JP2014165226A - 固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画質を向上させることができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、各々が光電変換部PDを有する複数の画素PXと、前記複数の画素PXが2次元状に配置されている有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素PXの光電変換部PDにそれぞれ導く複数の第1のマイクロレンズ35と、前記有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素PXの光電変換部PDには導かない複数の第2のマイクロレンズ36と、を備える。
【選択図】図6
【解決手段】固体撮像素子は、各々が光電変換部PDを有する複数の画素PXと、前記複数の画素PXが2次元状に配置されている有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素PXの光電変換部PDにそれぞれ導く複数の第1のマイクロレンズ35と、前記有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素PXの光電変換部PDには導かない複数の第2のマイクロレンズ36と、を備える。
【選択図】図6
Description
本発明は、固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置に関するものである。
従来から、固体撮像素子では、各画素の光電変換部への集光率を高めて感度を向上させるために、入射光を前記光電変換部へ導くマイクロレンズが2次元状に配置されている。
下記特許文献1の図1には、このような固体撮像素子において、対角方向に隣接するマイクロレンズ間の間隔が比較的大きくなることが開示されている。
前記従来の固体撮像素子では、対角方向に隣接するマイクロレンズ間の間隔にはレンズ等は何ら形成されていない。したがって、その間隔に入射された光は、隣接画素等の光電変換部に入射されてしまい、クロストークとなり、画質低下の原因となってしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、画質を向上させることができる固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第1の態様による固体撮像素子は、各々が光電変換部を有する複数の画素と、前記複数の画素が2次元状に配置されている有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素の前記光電変換部にそれぞれ導く複数の第1のマイクロレンズと、前記有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素の前記光電変換部には導かない複数の第2のマイクロレンズと、を備えたものである。
第2の態様による固体撮像素子は、前記第1の態様において、前記第2のマイクロレンズは、入射光を遮光部に導くものである。
第3の態様による固体撮像素子は、前記第1又は第2の態様において、前記複数の第1のマイクロレンズは、第1の方向及びこれと直交する第2の方向に並ぶように正方格子状に配列され、前記複数の第2のマイクロレンズは、前記複数の第1のマイクロレンズの位置から、前記第1の方向及び前記第2の方向に、前記複数の第1のマイクロレンズの前記第1の方向及び前記第2の方向のピッチの半分ずらされた各位置に配置されたものである。
第4の態様による固体撮像素子は、前記第1乃至第3のいずれかの態様において、前記各光電変換部について、当該光電変換部の中心に対する、前記複数の第1のマイクロレンズのうち当該光電変換部に入射光を導く第1のマイクロレンズの中心の位置が、前記有効画素領域の中心と当該光電変換部の中心との間の距離が大きくなるにつれて連続的又は段階的に前記有効画素領域の中心側にシフトするものである。
第5の態様による撮像装置は、前記第1乃至第4のいずれかの態様による固体撮像素子を備えたものである。
本発明によれば、画質を向上させることができる固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置を提供することができる。
以下、本発明による固体撮像素子及び撮像装置について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一の実施の形態による撮像装置としての電子カメラ1を模式的に示す概略ブロック図である。
本実施の形態による電子カメラ1は、例えば一眼レフのデジタルカメラとして構成されるが、本発明による撮像装置は、これに限らず、コンパクトカメラなどの他の電子カメラや、携帯電話に搭載された電子カメラや、動画を撮像するビデオカメラ等の電子カメラなどの種々の撮像装置に適用することができる。
電子カメラ1には、撮影レンズ2が装着される。この撮影レンズ2は、レンズ制御部3によってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ2の像空間には、固体撮像素子4の撮像面が配置される。
固体撮像素子4は、撮像制御部5の指令によって駆動され、デジタルの画像信号を出力する。デジタル信号処理部6は、固体撮像素子4から出力されるデジタルの画像信号に対して、デジタル増幅、色補間処理、ホワイトバランス処理などの画像処理等を行う。メモリ7は、バス8に接続されている。バス8には、レンズ制御部3、撮像制御部5、CPU9、液晶表示パネル等の表示部10、記録部11、画像圧縮部12及び画像処理部13なども接続される。CPU9には、レリーズ釦などの操作部14が接続される。また、記録部11には記録媒体11aが着脱自在に装着される。
本実施の形態では、操作部14のレリーズ釦の半押し操作が行われると、電子カメラ1内のCPU9は、図示しない焦点検出センサからの検出信号に基づいてデフォーカス量を算出し、このデフォーカス量に応じて合焦状態となるように、レンズ制御部3に撮影レンズ2を調節させる。また、CPU9は、予め操作部14により指令された絞りとなるように、レンズ制御部3に撮影レンズ2を調節させる。そして、操作部14のレリーズ釦の全押し操作に同期して、CPU9が撮像制御部5を介して固体撮像素子4を制御することによって、固体撮像素子4からデジタルの画像信号が読み出される。この画像信号は、デジタル信号処理部6により処理された後に、メモリ7に一旦格納される。その後、CPU9は、操作部14の指令に基づき、メモリ7内の画像信号に対して必要に応じて画像処理部13や画像圧縮部12にて所望の処理を行い、記録部11に処理後の信号を出力させ記録媒体11aに記録する。
図2は、図1中の固体撮像素子4の概略構成を示す回路図である。本実施の形態では、固体撮像素子4は、CMOS型の固体撮像素子として構成されているが、例えば、他のXYアドレス型固体撮像素子や、CCD型の固体撮像素子として構成してもよい。
固体撮像素子4は、図2に示すように、n行m列に2次元マトリクス状に配置された画素PXからなる画素部21と、垂直走査回路23と、画素PXの行毎に設けられた制御線24〜26と、画素PXの列毎に設けられ対応する列の画素PXからの信号を受け取る複数の(m本の)垂直信号線27と、各垂直信号線27に設けられた定電流源28と、各垂直信号線27に対応して設けられたCDS回路(相関2重サンプリング回路)29及びA/D変換器30と、水平読み出し回路40とを有している。
図3は、図2中の1つの画素PXを示す回路図である。各画素PXは、一般的なCMOSイメージセンサと同様に、入射光に応じた電荷を生成し蓄積する光電変換部としてのフォトダイオードPDと、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部としてのフローティングディフュージョンFDと、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する増幅部としての増幅トランジスタAMPと、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョンFDに電荷を転送する転送トランジスタTXと、フローティングディフュージョンFDの電位をリセットするリセットトランジスタRESと、読み出し行を選択するための選択トランジスタSELとを有し、図3に示すように接続されている。図3において、VDDは電源電位である。
転送トランジスタTXのゲートは行毎に制御線25に共通に接続され、そこには、制御信号φTXが垂直走査回路23から供給される。リセットトランジスタRESのゲートは行毎に制御線24に共通に接続され、そこには、制御信号φRESが垂直走査回路23から供給される。選択トランジスタSELのゲートは行毎に制御線26に共通に接続され、そこには、制御信号φSELが垂直走査回路23から供給される。各制御信号φTXを行毎に区別する場合、j行目の制御信号φTXは符号φTX(j)で示す。この点は、制御信号φRES,φSELについても同様である。
垂直走査回路23は、図1中の撮像制御部5からの制御信号を受けて、画素PXの行毎に、制御信号φSEL,φRES,φTXをそれぞれ出力し、画素部21の画素PXを制御し、静止画読み出し動作などを実現する。この制御によって、各垂直信号線27には、それに対応する列の画素PXの信号(アナログ信号)が供給される。その具体的な動作については公知であるため、ここではその説明は省略する。
なお、画素PXの構成は、前述した図3に示す構成に限らない。例えば、列方向に隣り合う複数の画素PX毎に、当該複数の画素PXが1組のフローティングディフュージョンFD、増幅トランジスタAMP、リセットトランジスタRES及び選択トランジスタSELを共有してもよい。
画素PXから垂直信号線27に読み出された信号は、各列毎に、CDS回路29にて所定のノイズ除去処理が施された後に、A/D変換器30にてデジタル信号に変換され、そのデジタル信号はA/D変換器30に保持される。各A/D変換器30に保持されたデジタルの画像信号は、水平読み出し回路40によって水平走査され、必要に応じて所定の信号形式に変換されて、外部(図1中のデジタル信号処理部6)へ出力される。なお、固体撮像素子4は必ずしもA/D変換器30を含む必要はなく、水平読み出し回路40からアナログ画像信号が出力されるように構成してもよい。
図4は、図1中の固体撮像素子4の有効画素領域の一部(特に、マイクロレンズ35,36)を模式的に示す概略平面図である。図5は、図4中のA−A’線を延長した線に沿った断面を模式的に示す概略断面図である。図5では、遮光膜37の図示は省略している。図6は、図4が有効画素領域の中央部を示すものとした場合の、図4中のB−B’線に沿った概略断面図である。図7は、図4が有効画素領域の周辺部を示すものとした場合の、図4中のB−B’線に沿った概略断面図である。図6及び図7では、入射光の光線の様子も示され、入射光が真っ直ぐ入射する光線が破線で示されるとともに、入射光が斜めに入射する光線が実線で示されている。図6は有効画素領域の中央部を示しているので、入射光は真っ直ぐ入射することから、実線の光線は参考にすぎず、図6での光線の様子は破線を参照されたい。図7は有効画素領域の周辺部を示しているので、入射光は斜めに入射することから、破線の光線は参考にすぎず、図7での光線の様子は実線を参照されたい。遮光膜37の上面に到達した入射光はその上面で反射されるが、図7では、光線の様子の理解を容易にするため、一部の光線については、遮光膜37の上面で反射する光線を示す矢印付きのラインだけでなく、あたかも遮光膜37をそのまま透過したようなラインも記載している。
本実施の形態では、シリコン基板31にフォトダイオードPDなどの画素部における各素子が設けられている。シリコン基板31上に層間絶縁膜32を介してカラーフィルタ33が設けられ、更にその上に、平坦化膜34を介して、複数の第1のマイクロレンズ35及び複数の第2のマイクロレンズ36が、オンチップで設けられている。カラーフィルタ33は、各フォトダイオードPDに対応して設けられている。カラーフィルタ33の色配列として、例えば、ベイヤー配列が採用される。
図6及び図7に示すように、層間絶縁膜32中には、遮光部としての遮光膜37が形成されている。本実施の形態では、遮光膜37として、最上層のアルミニウム等の配線層が用いられている。もっとも、遮光膜37は、配線層とは別に設けてもよいし、光を反射する反射膜に限らず光を吸収する吸収膜でもよい。図面には示していないが、フォトダイオードPDと遮光膜37との間の1層以上の中間階層において、フォトダイオードPDに導かれる入射光を妨げない位置に、アルミニウム等の配線層が形成されている。遮光膜37には、マイクロレンズ35を介してフォトダイオードPDに導かれる入射光を通過させる開口37aが形成されている。
複数の第1のマイクロレンズ35は、入射光を有効画素領域の複数の画素PXのフォトダイオードPDにそれぞれ導く。一方、複数の第2のマイクロレンズ36は、入射光を有効画素領域の複数の画素PXのフォトダイオードPDには導かない。本実施の形態では、複数の第1のマイクロレンズ36は、入射光を遮光膜37に導くようになっている。入射光を有効に利用するため、第1のマイクロレンズ35の面積を極力大きくすることが、好ましい。本実施の形態では、第1のマイクロレンズ35の平面視の形状は、四隅を丸めた正方形状とされているが、これに限らない。第1及び第2のマイクロレンズ35,36は、例えば、エッチバック法等により形成することができる。
本実施の形態では、図4に示すように、有効画素領域において、複数の第1のマイクロレンズ35は、第1の方向(図4中の横方向)及びこれと直交する第2の方向(図4中の縦方向)に並ぶように、それぞれピッチPで正方格子状に配列されている。複数の第2のマイクロレンズ36は、複数の第1のマイクロレンズ35の位置から、前記第1の方向及び前記第2の方向に、複数の第1のマイクロレンズ35の前記第1の方向及び前記第2の方向のピッチPの半分ずらされた各位置に配置されている。第1及び第2のマイクロレンズ35,36は、平面視で互いに重ならないように配置されている。第2のマイクロレンズ36は、対角方向に隣接する第1のマイクロレンズ35間の間隔に配置されている。
本実施の形態では、フォトダイオードPD、遮光膜37の開口37a及びカラーフィルタ33も、図4中の横方向及び縦方向に並ぶように、正方格子状に配置されている。図5及び図6に示すように、平面視で、有効画素領域の中央部のフォトダイオードPDの中心、遮光膜37の開口37aの中心、及び、第1のマイクロレンズ35の中心が、互いに一致している。そして、図5及び図7に示すように、フォトダイオードPDのピッチ、遮光膜37の開口37aのピッチ、カラーフィルタ33のピッチ及び第1のマイクロレンズ35のピッチPの順に、小さくされている。これにより、有効画素領域の中心に比べて周辺部の入射光が斜めに入射することに起因したシェーディングを低減することができる。したがって、本実施の形態のように前記各ピッチをそれぞれ変えることが好ましいが、本発明では、前記各ピッチを互いに同一にしてもよい。
なお、図面表記の便宜上、図7では、フォトダイオードPDのピッチと遮光膜37の開口37aのピッチとが同一であるととともに、カラーフィルタ33のピッチと第1のマイクロレンズ35のピッチとが同一であるものとして、フォトダイオードPDと開口37aとの位置関係が図6の場合と同一にされるとともに、カラーフィルタ33と第1及び第2のマイクロレンズ35,36との位置関係が図6の場合と同一にされている。
前述したように、本実施の形態では、有効画素領域の中央部の第1のマイクロレンズ35の中心とフォトダイオードPDの中心とが平面視で一致しているとともに、第1のマイクロレンズ35のピッチPがフォトダイオードPDのピッチよりも小さくされている。これにより、各フォトダイオードPDについて、当該フォトダイオードPDの中心に対する、前記複数の第1のマイクロレンズ35のうち当該フォトダイオードPDに入射光を導く第1のマイクロレンズ35の中心の位置が、前記有効画素領域の中心と当該フォトダイオードPDの中心との間の距離が大きくなるにつれて連続的に有効画素領域の中心側にシフトしている。もっとも、連続的にシフトさせる代わりに、段階的にシフトさせてもよく、その場合にも前記シェーディングを低減することができる。
図8は、比較例による固体撮像素子の有効画素領域の一部(特に、マイクロレンズ35)を模式的に示す概略平面図であり、図4に対応している。図9は、図8が有効画素領域の中央部を示すものとした場合の、図8中のC−C’線に沿った概略断面図であり、図6に対応している。図10は、図8が有効画素領域の周辺部を示すものとした場合の、図8中のC−C’線に沿った概略断面図であり、図7に対応している。図8乃至図10において、図4、図6及び図7中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
この比較例による固体撮像素子が本実施の形態における固体撮像素子4と異なる所は、第2のマイクロレンズ36が設けられていない点のみである。
ここで、本実施の形態における有効画素領域の中央部での入射光の光線の様子(図6中の破線)と、前記比較例における有効画素領域の中央部での入射光の光線の様子(図9中の破線)とを比較する。前記比較例では、第2のマイクロレンズ36が設けられていないので、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は、何ら集光されないものの、その入射光のうちの回折光を除いて、遮光膜37によって遮光され、フォトダイオードPDに到達せずに、クロストークとならない。しかし、図面には示していないが、前記比較例では、例えば、図9中のラインL1と平行にラインL1の極近くの右側を通る光線は、図9中の左側の第1のマイクロレンズ35の右縁付近において回折して回折光となって、ほぼ図9中のラインL2を通って、図9中の左側のフォトダイオードPDに入射してしまい、クロストークとなる。これに対し、本実施の形態では、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は、図6のラインL1と平行にラインL1の極近くの右側を通る光線も含めて、第2のマイクロレンズ36によって遮光膜37に集光され、遮光膜37によって遮光され、フォトダイオードPDに到達せずにクロストークとならない。
次に、本実施の形態における有効画素領域の周辺部での入射光の光線の様子(図7中の実線)と、前記比較例における有効画素領域の周辺部での入射光の光線の様子(図10中の実線)とを比較する。前記比較例では、第2のマイクロレンズ36が設けられていないので、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は、何ら集光されないものの、その入射光のうちの回折光を除いて、遮光膜37によって遮光され、フォトダイオードPDに到達せずに、クロストークとならない。しかし、図面には示していないが、前記比較例では、例えば、図10中のラインL3と平行にラインL3の極近くの左側を通る光線は、図10中の右側の第1のマイクロレンズ35の左縁付近において回折して回折光となって、図10中のラインL4を通って、図10中の右側のフォトダイオードPDに入射してしまい、クロストークとなる。これに対し、本実施の形態では、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は、図7のラインL3と平行にラインL3の極近くの左側を通る光線も含めて、第2のマイクロレンズ36によって遮光膜37に集光され、遮光膜37によって遮光され、フォトダイオードPDに到達せずにクロストークとならない。
このように、有効画素領域の中央部及び周辺部のいずれにおいても、第2のマイクロレンズ36が設けられていない比較例では、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光の一部が、遮光されずにフォトダイオードPDに到達してクロストークとなるのに対し、第2のマイクロレンズ36が設けられている本実施の形態では、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は、遮光されてフォトダイオードPDに到達せず、クロストークとならない。
したがって、本実施の形態によれば、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光によるクロストークを低減することができる。
なお、第1のマイクロレンズ35間の間隔(ギャップ)に入射する光は第2のマイクロレンズ36によって集光されるので、遮光膜37の幅を狭くすることも可能である。遮光膜37の幅を狭くすることで、遮光膜37の開口率を高めて感度を向上させることができ、例えばF1.4等の光においても集光率を向上することが可能となる。
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
例えば、前記実施の形態における固体撮像素子は、表面照射型固体撮像素子であるが、本発明は、裏面照射型固体撮像素子に適用することもできる。
また、本発明では、図4に示すような正方格子状の配置を45度回転させたような正方格子状の配置を採用してもよい。
1 電子カメラ
4 固体撮像素子
35 第1のマイクロレンズ
36 第2のマイクロレンズ
37 遮光膜(遮光部)
PX 画素
PD フォトダイオード(光電変換部)
4 固体撮像素子
35 第1のマイクロレンズ
36 第2のマイクロレンズ
37 遮光膜(遮光部)
PX 画素
PD フォトダイオード(光電変換部)
Claims (5)
- 各々が光電変換部を有する複数の画素と、
前記複数の画素が2次元状に配置されている有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素の前記光電変換部にそれぞれ導く複数の第1のマイクロレンズと、
前記有効画素領域に設けられ、入射光を前記複数の画素の前記光電変換部には導かない複数の第2のマイクロレンズと、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記第2のマイクロレンズは、入射光を遮光部に導くことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記複数の第1のマイクロレンズは、第1の方向及びこれと直交する第2の方向に並ぶように正方格子状に配列され、
前記複数の第2のマイクロレンズは、前記複数の第1のマイクロレンズの位置から、前記第1の方向及び前記第2の方向に、前記複数の第1のマイクロレンズの前記第1の方向及び前記第2の方向のピッチの半分ずらされた各位置に配置された、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像素子。 - 前記各光電変換部について、当該光電変換部の中心に対する、前記複数の第1のマイクロレンズのうち当該光電変換部に入射光を導く第1のマイクロレンズの中心の位置が、前記有効画素領域の中心と当該光電変換部の中心との間の距離が大きくなるにつれて連続的又は段階的に前記有効画素領域の中心側にシフトすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像素子を備えたことを特徴とする撮像装置。
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