JP2014170994A - Mems振動子の製造方法、mems振動子、電子機器および移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】上部電極と下部電極との間隙のばらつきを抑制し、不要な振動モードを排除したMEMS振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】MEMS振動子100の製造方法は、半導体基板10の上に酸化膜11を形成する工程と、酸化膜11の上に窒化膜12を形成する工程と、窒化膜12の上に所定形状の下部電極13aを形成する工程と、下部電極13aおよび窒化膜12の上に第1犠牲層15を形成する工程と、第1犠牲層15および下部電極13aの表層部を削除する工程と、当該削除する工程後の第1犠牲層15および下部電極13aの上に第2犠牲層16を形成する工程と、第2犠牲層16の上に上部電極14aを形成する工程と、上部電極14aおよび下部電極13aを外部端子に接続するための電極配線13b,13c,14bを形成する工程と、第1犠牲層および第2犠牲層を除去する工程と、を有している、ことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】MEMS振動子100の製造方法は、半導体基板10の上に酸化膜11を形成する工程と、酸化膜11の上に窒化膜12を形成する工程と、窒化膜12の上に所定形状の下部電極13aを形成する工程と、下部電極13aおよび窒化膜12の上に第1犠牲層15を形成する工程と、第1犠牲層15および下部電極13aの表層部を削除する工程と、当該削除する工程後の第1犠牲層15および下部電極13aの上に第2犠牲層16を形成する工程と、第2犠牲層16の上に上部電極14aを形成する工程と、上部電極14aおよび下部電極13aを外部端子に接続するための電極配線13b,13c,14bを形成する工程と、第1犠牲層および第2犠牲層を除去する工程と、を有している、ことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、安定した特性を有するように工程設定されているMEMS振動子の製造方法と、当該製造方法により製造されたMEMS振動子と、当該MEMS振動子を搭載している電子機器および移動体と、に関する。
従来、MEMS振動子は、例えば特許文献1に示すような形態のものが知られている。図7は、従来のMEMS振動子の構成を示す断面図である。図7に示すように、MEMS振動子400は、基板612と、基板612上に形成されている下部電極408と、下部電極408と所定距離だけ離間し下部電極408を挟むように基板612上に形成されている2つの電極配線406と、下部電極408との間に間隙410をあけて電極配線406のそれぞれに支持され下部電極408と接近または離反する方向に可動可能な上部電極402と、を備えている。上部電極402は、下部電極408と電極配線406とが離間している部分で、基板612の方向に突き出ている節部402a,402bを有している。このようなMEMS振動子400は、下部電極408と上部電極402との間に交流電圧を印加すると、上部電極402が固有の振動数で振動する。ここで、MEMS振動子400に物理量が加えられ基板612が変形すると、下部電極408と上部電極402との間隙410が変化して、下部電極408と上部電極402との間の電界強度が変化する。これにより、上部電極402の振動数が変化する。この振動数の変化から、MEMS振動子400に加えられた物理量である加速度や角速度や傾斜等を検出することが可能である。
そして、図8(a)〜(d)は、MEMS振動子を製造する工程を示す断面図である。断面図は、図7に示すMEMS振動子400の節部402aの側のみを描いている。MEMS振動子400の製造例としては、まず、図8(a)に示すように、基板612上に電極層を形成し、この電極層をパターニングして下部電極408および下部電極408を挟む電極配線406を形成する。次に、図8(b)に示すように、基板612と下部電極408と電極配線406とを覆って犠牲層520を形成すると共に、犠牲層520に電極配線406まで達する配線ホール521を形成する。この時、犠牲層520は、下部電極408と電極配線406とが離間している部分で、基板612の方向へ凹状に窪んだ凹部520aを有する形態となっている。次に、図8(c)に示すように、犠牲層520を覆って上部電極402を形成する。上部電極402は、犠牲層520の凹部520aに沿って形成されている節部402aを有している。また、上部電極402は、配線ホール521を介して電極配線406に接続している。最後に、図8(d)に示すように、犠牲層520を除去する。このような製造方法により、MEMS振動子400の上部電極402は、電極配線406,406に支持された状態で、節部402a,402bを介して延在し、下部電極408とは間隙410をあけて平行に配置されている。これにより、MEMS振動子400は、ほぼ最小限の工程で、上部電極402と下部電極408とを平行に対向した状態に形成することが可能である。
しかし、従来の技術は、ほぼ最小限の工程でMEMS振動子400を形成することが可能であるが、上部電極402において、電極配線406に支持されている部分と下部電極408に対向する部分との間に節部402a,402bが形成されているため、節部402a,402bの影響により不要な振動モードを有しやすく、安定した特性を得にくい場合があった。また、節部402a,402bを除去するために、犠牲層520を研削等した場合、上部電極402と下部電極408との間隙410は、研削後の犠牲層520の厚みによって決まるため、研削による犠牲層520の厚みのばらつきにより、間隙410もばらついてしまうことになる。その結果、個々のMEMS振動子400において、それらの特性が均一で安定したものにならない、という課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係るMEMS振動子の製造方法は、基板の上に第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上に第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜の上に所定形状の下部電極を形成する工程と、前記下部電極および前記第2の膜の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層の上に少なくとも一部が前記下部電極と対向して配置される上部電極を形成する工程と、前記上部電極および前記下部電極を外部端子に接続するための電極配線を形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、を有し、前記犠牲層を形成する工程は、前記下部電極および前記第2の膜の上に第1犠牲層を形成する工程と、前記第1犠牲層および前記下部電極の表層部を削除する工程と、前記削除する工程後の前記第1犠牲層および前記下部電極の上に第2犠牲層を形成する工程と、を有している、ことを特徴とする。
本適用例のMEMS振動子の製造方法によれば、上部電極は、下部電極の表層部を含めて第1犠牲層が除去された後の下部電極等の上に形成された第2犠牲層の上に形成されている。ここで、第1犠牲層は、第2の膜に所定形状で形成されている下部電極の上、および第2の膜の上にも形成されているため、その全面が平坦ではなく一部が凹凸状をなしている。この状態の第1犠牲層の上に上部電極を形成すると、上部電極も一部が凹凸状をなすことになる。この凹凸状の部分は。従来の技術における節部に該当し、不要な振動モードを有しやすくなる要因になっている。そして、凹凸状を抑制するために第1犠牲層を研削等で一部削除すると、削除後において、第1犠牲層の下部電極に対する厚みが削除精度の影響でばらついてしまい、下部電極と第1犠牲層に形成される上部電極との間の距離即ち間隙のばらつきが大きくなってしまう。そこで、犠牲層を形成する工程は、第1犠牲層の形成後に第1犠牲層および下部電極の表層部を削除する工程と、当該削除する工程の後に第1犠牲層および下部電極の上に第2犠牲層を形成する工程と、を含んでいて、下部電極と上部電極との間隙となる第2犠牲層の厚みを、該削除の精度よりも精度良く形成することが可能である。なお、犠牲層を除去する工程における犠牲層は、第1犠牲層および第2犠牲層を含む呼称である。また、電極配線を形成する工程は、例えば、下部電極を形成する工程および上部電極を形成する工程につづいてそれぞれ行うことになる。このような上部電極を備えたMEMS振動子は、従来に比べて、節部の発生が抑制され不要な振動モードを有しやすい傾向等を大幅に抑制すると共に、MEMS振動子としての特性が均一で安定することになる。
[適用例2]上記適用例に記載のMEMS振動子の製造方法において、前記下部電極を形成する工程では、前記下部電極の膜厚を500〜5000Åに形成し、前記第1犠牲層を形成する工程では、前記第1犠牲層の膜厚を1000〜20000Åに形成し、前記第2犠牲層を形成する工程では、前記第2犠牲層の膜厚を100〜2000Åに形成し、前記上部電極を形成する工程では、前記上部電極の膜厚を1000〜30000Åに形成する、ことが好ましい。
この方法によれば、下部電極、第1犠牲層、第2犠牲層、上部電極等において、膜厚を薄くして生産効率を向上させつつ、薄膜にすることによる配線抵抗等の上昇という弊害等を回避した膜形成が行える設定となっている。また、上部電極は、MEMS振動子の構造体として所望の振動モードで歪みなく振動する必要があり、膜厚は厚ければ厚いほど望ましいが、一方で、膜形成の生産性低下を招き、膜厚が薄い場合に比べ駆動に高電圧が必要となる。これに鑑み、上部電極を薄膜化して、高電圧を用いずに駆動させるためには、1000〜30000Åの膜厚が望ましい。また、第2犠牲層の厚み即ち上部電極と下部電極との間隙は、100〜2000Åが望ましく、MEMS振動子の製造方法における削除する工程および第2犠牲層を形成する工程とを経ることにより、当該間隙に相当する第2犠牲層の厚みを、100〜2000Å内の設定厚に正確に形成することが可能である。この製造方法により、MEMS振動子は、生産性の向上と振動特性の確保等とを両立させることが可能である。
[適用例3]上記適用例に係るMEMS振動子は、基板と、前記基板の上に形成されている第1の膜と、前記第1の膜の上に形成されている第2の膜と、前記第2の膜の上に所定形状で形成されている下部電極と、前記下部電極と間隙をあけて対向配置されている上部電極と、前記上部電極および前記下部電極を外部端子に接続するための電極配線と、を有し、前記上部電極は、前記下部電極および前記第2の膜の上に第1犠牲層を形成した後前記第1犠牲層と前記下部電極の表層部とを削除し、前記削除後の前記第1犠牲層および前記下部電極の上に形成された第2犠牲層の面上に形成され、前記第2犠牲層の除去後に前記下部電極と前記間隙をあけて対向配置されている、ことを特徴とする。
本適用例のMEMS振動子によれば、下部電極と間隙をあけて対向配置されている上部電極は、第1犠牲層と下部電極の表層部とを除去した後に形成された第2犠牲層の上に形成され、第2犠牲層の除去後には、下部電極に対してばらつきが抑制された精緻な間隙をあけて、対向配置されている。このような上部電極を備えたMEMS振動子は、安定した特性を確実に維持することが可能である。
[適用例4]上記適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の製造方法により製造されたMEMS振動子を搭載している、ことを特徴とする。
本適用例の電子機器は、上記適用例のMEMS振動子の製造方法により製造されたMEMS振動子を搭載していて、このMEMS振動子は、下部電極と上部電極との間隙のばらつきが抑制されていて、安定した特性を維持することが可能である。このような電子機器は、機器としての特性および信頼性の向上を図ることが可能である。
[適用例5]上記適用例に係る移動体は、上記適用例に記載の製造方法により製造されたMEMS振動子を搭載している、ことを特徴とする。
本適用例の移動体は、上記適用例のMEMS振動子の製造方法により製造されたMEMS振動子を搭載していて、このMEMS振動子は、下部電極と上部電極との間隙のばらつきが抑制されていて、安定した特性を維持することが可能である。このような移動体は、MEMS振動子の検出機能により移動状態や姿勢等の把握が確実にでき、安全で安定した移動をすることが可能である。
以下、本発明のMEMS振動子の製造方法、MEMS振動子、電子機器および移動体について、その好適な構成例を添付図面に基づいて説明する。なお、添付図面では、各構成部品等を適宜異なった倍率で描いて、特徴が分かりやすいようにしてある。
(実施形態)
(実施形態)
図1(a)は、本発明に係るMEMS振動子の製造方法によって製造されたMEMS振動子の構成を示す平面図である。また、図1(b)は、MEMS振動子の構成を示す断面図であり、図1(a)におけるA−A線に沿う断面を表している。そして、図1では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。この図1に示すように、MEMS振動子100は、半導体基板(基板)10、酸化膜(第1の膜)11、窒化膜(第2の膜)12、下部電極13a、電極配線13b,13c、上部電極14a、電極配線14b等から構成されている。
MEMS振動子100において、半導体基板(基板)10は、この場合X−Y平面に平行に置かれ、可撓性を有するシリコン基板である。また、酸化膜(第1の膜)11は、半導体基板10の面上にZ軸方向に積層されている酸化珪素(SiO2)であり、窒化膜(第2の膜)12は、酸化膜11の面上にZ軸方向に積層されている窒化珪素(Si3N4)である。そして、窒化膜12の上には、窒化膜12をZ軸方向から見た平面視で、窒化膜12の中央部に形成されY軸方向に長辺が向いている長方形形状の下部電極13aと、下部電極13aの一方の長辺側中央部と電気的に接続して長辺より短い幅でX軸方向へ延在する電極配線13bと、下部電極13aの他方の長辺側と距離をおいて対向している長方形領域および電極配線13bと同形状をなして長方形領域から電極配線13bと反対方向へ延在する領域からなる電極配線13cと、が形成されている。
さらに、MEMS振動子100において、平面視で長方形形状をなし、下部電極13aと間隙18を隔てて対向するように配置されている上部電極14aと、電極配線13cの上に位置する上部電極14aの端部と電極配線13cとを電気的に接続して立設されている電極配線14bと、が形成されている。即ち、上部電極14aは、下部電極13aと対向する状態で、電極配線13c上の電極配線14bによって片持ち支持されている。これら下部電極13a、電極配線13b、電極配線13c、上部電極14aおよび電極配線14bの形成材料は、いわゆる導電膜や半導体膜として用いることができる材料が好ましく、MEMS振動子100では導電性のポリシリコンが用いられている。
このような構造のMEMS振動子100は、図示していない外部端子から電極配線13bおよび電極配線13cへ交流電圧が印加されると、電極配線13bに接続している下部電極13a、および電極配線14bを介して電極配線13cに接続している上部電極14aに発生する電荷の静電力により、上部電極14aが振動する。この振動は、上部電極14aを形成する材料のヤング率、密度、および上部電極14aのZ方向の厚み、X方向の長さおよびバネ定数等によって決まる。
次に、MEMS振動子100が、加速度、角速度、傾斜等の物理量を検出するメカニズムについて説明する。図2(a)は、MEMS振動子の取付例を示す正面図、図2(b)は、MEMS振動子の動作を示す断面図である。この場合、MEMS振動子100は、MEMSセンサー200に組み込まれていて、下部電極13a、電極配線13b、電極配線13c、上部電極14aおよび電極配線14bが被覆体210で覆われ、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気等の中に封止されている。MEMSセンサー200におけるMEMS振動子100は、図2(a)に示す一例のように、ベース部20に一端を固定されている弾性板21にMEMS振動子100の半導体基板10が貼付されている。ベース部20は、加えられた物理量を検出したい電子機器等の筐体や基板等が該当する。このベース部20に物理量が加えられると、弾性板21が矢印α1またはα2の方向に撓み、MEMSセンサー200は、弾性板21の撓んだ量を、MEMS振動子100によって検出することができる。
例えば、電子機器等の内部に弾性板21を固定設置した場合に、電子機器等に加えられた加速度の方向や強さに対応して弾性板21が撓むため、その撓む量をMEMS振動子100が検出し加速度の方向や強さを知ることができる。また、電子機器等の傾いた方向や傾きの程度を検出することもできる。そして、MEMSセンサー200を有する弾性板21を複数用いて、それぞれ異なる方向に撓むようにすれば、複数方向から加えられた物理量を同時に検出することができる。
次に、弾性板21の撓みを検出する場合のMEMS振動子100の動作について、図2(b)を参照して、説明する。図2(b)は、弾性板21が矢印α2(図2(a))の方向に撓んだ場合を示している。この場合、弾性板21に追随して半導体基板10も撓み、半導体基板10の撓みに伴い下部電極13a、電極配線13b、および上部電極14aを片持ち支持するための電極配線13cが変形する。そのため、下部電極13aと上部電極14aとの間の間隙18が変化して大きくなる。間隙18が変化することにより、下部電極13aと上部電極14aとの間の電界強度が変化し、その結果、上部電極14aの振動数が変化する。
図示していないが、弾性板21が矢印α1(図2(a))の方向に撓んだ場合、下部電極13a、および上部電極14aを片持ち支持する電極配線13cが変形し、下部電極13aと上部電極14aとの間の間隙18が変化して小さくなる。間隙18が変化することにより、下部電極13aと上部電極14aとの間の電界強度が変化し、その結果、上部電極14aの振動数が変化する。MEMS振動子100では、上記のような上部電極14aの振動数の変化を検出し、検出された振動数の変化の割合に応じて、換算テーブル等によって定められた数値に変換することで、加速度、角速度、傾斜等の物理量が導出される。
次に、MEMS振動子100の製造方法について、説明する。図3は、MEMS振動子の製造工程を順に示すフローチャートである。また、図4(a)〜(e)および図5(f)〜(i)は、MEMS振動子の各製造工程における状態を示す断面図である。まず、工程S1において、半導体基板の面上に酸化膜を形成する。具体的には、図4(a)に示すように、半導体基板10の一方の面の上に重ねて、第1の膜である酸化膜11を形成する。酸化膜11としては、酸化珪素(SiO2)を用い、半導体基板10の上に蒸着加工等により形成されている。この工程S1は、第1の膜を形成する工程に該当する。酸化膜11の形成後、工程S2へ進む。
工程S2において、酸化膜の上に窒化膜を形成する。具体的には、図4(b)に示すように、半導体基板10上の酸化膜11の上に重ねて、第2の膜である窒化膜12を形成する。窒化膜12しては、窒化珪素(Si3N4)を用い、酸化膜11の上に蒸着加工等により形成されている。この工程S2は、第2の膜を形成する工程に該当する。窒化膜12の形成後、工程S3へ進む。
工程S3において、窒化膜の上に電極層を形成する。電極層13は、窒化膜12の上の全面に重ねて形成されている。図4(c)では、次の工程S4におけるパターニング部13dも示されているが、工程S3では、パターニング部13dの部分も含め窒化膜12上の全面に電極層13が形成されている。電極層13の形成後、工程S4へ進む。
工程S4において、電極層をパターニングし、下部電極および電極配線を形成する。具体的には、図4(c)に示すように、窒化膜12上の全面に形成されている電極層13をフォトリソグラフィー等によってパターニングし、下部電極13a、電極配線13b、および電極配線13cを形成する。この電極層13は、導電性のポリシリコンによって形成されていて、パターニングにより、平面視で見ると、図1(a)に示すように、下部電極13a、下部電極13aと接続している電極配線13b、および下部電極13aとパターニング部13d(図4(c))を挟んで対向している電極配線13cに分割された形態になっている。パターニング部13dおよびパターニング部13dと同様に電極層13が除去された部分は、平面視で見ると、窒化膜12が露出した状態である。この電極層13は、ポリシリコンの他、アモルファスシリコン、タングステン、タングステン化合物、チタン、チタン化合物、アルミ、アルミ化合物、金、銀、銅等によって形成することもできる。
ここで、電極層13において、その製造の観点からは薄ければ薄いほど生産効率が良くなるが、薄膜化するほど抵抗値の上昇という弊害を招いてしまう。MEMS振動子100のような微細な振動子を製造する場合、ポリシリコンで500〜5000Åの厚さに形成すると、その抵抗値を1000Ω以下とすることができ、その抵抗を無視できるようになることが知見できた。そこで、MEMS振動子100における電極層13の膜厚を1000Åと設定した。これら工程S3および工程S4は、下部電極を形成する工程および電極配線を形成する工程に該当し、両工程を統一して効率的に行うことができる。なお、下部電極13aと、電極配線13bおよび電極配線13cと、を個別に形成するような工程であっても良い。下部電極13a、電極配線13b、および電極配線13cの形成後、工程S5に進む。
工程S5において、下部電極、電極配線および窒化膜の上に犠牲層を形成する。ここでいう犠牲層は、後述する第1犠牲層15(図4(d))および第2犠牲層16(図5(f))の総称である。工程S5では、図4(d)に示すように、下部電極13a、電極配線13b、電極配線13c、および露出している窒化膜12の上に第1犠牲層15を蒸着加工等により形成する。この場合、第1犠牲層15としては、第1の膜と同じ酸化膜11が用いられている。また、第1犠牲層15は、下部電極13aと電極配線13cとを分割しているパターニング部13dでは窒化膜12の面に形成されているため、表層がパターニング部13dに沿って窪んだ凹部15aを有している。
ここで、第1犠牲層15の膜厚は、下部電極13aの膜厚、および下部電極13aと電極配線13cとの間隙がどのような設定であるか、によって決定されるが、下部電極13aに対しては、下部電極13aの膜厚の2倍以上が望ましいという知見が得られている。これは、MEMS振動子100において、現時点の半導体加工技術から想定される下部電極13aと電極配線13cとの間に形成可能な間隙の1/2以上の値で、第1犠牲層15の膜厚を設定することに相当する。つまり、第1犠牲層15の膜厚は、望ましい下部電極13aの膜厚である500〜5000Åの2倍以上の1000〜20000Å以上が望ましいと考えられ、MEMS振動子100の場合、2000〜3000Åの範囲に設定している。工程S5は、犠牲層を形成する工程に含まれている、第1犠牲層を形成する工程に該当する。第1犠牲層15の形成後、工程S6へ進む。
工程S6において、第1犠牲層15および下部電極を研削する。具体的には、図4(e)に示すように、第1犠牲層15を下部電極13aの表層部まで含め研削により削除する。図4(e)では、凹部15aの除去を含む研削によって除去された、第1犠牲層15の研削除去部15bおよび下部電極13aの表層部である研削削除部13eを二点鎖線で示している。ここで、第1犠牲層15の厚みが2000Å以上であり、下部電極13aの膜厚が1000Åであることから、工程S6後では凹部15aが削除されることになる。この工程S6は、犠牲層を形成する工程に含まれている、表層部を削除する工程に該当する。表層の除去後、工程S7へ進む。
工程S7において、下部電極および残存する第1犠牲層の上に第2犠牲層を形成する。この第2犠牲層16は、図5(f)に示すように、研削され平坦面となっている、下部電極13aおよび第1犠牲層15に蒸着加工等によって形成される。また、第2犠牲層16の厚みは、工程S11でも後述するが、下部電極13aと上部電極14aとの間隙18に相当することから、100〜2000Åが望ましく、この場合、300〜1000Åの範囲に設定している。このようにして形成した第2犠牲層16は、蒸着等により正確な厚みで形成され、その厚み精度は研削等で機械的に削り出された場合より良好である。つまり、下部電極13aと上部電極14aとの間隙18をより精緻に設定することができる。工程S7は、犠牲層を形成する工程に含まれている、第2犠牲層を形成する工程に該当する。第2犠牲層16の形成後、工程S8へ進む。
工程S8において、第2犠牲層に配線ホールを形成する。これは、図5(g)に示すように、第2犠牲層16を貫通して電極配線13cに達する配線ホール16aを、フォトリソグラフィー等により形成する工程である。配線ホール16aの形成後、工程S9へ進む。
工程S8において、第2犠牲層に配線ホールを形成する。これは、図5(g)に示すように、第2犠牲層16を貫通して電極配線13cに達する配線ホール16aを、フォトリソグラフィー等により形成する工程である。配線ホール16aの形成後、工程S9へ進む。
工程S9において、第2犠牲層16の上および配線ホールへ電極層を形成する。具体的には、電極層14は、電極層13と同じのポリシリコンであり、図5(h)に示すように、工程S7で形成した第2犠牲層16の上の全面への形成に加え、配線ホール16aを充填するようにして形成される。この図5(h)では、次の工程S10における電極層14のパターニングがなされた状態を示しているが、工程S9では、電極層14がパターニング部を含めて第2犠牲層16の全面に形成されている。この電極層14は、ポリシリコンの他、アモルファスシリコン、タングステン、タングステン化合物、チタン、チタン化合物、アルミ、アルミ化合物、金、銀、銅等によって形成することもできる。電極層14の形成後、工程S10へ進む。
工程S10において、電極層をパターニングして上部電極を形成する。具体的には、図5(h)に示すように、第2犠牲層16の全面に形成されている電極層14をフォトリソグラフィー等によってパターニングし、第2犠牲層16を介して下部電極13aに対向している上部電極14aと、上部電極14aを電極配線13cに接続している電極配線14bと、を形成する。これら工程S9および工程S10は、上部電極を形成する工程および電極配線を形成する工程に該当し、両工程を統一して効率的に行うことができる。なお、上部電極14aと、電極配線14bと、を個別に形成するような工程であっても良い。上部電極14aの形成後、工程S11へ進む。
工程S11において、第1犠牲層15および第2犠牲層16を除去する。第1犠牲層15および第2犠牲層16の除去後は、図5(i)に示すように、上部電極14aと下部電極13aとが、第2犠牲層16の厚みに相当する間隙18をあけた状態で、互いに対向している。また、上部電極14aは、電極配線13cに立設された電極配線14bに片持ち支持された状態になっている。この上部電極14aは、振動子の構造体として、入力される交流信号と直流電圧を受け止めて所望の振動モードで歪みなく振動する必要がある。このことを鑑みると上部電極14aの膜厚は厚ければ厚いほど好ましいが、一方で、膜を形成する生産性の低下を招くことになり、駆動するために高電圧の印加が必要となる。そのため、上部電極14aを薄膜化して、高電圧を用いずに駆動させるためには、1000〜30000Åの膜厚が望ましいことが知見され、上部電極14aの厚みは、この範囲内の値に設定されている。また、工程S7に関連することであるが、下部電極13aと上部電極14aとの間隙18即ち第2犠牲層16の厚みは、MEMS振動子100のような静電駆動型の場合、スティッキングしない程度に狭くなっていることが望ましく、狭くすることで低電圧での駆動が可能となる。この観点からも、第2犠牲層16の厚みは、100〜2000Å内にあることが望ましいといえる。
なお、酸化膜11および窒化膜12は、下部電極13a、上部電極14a、電極配線13b,13c,14bを半導体基板10と絶縁する材料を選択することが肝要である。例えば、酸化膜11としては、酸化珪素(SiO2)のほかに酸化アルミニウム(Al2O3)および酸化チタン(TiO2)等を用いることもでき、窒化膜12としては、窒化珪素(Si3N4)のほかに窒化シリコン酸(SiON)、窒化アルミニウム(AlN)および窒化チタン(TiN)等を用いることもできる。また、第1犠牲層15および第2犠牲層16は、酸化膜11と同じ酸化珪素(SiO2)であるが、工程S11において、下部電極13a、上部電極14aを溶解等させることなく、選択的に除去される材料であれば良い。以上でMEMS振動子100を製造するフローが終了する。
このような製造方法で製造されたMEMS振動子100は、第1犠牲層15の形成後に、表層部を削除する工程で第1犠牲層15および下部電極13aの一部が除去されることにより、除去後には凹部15aが除去された状態になっている。また、研削で凹部15aが除去された第1犠牲層15、および下部電極13aの上に第2犠牲層16を形成することにより、下部電極と上部電極との間隙となる第2犠牲層の厚みを正確に形成できる。このようにして形成された上部電極14aには従来有していたような節部がないため、MEMS振動子100は、従来のMEMS振動子に比べて、不要な振動モードを有しやすい傾向を大幅に抑制することができる。そして、MEMS振動子100は、下部電極13aを1000Å、および上部電極14aを1000〜30000Åの最適な厚み薄膜化し、下部電極13aと上部電極14aとの間隙18を300〜1000Åとする製造方法で形成していて、高電圧を用いずに駆動させることができる設定である。これにより、MEMS振動子100は、生産性の向上と安定した振動特性の確保とを両立させると共に、振動子設計における負担の軽減等が図れる。
さらに、MEMS振動子100は、電極配線13b,13cに接続する外部端子や半導体回路等と一体に構成することができる。例えば、酸化膜11および窒化膜12は、半導体回路の層間膜や保護膜等の絶縁膜として兼用し、また、電極配線13b,13cは、回路配線層として兼用することなどで、半導体回路を一体に形成することができる。換言すると、MEMS振動子100は、半導体回路の製造工程において形成することができ、各種の半導体回路等に容易に組み込むことができる。
(電子機器)
(電子機器)
次に、MEMS振動子100を用いた電子機器について、説明する。図6(a)は、MEMS振動子を搭載しているビデオカメラを示す斜視図、図6(b)は、MEMS振動子を搭載している携帯電話を示す斜視図である。これら電子機器としてのビデオカメラ700および携帯電話800は、本発明に係るMEMS振動子100を搭載している。最初に、図6(a)に示すビデオカメラ700は、受像部701と、操作部702と、音声入力部703と、表示ユニット704と、を備えている。このビデオカメラ700は、MEMS振動子100を備えており、例えば3つのMEMS振動子100を備えていれば、ビデオカメラ700における3方向の加速度等を検出して、手ぶれ等を補正する機能を発揮できる。これにより、ビデオカメラ700は、鮮明な動画映像を記録することができる。
また、図6(b)に示す携帯電話800は、複数の操作ボタン801と、表示ユニット802と、カメラ機構803と、シャッターボタン804と、を備えていて、電話機およびカメラとして機能する。この携帯電話800は、MEMS振動子100を備えており、例えば3つのMEMS振動子100を備えていれば、携帯電話800における3方向の加速度等を検出することにより、カメラ機構803の手ぶれ等を補正する機能を発揮できる。これにより、携帯電話800は、カメラ機構803により鮮明な画像を記録することができる。
(移動体)
(移動体)
次に、MEMS振動子100を用いた移動体について、説明する。図6(c)は、MEMS振動子を搭載している移動体を示す斜視図である。図6(c)に示すように、この場合の移動体900は、自動車であって、MEMS振動子100が備えられている。移動体900において、MEMS振動子100は、車体901に搭載されている電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)903に内蔵されている。電子制御ユニット903は、例えばMEMS振動子100が加速度計や傾斜計として車体901の状態を検出すること等により、移動体900の姿勢や移動状況等を把握し、タイヤ902等の制御を的確に行うことができる。これにより、移動体900は、安全で安定した移動をすることができる。MEMS振動子100は、他にもエアバック用の衝撃センサーや、圧力センサーとしてタイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)などにも適用できる。
なお、MEMS振動子100は、ビデオカメラ700、携帯電話800および移動体900の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター等に適用することができる。また、MEMS振動子100を発振源とする発振器にも適用することができる。
10…基板としての半導体基板、11…第1の膜としての酸化膜、12…第2の膜としての窒化膜、13…電極層、13a…下部電極、13b…電極配線、13c…電極配線、13d…パターニング部、13e…研削削除部、14…電極層、14a…上部電極、14b…電極配線、15…第1犠牲層、15a…凹部、15b…研削除去部、16…第2犠牲層、16a…配線ホール、18…間隙、20…ベース部、21…弾性板、100…MEMS振動子、200…MEMSセンサー、700…電子機器としてのビデオカメラ、800…電子機器としての携帯電話、900…移動体。
Claims (5)
- 基板の上に第1の膜を形成する工程と、
前記第1の膜の上に第2の膜を形成する工程と、
前記第2の膜の上に所定形状の下部電極を形成する工程と、
前記下部電極および前記第2の膜の上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上に少なくとも一部が前記下部電極と対向して配置される上部電極を形成する工程と、
前記上部電極および前記下部電極を外部端子に接続するための電極配線を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、を有し、
前記犠牲層を形成する工程は、前記下部電極および前記第2の膜の上に第1犠牲層を形成する工程と、前記第1犠牲層および前記下部電極の表層部を削除する工程と、前記削除する工程後の前記第1犠牲層および前記下部電極の上に第2犠牲層を形成する工程と、を有している、ことを特徴とするMEMS振動子の製造方法。 - 前記下部電極を形成する工程では、前記下部電極の膜厚を500〜5000Åに形成し、
前記第1犠牲層を形成する工程では、前記第1犠牲層の膜厚を1000〜20000Åに形成し、
前記第2犠牲層を形成する工程では、前記第2犠牲層の膜厚を100〜2000Åに形成し、
前記上部電極を形成する工程では、前記上部電極の膜厚を1000〜30000Åに形成する、ことを特徴とする請求項1に記載のMEMS振動子の製造方法。 - 基板と、
前記基板の上に形成されている第1の膜と、
前記第1の膜の上に形成されている第2の膜と、
前記第2の膜の上に所定形状で形成されている下部電極と、
前記下部電極と間隙をあけて対向配置されている上部電極と、
前記上部電極および前記下部電極を外部端子に接続するための電極配線と、を有し、
前記上部電極は、前記下部電極および前記第2の膜の上に第1犠牲層を形成した後前記第1犠牲層と前記下部電極の表層部とを削除し、前記削除後の前記第1犠牲層および前記下部電極の上に形成された第2犠牲層の面上に形成され、前記第2犠牲層の除去後に前記下部電極と前記間隙をあけて対向配置されている、ことを特徴とするMEMS振動子。 - 請求項1または2に記載のMEMS振動子の製造方法により製造されたMEMS振動子を備えている、ことを特徴とする電子機器。
- 請求項1または2に記載のMEMS振動子の製造方法により製造されたMEMS振動子を備えている、ことを特徴とする移動体。
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JP2013040403A JP2014170994A (ja) | 2013-03-01 | 2013-03-01 | Mems振動子の製造方法、mems振動子、電子機器および移動体 |
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WO2016086690A1 (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Mems双层悬浮微结构的制作方法和mems红外探测器 |
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2013
- 2013-03-01 JP JP2013040403A patent/JP2014170994A/ja active Pending
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WO2016086690A1 (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | 无锡华润上华半导体有限公司 | Mems双层悬浮微结构的制作方法和mems红外探测器 |
US10301175B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-05-28 | Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd | Method for manufacturing MEMS double-layer suspension microstructure, and MEMS infrared detector |
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