JP2014149764A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】消費電力の増大を防ぐことが可能な電圧レギュレータを内蔵した半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、第1外部電源装置からの電圧を受ける電圧レギュレータ回路と、第2外部電源装置からの電圧を電源電圧として用いる際に、第2外部電源装置から第1外部電源装置へ電流が流れるのを防ぐ逆流防止スイッチ回路とを有する。逆流防止スイッチ回路に含まれるスイッチMOSFETは、バックゲートを介して電流が電圧レギュレータ回路に流れるのを防ぐように、そのバックゲートはソースに接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体集積回路装置は、第1外部電源装置からの電圧を受ける電圧レギュレータ回路と、第2外部電源装置からの電圧を電源電圧として用いる際に、第2外部電源装置から第1外部電源装置へ電流が流れるのを防ぐ逆流防止スイッチ回路とを有する。逆流防止スイッチ回路に含まれるスイッチMOSFETは、バックゲートを介して電流が電圧レギュレータ回路に流れるのを防ぐように、そのバックゲートはソースに接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に電圧レギュレータを内蔵した半導体集積回路装置に関する。
レギュレータ半導体装置は、特許文献1に開示されている。
携帯用機器等に使われる半導体集積回路装置では、携帯時には、充電池等のバッテリを電源として動作する。一方、バッテリの充電等の際には、バッテリとは異なる外部電源装置により動作することが要求される場合がある。外部電源装置からの電源電圧は、一般的にバッテリの電圧よりも高い電圧値である。そのため、半導体集積回路装置内の内部回路(例えば携帯電子機器用の半導体集積回路装置の場合、当該電子機器に搭載される多くの機能を実現するためのいろいろな機能ブロックを含む)に適した電圧値になるように、外部電源装置からの電圧を降圧し、安定した電圧となるように、電圧レギュレータが、半導体集積回路装置に設けられる。携帯時には、電圧レギュレータを介さずに、バッテリから半導体集積回路装置の内部回路へ電源電圧の供給が行われる。
本願の発明者は、半導体集積回路装置に、2個の電源端子を設け、一方の電源端子にバッテリを接続することができるようにし、他方の電源端子にバッテリよりも高電圧の外部電源装置を接続することができるようにすることを考えた。この場合、上記他方の電源端子に供給される電源電圧を受ける電圧レギュレータが、半導体集積回路装置に設けられる。半導体集積回路装置の内部回路には、電圧レギュレータからの電圧または一方の電源端子からの電圧が、電源電圧として供給される。この様にした場合、2個の電源端子のそれぞれに外部電源装置(バッテリも含めて)が接続され、それぞれの電源端子に供給される電圧の値によっては、外部電源装置間で電流が流れることがあることを、本願の発明者は見出した。外部電源装置間で、電流が流れると、消費電力の増大を招くことになる。
特許文献1には、入力端子(Tin)から出力端子(Tout)に供給する電流を制御するMOSトランジスタ(M1)と、MOSトランジスタ(M1)を制御する電圧制御手段とを有するレギュレータ半導体装置が、その図2に示されている。また、逆電流を防止する逆電流防止手段を、電源装置に設けることが示されている。しかしながら、複数の電源端子を、半導体集積回路装置に設けることは示されておらず、それぞれの電源端子に外部電源装置が接続された場合に生じる課題についても認識されていない。
本発明の目的は、消費電力の増大を防ぐことが可能な電圧レギュレータを内蔵した半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、半導体集積回路装置は、第1外部電源装置から電圧が供給される第1電源端子と、第2外部電源装置から電圧が供給され、内部回路へ電圧を供給する第2電源端子と、上記第1電源端子からの電圧を受ける電圧レギュレータと、上記電圧レギュレータと内部回路との間に接続された逆流防止スイッチ回路とを具備する。
上記電圧レギュレータは、上記第1電源端子からの電圧を該電圧レギュレータの出力として出力する第1の電界効果型トランジスタ(以下、MISFETと称する)を有し、そのバックゲートがソースとして機能する電極に接続される。上記逆流防止スイッチ回路は、上記電圧レギュレータと上記内部回路との間に接続された第2のMISFETを有する。該第2のMISFETは、上記第2電源端子からの電圧で上記内部回路を動作させるとき、制御信号によりオフ状態にされる。オフ状態にすることにより、上記電圧レギュレータと上記内部回路との間の電流路が切断され、消費電力の増大を防ぐことが可能となる。また、上記第2のMISFTのバックゲートを介して上記第2電源端子から上記電圧レギュレータへ電流が流れないように、上記第2のMISFETのバックゲートは、そのソースとして機能する電極に接続される。これにより、上記第2外部電源装置から上記第1外部電源装置へ電流が流れるのを防ぐことが可能となり、消費電力の増大を防ぐことが可能となる。
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(以下、MOSFETまたはMISFETと称する)は、第1導電型の半導体領域(ウエル領域)と、ウエル領域内に形成された一対の第2導電型の半導体領域(ソース領域及びドレイン領域として機能する)、絶縁ゲート電極(ソース領域・ドレイン領域間の半導体領域の表面上に絶縁層を介して配置される電極、以下単に「ゲート電極」という。)、前記ソース領域・ドレイン領域に接続される1対の電極および前記ウエル領域で構成されるバックゲートを有する。1対の電極の内、いずれがソース(ドレイン)として機能するかは、その電極の電位によって決まる。本明細書においては、MISFETがPチャンネル型のMISFETである場合、電位の高い方の電極がソースとして機能し、MISFETがNチャンネル型のMISFETである場合、電位の低い方の電極をソースとして機能するものとする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
消費電力の増大を防ぐことが可能な電圧レギュレータを内蔵した半導体集積回路装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
本発明の実施の形態を説明する前に、まず、2個の電源端子を半導体集積回路装置に設けた場合に生じる課題について、図2および図3を用いて説明する。
図2および図3は、2個の電源端子を半導体集積回路装置に設けた場合の回路図である。図2において、2は電圧レギュレータであり、8および9のそれぞれは半導体集積回路装置に設けられた電源端子である。また、Vinは、同図では示されていない内部回路に供給される内部電源電圧を示している。
電圧レギュレータ2は、図2においては、その出力側の回路構成が示されており、この例では、電圧比較回路12と、電圧比較回路12により制御されるPチャンネル型のパワーMOSFET13と、内部電源電圧Vinの値に従った比較電圧を形成する抵抗素子14および15を具備している。パワーMOSFET13は1対の電極と、ゲート電極とバックゲートとを有している。上記1対の電極の内、一方の電極は電源端子8に接続され、他方の電極は抵抗素子14に接続されている。内部電源電圧Vinは、互いに直列接続された抵抗素子14および15により、分圧され、分圧された電圧が電圧比較回路12の一方の入力端子に、比較電圧として供給される。この電圧比較回路12の他方の入力端子には、図示されていない参照電圧が供給される。電圧比較回路12は、参照電圧と比較電圧とを比較し、比較結果に従ってパワーMOSFET13を制御する。これにより、内部電源電圧Vinは参照電圧に従った値を有する様に制御される。
パワーMOSFET13のバックゲートは、ゲート電極と反対側の線で示しており、上記電源端子8に接続されている。この電圧レギュレータ2は、電源端子8に供給された電圧を降圧し、降圧された電圧を内部電源電圧Vinとして出力する。従って、パワーMOSFET13が有する1対の電極の内、電源端子8に接続された電極がソースとして機能する。そのため、パワーMOSFET13のバックゲートは、ソースとなる電極に接続されている。電源端子9は、電圧レギュレータ2の出力に接続されている。すなわち、パワーMOSFET13と抵抗素子14との接続ノードに、電源端子9は接続されている。
同図には示されていないが、例えば、電源端子9にはバッテリ(外部電源装置)が接続され、電源端子8には外部電源装置が接続される。電源端子8に接続される外部電源装置は、例えば商用電圧を降圧して、例えば3.6V〜36Vの様な電圧を電源端子8に供給する。一方、バッテリは、内部回路の電源電圧に合うように、例えば3.0Vの様な電圧を電源端子9に供給する。
外部電源装置が、電源端子8に接続され、3.6V〜36Vの様な電圧が電源端子8に供給された場合、電圧レギュレータ2は、その出力電圧が3.0Vになるように、内部電源電圧Vinを分圧(抵抗素子14と15による)して形成された比較電圧と参照電圧を比較しながらパワーMOSFET13を制御する。これにより、電圧レギュレータ2から内部回路へ内部電源電圧Vin(3.0V)の給電が行われる。同図には、電圧レギュレータ2から内部回路への給電により、流れる電流の方向が、矢印で示されている。
図3の回路構成は、図2と同じであるため、その説明は省略する。図3は、電源端子9に接続されたバッテリ(図示されていない)から内部回路へ電源電圧の給電をする場合を示している。このとき、外部電源装置(図示されていない)が電源端子8に接続されており、電源端子8へ供給している電圧が、バッテリから電源端子9へ給電される電圧よりも、低い場合、パワーMOSFET13を介して、電流が電源端子9から電源端子8へ流れる。すなわち、バッテリから外部電源装置への逆流が生じる。この電流の逆流が生じる理由は、パワーMOSFET13の電極(ドレイン)に、バッテリからの電圧が印加され、この電圧が、ドレインを構成するP型半導体領域とバックゲートを構成するN型半導体領域との間のPN接合を順方向にバイアスするからである。バックゲートは、電源端子8に接続されているため、順方向にバイアスされた上記PN接合を介してバッテリから外部電源装置に電流が流れることになる。このようにして電流が流れると、消費電力の増大につながる。特にバッテリの場合には、携帯用機器の動作時間の短縮化につながる。
(実施の形態1)
図1は、本発明の一実施の形態による半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。同図において、1は半導体集積回路装置を示している。半導体集積回路装置1は、1個の半導体チップに、複数の回路ブロックが形成されている。同図では、図面が複雑になるのを避けるために、複数の回路ブロックの内、本願発明に関連するブロックのみが示されている。同図において、2は電圧レギュレータであり、3は逆流防止スイッチ回路であり、4は逆流防止スイッチ回路3を制御する制御回路であり、5は内部回路である。また、Vinは内部電源電圧を示している。内部電源電圧Vinをその電源電圧として受電する回路を、同図では内部回路5として示してある。以後の説明を理解しやすいように、制御回路4は、内部回路5と別に示してあるが、制御回路4も、内部電源電圧Vinをその電源電圧として受ける。従って、制御回路4も内部回路であると理解して頂きたい。
図1は、本発明の一実施の形態による半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。同図において、1は半導体集積回路装置を示している。半導体集積回路装置1は、1個の半導体チップに、複数の回路ブロックが形成されている。同図では、図面が複雑になるのを避けるために、複数の回路ブロックの内、本願発明に関連するブロックのみが示されている。同図において、2は電圧レギュレータであり、3は逆流防止スイッチ回路であり、4は逆流防止スイッチ回路3を制御する制御回路であり、5は内部回路である。また、Vinは内部電源電圧を示している。内部電源電圧Vinをその電源電圧として受電する回路を、同図では内部回路5として示してある。以後の説明を理解しやすいように、制御回路4は、内部回路5と別に示してあるが、制御回路4も、内部電源電圧Vinをその電源電圧として受ける。従って、制御回路4も内部回路であると理解して頂きたい。
図1において、8は半導体集積回路装置1に設けられた第1電源端子であり、9は半導体集積回路装置1に設けられた第2電源端子である。上記第1電源端子8には、外部電源装置6が接続され、例えば、3.6V〜36Vの電圧が電源電圧Vc1として供給される。また、上記第2電源端子9には、外部電源装置7が接続され、例えば、3.0Vの電圧が電源電圧Vc2として供給される。内部回路5(制御回路4も含めて)は、例えば、3.0Vの電圧が電源電圧として給電されることにより、動作する。図1において、10は、半導体集積回路装置1に設けられた制御端子であり、外部制御回路11からの切り替え信号SELを受ける。すなわち、半導体集積回路装置1の電源として、外部電源装置6を用いるのか外部電源装置7を用いるのかを指示する切り替え信号SELが、外部制御回路11により形成され、制御端子10に供給される。特に制限されないが、上記外部電源装置7としては、充電池等のバッテリが用いられ、内部回路5を動作させるのに合わせた電圧を形成する様にされている。
電圧レギュレータ2は、図面が複雑になるのを避けるために、その出力側の回路のみが、図1に示されている。電圧レギュレータ2は、電圧比較回路12、Pチャンネル型のパワーMOSFET13、抵抗素子14および15を有している。パワーMOSFET13(第1MISFET)は、ゲート電極、1対の電極およびバックゲートを有しており、ゲート電極には電圧比較回路12からの制御信号が供給される。パワーMOSFET13が有する1対の電極の内、ソースとして機能する電極は電源端子8に接続され、ドレインとして機能する他方の電極は、電圧レギュレータ2の出力端子であるノードN1に接続されている。抵抗素子14,15は、ノードN1と接地電圧(本明細書では半導体集積回路装置を動作させる際の基準電位配線路または中性点となる配線路の電圧をいう。以下単に「接地電圧」という。電源端子8,9に印加される外部電圧は当該基準電位配線路を基準として印加される。)との間に直列接続されており、抵抗素子14と抵抗素子15との接続点は、電圧比較回路12の一方の入力に接続されている。電圧比較回路12の他方の入力には、図示されていない参照電圧が供給される。
電圧レギュレータ2の出力端子(ノードN1)から出力される電圧は、抵抗素子14,15により構成された分圧回路により分圧される。電圧比較回路12は、分圧により形成された比較電圧と参照電圧とを比較し、比較結果に従ってパワーMOSFET13を制御する。すなわち、比較電圧が参照電圧に沿った値になるように、フィードバック制御が行われる。抵抗素子14,15および参照電圧を適切に設定することにより、電圧レギュレータ2は、外部電源Vc1(3.6〜36V)を降圧して、内部回路5(制御回路4を含む)を動作させるのに適した電源電圧(3.0V)を形成する。電圧レギュレータ2により形成された電圧は、逆流防止スイッチ回路3を介して内部回路5および制御回路4に、それらの電源電圧として供給される。
逆流防止スイッチ回路3は、Pチャンネル型のスイッチMOSFET16(第2MISFET)と、抵抗素子17とを有している。スイッチMOSFET16は、ゲート電極と、1対の電極とバックゲートを有しており、1対の電極の内、一方の電極(電源端子9に電源端子8よりも高い電圧が印加された場合ドレインとして機能する電極)は電圧レギュレータ2の出力端子(ノードN1)に接続され、他方の電極(電源端子9に電源端子8よりも高い電圧が印加された場合ソースとして機能する電極)は、ノードN2において第2電源端子9に接続されている。そのため、外部電源装置7から給電を行う場合には、ノードN2から、内部回路5および制御回路4へ電源電圧が伝達される。スイッチMOSFET16のゲート電極には、制御回路4により形成されたスイッチ制御信号が供給される。
また、このゲート電極は、抵抗素子17を介して接地電圧に接続されている。制御回路4は、特に制限されないが2個のインバータ回路18,19を含んでいる。これらのインバータ回路18,19のそれぞれの電源は、ノードN2と接地電圧に接続されている。すなわち、インバータ回路18,19のそれぞれは、内部電源電圧Vinを電源電圧として動作する。制御端子10に供給された切り替え信号(制御信号)SELは、インバータ回路19を介してインバータ回路18に供給され、インバータ回路18の出力がスイッチMOSFET16のゲート電極に供給される。切り替え信号は、インバータ回路18,19によって、その波形が整形され、スイッチMOSFET16に供給されることになる。
次に、外部制御回路11による外部電源装置6と外部電源装置7の選択動作について述べる。外部電源装置6から半導体集積回路装置1への給電を有効にする場合には、外部制御回路11は切り替え信号SELをロウレベルにする。切り替え信号SELがロウレベルとなることにより、スイッチMOSFET16はオン状態となり、電圧レギュレータ2によって形成され、ノードN1から出力されている電圧が逆流防止スイッチ回路3を介して、ノードN2から内部電源電圧Vinとして出力され、内部回路5および制御回路4に給電される。これに対して、外部制御回路11が、切り替え信号SELをハイレベルにした場合には、外部電源装置7から半導体集積回路装置1への給電が有効にされる。すなわち、切り替え信号SELのハイレベルに応答して、スイッチMOSFET16はオフ状態となり、電圧レギュレータ2からノードN2への給電は止められる。この時、ノードN2には、第2電源端子9に印加されている電圧Vc2が伝達され、ノードN2から、電圧Vc2が、内部電源電圧Vinとして、内部回路5および制御回路4に給電される。
制御回路4は、内部電源電圧Vinを、その動作電圧(電源電圧)としている。そのため、内部電源電圧Vinが発生していないとき、例えば外部電源装置6および7のそれぞれから電源電圧Vc1およびVc2が、半導体集積回路装置1へ供給されていないとき、制御回路4から出力されている制御信号の電圧は不定となる。内部電源電圧Vinが発生していない状態から、外部電源装置6からの給電を可能にする様な状態へ変更する場合、制御回路4から出力されている制御信号の電圧が不定のため、スイッチMOSFET16がオン状態となっていないことが考えられる。スイッチMOSFET16がオン状態でないと、内部回路5および制御回路4へ電圧レギュレータ2からの電圧が伝えられず、半導体集積回路装置1が動作しない状態に陥ってしまう。
本実施の形態によれば、スイッチMOSFET16のゲート電極と接地電圧との間に抵抗素子が17が設けられている。そのため、内部電源電圧Vinが発生していないときには、スイッチMOSFET16のゲート電極には、このMOSFET16がオン状態となる様な所定の電圧(接地電圧)が抵抗素子17を介して供給される。従って、内部電源電圧Vinが発生していないときであっても、外部電源装置6に基づいた電圧を内部電源電圧Vinとして発生させることが可能となる。
なお、電圧レギュレータ2を構成する電圧比較回路12には、外部電源装置6からの電圧が、その電源電圧として給電されているため、内部電源電圧Vinが発生していないときであっても、電圧レギュレータ2は動作し、外部電源装置6からの電源電圧Vc1を降圧した電圧を形成することができる。抵抗素子17は、所定の電圧をスイッチMOSFET16のゲートに供給し、ゲートの電位を所定の値に固定する様に働く、従って、抵抗素子17は、スイッチMOSFET16のゲートの電位を所定電位に固定する電位固定回路を構成していると考えることができる。
図5は、半導体集積回路装置1を構成する半導体チップの一部断面図である。すなわち、図5には上述したPチャンネル型のパワーMOSFET13およびPチャンネル型のスイッチMOSFET16について、それぞれの断面が示されている。図5において、50はP型半導体基板であり、51,52はP型半導体基板に形成されたN型半導体領域(N型ウエル)である。また、同図において、53,56はN型ウエルに形成されたN+型半導体領域であり、54,55,57,58は、N型ウエルに形成されたP型半導体領域であり、59,61は、MOSFETのゲート酸化膜であり、60,62はMOSFETのゲート電極である。
図1に示したMOSFET13,16と図5に示した断面図との関係は次の通りである。図1のPチャンネル型のパワーMOSFET13は、N型ウエル51に形成され、P型半導体領域54,55と、ゲート酸化膜59とゲート電極60を有する。パワーMOSFET13が有するところのゲートは、図5のゲート電極60が該当し、1対の電極は、図5のP型半導体領域54,55およびこれらの半導体領域54,55を他の素子に接続するための導電性電極に該当する。パワーMOSFET13のバックゲートは、N型ウエル51が該当する。バックゲートを、パワーMOSFET13のソースとして機能する電極(ソース領域)に電気的に接続するために、バックゲートに該当するN型ウエル51にはN+型半導体領域53が設けられ、該N+半導体領域53とソース(ソース電極)に該当するP型半導体領域54は、互いに接続され、さらに外部電源端子8に接続されている。
前に述べた様に、MOSFETが有する1対の電極(半導体領域)は、そこにおける電位により、ソースとして機能するかドレインとして機能するかが決まる。本明細書においては、Pチャンネル型のMOSFETでは、電位の高い電極(領域)がソースとして機能し、電位の低い電極(領域)がドレインとして機能するものとする。本実施例の様に、バックゲートをソースとして機能する電極(半導体領域54:図5)に接続することにより、パワーMOSFET13に生じる基板効果を低減することが可能となり、パワーMOSFET13での損失を低減することが可能となる。結果として、効率の良い電圧レギュレータ2を提供することが可能となる。
同様に、図1のPチャンネル型のスイッチMOSFET16は、N型ウエル52に形成され、P型半導体領域57,58と、ゲート酸化膜61とゲート電極62を有する。スイッチMOSFET16が有するところのゲートは、図5のゲート電極62に該当し、1対の電極は、図5のP型半導体領域57,58およびこれらの半導体領域57,58を他の素子に接続するための導電性電極が該当する。スイッチMOSFET16のバックゲートは、N型ウエル52が該当する。バックゲートを、スイッチMOSFET16の1対の電極のいずれかに電気的に接続するために、バックゲートに該当するN型ウエル52にはN+型半導体領域56が設けられている。該N+半導体領域56とP型半導体領域57は、互いに接続され、さらに外部電源端子9に接続されている。また、この接続部から内部電源電圧Vinを出力するために、ノードN2が設けられている。
パワーMOSFET13のドレインに該当するP型半導体領域55は、電圧レギュレータ2の出力端子(ノードN1)に接続され、さらにノードN2はスイッチMOSFET16の電極であるP型半導体領域56に接続されている。なお、パワーMOSFET13およびスイッチMOSFET16のそれぞれのゲート電極の接続は、図5では省略してある。
本実施の形態においては、スイッチMOSFET16は、Pチャンネル型のMOSFETである。電源端子8よりも電源端子9に高い電圧が印加された場合、P型半導体領域57がソースとして機能する。本実施の形態では、バックゲートは、N+型半導体領域56を用いて、ソースとして機能するP型半導体領域57に接続されている。すなわち、スイッチMOSFET16が有する1対の電極の内、高い電位となる電極(P型半導体領域57)がソースとして機能し、バックゲートが接続される。これにより、電源端子8よりも高い電圧が電源端子9に印加されたとき、ソースとして機能する電極(P型半導体領域57)とバックゲート構成するN型ウエル52との間のPN接合を逆バイアスすることができる。従って、バックゲートを構成するN型ウエル52を介して電源端子9からノードN1へ電流が流れるのを防ぐことができる。
電源端子9に接続されている外部電源装置7から、半導体集積回路装置1に給電する際には、上述したように、スイッチMOSFET16はオフ状態にされる。そのため、この時に、電源端子9の電圧が電源端子8よりも高くなっても、電源端子9から電圧レギュレータ2へ電流が流れることを防ぐことができ、消費電力の増大を防ぐことができる。また、電圧レギュレータ2内のパワーMOSFET13は、ソースとバックゲートが接続されているため、基板効果を低減でき、電圧レギュレータ2の特性が低下するのを防ぐことができる。基板効果を低減するために、パワーMOSFET13のソースとバックゲートとを接続した場合、電圧レギュレータ2の出力端子(ノードN1)に高い電圧が、もし印加されると、P型半導体領域55(ドレイン)とN型ウエル51(バックゲート)との間のPN接合が順方向にバイアスされてしまい、電圧レギュレータ2内を電流が流れることになる。この様に、パワーMOSFET13のソースとバックゲートを接続し、さらにスイッチMOSFET16のソースとバックゲートを接続することにより、電圧レギュレータ2の特性を維持しつつ、消費電力の増大を防ぐことが可能となる。
また、外部電源装置7として、バッテリを用いる様にした場合には、携帯用機器の動作時間を伸ばすことが可能となる。さらに、半導体集積回路装置1の外部に逆流防止スイッチ回路等の部品を追加する必要がないため、携帯用機器等のシステムの低価格化を図ることも可能である。
なお、内部回路の電源電圧は、それが動作し、動作電流が流れたときに、所定の電圧(例えば3.0V)となる様にする。そのために、電圧レギュレータ2は、電源電圧が所定の電圧となる様な電力を供給する電源部として機能する。また、外部電源装置6は、外部電源端子8に電流を供給したときに、所定の電圧よりも高い電圧が外部電源端子8に発生する様な電力を外部電源端子8に供給する。同様に、外部電源装置7は、外部電源端子9に電流を供給したときに、所定の電源電圧が外部電源端子9に発生する様な電力を外部電源端子9に供給する。
(実施の形態2)
図4は、本発明の他の実施の形態による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態は、図1に示した実施の形態と類似しているので、相違点のみを説明する。なお、図1に対して図4においては、半導体集積回路装置1を示す破線、内部回路5、外部電源装置6,7および外部制御回路11は省略されている。
図4は、本発明の他の実施の形態による半導体集積回路装置の構成を示す回路図である。この実施の形態は、図1に示した実施の形態と類似しているので、相違点のみを説明する。なお、図1に対して図4においては、半導体集積回路装置1を示す破線、内部回路5、外部電源装置6,7および外部制御回路11は省略されている。
図4においては、電源端子9と図示されていない外部電源装置7との間にツェナーダイオード20が設けられている。このツェナーダイオード20は、外部電源装置7から給電する際には、順方向となるような方向で接続されている。これにより、図示されていない外部電源装置6から給電がされるときに、外部電源装置6からの電流が外部電源装置7に供給されるのを防ぐことが可能となり、外部電源装置6により給電する際にも、低消費電力化を図ることが可能となる。また、ツェナーダイオード20は、半導体集積回路装置1に内蔵させても良い。
以上の説明では、パワーMOSFETおよびスイッチMOSFETとして、Pチャンネル型のMOSFETを用いた場合について説明したが、それぞれをNチャンネル型のMOSFETとしても良い。Nチャンネル型のMOSFETの場合、1対の電極の内、ソースとして機能する電極は、低い電圧となる電極である。そのため、図1の半導体集積回路装置1において、パワーMOSFET13とスイッチMOSFET16をそれぞれNチャンネル型のMOSFETに変更した場合、Nチャンネル型のパワーMOSFET13のバックゲートは、パワーMOSFET13のソース側であるノードN1に接続される。一方、Nチャンネル型のスイッチMOSFET16のバックゲートは、そのソース側であるノードN1側に接続される。
また、Nチャンネル型のパワーMOSFET13では、ドレインとして機能する電極に電源端子8が接続され、ソースとして機能する電極がノードN1に接続される。Nチャンネル型のスイッチMOSFET16では、ドレインとして機能する電極がノードN2に接続され、ソースとして機能する電極がノードN1に接続される。
トランジスタとして、MISFETの例としてMOSFETを用いた説明をしたが、本発明はMISFET一般に適用することが可能である。
以上本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
1 半導体集積回路装置
2 電圧レギュレータ
3 逆流防止スイッチ
4 制御回路
8、9 外部電源端子
13 パワーMOSFET
16 スイッチMOSFET
2 電圧レギュレータ
3 逆流防止スイッチ
4 制御回路
8、9 外部電源端子
13 パワーMOSFET
16 スイッチMOSFET
Claims (4)
- 所定電圧で動作する機能ブロックを構成する内部回路と前記内部回路に前記所定電圧の電力を供給する電源部とが搭載された半導体集積回路装置であって、
前記電源部は、
前記所定電圧と異なる電圧で電力を供給する可能性のある第1外部電源が接続されるように設定された第1電源端子と、
前記所定電圧で電力を供給する第2外部電源が接続されるように設定された第2電源端子と、
ソース及びドレインとして機能する1対の電極と、ゲート電極と、前記1対の電極の内ソースとして機能する電極に接続されたバックゲートとを有する第1MISFETを具備し、前記第1電源端子からの電圧が前記1対の電極の一方に供給され、前記第1電源端子からの電圧と前記ゲート電極に供給される制御信号とに従った電圧を前記1対の電極の他方の電極から出力する構成の電圧レギュレータと、
ソース及びドレインとして機能する1対の電極と、ゲート電極と、バックゲートとを有する第2MISFETを具備し、前記電圧レギュレータから出力される電圧が前記1対の電極の一方に供給され、前記1対の電極の他方に前記内部回路および前記第2電源端子が結合され前記ゲート電極に供給される選択信号によって制御される構成の逆流防止スイッチ回路と、
を備え、
前記逆流防止スイッチ回路は、前記第2外部電源が前記第2電源端子に接続され、前記第2電源端子から供給される電圧が電源電圧として前記内部回路に供給されることが選択されたとき、前記電圧レギュレータの出力ノードと前記内部回路と前記第2電源端子を結合する結合ノードとの間の電流路を切断するように制御される構成の半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記第2MISFETのバックゲートは、前記第2MISFETの1対の電極の内、前記第1電源端子よりも高い電圧が前記第2電源端子に供給されているとき、ソースとして機能する電極に接続されている、半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体集積回路装置は、外部からの切り替え信号に従って前記第2MISFETのゲート電極に供給される選択信号を生成する制御回路を具備し、
前記逆流防止スイッチ回路を構成する前記第2MISFETは、そのソース・ドレイン電流路が前記電圧レギュレータの出力ノードと前記内部回路と前記第2電源端子を結合する結合ノードとの間に接続され、そのゲート電極は抵抗手段を介して基準電位配線路に接続されており、
前記第1電源端子及び第2電源端子のいずれにも外部電源が接続されていない状態から前記第1電源端子からの電源供給により前記半導体集積回路装置が動作を開始するとき、前記第2MISFETは、そのゲート電極に前記抵抗手段を介して供給される前記基準電位配線路からの電位によって導通状態に維持されることで、前記制御回路が前記電圧レギュレータから供給される電圧で動作するように構成された半導体集積回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体集積回路装置において、
前記第1MISFETは、そのバックゲートが前記一方の電極に接続されたPチャンネル型MOSFETであり、前記第2MISFETは、そのバックゲートが前記他方の電極に接続されたPチャンネル型MOSFETである、半導体集積回路装置。
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2013
- 2013-02-04 JP JP2013019256A patent/JP2014149764A/ja active Pending
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