JP2014149669A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- G11C7/1063—Control signal output circuits, e.g. status or busy flags, feedback command signals
Abstract
【解決手段】本実施形態の半導体記憶装置はメモリコントローラ、半導体チップ識別回路、第1コマンドレジスタ、制御部、チップ選択回路、制御信号入力回路、I/O選択回路をそれぞれ有する第1及び第2半導体チップを有する。メモリコントローラは前記第1及び第2の半導体チップと第1及び第2の配線でそれぞれ接続される。さらに前記第1及び第2の半導体チップはそれぞれ第3及び第4の配線を介して接続される。
前記メモリコントローラは第3及び第4の配線を介してチップ選択信号を送信して、第1及び第2の半導体チップを同時に選択した後、コマンドを第2の配線を介して送信する。また前記第1及び第2半導体チップは、半導体チップ識別回路に基づき選択的に前記第2の配線を用いることにより、一括して前記メモリコントローラに転送する。
【選択図】図3
Description
以下、本実施形態の半導体記憶装置につき図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
まず、第1実施形態の半導体記憶装置の構成について、図1を用いて説明する。説明の便宜上、本実施形態の半導体記憶装置が2個の半導体チップを有する例を用いて説明する。この場合に限定されることなく、半導体記憶装置に含まれる半導体チップの数は2以上であればいくらであってもよい。
図1に示すように、半導体記憶装置100は、複数の半導体チップC1、C2と、メモリコントローラ1を有する。ここで、半導体チップC1、C2の詳細な構成については後述する。メモリコントローラ1は、複数の半導体チップC1、C2の動作を制御する機能を有する。
次に、本実施形態の半導体チップC1、C2の構成について、図2を用いて説明する。
データ入出力回路3は、I/O1〜I/O8にそれぞれ対応する第1〜第8データ入力制御部41〜48を有する。第1〜8データ入力制御部41〜48は各I/Oの入力信号の入力を制御するものである。例えば、第1データ入力制御部41は、第1アンド回路20と、直列に接続された第1〜4トランジスタ21〜24を有する。第1アンド回路20は、チップ選択回路31及び制御信号入力回路33の信号を受信し、第1〜第2トランジスタ21〜22に信号を出力する。第1トランジスタ21はインバータと接続されたN型チャネルMOS、第2トランジスタ22はP型チャネルMOS、第3トランジスタ23はN型チャネルMOS、第4トランジスタ24はP型チャネルMOSを有する。第1トランジスタ21の一端はグランドと接続され、他端は第3トランジスタ23と接続される。第2トランジスタ22の一端はVDD電源と接続され、他端は第4トランジスタ24と接続される。第3トランジスタ23の一端は第1トランジスタ21と接続され、他端は第4トランジスタ24と接続される。第2〜第8データ入力制御部42〜48の構成については、第1データ入力制御部41と同様である。尚、本例は、インバータタイプの入力回路を説明したものであり、本発明は、この構造に限定されるものではない。
I/O選択回路30はデータを出力する際に、チップ識別回路32の情報に基づいて出力バスdのI/Oを選択する。
制御部4は、NAND型フラッシュメモリの動作を制御する。すなわち、データ入出力回路3を介して、ホストから与えられた上記アドレス、及びコマンドに基づいて、データの書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作における動作シーケンスを実行する。
チップ識別回路32は、複数の半導体チップにおいて、他のチップと自らを識別するために機能する。
ステータスレジスタ11は、半導体チップC1、C2のステータスを示すステータスデータを保持する機能を有する。ステータスレジスタ11は、制御部4と電気的に接続される。
データレジスタ10は制御部と電気的に接続される。データレジスタ10は、データを、データ線Dlineを介してセンスアンプ7と送受信する。
アドレスレジスタ12は、アドレス情報、メモリセルアレイのブロック、ページ及びプレーンの情報を保持する。また、アドレスレジスタ12は、外部のホストから供給されたアドレス情報を制御部4に伝達する。
第1コマンドレジスタ13は、入出力回路から受信したコマンドを記憶し、制御回路4に送信する。
次に、本実施形態の書き込み動作、及び、ステータス読み出し動作について、図3のタイミング図を用いて説明する。
メモリコントローラ1は、そのステータスの情報に基づいて再度半導体チップC1を選択して書き込みコマンドを送信する(t5)。この時、CLEはH、CE1はL、CE2はH、WEはL、REはHに設定される。
ごとに割り振られていないI/O1〜8についてはハイインピーダンス状態であるとする。例えば、半導体チップC1の場合、半導体チップC1と接続されるバスbのI/O3〜8はハイインピーダンス状態である。
比較例として、書き込み動作及びステータス読み出し動作で、各半導体チップを個別に選択して、各半導体チップのステータスデータを個別に読み出す場合を検討する。
[第2実施形態の構成]
第2実施形態の接続例は図2の半導体記憶装置のブロック図と基本的に同様であるが、半導体チップC1、C2は第2コマンドレジスタ35を有すること、メモリコントローラ1と信号線d1、d2を介して接続され、メモリコントローラ1から記憶部制御信号を受信する点で第1実施形態と異なる。以下、第2実施形態の半導体記憶装置について説明する。
図を用いながら、第2実施形態の半導体記憶装置100の動作方法について説明をする。以下、第2実施形態の半導体記憶装置100の動作方法を示す。
本実施形態において、半導体チップC1、C2は、書き込み動作を行うと同時に、半導体チップ内に第2コマンドレジスタには書き込みコマンドを記憶させる。
2…メモリセルアレイ
3…データ入出力回路
4…制御部
5…チップ識別回路
6…ロウデコーダ
7…センスアンプ
10…データレジスタ
11…ステータスレジスタ
12…アドレスレジスタ
13…第1コマンドレジスタ
20…第1アンド回路
21…第1トランジスタ
22…第2トランジスタ
23…第3トランジスタ
24…第4トランジスタ
25…第2アンド回路
26…第5トランジスタ
27…第6トランジスタ
28…第7トランジスタ
29…第8トランジスタ
30…I/O選択回路
31…チップ選択信号回路
32…チップ識別信号入力部
33…制御信号入力回路
35…第2コマンドレジスタ
41〜48…第1〜第8データ入力制御部
51〜58…第1〜第8データ出力制御部
100…半導体記憶装置
C1、C2…半導体チップ
a1、a2…信号線
b…バス
c…信号線群
d1、d2…信号線
Claims (5)
- 第1データ入出力回路と、第1半導体チップ識別回路と、第1コマンドレジスタと、第1制御部と、第1チップ選択回路と、第1制御信号入力回路と、第1I/O選択回路とを有する第1半導体チップと、
第2データ入出力回路と、第2半導体チップ識別回路と、第2コマンドレジスタと、第2制御部と、第2チップ選択回路と、第2制御信号入力回路と、第2I/O選択回路とを有する第2半導体チップと、
前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップと第1の配線を介して共通に接続され、前記第1の半導体チップ及び前記第2の半導体チップと第2の配線を介して共通に接続され、第1の半導体チップと第3の配線を介して接続され、第2の半導体チップと第4の配線を介して接続されたメモリコントローラと、
を備え、
前記メモリコントローラは第3の配線及び第4の配線を介してチップ選択信号を送信し、第1及び第2の半導体チップを同時に選択した後、コマンドを第2の配線を介して送信し、
前記第1半導体チップと前記第2半導体チップのデータを前記第2の配線を介して一括して受信する半導体記憶装置。 - 前記第1の配線を複数有し、
前記第1データ入出力回路は、前記コマンド及び前記データの入力を制御する第1データ入力制御部と、前記データの出力を制御する第1データ出力制御部とを有し、
前記第2データ入出力回路は、前記コマンド及び前記データの受信を制御する第2データ入力制御部と、前記データの出力を制御する第2データ出力制御部とを有する請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1半導体チップは第3コマンドレジスタを有し、
前記第2半導体チップは第4コマンドレジスタを有し、
前記第1制御部は前記第1コマンドレジスタ及び前記第3コマンドレジスタを選択して動作し、前記第2制御部は前記第2コマンドレジスタ及び前記第4コマンドレジスタを選択して動作を行う請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前期コマンドはステータスコマンドである請求項1乃至請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の配線はI/O1〜I/O8を有する請求項2に記載の半導体記憶装置。
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