JP2014165283A - イオンビーム照射装置及び基板冷却方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wと冷媒との間で熱交換が行われる熱交換部5Aと、前記熱交換部Aに冷媒を流通させるための柔軟性を有した樹脂製配管5Bとを具備する第1冷却機構5と、熱移送によって前記基板Wを冷却する第2冷却機構6と、少なくとも前記基板Wの目標基板冷却温度が前記樹脂製配管5Bの耐寒限界温度以下の場合に、前記樹脂製配管5Bに耐寒限界温度より高い温度の冷媒を流通させつつ、前記第2冷却機構6により前記基板Wを冷却させる冷却機構制御部7とを備えた。
【選択図】図1
Description
前記基板搬送機構3は、上部構造3Uが主として保持されている基板Wの姿勢制御を行うものであり、下部構造3Bが保持されている基板Wをイオンビームに対して横切らせるための水平方向への移動を行うためのものである。すなわち、前記上部構造3Uは、垂直軸回りの回転を行うための垂直軸回り回転機構3Rと、基板Wを着脱可能に保持する前記基板保持部31とから構成してある。前記基板保持部31は、保持されている基板Wの表面に対して垂直な軸回りに回転可能に構成してある静電チャックである。この基板保持部31の近傍には、保持されている基板Wを冷却するために前記冷却システムFSの一部が構成してある。
前記第2冷却機構は、第1冷却機構5と異なり熱交換による基板Wの冷却ではなく、基板Wから基板W外への熱移送により基板Wを冷却するように構成してある。ここで、熱移送による冷却とは、例えば冷媒を用いずに低温側の物体から高温側の物体へ熱を移送することにより低温側の物体のさらなる温度低下が可能な冷却方法を含む。なお、第1冷却機構5のような熱交換による冷却では、基板Wよりも冷媒が低温の場合のみ基板Wが冷却されるので、基板Wの温度は冷媒の温度よりも低い温度となることはない。
W ・・・基板
VR ・・・真空室
1 ・・・イオン注入室
2 ・・・直動機構収容室
3 ・・・基板搬送機構
3U ・・・上部構造
3B ・・・下部構造
3R ・・・垂直軸回り回転機構
31 ・・・基板保持部(静電チャック)
32 ・・・モータ
33 ・・・ボールネジ
34 ・・・ナット
35 ・・・ケーブルガイド
4 ・・・隔壁
41 ・・・連結スリット
5 ・・・第1冷却機構
5A ・・・熱交換部
5B ・・・樹脂製配管
51 ・・・ガス貯留部
52 ・・・ガス経路
53 ・・・冷媒流通部
6 ・・・ペルチェ素子(第2冷却機構)
61 ・・・吸熱面
62 ・・・放熱面
7 ・・・冷却機構制御部
71 ・・・第1冷却機構制御部
72 ・・・第2冷却機構制御部
73 ・・・冷媒温度制御部
74 ・・・ガス制御部
Claims (7)
- 基板搬送機構の基板保持部に保持されている基板を冷却するよう構成されたイオンビーム照射装置であって、
基板と冷媒との間で熱交換が行われる熱交換部と、前記熱交換部に冷媒を流通させるための柔軟性を有した樹脂製配管とを具備する第1冷却機構と、
熱移送によって前記基板を冷却する第2冷却機構と、
少なくとも前記基板の目標基板冷却温度が前記樹脂製配管の耐寒限界温度以下の場合に、前記樹脂製配管に耐寒限界温度より高い温度の冷媒を流通させつつ、前記第2冷却機構により前記基板を冷却させる冷却機構制御部とを備えたことを特徴とするイオンビーム照射装置。 - 目標基板冷却温度が−60℃以下である請求項1記載のイオンビーム照射装置。
- 前記第2冷却機構が、吸熱面が前記基板保持部と接触し、放熱面が前記熱交換部と接触するペルチェ素子である請求項1又は2記載のイオンビーム照射装置。
- 前記熱交換部が、前記基板保持部と保持されている基板との間の空間であり、基板冷却時にガスが貯留されるガス貯留部と、前記ガス貯留部へのガスの供給又は当該ガス貯留部からのガスの排出を行うためのガス経路と、前記ガス経路の少なくとも一部と接触し、冷媒が流通する冷媒流通部とから構成されている請求項1乃至3いずれかに記載のイオンビーム照射装置。
- 前記ペルチェ素子の放熱面が前記冷媒流通部と接触している請求項4記載のイオンビーム照射装置。
- 前記基板保持部に保持されている基板と接触して、当該基板の温度を測定する接触式温度センサをさらに備え、
前記冷却機構制御部が、前記第1冷却機構における冷媒の温度を目標冷媒温度で一定に保つように制御するとともに、前記接触式温度センサで測定される基板測定温度と目標基板冷却温度との偏差が小さくなるように前記第2冷却機構を制御するよう構成されている請求項1乃至5いずれかに記載のイオンビーム照射装置。 - 基板と冷媒との間で熱交換が行われる熱交換部と、前記熱交換部に冷媒を流通させるための柔軟性を有した樹脂製配管とを具備する第1冷却機構と、熱移送によって前記基板を冷却する第2冷却機構とを備え、基板搬送機構の基板保持部に保持されている基板を冷却するよう構成されたイオンビーム照射装置に用いられる基板冷却方法であって、
少なくとも前記基板の目標基板冷却温度が前記樹脂製配管の耐寒限界温度以下の場合に、前記樹脂製配管に耐寒限界温度より高い温度の冷媒を流通させつつ、前記第2冷却機構により前記基板を冷却させることを特徴とする基板冷却方法。
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