信号をメモリ要素に適用し、この信号が各々のその後の適用中に増分信号だけ増分されることと、信号に応答してメモリ要素の第1の抵抗を測定することと、c)プログラミング信号が適用されることなく第1の抵抗の測定からある期間が経過した後に、メモリ要素の第2の抵抗を測定することと、を含む。特性化手順の第1および第2の抵抗測定に応答して、メモリ要素の特性化パラメータが形成される。
【選択図】図11
Description
Claims (20)
- 方法であって、
抵抗メモリ要素の各最小プログラミング時間あるいは最小プログラミング電圧ステップよりも少ない持続時間およびピーク電圧のうちの少なくとも1つを含む増分信号を定義することと、
特性化手順を繰り返し実行することであって、
信号を前記抵抗メモリ要素に適用することであって、前記信号は各々のその後の適用中に前記増分信号によって増分される、適用することと、
前記信号に応答して前記抵抗メモリ要素の第1の抵抗を測定することと、
プログラミング信号が適用されることなく前記第1の抵抗の前記測定からある期間が経過した後に前記抵抗メモリ要素の第2の抵抗を測定することと、
を含む、繰り返し実行することと、
前記特性化手順の前記第1および第2の抵抗測定に応答して前記抵抗メモリ要素の特性化パラメータを形成することと、
前記特性化パラメータを用いて前記抵抗メモリ要素に影響するデータアクセス動作を修正することと、
を含む、方法。 - 前記特性化パラメータは、
前記特性化手順の異なる繰り返し間の前記第1の抵抗の変化、
前記特性化手順の前記異なる繰り返し間の前記第2の抵抗の変化、
のうちの少なくとも1つに基づく、請求項1に記載の方法。 - 前記特性化パラメータは、前記特性化手順の同一の繰り返し内で測定される前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との間の少なくとも1つの差に基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、装置がサービスに供される前に、前記抵抗メモリ要素を備える前記装置のテスト中に実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、装置のユーザ動作中に実行され、前記装置は、前記抵抗メモリ要素を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記特性化手順は、所定のプログラミング状態に到達するまで繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 前記特性化パラメータを利用して、
前記抵抗メモリ要素の長期劣化を予測することと、
前記抵抗メモリ要素で使用されるエラー訂正コードを管理することと、
前記抵抗メモリ要素で使用される冗長性を管理することと、
前記抵抗メモリ要素の消耗を管理することと、
前記抵抗メモリ要素に対してサービス品質を割り当てることと、
のうちの少なくとも1つを実行することをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記抵抗メモリ要素は、複数のメモリセルの選択されたメモリセルを備え、前記特性化パラメータは、前記複数のメモリセルのすべてに影響する前記データアクセス動作を修正するために使用される、請求項7に記載の方法。
- 前記特性化手順は、異なる温度の下で繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 前記特性化手順は、前記抵抗メモリ要素に適用される前記信号に応答して、近隣抵抗メモリ要素の第3の抵抗を測定することをさらに含み、前記特性化パラメータは、前記第3の抵抗にさらに基づいて形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記抵抗メモリ要素および近隣抵抗要素は、メモリブロックの一部であり、前記方法は、前記特性化パラメータを利用して、
前記メモリブロックの長期劣化を予測することと、
前記メモリブロックに向けられる読み取りあるいは書き込み動作を修正することと、
前記メモリブロックで使用されるエラー訂正コードを管理することと、
前記メモリブロックで使用される冗長性を管理することと、
前記メモリブロックの消耗を管理することと、
前記メモリブロックにサービス品質を割り当てることと、
のうちの少なくとも1つを実行することをさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記増分信号は、前記特性化手順の各繰り返しにつき、増分電圧だけ増加される、請求項1に記載の方法。
- 装置であって、
コントローラであって、複数の抵抗メモリ要素に連結可能であり、
前記複数の抵抗メモリ要素の選択された要素に信号を適用することであって、前記信号のピーク電圧は、前記選択された要素の最小プログラミング電圧ステップよりも少ない増分電圧を増分される、適用することと、
適用されている前記信号に応答して、前記選択された要素の第1の抵抗を測定することと、
プログラミング信号が適用されることなく前記第1の抵抗の前記測定からある期間が経過した後に、前記選択された要素の第2の抵抗を測定することと、
を伴う特性化手順を繰り返し実行するように構成される、コントローラを備え、
前記コントローラは、前記特性化手順の前記第1および第2の抵抗測定に応答して、前記選択された要素に影響するデータアクセス動作を修正するようにさらに構成される、装置。 - 前記データアクセス動作は、
前記特性化手順の異なる繰り返し間の前記第1の抵抗の変化と、
前記特性化手順の前記異なる繰り返し間の前記第2の抵抗の変化と、
のうちの少なくとも1つを用いて修正される、請求項13に記載の装置。 - 前記データアクセス動作は、前記特性化手順の同一の繰り返しの前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との間の差を用いて修正される、請求項13に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記特性化手順の前記第1および第2の抵抗測定に応答して、
前記抵抗メモリ要素の長期劣化を予測することと、
前記抵抗メモリ要素で使用されるエラー訂正コードを管理することと、
前記抵抗メモリ要素で使用される冗長性を管理することと、
前記抵抗メモリ要素の消耗を管理することと、
前記抵抗メモリ要素にサービス品質を割り当てることと、
のうちの少なくとも1つを実行するようにさらに構成される、請求項13に記載の装置。 - 前記特性化手順は、前記選択された要素に適用される前記信号に応答して、近隣要素の第3の抵抗を測定することをさらに伴い、前記コントローラは、前記特性化手順の前記第3の抵抗測定に応答して、前記選択された要素に影響する前記データアクセス動作を修正するようにさらに構成される、請求項13に記載の装置。
- 前記特性化手順は、前記選択された要素の所定のプログラミング状態に到達するまで繰り返される、請求項13に記載の装置。
- 装置であって、
コントローラであって、複数の抵抗メモリ要素に連結可能であり、
信号を前記複数の抵抗メモリ要素の選択された要素に適用することであって、前記信号の持続時間は、各々のその後の適用中に、前記選択された要素の最小プログラミング時間よりも少ない量だけ増分される、適用することと、
適用される前記信号に応答して、前記選択された要素の第1の抵抗を測定することと、
プログラミング信号が適用されることなく前記第1の抵抗の前記測定からある期間が経過した後に、前記選択された要素の第2の抵抗を測定することと、
を伴う特性化手順を繰り返し実行するように構成される、コントローラを備え、
前記コントローラは、前記特性化手順の前記第1および第2の抵抗測定に応答して、前記選択された要素に影響するデータアクセス動作の修正を実行するようにさらに構成される、装置。 - 前記信号は、前記特性化手順の各繰り返しにつき、増分電圧だけさらに増加され、前記増分電圧は、前記選択された要素の最小プログラミング電圧ステップよりも少ない、請求項19に記載の装置。
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US11184446B2 (en) | 2018-12-05 | 2021-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for incentivizing participation in fog networks |
US11327551B2 (en) * | 2019-02-14 | 2022-05-10 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for characterizing memory devices |
US11256778B2 (en) | 2019-02-14 | 2022-02-22 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for checking the results of characterized memory searches |
US10867655B1 (en) | 2019-07-08 | 2020-12-15 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for dynamically adjusting performance of partitioned memory |
US11449577B2 (en) | 2019-11-20 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for performing video processing matrix operations within a memory array |
US11853385B2 (en) | 2019-12-05 | 2023-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for performing diversity matrix operations within a memory array |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004185753A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 |
JP2007004849A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sony Corp | 記憶装置及び記憶装置の駆動方法 |
US20130103883A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Kyu Sung Kim | Nonvolatile memory apparatus and write control method thereof |
US20130250651A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Scott Sills | Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7224598B2 (en) | 2004-09-02 | 2007-05-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Programming of programmable resistive memory devices |
US7092290B2 (en) * | 2004-11-16 | 2006-08-15 | Sandisk Corporation | High speed programming system with reduced over programming |
JP5539610B2 (ja) | 2007-03-02 | 2014-07-02 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 相変化メモリのプログラム方法と読み出し方法 |
US8325508B2 (en) * | 2009-06-08 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Writing method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device |
WO2010143396A1 (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子のフォーミング方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
US8238149B2 (en) | 2009-06-25 | 2012-08-07 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory |
US8264895B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-09-11 | Qualcomm Incorporated | Resistance based memory circuit with digital sensing |
US8233345B2 (en) | 2010-09-08 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Phase change memory cycle timer and method |
US8699258B2 (en) * | 2011-01-21 | 2014-04-15 | Macronix International Co., Ltd. | Verification algorithm for metal-oxide resistive memory |
US9378792B2 (en) * | 2011-12-15 | 2016-06-28 | Everspin Technologies, Inc. | Method of writing to a spin torque magnetic random access memory |
-
2013
- 2013-03-07 US US13/789,123 patent/US9105360B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-26 KR KR1020140022661A patent/KR101545560B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-03-05 JP JP2014042771A patent/JP6262025B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004185753A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法 |
JP2007004849A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Sony Corp | 記憶装置及び記憶装置の駆動方法 |
US20130103883A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Kyu Sung Kim | Nonvolatile memory apparatus and write control method thereof |
US20130250651A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Scott Sills | Multi-function resistance change memory cells and apparatuses including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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