JP2014152339A - Sample holder - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理対象の基板を搭載してプラズマ処理装置に格納されるサンプルホルダに関する。 The present invention relates to a sample holder on which a substrate to be processed is mounted and stored in a plasma processing apparatus.
半導体装置の製造工程において、高精度のプロセス制御が容易であるという利点から、成膜、エッチング、アッシングなどの処理にプラズマ処理装置が用いられている。例えば成膜装置として、平行平板を構成するカソード電極とアノード電極間にプラズマを形成して成膜処理を行うプラズマ化学気相成長(CVD)成膜装置が知られている。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a plasma processing apparatus is used for processes such as film formation, etching, and ashing because of high-precision process control. For example, as a film forming apparatus, a plasma chemical vapor deposition (CVD) film forming apparatus is known in which a plasma is formed between a cathode electrode and an anode electrode constituting parallel plates to perform a film forming process.
プラズマCVD成膜装置の基板処理方法は、基板を1枚ずつ処理する枚葉式と複数の基板を同時に処理するバッチ式に大別される。太陽電池は基板サイズが125mm〜156mm程度と小さく、また、基板1枚当たりにかけられるコストが小さいために単位時間当たりの処理基板枚数を多くする必要がある。このため、太陽電池用の成膜装置ではバッチ式が用いられることが多い。特に、処理効率を向上させるために、基板を垂直に装着するサンプルホルダを用いて、同時に処理できる基板の数を増やすことが有効である(例えば、特許文献1参照。)。 The substrate processing method of the plasma CVD film forming apparatus is roughly classified into a single wafer type that processes substrates one by one and a batch type that processes a plurality of substrates simultaneously. The solar cell has a small substrate size of about 125 mm to 156 mm, and the cost applied to each substrate is small, so that it is necessary to increase the number of substrates processed per unit time. For this reason, a batch type is often used in a film forming apparatus for a solar cell. In particular, in order to improve the processing efficiency, it is effective to increase the number of substrates that can be processed at the same time using a sample holder on which the substrates are mounted vertically (see, for example, Patent Document 1).
サンプルホルダに基板を垂直に装着するために、例えば、サンプルホルダの基板を搭載する面にピン穴を形成し、このピン穴に圧入した金属ピンを基板支持具とする方法を用いることができる。しかし、サンプルホルダは定期的に洗浄する必要があり、例えばフッ酸洗浄時などに毎回サンプルホルダから金属ピンを取り外す必要があった。このような金属ピンの圧入と取り外しを繰り返すことによってサンプルホルダのピン穴が広がり、金属ピンが搭載面に密着せず、容易に外れてしまうという問題があった。 In order to mount the substrate vertically on the sample holder, for example, a method of forming a pin hole on the surface of the sample holder on which the substrate is mounted and using a metal pin press-fitted into the pin hole as a substrate support can be used. However, it is necessary to periodically clean the sample holder. For example, it is necessary to remove the metal pin from the sample holder every time the hydrofluoric acid is washed. By repeating such press-fitting and removing of the metal pin, the pin hole of the sample holder widens, and there is a problem that the metal pin does not adhere to the mounting surface and easily comes off.
上記問題点に鑑み、基板支持具の取り付けと取り外しを繰り返しても、基板支持具が搭載面に安定して装着されるサンプルホルダを提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a sample holder in which a substrate support can be stably mounted on a mounting surface even when the substrate support is repeatedly attached and detached.
本発明の一態様によれば、プラズマ処理装置に格納されるサンプルホルダであって、(イ)処理対象の基板を搭載する搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、(ロ)内部に円筒形状の空洞を形成するようにそれぞれ環状に構成された軸部分とその軸部分よりも断面積の広い頭部からなる外殻部、及び外殻部の軸部分の内壁に密着して配置された円柱形状の芯部からなり、搭載面に軸部分の一部が埋め込まれた複数の基板支持具とを備え、基板支持具の頭部と搭載面との隙間で軸部分に支持されて基板が配置されるサンプルホルダが提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a sample holder stored in a plasma processing apparatus, wherein (a) a substrate plate on which a substrate to be processed is mounted extends in a vertical direction, and (b) a cylinder inside. A shaft portion configured in an annular shape so as to form a hollow shape, an outer shell portion composed of a head having a wider cross-sectional area than the shaft portion, and an inner wall of the shaft portion of the outer shell portion are arranged in close contact with each other A plurality of substrate supports, each of which has a cylindrical core portion and a portion of the shaft portion embedded in the mounting surface, and the substrate is supported by the shaft portion with a gap between the head of the substrate support and the mounting surface. A sample holder to be placed is provided.
本発明によれば、基板支持具の取り付けと取り外しを繰り返しても、基板支持具が搭載面に安定して装着されるサンプルホルダを提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it repeats attachment and removal of a board | substrate support tool, the sample holder with which a board | substrate support tool is stably mounted | worn can be provided.
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic. Further, the embodiment described below exemplifies an apparatus and a method for embodying the technical idea of the present invention, and the embodiment of the present invention has the following structure and arrangement of components. It is not something specific. The embodiment of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.
本発明の実施形態に係るサンプルホルダ10は、プラズマ処理装置に格納されるサンプルホルダであって、図1に示すように、処理対象の基板を搭載する搭載面110が垂直方向に延伸する基板プレート11と、搭載面110に配置された基板支持具20とを備える。基板支持具20は、内部に円筒形の空洞を形成するようにそれぞれ環状に構成された軸部分211と、軸部分211よりも断面積の広い頭部212からなる外殻部21、及び外殻部21の軸部分211の内壁に密着して配置された円柱形状の芯部22からなる。図1に示したように、搭載面110に軸部分の一部が埋め込まれている。
A
詳細は後述するが、軸部分211内部の空洞に押し込まれた芯部22によって軸部分211の内壁に外側に向けて圧力がかかる。このため、軸部分211の外壁が基板プレート11に押しつけられることになり、基板支持具20は搭載面110から簡単にははずれない。
Although details will be described later, pressure is applied to the inner wall of the
図2に示すように、複数の基板支持具20が搭載面110に配置されている。図2に示した例では、矩形領域で定義された搭載位置111に配置される基板に対して、下部端面及び左右部端面それぞれに相当する位置に基板支持具20が配置されている。これにより、基板の下辺部、右辺部及び左辺部が基板支持具20によってそれぞれ支持されて、基板が搭載面110上に固定される。なお、基板支持具20の個数は3個に限られることは無く、基板が安定して搭載面110上に配置されるように、基板支持具20の個数や配置箇所は任意に設定できる。
As shown in FIG. 2, a plurality of substrate supports 20 are arranged on the
図3に示すように、基板支持具20の頭部212と搭載面110との隙間で軸部分211に支持されて、基板1が搭載面110上で固定される。このため、搭載面110上で露出する軸部分211の長さtは、基板1の厚みと同等と設定される。
As shown in FIG. 3, the substrate 1 is fixed on the
図4に、基板支持具20を搭載面110に取り付けるための装着具200の構造を示す。装着具200は、芯部22が先端に配置されたシャフト220が、軸部分211と頭部212からなる外殻部21の内部空洞に挿入された構造である。シャフト220は、芯部22、くびれ部221及び引き出し部222が連結された構造であり、基板支持具20を搭載面110に取り付ける前の状態では、外殻部21の内部空洞には引き出し部222が配置されている。芯部22の直径d1よりも引き出し部222の直径d2の方が細く、くびれ部221は引き出し部222よりも更に細く形成されている。より具体的には、引き出し部222の直径d2は外殻部21の内部空洞の直径よりも細く、芯部22の直径d1は外殻部21の内部空洞の直径よりもやや太い。以下に、基板支持具20を搭載面110に取り付ける方法の例を説明する。
FIG. 4 shows the structure of a
まず、図5に示すように、搭載面110に開口部を有する貫通孔100を基板プレート11に形成する。貫通孔100の直径は、基板支持具20の軸部分211の直径と同等程度に設定される。
First, as shown in FIG. 5, a
次いで、図6に示すように、芯部22が基板プレート11の反対側の面に突き出すように、搭載面110側から装着具200を基板プレート11に形成した貫通孔100に挿入する。貫通孔100の直径が軸部分211の直径と同等程度であるため、装着具200は安定した姿勢で搭載面110上で保持され、装着具200のシャフト220は搭載面110の面法線方向に延伸する。このとき、軸部分211の先端は貫通孔100内に位置する。なお、頭部212と搭載面110間で露出する軸部分211の長さtが基板1の厚みと同等になるように、外殻部21の位置を設定する。
Next, as shown in FIG. 6, the
そして、外殻部21の位置が変化しないようにして、引き出し部222を図6の矢印の方向、即ち、搭載面110の面法線方向に引っ張る。このとき、図7に示すように、芯部22が軸部分211の内部に留まるようにシャフト220を移動させる。その後、くびれ部221でシャフト220を切断することにより、図1に示したように、基板支持具20が搭載面110に取り付けられる。
Then, the
既に説明したように、芯部22の直径d1は外殻部21の内部空洞の直径よりもやや太く設定される。例えば、図8に示すように、外殻部21の内部空洞の直径が1.65mmである場合に、芯部22の直径d1が1.75mm程度、引き出し部222の直径d2が1.45mm程度に設定される。これにより、図7に示すように芯部22が外殻部21の内部空洞に押し込まれた場合に、外殻部21の内部空洞が押し広げられようにして、芯部22が内部空洞に挿入される。例えば、軸部分211の外径の直径が2.4mmから2.6mm程度まで増大する。その結果、軸部分211の外壁が貫通孔100の内壁に密着し、軸部分211が常に基板プレート11に強く圧着する状態となる。このため、基板支持具20が搭載面110から容易にはずれないサンプルホルダ10を実現できる。
As already described, the diameter d1 of the
上記のように、サンプルホルダ10では、搭載面110に貫通孔100の開口部が形成される。しかし、貫通孔100は基板支持具20によって密閉されるため、貫通孔100の開口部に起因するホロー放電は発生しない。
As described above, in the
図1に示したサンプルホルダ10では、サンプルホルダの洗浄時に基板支持具20を搭載面110から取り外し、洗浄後に新たな基板支持具20を搭載面110に取り付ける場合でも、金属ピンのように圧入する必要がなく、且つ安定して基板支持具20を搭載面110に固定することができる。つまり、搭載面110に形成した穴の直径が若干広がったとしても、芯部22によって軸部分211が基板プレート11に強く圧着されるため、基板支持具20は基板1を支持できる十分な強度で搭載面110に固定される。
In the
更に、搭載面110上に露出する軸部分211の長さtの管理も容易になり、組み立て性が向上する。また、基板支持具20の量産効果により、コストダウンも実現できる。
Furthermore, management of the length t of the
基板支持具20を搭載面110に取り付ける作業では、貫通孔100への装着具200の取り付け、外殻部21の内部空洞への芯部22の挿入、シャフト220の切断の一連の作業などを専用のリベッターを使用して行うことができる。なお、搭載面110から基板支持具20を取り外すには、例えば3Kg程度の力で頭部212を引っ張ればよい。このような搭載面110からの基板支持具20の取り外しも、専用の工具を使用できる。このため、作業者の技術や経験に依存せずに、基板支持具20の取り付け及び取り外し作業を行うことができる。これにより、精度誤差を抑制することができる。
In the operation of attaching the
基板支持具20の材料には、アルミニウム(Al)材やステンレス鋼(SUS)材などの金属材料を採用可能である。処理工程でサンプルホルダ10が高温になることなどを考慮すれば、SUS材を基板支持具20に好適に使用できる。しかし、基板支持具20の材料はSUSに限定されることは無く、処理工程の温度において変形などをしない耐熱性を有する材料であれば採用可能である。処理工程が700℃程度で行われる場合を考慮して、基板支持具20が700℃以上の耐熱性を有する材料からなることが好ましい。
A metal material such as an aluminum (Al) material or a stainless steel (SUS) material can be used as the material of the
基板プレート11の材料には、Al材やSUS材なども採用可能であるが、成膜処理が例えば450℃以上の高温で行われる場合があることなどを考慮して、カーボン材を使用することが好ましい。或いは、導電性セラミックをサンプルホルダ10に採用してもよい。
Al material or SUS material can be used as the material of the
なお、図9に示すように、搭載面110の面法線方向に沿って複数の基板プレート11が並列に並べられたボートタイプのサンプルホルダ10を採用できる。基板プレート11のそれぞれの底部は固定板101によって固定されている。図9では、基板支持具20の図示を省略している。搭載面110を複数有するボートタイプのサンプルホルダ10を使用することにより、1回の成膜処理工程で処理できる基板1の枚数を増やすことができ、その結果、全体の処理時間を短縮することができる。
As shown in FIG. 9, a boat-
以上に説明したように、本発明の実施形態に係るサンプルホルダ10によれば、基板支持具20の取り付けと取り外しを繰り返しても、基板支持具20が搭載面110に安定して装着されるサンプルホルダを提供することができる。例えば、サンプルホルダ10を交換するまでの基板支持具20の取り付け及び取り外し回数は12回くらいが通常の目安とされているが、サンプルホルダ10では、取り付け及び取り外しを24回行っても、基板支持具20を搭載面110に十分な強度で取り付けることができた。
As described above, according to the
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As mentioned above, although this invention was described by embodiment, it should not be understood that the description and drawing which form a part of this indication limit this invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art. That is, it goes without saying that the present invention includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
1…基板
10…サンプルホルダ
11…基板プレート
20…基板支持具
21…外殻部
22…芯部
100…貫通孔
101…固定板
110…搭載面
111…搭載位置
200…装着具
211…軸部分
212…頭部
220…シャフト
221…くびれ部
222…引き出し部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (4)
処理対象の基板を搭載する搭載面が垂直方向に延伸する基板プレートと、
内部に円筒形状の空洞を形成するようにそれぞれ環状に構成された軸部分と該軸部分よりも断面積の広い頭部からなる外殻部、及び前記外殻部の軸部分の内壁に密着して配置された円柱形状の芯部からなり、前記搭載面に前記軸部分の一部が埋め込まれた複数の基板支持具と
を備え、前記基板支持具の前記頭部と前記搭載面との隙間で前記軸部分に支持されて前記基板が配置されることを特徴とするサンプルホルダ。 A sample holder stored in a plasma processing apparatus,
A substrate plate on which a mounting surface for mounting a substrate to be processed extends vertically;
A shaft portion configured in an annular shape so as to form a cylindrical cavity inside, an outer shell portion comprising a head having a wider cross-sectional area than the shaft portion, and an inner wall of the shaft portion of the outer shell portion A plurality of substrate supports in which a part of the shaft portion is embedded in the mounting surface, and a gap between the head of the substrate support and the mounting surface A sample holder, wherein the substrate is arranged supported by the shaft portion.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013020088A JP2014152339A (en) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | Sample holder |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016154180A (en) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 株式会社島津製作所 | Substrate supporter |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337629A (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | Tokyo Electron Ltd | Jig for holding wafer |
JPH10199964A (en) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate rotation holding equipment and rotary substrate treating equipment |
JP2004172241A (en) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Sharp Corp | Method and apparatus of manufacturing solar battery cell |
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2013
- 2013-02-05 JP JP2013020088A patent/JP2014152339A/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337629A (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | Tokyo Electron Ltd | Jig for holding wafer |
JPH10199964A (en) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate rotation holding equipment and rotary substrate treating equipment |
JP2004172241A (en) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Sharp Corp | Method and apparatus of manufacturing solar battery cell |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016154180A (en) * | 2015-02-20 | 2016-08-25 | 株式会社島津製作所 | Substrate supporter |
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