JP2014140042A - Conveyance mechanism - Google Patents

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JP2014140042A
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JP2014028920A
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Inventor
Norihisa Kobayashi
仙尚 小林
Masahito Ozawa
雅仁 小沢
Yoshiaki Sasaki
義明 佐々木
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conveyance mechanism capable of highly maintaining conveying precision by suppressing rise in temperature of an arm section itself.SOLUTION: A conveyance mechanism for carrying in/out an object W to be treated with respect to a treatment apparatus which carries out heat treatment to the object W to be treated in a treatment container 56 comprises: arm sections 36A and 36B including a plurality of arms 94, 96 and 98, and configured to be able to bend/stretch and turn; fork sections 38A and 38B connected to top ends of the arm sections, and configured to hold the object W to be treated; and a heat shielding plate 104 formed at a section intruding in the treatment container in the arm sections. Thus, it is possible to highly maintain conveying precision by suppressing rise in temperature of the arm section itself.

Description

本発明は、板状の半導体ウエハ等の被処理体を処理装置等へ搬送する搬送機構に関する。 The present invention relates to a transport mechanism for transporting an object to be processed such as a plate-like semiconductor wafer into the processing apparatus.

一般に、半導体デバイス等を製造するためには、板状の半導体ウエハやガラス基板等の被処理体に対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、改質処理等の各種の処理を繰り返し施す必要がある。 In general, in order to manufacture a semiconductor device or the like, repeated for an object to be processed such as a plate-like semiconductor wafer or a glass substrate, the film forming process, an etching process, oxidation diffusion process, various processes such as modification treatment it is necessary to apply. 例えば枚葉式の処理装置で複数種類の処理を施す場合には、内部に搬送機構を備えた共通搬送室の周囲に、複数の処理装置をゲートバルブを介して連結している(例えば特許文献1)。 For example, when performing a plurality of types of treatment with single-wafer processing apparatus, the periphery of the common transfer chamber having a transfer mechanism therein, and a plurality of processing devices linked via a gate valve (e.g. Patent Document 1). そして、上記共通搬送室内の搬送機構を用いて、半導体ウエハを上記各処理装置に向けて順に搬送して半導体ウエハに対して順次所望の処理を施すようになっている。 Then, using a transport mechanism of the common transfer chamber, so as successively subjected to desired processing on a semiconductor wafer a semiconductor wafer is transported sequentially toward the respective processing apparatus.

ここで従来の搬送機構により処理装置に対して半導体ウエハを搬送する時の状況について説明する。 Here the situation is described when the transfer of the semiconductor wafer to the processing device by a conventional transfer mechanism. 図12は従来の搬送装置と処理装置との位置関係を示す概略構成図である。 Figure 12 is a schematic diagram showing the positional relationship between the conventional transport apparatus and the processing apparatus. 図12に示すように、処理装置2は、真空排気が可能になされた処理容器4を有しており、この処理容器4内には、その上に半導体ウエハWを載置するための載置台6が設けられている。 As shown in FIG. 12, the processing apparatus 2 has a process container 4 which is evacuated been made possible, in the processing vessel 4, the mounting for mounting a semiconductor wafer W thereon table 6 is provided. この載置台6には、抵抗加熱ヒータ等よりなる加熱手段8が設けられており、載置される半導体ウエハWを加熱するようになっている。 This mounting table 6, the heating means 8 consisting of a resistance heater or the like is provided, so as to heat the semiconductor wafer W mounted.

上記処理容器4の天井部には、上記載置台6に対向させてシャワーヘッド10が設けられており、処理容器4内へ必要なガスを導入できるようになっている。 The ceiling portion of the processing vessel 4, to face the mounting table 6 and shower head 10 is provided, so that the possible introduction of necessary gases into the processing container 4. また処理容器4の側壁には、半導体ウエハWの搬出入口12が設けられており、この搬出入口12には、ゲートバルブGを介して図示しない真空の搬送室が設けられている。 Also in the sidewall of the processing chamber 4, and unloading port 12 is provided in the semiconductor the wafer W, The transfer port 12, the transfer chamber of a vacuum (not shown) through the gate valve G is provided. そして、この真空の搬送室内に半導体ウエハWを搬出入させる搬送機構14が設けられている。 Then, the transport mechanism 14 is provided for loading and unloading the semiconductor wafer W to the transfer chamber of the vacuum.

この搬送機構14は、屈伸及び旋回が可能になされたアーム部16と、このアーム部16の先端に連結されたフォーク部18とによりなっている。 The transport mechanism 14 includes an arm portion 16 which is adapted to allow bending and turning, which is by a fork portion 18 which is connected to the distal end of the arm portion 16. そして、このフォーク部18を含むアーム部16の一部を上記搬出入口12より処理容器4内へ侵入させることにより半導体ウエハWを搬出入させるようになっている。 Then, it has become a part of the arm portion 16 including the fork portion 18 so as to loading and unloading the semiconductor wafer W by entering into the transfer port 12 from the processing chamber 4. また、ここで半導体ウエハWを載置台6上へ載置させるには、図示しない昇降ピンを昇降させるようになっている。 Further, where the is placed onto the table 6 holding the semiconductor wafer W is adapted to raise and lower the lift pins (not shown).

特開2004−160613号公報 JP 2004-160613 JP

ところで、上述のように半導体ウエハの搬出入に伴って搬送機構14のアーム部16を処理容器4内へ繰り返し侵入させると、加熱手段8の熱によって高温状態になされた載置台6からの輻射熱によってアーム部16の先端側がかなりの高温状態、例えばプロセス条件にもよるが300℃程度までの高温状態になることは避けられない。 Meanwhile, when with the loading and unloading of the semiconductor wafer to penetrate repeatedly arm portion 16 of the transfer mechanism 14 into the processing vessel 4 as described above, the radiation heat from the mounting table 6 was made in a high temperature state by the heat of the heating means 8 distal end side considerably high temperature state of the arm portion 16, for example, depending on the process conditions it is inevitable that a high temperature condition of up to about 300 ° C.. このため、アーム部16自体が熱膨張して反りが発生したり、アーム部16内に設けられている旋回のためのタイミングベルトのテンション等も変化してしまう。 Accordingly, or warpage occurs arm portion 16 itself is thermally expanded, the tension or the like of the timing belt for turning which is provided in the arm portion 16 also changes. この結果、1回の動作に±0.05mm以内の高い搬送精度を有するアーム部16の搬送精度が低下してしまう、といった問題があった。 As a result, the conveyance accuracy of the arm portion 16 having one high conveying accuracy within ± 0.05mm in operation has a problem, it decreases.

本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。 The present invention focuses on the problems described above, it was conceived in order to effectively solve the problem. 本発明は、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能な搬送機構である。 The present invention is a conveyance mechanism capable of maintaining a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

請求項1の発明は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 The invention of claim 1, wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel and adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms and the arm portion, further comprising a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber among said arm portion which is a conveying mechanism, wherein.

このように、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設けるようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能となる。 Thus, in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, the tip of the arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms to connect the fork portion for holding the object to be processed, since the provided heat shield in a portion entering into the processing vessel of the arm portions, increasing the conveyance accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself it is possible to maintain.

請求項5の発明は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 The invention of claim 5, wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel and adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms is a transport mechanism for the arm portion, and a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shielding layer formed on the surface of the arm portion, comprising the .

このように、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の表面に熱遮蔽層を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能となる。 Thus, in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, the tip of the arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms to connect the fork portion for holding the object to be processed, since so as to form a heat shielding layer on the surface of the arm portion, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself .

請求項16の発明は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 The invention of claim 16, wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel and adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms an arm portion, and a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber within the arm portion, the arm portion a heat shielding layer formed on the surface, a transfer mechanism for comprising the.

このように、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設け、更にアーム部の表面に熱遮蔽層を形成したので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能となる。 Thus, in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, the tip of the arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms to connect the fork portion for holding a workpiece, a heat shield plate provided at a portion entering into the processing vessel within the arm portion, so further to form a heat shielding layer on the surface of the arm portion, the arm portion itself to suppress the temperature rise and it is possible to maintain a high transport accuracy.

本発明に係る搬送機構によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。 According to the transport mechanism of the present invention can exhibit excellent effects and advantages as follows.
請求項1及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設けるようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to the invention according to claim to claim 1 and reference thereto, in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing chamber having a plurality of arms bending and stretching and swiveling connecting the fork portion for holding a workpiece on the tip of capable made an arm portion, since the provided heat shield the portion entering the processing chamber within the arm portion Te, arm it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature increase of the part itself.

請求項5及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の表面に熱遮蔽層を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to the invention of claim cited claims 5 and this, in the conveyance mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing chamber having a plurality of arms bending and stretching and swiveling connecting the fork portion for holding a workpiece on the tip of capable made an arm portion, since so as to form a heat shielding layer on the surface of the arm portion Te, suppress an increase in the temperature of the arm portion itself it is possible to maintain a high conveying accuracy by.

請求項16及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設け、更にアーム部の表面に熱遮蔽層を形成したので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to the invention of claim cited claim 16 and which, in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing chamber having a plurality of arms bending and stretching and swiveling connecting the fork portion for holding a workpiece on the tip of capable made an arm portion, the heat shield plate is provided at a portion entering into the processing vessel within the arm portion, further the surface of the arm portion Te since the formation of the heat shielding layer, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

本発明に係る搬送機構を有する一般的な処理システムの一例を示す概略平面図である。 An example of a typical processing system having a transport mechanism according to the present invention is a schematic plan view showing. 図1に示す処理システムを示す概略断面図である。 It is a schematic sectional view showing a processing system shown in FIG. 本発明に係る搬送機構の第1実施例を示す平面図である。 Is a plan view showing a first embodiment of a transport mechanism according to the present invention. 熱遮蔽板を設けた搬送機構のアーム部の一部を示す図である。 Is a diagram showing a part of the arm of the transport mechanism in which a heat shielding plate. 本発明の搬送機構の第2実施例のアーム部の一部を示す部分断面図である。 It is a partial cross-sectional view showing a part of the arm portion of the second embodiment of the transfer mechanism of the present invention. 第3アームを示す断面図である。 It is a sectional view showing a third arm. フォーク部を示す平面図である。 Is a plan view showing a fork portion. 評価に用いた搬送機構の第2アームの部分を示す概略斜視図である。 Evaluation is a schematic perspective view showing a portion of the second arm of the transport mechanism used for. 稼働時間と搬送機構のアーム部の上下方向への変位量(反り量)を示すグラフである。 It is a graph showing a displacement amount in the vertical direction of the arm portion of the operating time and the transport mechanism (warpage). 搬送機構のアーム部の長さ方向への変化を示すグラフである。 Is a graph showing changes in the length direction of the arm portion of the transport mechanism. アルミナ層の輻射率と熱放射の波長との関係を示すグラフである。 Is a graph showing the relationship between the emissivity and the wavelength of the thermal radiation of the alumina layer. 従来の搬送装置と処理装置との位置関係を示す概略構成図である。 It is a schematic diagram showing the positional relationship between the conventional transport apparatus and the processing apparatus.

以下に、本発明に係る搬送機構の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。 Hereinafter will be described in detail based on an embodiment of a transport mechanism according to the present invention in the accompanying drawings. 図1は本発明に係る搬送機構を有する一般的な処理システムの一例を示す概略平面図、図2は図1に示す処理システムを示す概略断面図、図3は本発明に係る搬送機構の第1実施例を示す平面図、図4は熱遮蔽板を設けた搬送機構のアーム部の一部を示す図である。 Figure 1 is a schematic plan view showing an example of a typical processing system having a transport mechanism according to the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view showing a processing system shown in FIG. 1, the transfer mechanism according to Figure 3 the present invention plan view showing one embodiment, FIG. 4 is a diagram showing a part of the arm of the transport mechanism in which a heat shielding plate.

まず、本発明に係る搬送機構を有する処理システムの一例について説明する。 First, an example of a processing system having a transport mechanism according to the present invention. 図1及び図2に示すように、この処理システム22は、真空引き可能になされた4つの処理装置24A、24B、24C、24Dを有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the processing system 22 includes four processor 24A was made in evacuable, 24B, 24C, and 24D. これらの処理装置24A〜24Dとしては、成膜処理やエッチング処理等の真空雰囲気下で行われる全ての処理装置が適用される。 These processing apparatuses 24A to 24D, all of the processing apparatus is carried out in a vacuum atmosphere, such as a film forming process or an etching process is applied. これらの処理装置24A〜24Dは、真空引き可能になされた六角形状のトランスファチャンバ26の周囲にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。 These processor 24A~24D are respectively connected via a gate valve G around a hexagonal transfer chamber 26 is adapted to be evacuated. また、この処理システム22は、上記トランスファチャンバ26内に対して、この真空を破ることなく被処理体としての半導体ウエハWを搬送するためのロードロック装置30A、30Bを有しており、両ロードロック装置30A、30Bは上記トランスファチャンバ26にそれぞれゲートバルブGを介して接続されている。 Further, the processing system 22, with respect to the said transfer chamber 26 has a load lock device 30A, 30B for transferring the semiconductor wafer W as an object to be processed without breaking the vacuum, both loaded locking device 30A, 30B are connected via respective gate valves G in the transfer chamber 26.

そして、上記各処理装置24A〜24D内には、半導体ウエハWを載置するための載置台32A〜32Dがそれぞれ設けられている。 Then, within each processor 24A to 24D, the mounting table 32A~32D for mounting a semiconductor wafer W, respectively. また、上記トランスファチャンバ26内には、半導体ウエハWを搬送するために屈伸及び旋回可能になされた本発明に係る搬送機構34が設けられ、各処理装置24A〜24D間及びこれらと各ロードロック装置30A、30Bとの間で半導体ウエハWを移載できるようになっている。 Also within the transfer chamber 26, bending and stretching and pivotally carrying mechanism 34 according to the present invention made are provided, each processing unit 24A~24D and between these and the loadlock to transfer a semiconductor wafer W 30A, and to be able to transfer a semiconductor wafer W between the 30B. 具体的には、この搬送機構34は、上述のように屈伸及び旋回可能になされた2つのアーム部36A、36Bと、これらのアーム部36A、36Bの各先端に設けられたフォーク部38A、38Bとにより主に構成されており、これらのフォーク部38A、38B上に半導体ウエハWを直接的に載置保持して、上述のように搬送できるようになっている。 Specifically, the conveying mechanism 34, two arms 36A was made to be bent and stretched and the turning as described above, 36B and these arm portions 36A, the fork portion 38A provided at respective tips of 36B, 38B mainly is composed, these fork 38A, and directly placed on hold the semiconductor wafer W on 38B, to be able to transport as described above by the. この搬送機構34の詳細については後述する。 Details of the transport mechanism 34 will be described later.

また各ロードロック装置30A、30B内には、半導体ウエハWを一時的に保持するためにベース台40A、40Bがそれぞれ設けられている。 Further each load lock device 30A, the inside 30B, the base board 40A for temporarily holding a semiconductor wafer W, 40B, respectively. また上記ロードロック装置30A、30Bの反対側には、それぞれゲートバルブGを介して横長のロードモジュール42が取り付けられ、このロードモジュール42の一側には、複数枚の半導体ウエハを収容できるカセット(図示せず)を載置するI/Oポート44が設けられている。 Also the load lock device 30A, on the opposite side of 30B is oblong load module 42 via the gate valve G is respectively attached, the cassette on the one side of the load module 42, which can accommodate a plurality of semiconductor wafers ( I / O port 44 for mounting a not shown) is provided. そして、このロードモジュール42内には、屈伸及び旋回可能になされた大気側搬送機構46が設けられている。 Then, this load module 42, the atmospheric transfer mechanism 46 is provided which is adapted to allow bending and stretching and swiveling.

この大気側搬送機構46は、上述のように屈伸及び旋回可能になされた2つのアーム部48と、このアーム部48の先端に設けられた2つのフォーク部50とにより主に構成されており、これらのフォーク部50上に半導体ウエハWを直接的に載置保持して搬送できるようになっている。 The atmospheric transfer mechanism 46 includes two arm portions 48 which are adapted to allow bending and stretching and swiveling, as described above, are mainly composed of two fork portions 50 provided at the tip of the arm portion 48, the semiconductor wafer W on these fork portion 50 is adapted to be carried directly mounted and held. また、この大気側搬送機構46は案内レール52に沿ってその長手方向へ移動可能になされている。 Further, the atmospheric transfer mechanism 46 is made to be movable in its longitudinal direction along the guide rail 52. そして、このロードモジュール42の一端には、半導体ウエハWの位置合わせ及び方向付けを行うオリエンタ54が設けられており、処理装置24A〜24Dに半導体ウエハWを搬入する前に、ここで半導体ウエハWの位置合わせ及び方向付けを行うようになっている。 Then, the one end of the load module 42, and an orienter 54 for alignment and orientation of the semiconductor wafer W is provided, prior to transferring the semiconductor wafer W to the processing apparatus 24A to 24D, wherein the semiconductor wafer W and performs the alignment and orientation of the.

<処理装置及び本発明の搬送機構の第1実施例を有するトランスファチャンバ> <Transfer chamber having a first embodiment of a transport mechanism of the processing device and the present invention>
ここで図2を参照して各処理装置及び本発明の搬送機構の第1実施例を有するトランスファチャンバについて説明する。 Here, the transfer chamber is described having a first embodiment of a transport mechanism for referring to the processing device and the present invention Figure 2. 尚、図2中において、4つの処理装置24A〜24Dを代表して処理装置24Aを示しており、この中に載置台32Aが設けられている。 Incidentally, in FIG. 2 shows a processor 24A on behalf of the four processing unit 24A to 24D, the mounting table 32A is provided therein.

この処理装置24Aは、例えばアルミニウム合金等により箱状に成形された処理容器56を有している。 The processor 24A includes a processing container 56 formed into a box shape by, for example, aluminum alloy or the like. この処理容器56内に設けられる上記載置台32Aは、容器底部より起立された支柱58の上端に取り付けられている。 Mounting table 32A on which are provided in the processing vessel 56 is attached to the upper end of the strut 58 which are raised from the container bottom. この載置台32A内には、例えば抵抗加熱ヒータよりなる加熱手段60が埋め込むようにして設けられており、載置台32A上に載置した半導体ウエハWを所定の温度に加熱し得るようになっている。 Within the mounting table 32A, for example, resistance heating is provided so as to from become heating means 60 embeds a heater, so the semiconductor wafer W mounted on the mounting table 32A to be heated to a predetermined temperature there. この加熱手段60により、後述するように搬送機構34のアーム部36A、36Bも加熱されてしまうことになる。 The heating means 60, the arm portion 36A of the conveying mechanism 34 as will be described later, 36B also be would be heated. また、この載置台32A上には、半導体ウエハWの搬出入時にこの半導体ウエハWを押し上げ、引き下げるリフタ機構62が設けられる。 Further, on the mounting table 32A, push the semiconductor wafer W to the unloading Nyutoki of semiconductor wafer W, a lifter mechanism 62 to lower are provided.

このリフタ機構62は、3本(図示例では2本のみ記す)の昇降ピン64を有しており、各昇降ピン64の下端部は円弧状になされた昇降板66により共通に支持されている。 The lifter mechanism 62 includes a lift pin 64 of the three (only two in the illustrated example), the lower end of each lift pin 64 is supported on the common by the lifting plate 66 has been made into an arcuate shape . そして、この昇降板66は、容器底部を貫通させて設けた昇降ロッド(図示せず)の上端で支持されると共に、この昇降ロッドは、アクチュエータ(図示せず)により昇降可能になされている。 Then, the elevating plate 66 is supported at the upper end of the elevation rod provided by penetrating the container bottom (not shown), the lifting rod is adapted to be movable up and down by an actuator (not shown).

そして、上記載置台32Aには、上記昇降ピン64を挿通させるためのピン挿通孔68が設けられており、半導体ウエハWの搬出入時に上記昇降ピン64を昇降させて、このピン挿通孔68より上方へ出没させることができるようになっている。 Then, the mounting table 32A, the elevating pins 64 pin insertion hole 68 for inserting is provided a by elevating the lift pins 64 to unloading Nyutoki semiconductor the wafer W, from the pin insertion hole 68 and it is capable of projecting and retracting upward. また処理容器56の天井部には、例えばシャワーヘッドよりなるガス供給手段70が設けられており、処理容器56内に必要なガスを供給するようになっている。 Also the ceiling portion of the processing chamber 56, for example, gas supply means 70 composed of a shower head is provided, so as to supply the gas necessary for the processing vessel 56. このガス供給手段70は、シャワーヘッドに限定されているのは勿論である。 The gas supply means 70, what is limited to the shower head as a matter of course.

また容器底部には排気口72が設けられており、この排気口72には、処理容器56内の雰囲気を排気するための排気手段74が設けられる。 The bottom of the container is provided with an exhaust port 72, the exhaust port 72, exhaust means 74 for exhausting an atmosphere in the processing container 56 is provided. 上記排気手段74は、容器内の圧力を調整する圧力調整弁や及び真空ポンプ(図示せず)を有している。 The exhaust means 74 includes a pressure regulating valve and and a vacuum pump for adjusting the pressure within the container (not shown). この処理容器56の側壁には、半導体ウエハWの搬出入口76が設けられており、この搬出入口76は、ゲートバルブGを介して上記トランスファチャンバ26に連結されている。 This sidewall of the processing chamber 56, transfer port 76 of the semiconductor wafer W is provided, the transfer port 76 is connected to the transfer chamber 26 through gate valves G. このように形成された処理装置24A内で、例えば成膜処理等の熱処理を行うようになっている。 Thus in the formed processing apparatus 24A, for example, as a heat treatment is carried out of the film forming process and the like.

また、他の処理装置24B〜24Dとしては、必要に応じて半導体ウエハWに対して施すべき種々の処理に対応した処理装置が用いられ、またプラズマ処理装置も用いることができる。 As another processor 24B~24D, corresponding to various processing to be performed on the semiconductor wafer W when necessary processing device is used, and may be used plasma processing apparatus. ここで上記熱処理とは、半導体ウエハWの処理の結果、半導体ウエハ自体及び載置台32Aが高温になってしまうような状態の処理を全て含み、プラズマの有無に直接的には関係しない。 Wherein said heat treatment and, as a result of the processing of the semiconductor the wafer W, includes all processing conditions such as the semiconductor wafer itself and the mounting table 32A becomes a high temperature, not directly related to the presence or absence of plasma.

そして、上記トランスファチャンバ26は、アルミニウムやアルミニウム合金等により箱状に成形されたトランスファ用容器80を有している。 Then, the transfer chamber 26 has a transfer container 80 which is formed into a box shape by aluminum or an aluminum alloy. このトランスファ用容器80の側壁には、上記各処理装置24A〜24B及び各ロードロック装置30A、30Bに対応させて半導体ウエハを搬出入させる搬出入口82が形成されており、ここにゲートバルブGを介して上記各装置が連結されている。 On the side wall of the transfer container 80, each processor 24A~24B and the load lock device 30A, 30B are formed transfer port 82 for loading and unloading a semiconductor wafer in correspondence with, here the gate valve G through the respective devices are connected.

このトランスファ用容器80には、ガス導入口84及びガス排出口86が設けられており、このガス導入口84を介して不活性ガスとして例えばN ガスを導入できるようになっていると共に、上記ガス排出口86より内部雰囲気を真空引きできるようになっている。 The transfer vessel 80, gas inlet 84 and gas outlet 86 is provided, with which is to be introduced, for example, N 2 gas as the inert gas through the gas inlet 84, the It has to be evacuated interior atmosphere from the gas discharge port 86. このトランスファチャンバ26内は、稼働時には常時真空雰囲気になされている。 The inside transfer chamber 26, at the time of operation have been made in a vacuum atmosphere at all times.

そして、このトランスファチャンバ26内に、前述したように本発明に係る上記搬送機構34が設けられる。 Then, the transfer chamber 26, the transfer mechanism 34 is provided according to the present invention as described above. この搬送機構34の基本構造は、例えば特開2005−229087号公報等に開示されている。 The basic structure of the transfer mechanism 34 is disclosed in, for example, JP-2005-229087 Patent Publication. 具体的には、図3及び図4にも示すように、この搬送機構34は、前述したように、ここでは2つのアーム部36A、36Bと、これらの先端に連結したフォーク部38A、38Bとを主に有している。 Specifically, as shown in FIGS. 3 and 4, the conveying mechanism 34, as described above, wherein the two arm portions 36A, and 36B, the fork portion 38A which is connected to these tips, and 38B the mainly it has. ここで図3(A)は両アーム部36A、36Bが共に縮退している状態を示し、図3(B)は一方のアーム部が伸長している場合を示している。 Here, FIG. 3 (A) shows a state in which the arms 36A, 36B are degenerated together, FIG. 3 (B) shows a case where one of the arms is extended.

具体的には、上記各アーム部36A、36Bは、駆動軸88を介して回転可能に容器底部に設けられた回転基台90に旋回可能にそれぞれ取り付けられている。 Specifically, each arm portion 36A, 36B are pivotally mounted respectively on the rotary base 90 provided on the rotatable container bottom through a drive shaft 88. この駆動軸88は、例えば二軸構造になされており、モータよりなる駆動源92により別個独立に回転駆動される。 The drive shaft 88 is, for example, made to a twin structure, which is rotatingly driven independently by a drive source 92 consisting of a motor. この二軸構造の駆動軸88の一方の軸は上記回転基台90に連結されて、これを回転駆動するようになっている。 One axis of the drive shaft 88 of the biaxial structure is connected to the rotary base 90, and this so as to rotate. 上記各アーム部36A、36Bは、その基端部側より第1アーム94、第2アーム96及び第3アーム98を、この順序で相互に屈曲可能に直列に連結してそれぞれ形成されており、水平方向へ向けて伸縮できるようになっている。 Each arm 36A, 36B has its base end side of the first arm 94, the second arm 96 and third arm 98 are respectively formed by connecting in series bendable to each other in this order, and to be able to stretch toward the horizontal direction.

そして、上記第1アーム94の基端部が上記回転基台90に回転自在に支持されている。 The proximal end of the first arm 94 is rotatably supported on the rotary base 90. この回転基台90には、上記二軸構造の他方の駆動軸に連結された駆動アーム97が取り付けられている。 This rotary base 90, the biaxial the other drive arm 97 connected to the drive shaft of the structure is attached. この駆動アーム97の先端部と上記各アーム部36A、36Bの第1アーム94の長さ方向の中央部との間に従動アーム100(図3参照)が掛け渡されており、この従動アーム100の両端は回転可能に軸支されている。 Tip and the respective arm portions 36A of the drive arm 97, driven arm 100 (see FIG. 3) are wound around a central portion of the length direction of the first arm 94 of the 36B, the follower arm 100 both ends are rotatably supported. 従って、後述するように、上記回転基台90を旋回させることによってフォーク部38A、38Bの方向付けを行い、上記駆動アーム97を左右に旋回させることによって、上記2つのアーム部36A、36Bを交互に選択的に伸縮できるようになっている。 Accordingly, alternating as will be described later, a fork portion 38A by pivoting the rotary base 90, performs the orientation of 38B, by pivoting the drive arm 97 to the right and left, the two arm portions 36A, 36B of which can selectively expand and contract to. 図2においては、主に一方のアーム部36Aを示しているが、他方のアーム部36Bも同様に形成されている。 In FIG. 2, although mainly shows one of the arm portions 36A, and is formed similarly other arm portion 36B.

ここで、上記第1アーム94及び第2アーム96は、アルミニウムやアルミニウム合金等により細長い箱状に成形されたアームケース99を有しており、このアームケース99の内部の両端側にプーリ101A、101B及び101C、101Dがそれぞれ設けられる。 Here, the first arm 94 and second arm 96 has an arm case 99 formed into an elongated box shape by aluminum or an aluminum alloy or the like, pulley 101A on both end sides of the inside of the arm case 99, 101B and 101C, 101D are provided respectively. そして、旋回中心側のプーリ101A、101Cは、それぞれ第1アーム94及び第2アーム96のアームケース99に固定され、反対側のプーリ101B、101Dは、回転軸105B、105Cを介してそれぞれアームケース99に回転可能に設けられる。 Then, the turning center side of the pulley 101A, 101C is fixed to the arm case 99 of the first arm 94 and second arm 96, respectively, opposite to the pulley 101B, 101D is the rotating shaft 105B, respectively arm case through 105C rotatably provided 99. また回転基台90の上部には、駆動源92からの駆動力により回転される回転軸105Aが設けられ、この回転軸105Aが第1アーム94の基端部側に固定されている。 Also the upper part of the rotary base 90, the rotation shaft 105A that is rotated by the driving force from the driving source 92 is provided, the rotation shaft 105A is fixed to the base end of the first arm 94.

そして、このプーリ101A、101B間及び101C、101D間にはタイミングベルト103A、103Bがそれぞれ掛け渡されており、駆動力を各アーム部36A、36Bの先端側まで伝達するようになっている。 Then, the pulley 101A, 101B and between 101C, timing belt 103A is between 101D, 103B has passed over each of which is a driving force to be transmitted to the distal end side of the arm portions 36A, 36B.

また第3アーム98は、アルミニウムやアルミニウム合金等により短い板状に形成されており、この先端に連結部材102を介して上記フォーク部38A、或いはフォーク部38Bが連結されている。 The third arm 98 is an aluminum or aluminum alloy or the like is formed in a short plate shape, the fork portion 38A via a connecting member 102 to the distal end or fork portion 38B, are connected. 上記フォーク部38A、38Bは、2股状に成形されており、この材料は、例えばアルミナや窒化アルミやシリコンカーバイトのようなセラミック材よりなる。 The fork portions 38A, 38B is formed into a bifurcated shape, the material consists of a ceramic material such as alumina or aluminum nitride or silicon carbide. また上記連結部材102は、熱伝導率が低い低熱伝導部材、例えばアルミナに添加剤を加えるなどして加工性を向上させるようにしたマシナブルセラミック材を用いることができる。 Further the connecting member 102 can be used a low thermal conductivity low thermal conductive member, machinable Bull ceramic material which is adapted to improve the in such workability adding additives such as alumina.

ここで上記各部材の寸法は、処理すべき半導体ウエハWの直径が例えば300mmの場合には、第1アーム94は長さが370mm程度、厚さが10〜20mm程度、幅が90〜100mm程度であり、第2アーム96は長さが370mm程度、厚さが10〜20mm程度、幅が80〜90mm程度であり、第3アーム98は長さが150mm程度、厚さが5〜10mm程度、幅が80〜90mm程度である。 Dimensions where each member, when the diameter of the semiconductor wafer W to be processed is, for example 300mm is about the first arm 94 length 370 mm, thickness of about 10 to 20 mm, a width of about 90~100mm and at about the second arm 96 length 370 mm, thickness of about the 10 to 20 mm, a width of about 80~90Mm, third arm 98 is 150mm about length, thickness about 5 to 10 mm, width is about 80~90mm.

そして、このように形成された各アーム部36A、36Bの内で、上記処理容器56内に侵入する部分に、本発明の特徴とする熱遮蔽板104が設けられており、載置台32A側から伝わる主として輻射熱を遮断するようになっている。 Then, each of the arm portions 36A are formed in this manner, within the 36B, the portion entering the the processing vessel 56, and heat shielding plate 104 is provided, which is a feature of the present invention, the mounting base 32A side mainly adapted to shut off the radiant heat transmitted. 具体的には、図2乃至図4に示すように、ここでは第2アーム96の先端、すなわち第3アーム98側の先端に設けている。 Specifically, as shown in FIGS. 2 to 4, wherein is provided the distal end of the second arm 96, i.e. the tip of the third arm 98 side. この時の状態は図4に示されており、図4(A)は上面図を示し、図4(B)は側断面図を示し、図4(C)は下面図を示している。 The state at this stage is shown in FIG. 4, FIG. 4 (A) shows a top view, FIG. 4 (B) shows a side sectional view, FIG. 4 (C) shows a bottom view. 図4では、上記熱遮蔽板104として第2アーム96の先端部の側面全体を囲んで覆うように側面用熱遮蔽板104Aを設けると共に、この第2アーム96の先端部の下面全体を覆うように下面用熱遮蔽板104Bを設けている。 In Figure 4, provided with a side surface heat shield plate 104A so as to cover surrounds the entire side surface of the distal end of the second arm 96 as the heat shielding plate 104, so as to cover the entire lower surface of the distal end portion of the second arm 96 It is provided underside heat shielding plate 104B on.

上記側面熱遮蔽板104Aは、図示するようにU字状に成形されており、第2アーム96の側面より僅かに、例えば1〜5mm程度だけ浮かせて、その両端にスペーサ部材106を介在させてピン108により第2アーム96に取り付け固定している。 The side heat shield plate 104A is formed into a U-shape as shown, slightly from the side surface of the second arm 96, for example by floating only about 1 to 5 mm, and the spacer member 106 is interposed at both ends It is fixedly attached to the second arm 96 by a pin 108. また、下面用熱遮蔽板104Bは板状に成形されており、第2アーム96の下面より僅かに例えば1〜5mm程度だけ浮かせて、スペーサ部材110を介在させてピン112により第2アーム96に取り付け固定している。 Further, the lower surface heat shield plate 104B is molded into a plate, float only slightly e.g. 1~5mm about the lower surface of the second arm 96, the second arm 96 by a pin 112 with intervening spacer member 110 It is mounted and fixed. ここでは上記熱遮蔽板104は、アーム部36Aを伸長した時にゲートバルブを境にして、このゲートバルブGよりも処理容器56内へ侵入した部分に設けられていることになる。 Wherein said heat shield plate 104 is, the gate valve on the border when the extended arm portion 36A, so that is provided in the penetration portion into the processing container 56 than the gate valve G. 上記熱遮蔽板104としては、熱容量が小さい材料、例えばアルミニウムやアルミニウム合金やステンレススチール等の金属板、或いは酸化アルミニウムやアルミナ等のセラミック材を用いることができる。 As the heat shielding plate 104, it is possible to use material heat capacity is small, for example, a metal plate such as aluminum or an aluminum alloy or stainless steel, or a ceramic material such as aluminum oxide or alumina.

また、この熱遮蔽板104の表面は、輻射熱を反射し易くするために研磨加工によりミラー面にしておくのがよい。 The surface of the heat shielding plate 104, may want to make the mirror surface by polishing in order to facilitate the reflected radiant heat. この熱遮蔽板104の厚さは0.5〜2mm程度であり、また第2アーム96の先端を覆う長さL1は、第1アーム96の処理容器56内への侵入長さにもよるが、例えば120mm程度である。 The thickness of the heat shielding plate 104 is about 0.5 to 2 mm, also the length L1 to cover the tip of the second arm 96, depending on the penetration length into the processing vessel 56 of the first arm 96 , for example, about 120mm. また上記スペーサ部材106、110は、熱伝導性の低い材料、例えばアルミナや窒化アルミニウム等のセラミック材を用いることができる。 Also the spacer members 106 and 110, a material having a low thermal conductivity, it is possible to use a ceramic material such as, for example, alumina or aluminum nitride. ここでは上記熱遮蔽板104として、側面用熱遮蔽板104Aと下面用熱遮蔽板104Bの双方を設けたが、これに限定されず、これらのいずれか一方のみを設けるようにしてもよい。 As the heat shielding plate 104 here is provided with the both sides heat shield plate 104A and the lower surface heat shielding plate 104B, the present invention is not limited thereto, it may be of any of these provided only one. また、ここでは主として一方のアーム部36Aを例にとって説明したが、前述したように他方のアーム部36Bにも熱遮蔽板104(104A、104B)が同様に設けられているのは勿論である。 Also, here has been described as an example mainly one arm portion 36A is it is of course heat shielding plate 104 in the other arm portion 36B (104A, 104B) are provided in the same manner as described above.

次に、以上のように、搬送機構34の動作について説明する。 Then, as described above, the operation of the transport mechanism 34. まず、最初に処理システム22における半導体ウエハの概略的な流れについて説明する。 First, it described first schematic flow of the semiconductor wafer in a processing system 22. I/Oポート44に設置されたカセット容器(図示せず)からは、未処理の半導体ウエハWが大気側搬送機構46によりロードモジュール42内に取り込まれ、この取り込まれた半導体ウエハWはロードモジュール42の一端に設けたオリエンタ54へ搬送されて、ここで位置決め及び方向付けがなされる。 I / O port installed cassette container 44 (not shown), the unprocessed semiconductor wafer W is taken into the load module 42 by the atmospheric transfer mechanism 46, the captured semiconductor wafer W is loaded module 42 is conveyed to the orienter 54 provided at one end of, wherein the positioning and orientation is performed. 上記半導体ウエハWは例えば板状のシリコン基板よりなる。 The semiconductor wafer W is made of a silicon substrate for example, a plate-shaped.

位置決め等がなされた半導体ウエハWは、上記大気側搬送機構46により再度搬送され、2つのロードロック装置30A、30Bの内のいずれか一方のロードロック装置内へ搬入される。 Semiconductor wafer W such as positioning is performed, it is conveyed again by the atmospheric transfer mechanism 46, two load lock device 30A, and is conveyed into one of the load lock device according to any one of the 30B. このロードロック装置内が真空引きされた後に、予め真空引きされたトランスファチャンバ26内の搬送機構34を用いて、上記ロードロック装置内の半導体ウエハWがトランスファチャンバ26内に取り込まれる。 After in this load lock device is evacuated, using the transfer mechanism 34 of the pre-evacuated within the transfer chamber 26, the semiconductor wafer W in the load lock device is taken into the transfer chamber 26.

そして、このトランスファチャンバ26内へ取り込まれた未処理の半導体ウエハは、本発明の搬送機構34によって各処理装置24A〜24Dへ必要に応じて順次搬送され、各処理装置24A〜24D内においてそれぞれ所定の処理が施されることになる。 Then, the semiconductor wafer unprocessed incorporated into the transfer chamber 26 is sequentially transported as needed to the processor 24A~24D by the transport mechanism 34 of the present invention, each predetermined in each processor 24A~24D so that the processing is performed. 例えば半導体ウエハWに対して、成膜処理やエッチング処理や酸化拡散処理等の熱処理が施されることになる。 For example, for a semiconductor the wafer W, so that a film forming process or an etching process and oxidation diffusion process heat treatment such as is performed. ここで施された処理の態様によっては半導体ウエハWは例えば300〜700℃程度の高温状態になっている。 Here the semiconductor wafer W by aspects of the treatment applied is in a high temperature of, for example, about 300 to 700 ° C..

このようにして施すべき各種の処理が全て施されて処理済みとなった半導体ウエハWは、搬送機構34により2つのロードロック装置30A、30Bの内のいずれか一方のロードロック装置内へ搬入される。 In this way, the semiconductor wafer W to various processing becomes all decorated with and processed to be performed is loaded into the transport mechanism 34 by two load lock device 30A, in one of the load lock device according to any one of the 30B that. そして、このロードロック装置内を大気圧復帰し、大気圧復帰後に、このロードロック装置内の半導体ウエハWは大気側搬送機構46を用いてロードモジュール42内へ取り込まれ、更に、I/Oポート44の処理済み半導体ウエハ用のカセット容器(図示せず)内へ収容されることになる。 Then, this load lock device restored the atmospheric pressure, after return to atmospheric pressure, semiconductor wafer W in the load lock device incorporated into the load module 42 using the atmospheric transfer mechanism 46, further, I / O ports It will be accommodated in the 44 processed semiconductor cassette container for wafer (not shown). そして、以上の動作が繰り返し行われて、半導体ウエハWは連続的に処理される。 Then, is repeatedly performed the above operation, the semiconductor wafer W is processed continuously.

ここで上記トランスファチャンバ26内における搬送機構34の動作について詳しく説明する。 Here it will be described in detail the operation of the transport mechanism 34 in the above transfer chamber 26. 前述したように、搬送機構34の回転基台90を回転させることによってフォーク部38A、38Bの方向付けを行い、駆動アーム97を左右に回転させることによって2つのアーム部36A、36Bを交互に選択的に伸長させることができ、一方のアーム部が伸長している時は、他方のアーム部は縮退状態を維持することになる。 As described above selection, the fork portion 38A by rotating the rotary base 90 of the transport mechanism 34 performs orientation of 38B, the driving arm 97 two arms 36A by rotating the left and right, 36B are alternately manner can be extended, when one arm is extended, the other arm portion will maintain a degenerate state. 図2は処理装置24Aを一例にとして取り上げて示しており、一方のアーム部36Aが伸長して、開放されたゲートバルブGを介してアーム部36Aの先端及びフォーク部38Aが処理容器56内へ侵入している。 2 shows addresses the processor 24A as an example, with one arm portion 36A is extended, the distal end and the fork portion 38A of the arm portion 36A via the opened gate valve G is into the processing vessel 56 invading.

そして、載置台32Aの昇降ピンを昇降させることにより、このフォーク部38Aと載置台32Aとの間で半導体ウエハWの移載が行われる。 By elevating the lift pins of the table 32A, transfer of the semiconductor wafer W is transferred between the table 32A mounting a fork portion 38A. この一回の移載でフォーク部38Aが処理容器56内に留まる時間は、搬送スピードにもよるが例えば1〜2sec程度である。 The single transfer fork portion 38A is processing container 56 time stay within the is depending on the conveying speed for example 1~2sec about.

ここで、載置台32Aは、熱処理のプロセス条件にもよるが、例えば300〜700℃程度の高温状態となっている。 Here, the mounting table 32A, depending on the process conditions of the heat treatment, for example, a high temperature of about 300 to 700 ° C.. 従って、搬送機構34を用いて半導体ウエハWを搬出入する毎にフォーク部38Aやアーム部36Aは、載置台32A側からの輻射熱を受けて次第に昇温して行くことは避けられない。 Accordingly, the fork portion 38A and the arm portion 36A for each loading and unloading the semiconductor wafer W using the transfer mechanism 34, it is inevitable that go heated gradually by receiving radiation heat from the mounting table 32A side. 特に、図2に示すように、第2アーム96の先端側は、載置台32Aに最も近付くので、矢印120(図2参照)に示すように大きな輻射熱を受けることになる。 In particular, as shown in FIG. 2, the leading end side of the second arm 96, so most close to the table 32A, it will be subjected to a large radiation heat as shown by the arrow 120 (see FIG. 2). この場合、図12に示す従来の搬送機構にあっては、アーム部には、輻射熱を遮断する保護部材を何ら設けていなかったので、アーム部が高温状態になって搬送精度の低下等の不都合が生じていた。 In this case, in the conventional transport mechanism shown in FIG. 12, the arm portion, since the protective member for blocking radiant heat was not any provided, inconveniences such as reduction in conveyance accuracy arm portion becomes a high temperature state It has occurred.

しかしながら、本発明にあっては、上述したように、アーム部36Aの内で処理容器56内に侵入する部分である第2アーム96の先端側に熱遮蔽板104、すなわち側面用熱遮蔽板104Aと下面用遮蔽板104Bとを設けているので、載置台32Aから放射される上記矢印120に示すような輻射熱を遮断することができる。 However, in the present invention, as described above, the heat shield 104 to the distal end side of the second arm 96 is a part that enters into the processing container 56 within the arm portion 36A, i.e. the side surface heat insulating plate 104A since it is provided a lower-surface shield plate 104B and can be cut off radiant heat as shown in the arrow 120 emitted from the mounting table 32A. この結果、第2アーム96の過度の昇温を防止することができ、このアーム部36Aの全体が熱膨張によって反りが生ずることを抑制することができるのみならず、内部に設けたタイミングベルトのテンション等にも悪影響を与えることを抑制することができる。 As a result, it is possible to prevent excessive Atsushi Nobori of the second arm 96, not only the whole of the arm portion 36A can be prevented Rukoto may arise from warping I by the thermal expansion, the internal adversely affect to the tension or the like of the timing belt provided can be suppressed. 従って、半導体ウエハWの搬送精度も高く維持することが可能となる。 Therefore, it is possible to also maintain a high conveyance accuracy of the semiconductor wafer W.

具体的には、一回の搬送操作で±0.05mm以内の搬送精度を達成することが可能となる。 Specifically, it is possible to achieve a conveying accuracy within ± 0.05mm in one conveying operation. この場合、上記熱遮蔽板104の表面は、研磨処理によってミラー面になされているので、輻射熱の遮断効果を一層向上させることができる。 In this case, the surface of the heat shield plate 104, because it is made on the mirror surface by polishing, the blocking effect of radiant heat can be further improved. 特に、処理容器56やトランスファ用容器80の搬出入口76、82の幅は36mm程度なので、上述のようにアーム部36Aの反りを抑制できる効果は、特に有効である。 In particular, the width of the transfer port 76, 82 of the processing chamber 56 and the transfer vessel 80 is a approximately 36 mm, an effect of suppressing the warpage of the arm portion 36A as described above, is particularly effective.

更に、半導体ウエハWの搬送処理によってフォーク部38自体も、載置台32Aからの輻射熱や高温状態の半導体ウエハWからの熱伝導によって高温状態になるが、本実施例では第3アーム98とフォーク部38Aとをつなぐ連結部材102としてマシナブルセラミック材等の熱伝導率の低い材料を用いているので、第3アーム98及び第2アーム96側への熱伝導が抑制されて、その分、第2アーム96の温度上昇を更に抑制することができる。 Furthermore, the fork portion 38 itself by the transport process of the semiconductor wafer W is also mounting becomes a high temperature state by the heat conduction from the semiconductor wafer W of radiant heat and hot state from table 32A, in this embodiment the third arm 98 and fork portion because of the use of material having low thermal conductivity, such as machinable Bull ceramic material as a connecting member 102 that connects the 38A, heat conduction to the third arm 98 and the second arm 96 side is suppressed, by that amount, the second temperature rise of the arm 96 can be further suppressed.

ここでは一方のアーム部36Aについて説明したが、他方のアーム部36Bにおいても同様な作用効果を発揮できるのは勿論である。 This was described one arm portion 36A, but of course can be exhibited same effect even in the other arm portion 36B. また、他の処理装置24B〜24Dにおいても、半導体ウエハWや載置台の温度が高温状態になるような熱処理を行う場合には、上述したと同様な作用効果を発揮できるのは勿論である。 Also in other processing units 24B~24D, when the temperature of the semiconductor wafer W and the mounting table is subjected to heat treatment such as a high temperature state, it is of course possible exhibit the same effect as described above.

このように、本発明の第1実施例によれば、処理容器56内で被処理体、例えば半導体ウエハに熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム94、96、98を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部36A、36Bの先端に被処理体を保持するフォーク部38A、38Bを連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板104を設けるようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 Thus, according to the first embodiment of the present invention, the object to be processed in the processing chamber 56, the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment for example, a semiconductor wafer, a plurality of arms arm 36A was made to be capable of bending and stretching and turning a 94, 96, 98, fork portion 38A for holding the workpiece on the tip of 36B, concatenates 38B, enters the processing chamber within the arm portion since the provided heat shield 104 in a portion, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

尚、上記実施例では、第2アーム96の先端側に熱遮蔽板104を設けたが、これに限定されず、この熱遮蔽板104を第2アーム96の下面の全面、或いは側面の全面に、又は上記両全面に設けるようにしてもよい。 In the above embodiment, although the heat shielding plate 104 provided on the distal end side of the second arm 96 is not limited to this, the heat shield 104 the entire lower surface of the second arm 96, or the entire side surface , or it may be provided in the both the entire surface.

<第2実施例> <Second Embodiment>
次に本発明の搬送機構の第2実施例について説明する。 Next will be described a second embodiment of the transfer mechanism of the present invention. 先の第1実施例の場合には、搬送機構のアーム部に熱遮蔽板104を設けたが、これに替えて、搬送機構の表面に断熱性の高い熱遮蔽層を形成するようにしている。 If the previous first embodiment is provided with the heat shielding plate 104 to the arm portion of the transport mechanism, instead of this, so as to form a heat-insulating highly heat-shielding layer on the surface of the transport mechanism . 図5は、このような本発明の搬送機構の第2実施例のアーム部の一部を示す部分断面図、図6は第3アームを示す断面図、図7はフォーク部を示す平面図である。 Figure 5 is a partial sectional view showing a part of the arm portion of the second embodiment of the transport mechanism of the present invention, FIG. 6 is a sectional view showing a third arm, FIG. 7 is a plan view showing a fork portion is there. 尚、図1乃至図5に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。 Incidentally, constituent parts the same components shown in FIGS. 1 to 5 will be omitted with denoted by the same reference numerals.

図5に示すように、ここでは搬送機構のアーム部36Aの表面に熱伝導性の低い熱遮蔽層121を形成している。 As shown in FIG. 5, here it forms a heat-shielding layer 121 having low thermal conductivity on the surface of the arm portion 36A of the conveying mechanism. この熱遮蔽層121としては、ここでは例えばセラミック溶射層122を用いている。 As the heat shielding layer 121, it is used here a ceramic thermal sprayed layer 122, for example. 具体的には、アーム部36Aの第2アーム96のアームケース99の側面の全体に側面用セラミック溶射層122Aを設けると共に、アームケース99の下面の全体に下面用セラミック溶射層122Bを形成しており、第2アーム96の内部の昇温を抑制するようにしている。 Specifically, it provided with a side ceramic sprayed layer 122A on the entire side surface of the arm case 99 of the second arm 96 of the arm portion 36A, to form a lower surface for the ceramic thermal sprayed layer 122B on the entire lower surface of the arm case 99 cage, so as to suppress the internal Atsushi Nobori of the second arm 96. このセラミック溶射層122の材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコンカーバイト等のセラミック材を用いることができる。 As the material of the ceramic thermal sprayed layer 122 can be alumina, aluminum nitride, a ceramic material of the silicon carbide and the like. また、このセラミック溶射層122の厚さは、例えば0.35〜0.45mm程度の厚さである。 The thickness of the ceramic thermal sprayed layer 122 is the thickness of the 0.35~0.45mm extent, for example.

また、このセラミック溶射層122は、非常に薄いセラミック溶射層を複数層積層することにより多層構造としてもよい。 Further, the ceramic thermal sprayed layer 122 may have a multilayer structure by a plurality of layers stacked very thin ceramic sprayed layer. この際、各層毎にセラミック材の材質を変えるようにしてもよい。 At this time, it may be changing the material of the ceramic material for each layer. この場合には、更に熱伝導性を低くすることが可能となる。 In this case, it is possible to further lower the thermal conductivity. 更に、上記アーム部36Aのみならず、他方のアーム部36Bにおいても上述したと同様に構成されているのは勿論である。 Furthermore, not only the arm part 36A alone, it is of course has the same structure as that described above also in the other arm portion 36B. ここで上記熱遮蔽層121としては、波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率が、波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率よりも大きくなっているような特性を有しているものを用いる。 Examples of the above-mentioned heat-shielding layer 121, emissivity wavelength for the heat rays in the range of 7~10μm has a characteristic such as wavelength is larger than the emissivity for heat rays in the range of 1~4μm used as is. 具体的には、上記波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%よりも大きく、上記波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%以下であるような特性の熱遮蔽層121を用いる。 Specifically, the wavelength emissivity for heat rays in the range of 7~10μm is greater than 66%, the wavelength of the properties such as emissivity for heat rays in the range of 1~4μm are the following 66% use of heat-shielding layer 121. そして、上記セラミック溶射層122は上記特性を満たした特性を有している。 Then, the ceramic thermal sprayed layer 122 has a characteristic that satisfies the above characteristics. これにより、第2アーム96が高温状態の載置台32Aに接近した時には輻射率が小さい(反射率が高い)ので加熱され難くなり、これに対して第2アーム96が低温状態のトランスファチャンバ26内に入ると輻射率が大きい(反射率が低い)ので、放熱され易くなって迅速に冷却されるようになっている。 Thus, the second arm 96 is not easily heated because the emissivity is small (high reflectance) when approaching the table 32A of the high-temperature state, the second arm 96 in the transfer chamber 26 of low temperature contrast entering a so emissivity is large (low reflectance) to, and is rapidly cooled so easily dissipated.

この第2実施例の場合においても、先の第1実施例と同様に、図2に示すように載置台32Aに接近した第2アーム96が矢印120に示すように大きな輻射熱を受けても、ここに設けた上記セラミック溶射層122(122A、122B)の熱伝導性が低く、且つ上述したように波長が1〜4μmの範囲内の熱線(熱源温度は450〜2500℃程度 )に対しては輻射率は小さいので熱線を反射して加熱され難くなっており、熱が第2アーム96の内部に伝わることを抑制することができる。 Also in the case of the second embodiment, similarly to the previous first embodiment, the second arm 96 close to the base 32A mounting as shown in FIG. 2 is subjected to a large radiation heat as shown by the arrow 120, the ceramic thermal sprayed layer 122 (122A, 122B) provided herein low thermal conductivity and heat ray wavelength in the range of 1~4μm as described above (heat source temperature is about 450-2500 ° C.) for a since the emissivity is small has become difficult to be heated by the reflected heat rays can heat is suppressed from being transmitted to the inside of the second arm 96. また、波長が7〜10μmの範囲内の熱線(熱源温度は15〜140℃程度)に対しては輻射率は大きいので熱線を放出し易く冷却し易い状態となっている。 The wavelength is a hot wire tends state (heat source temperature is about fifteen to one hundred and forty ° C.) for the cooling easily release the heat ray because emissivity large in the range of 7~10Myuemu. この結果、先の第1実施例と同様に第2アーム96の過度の昇温を防止することができ、このアーム部36Aの全体が熱膨張によって反りが生ずることを抑制することができるのみならず、内部に設けたタイミングベルトのテンション等にも悪影響を与えることを抑制することができる。 As a result, it is possible to prevent the can to prevent excessive Atsushi Nobori of the second arm 96 similarly to the previous first embodiment, the warpage I'm the whole of the arm portion 36A to the thermal expansion occurs not possible only, it is possible to suppress an adverse effect to the tension or the like of the timing belt provided inside. 従って、半導体ウエハWの搬送精度も高く維持することが可能となる。 Therefore, it is possible to also maintain a high conveyance accuracy of the semiconductor wafer W. 具体的には、一回の搬送操作で±0.05mm以内の搬送精度を達成することが可能となる。 Specifically, it is possible to achieve a conveying accuracy within ± 0.05mm in one conveying operation.

このように、本発明の第2実施例によれば、処理容器56内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム94、96、98を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部36A、36Bの先端に被処理体を保持するフォーク部38A、38Bを連結し、アーム部の表面に熱遮蔽層121、例えばセラミック溶射層122を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 Thus, according to the second embodiment of the present invention, in a transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in the processing chamber 56, a plurality of arms 94, 96, arm 36A was made to be capable of bending and stretching and turning a 98, fork portion 38A for holding the workpiece on the tip of 36B, concatenates 38B, heat-shielding layer 121 on the surface of the arm portion, for example, ceramic thermal sprayed layer since so as to form a 122, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

尚、上記第2実施例では、第2アーム96の側面全体と下面全体にセラミック溶射層122を形成した場合を例にとって説明したが、先の第1実施例の熱遮蔽板104と同様に第2アーム96の先端部側にだけ設けるようにしてもよいし、或いは上記側面全体と下面全体とに加えて第2アーム96の上面全体にも熱遮蔽層121としてセラミック溶射層122を設けるようにしてもよい。 Incidentally, in the second embodiment has described the case of forming the ceramic thermal sprayed layer 122 on the entire and entire lower surface side of the second arm 96 as an example, a similar heat shielding plate 104 of the previous first embodiment 2 may be provided on the distal end side of the arm 96 only, or to be provided a ceramic thermal sprayed layer 122 as a heat shielding layer 121 also on the entire upper surface of the second arm 96 in addition to the entire the entire side and bottom it may be. 更に、上記構成に加えて、図6に示すように第3アーム98の全面、すなわち、下面、側面及び上面に熱遮蔽層121としてセラミック溶射層124を形成してもよい。 Furthermore, in addition to the above structure, the entire surface of the third arm 98 as shown in FIG. 6, i.e., the lower surface may be formed ceramic thermal sprayed layer 124 as a heat shielding layer 121 on the side and top. この場合、上記下面、側面及び上面のいずれか1以上の表面に形成するようにしてもよく、少なくとも下面に形成するようにすれば、断熱性から特に有効である。 In this case, the lower surface may be formed on any one or more surfaces of the side and top surfaces, if so as to form at least the lower surface is particularly effective heat insulating properties.

更には、上記各構成に加えて、図7に示すようにフォーク部38A(38B)の全面、すなわち下面、側面及び上面に熱遮蔽層121としてセラミック溶射層126を設けるようにしてもよい。 Furthermore, in addition to the above construction, the entire surface of the fork portion 38A (38B) as shown in FIG. 7, i.e. the lower surface may be provided a ceramic thermal sprayed layer 126 as a heat shielding layer 121 on the side and top. この場合にも、下面、側面及び上面のいずれか1以上の表面に形成するようにしてもよく、少なくとも下面に形成するようにすれば、断熱性から特に有効である。 In this case, the lower surface may be formed on any one or more surfaces of the side and top surfaces, if so as to form at least the lower surface is particularly effective heat insulating properties. 尚、ここでは図示されていないが、上記各構成に加えて第1アーム94の表面に熱遮蔽層121としてセラミック溶射層を形成するようにしてもよい。 Although here not shown, may be formed a ceramic thermal sprayed layer as a heat-shielding layer 121 on the surface of the first arm 94 in addition to the above-described configuration. また、上記実施例では熱遮蔽層121としてセラミック溶射層122を設ける場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例えば塗料を塗布して形成した塗料層を設けてもよく、いずれにしても上述したような波長に対する輻射率を有する物質ならば、どのようなものを用いてもよい。 In the above embodiment has been described taking the case of providing a ceramic thermal sprayed layer 122 as a heat shielding layer 121 is not limited to this, for example, coatings may also be provided a coating layer formed by applying, in any event if substances also have radiation versus wavelength as described above, it may be used what. この点は、以下に説明する実施例においても同様である。 The same applies in the embodiments described below.

<第3実施例> <Third embodiment>
次に本発明の搬送機構の第3実施例について説明する。 Next will be described a third embodiment of the transfer mechanism of the present invention. 先の第1及び第2実施例では熱遮蔽板104と熱遮蔽層121であるセラミック溶射層122とをそれぞれ別個に設けるようにしているが、これに限定されず、第3実施例として上記熱遮蔽板104と熱遮蔽層121であるセラミック溶射層122との双方を設けるようにしてもよい。 In the first and second embodiment previously has a ceramic thermal sprayed layer 122 is a heat shielding plate 104 and the heat-shielding layer 121 respectively separately provided, not limited to this, the heat as a third embodiment may be provided both between the ceramic thermal sprayed layer 122 is a shield plate 104 and the heat shielding layer 121. この場合の第1実施例の熱遮蔽板104と第2実施例の熱遮蔽層121であるセラミック溶射層122の組み合わせは、第1実施例で説明した各種の実施形態と第2実施例で説明した各種の実施形態とをそれぞれ任意に選択して適用すればよい。 This combination of the ceramic thermal sprayed layer 122 and the heat shielding plate 104 of the first embodiment is a heat-shielding layer 121 of the second embodiment in the embodiments of the various described in the first embodiment and described in the second embodiment the various embodiments and the may be respectively applied arbitrarily selected.

これによれば、処理容器56内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアーム94、96、98を有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部36A、36Bの先端に被処理体を保持するフォーク部38A、38Bを連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板104を設け、更にアーム部の表面に熱遮蔽層121としてセラミック溶射層122を形成したので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to this, the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in the processing chamber 56, can be bent and stretched, and turning a plurality of arms 94, 96, 98 arm 36A was made in fork portion 38A for holding the workpiece on the tip of 36B, concatenates 38B, the heat shielding plate 104 is provided in a portion penetrating into the processing vessel within the arm portion, further arm portion since the formation of the ceramic thermal sprayed layer 122 as a heat shielding layer 121 on the surface, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

特に、上記熱遮蔽板104と熱遮蔽層121であるセラミック溶射層122とを組み合わせることにより、後述するように、アーム部自体の温度上昇をより大きく抑制することができ、アーム部の変位量(反り量)及び長さ方向の熱膨張量を大幅に抑制することが可能となる。 In particular, by combining the ceramic thermal sprayed layer 122 is the heat shielding plate 104 and the heat-shielding layer 121, as described later, it is possible to more greatly suppressed the increase in temperature of the arm portion itself, displacement of the arm portion ( it is possible to greatly suppress the warp amount) and thermal expansion in the longitudinal direction.

<熱遮蔽板とセラミック溶射層の評価> <Evaluation of the heat shield plate and the ceramic sprayed layer>
次に、上記熱遮蔽板104を設けた本発明の第1実施例と、上記熱遮蔽板104と熱遮蔽層121として用いたセラミック溶射層122の双方を設けた本発明の第3実施例の各搬送機構34を実際に動作させる実験を行ったので、その評価結果について説明する。 Next, a third embodiment of the present invention which is provided with the first embodiment of the present invention provided with the heat shielding plate 104, both the ceramic soluble picolinimidate 122 used as the heat shielding plate 104 and the heat-shielding layer 121 since an experiment was conducted to actually operate each transport mechanism 34 will be described results of the evaluation. ここで第1実施例としては、搬送機構に熱遮蔽板104として側面用熱遮蔽板104Aのみを設けており、下面用熱遮蔽板104Bを設けていない搬送機構を用いた。 Examples of the first embodiment, and is provided only side heat shield plate 104A as a heat shield plate 104 to the conveying mechanism, using the carrying mechanism provided with no bottom surface heat shield 104B. また第2実施例としては、搬送機構に熱遮蔽層121の一例であるセラミック溶射層122として図5に示すように側面用セラミック溶射層122Aと下面用セラミック溶射層122Bとを形成した搬送機構を用いた。 Conveying As the second embodiment, the formation of by a ceramic thermal sprayed layer 122 and the side ceramic sprayed layer 122A, as shown in FIG. 5 and the lower surface for the ceramic thermal sprayed layer 122B which is an example of the heat shield layer 121 on the transport mechanism using the mechanism.

図8は評価に用いた搬送機構の第2アームの部分を示す概略斜視図である。 Figure 8 is a schematic perspective view showing a portion of the second arm of the transport mechanism used in the evaluation. 更に第3実施例として図8に示すように、ここでは熱遮蔽板104として側面用熱遮蔽板104Aのみを設けており、下面用熱遮蔽板104Bを設けていない搬送機構を用いた。 As further shown in FIG. 8 as a third embodiment, wherein is provided only side heat shield plate 104A as a heat shielding plate 104, using the carrying mechanism provided with no bottom surface heat shield 104B. 更にこの第3実施例の搬送機構には熱遮蔽層121の一例であるセラミック溶射層122として図5に示したと同様に側面用セラミック溶射層122Aと下面用セラミック溶射層122Bの両方を設けている。 It is provided both an example in which the ceramic thermal spraying side in the same manner as shown in FIG. 5 as a ceramic thermal sprayed layer 122 layer 122A and the lower surface for the ceramic thermal sprayed layer 122B of the heat shield layer 121 is further conveying mechanism of the third embodiment .

また処理装置24Aの載置台32Aの温度は700℃に設定し、半導体ウエハを繰り返し搬出入させた。 The set temperature is 700 ° C. of the stage 32A of the processing apparatus 24A, was repeated loading and unloading the semiconductor wafer. 図9はこの時の稼働時間と搬送機構のアーム部の上下方向への変位量(反り量)を示すグラフである。 Figure 9 is a graph showing a displacement amount in the vertical direction of the arm portion of the operating time and the transport mechanism when the (warpage). 比較のために熱遮蔽板とセラミック溶射層とを設けていない従来の搬送機構のデータも示す。 Data of conventional transport mechanism not provided with a heat shielding plate and the ceramic thermal sprayed layer for comparison are also shown.

図9に示すデータから明らかなように、搬送動作を開始すると、全ての搬送機構のアーム部の温度が次第に上昇して行くので上下方向の変位量(反り量)が徐々に増加している。 As is apparent from the data shown in FIG. 9, when starting the conveying operation, the displacement amount in the vertical direction since the temperature of the arm portion rises gradually in all of the transport mechanism (warpage) is increasing gradually. この場合、従来の搬送機構は、変位量の増加量が非常に大きくて急激に増加している。 In this case, conventional transport mechanism is increasing rapidly increase the amount of displacement is very large. そして、300min程度稼働した時に変位量は1mm程度に達して飽和している。 Then, the displacement amount when the running order of 300min is saturated reached approximately 1 mm. これに対して、本発明の第1実施例及び第3実施例の場合は共に変位量の増加量はかなり少ない。 In contrast, both the increase of the amount of displacement in the first and third embodiments of the present invention is significantly less. そして、第1実施例の場合は300min程度稼働した時に変位量は0.7mm程度に達して飽和している。 Then, the displacement amount when the running about 300min the case of the first embodiment is saturated reached about 0.7 mm. また第3実施例の場合は240min程度稼働した時に変位量は0.45mm程度に達して飽和している。 The displacement when running about 240min For third embodiment is saturated reached approximately 0.45 mm.

このように、変位量は、本発明の第1実施例の場合には、従来の搬送機構よりも0.3mm程度少なく、また第3実施例の場合には、第1実施例よりも更に0.25mm程度少ないことが判った。 Thus, the amount of displacement in the case of the first embodiment of the present invention is 0.3 mm approximately less than conventional transport mechanism, in the case of the third embodiment further 0 than in the first embodiment about .25mm less it has been found. そして、アーム部の上下方向の変位量の上限値は±1.0mmなので、第1実施例及び第3実施例の場合には変位量を十分に抑制できることが判った。 The upper limit of the vertical displacement of the arm portion so ± 1.0 mm, in the case of the first embodiment and the third embodiment was found to be sufficiently suppressed displacement. 尚、上記第1実施例と第3実施例との間における変位量の差分がアーム部にセラミック溶射層を設けた本発明の第2実施例の効果であると認識できる。 Incidentally, it can be recognized as the effect of the second embodiment of the present invention the difference between the amount of displacement between the first and third embodiments are provided with the ceramic thermal sprayed layer on the arm portion.

また熱遮蔽板104、或いはセラミック溶射層122を単独で用いた場合でも、先の第1及び第2実施例で説明したようにアーム部の上下方向変位量をある程度抑制することができたが、この第3実施例のように熱遮蔽板104とセラミック溶射層122の双方を適用することにより、より大きな作用効果を発揮できることが判った。 The heat shielding plate 104, or even when a ceramic thermal sprayed layer 122 alone, was able to some extent in the vertical direction displacement amount of the arm portion as described in the first and second embodiments above, by applying both heat shielding plate 104 and the ceramic thermal sprayed layer 122 as in the third embodiment, it was found that can exhibit a greater action effect.

このように大きな作用効果を発揮できる理由は、載置台側から伝わってくる輻射熱をまず熱遮蔽板104で反射、或いは遮断して第2アーム94側へ入る入熱量を抑制すると共に、第2アーム94の表面に熱が入ってきても、その表面に形成されている熱伝導性の低いセラミック溶射層122の作用によって第2アーム94の内部に侵入する熱が抑制されることになり、この結果、上述したような大きな作用効果を発揮するものと推察される。 Why can exhibit such a large operational effects, suppresses the amount of heat input reflecting the radiant heat comes through the mounting table side first with heat shielding plate 104, which or by blocking entry to the second arm 94 side, a second arm even came heat to 94 surface, it will be heat entering the interior of the second arm 94 by the action of low thermal conductivity ceramic thermal sprayed layer 122 formed on the surface is suppressed, as a result It is presumed to exhibit a significant action and effect as described above.

また、この実験の時に、従来の搬送機構と本発明の第3実施例の搬送機構の長さ方向への熱膨張量を調べた。 Further, at the time of this experiment examined the thermal expansion amount of the length direction of the transport mechanism of the third embodiment of a conventional transport mechanism and the present invention. 図10は搬送機構のアーム部の長さ方向への変化を示すグラフである。 Figure 10 is a graph showing changes in the length direction of the arm portion of the transport mechanism. 図10に示すように、アーム部の長さ方向の熱膨張量は、従来の搬送機構のアーム部の場合は、稼働時間が増加するに従って、熱膨張量は次第に増加して4時間程度の稼働時間で約1.4mm程度まで変化しているのが判る。 As shown in FIG. 10, the thermal expansion amount of the length direction of the arm portion, if the arm portion of the conventional transport mechanism, operating in accordance with time increases, the amount of thermal expansion gradually increases to about 4 hours running it can be seen that has changed to about 1.4mm about in time. これに対して、本願の発明の場合には、稼働時間が増加しても熱膨張量はそれ程変化せずに約0.4mmになっている。 In contrast, in the case of the present invention has a thermal expansion amount increases uptime has become approximately 0.4mm without much change. 従って、従来の搬送機構よりも、本発明の搬送機構の第3実施例の方が約1mmも熱膨張量が少なくなっており、本発明の第3実施例は特に優れていることが判る。 Therefore, than conventional transport mechanism, about 1mm toward the third embodiment of the transfer mechanism of the present invention also has become less thermal expansion amount, a third embodiment of the present invention is seen to be particularly good.

また、この際、サーモラベルを用いて各部の温度を調べた。 At this time, we examined the temperature of each part by using a thermo-label. この温度を調べた箇所は、図3(B)中のポイントP1、P2、P3の3点であり、ポイントP1は第3アーム98の基端部、ポイントP2は第2アーム96の先端部のアームカバー内、ポイントP3は第2アーム96の基端部のアームカバー内である。 Locations were examined this temperature is three points P1, P2, P3 in FIG. 3 (B), the point P1 the proximal end portion of the third arm 98, the point P2 of the front end portion of the second arm 96 the arm cover, point P3 is in the arm cover of the proximal end portion of the second arm 96. 従来の搬送機構の場合は、上記各ポイントP1〜P3の温度は、それぞれ272℃、193℃及び189℃であったが、本発明の第3実施例の場合には、それぞれ204℃、148℃及び137℃であった。 For conventional transport mechanism, the temperature of each point P1~P3 is 272 ° C., respectively, but was 193 ° C. and 189 ° C., in the case of the third embodiment of the present invention, respectively 204 ° C., 148 ° C. and it was 137 ℃. このように、本発明の第3実施例の場合には各ポイントP1〜P3において温度を大幅に低下させることができることが判った。 Thus, in the case of the third embodiment of the present invention have found that it is possible to significantly reduce the temperature at each point P1 to P3.

<セラミック溶射層の作用解析> <Action analysis of the ceramic sprayed layer>
次に、上記セラミック溶射層が前述したような熱遮蔽効果を有する原因について検討して解析を行ったので、その検討結果について説明する。 Then, since the ceramic thermal sprayed layer was analyzed considering the cause having a heat shielding effect as described above result of the studies is described.

本発明者等は、セラミック溶射層の輻射率が熱遮蔽効果に大きな影響を与えるとの推測に基づいて、セラミック溶射層の輻射率と熱放射との関係について調べた。 The inventors have emissivity of the ceramic thermal sprayed layer is based on the speculation that a major impact on thermal shielding effect was examined the relationship between the emissivity and thermal radiation of the ceramic sprayed layer. ここでは、セラミック溶射層としてアルミナ(Al )層を用いた。 Here, alumina (Al 2 O 3) as the ceramic sprayed layer layer was used. 図11はアルミナ層の輻射率と熱放射の波長との関係を示すグラフである。 Figure 11 is a graph showing the relationship between the wavelength of the radiation and thermal radiation of the alumina layer. 横軸には熱放射の波長に対応させて熱源温度が併記されている。 The horizontal axis heat source temperature so as to correspond to the wavelength of the thermal radiation is also shown. 周知のように、黒体は輻射率が”1”であり、図11に示すグラフのようにアルミナ層は受ける熱放射の波長によってその輻射率はかなり大きく変動している。 As is well known, the blackbody is emissivity "1", the emissivity by the wavelength of the alumina layer undergoes thermal radiation as in the graph shown in FIG. 11 fluctuates considerably large. 波長が、2.5〜3.5μm付近において特性の凹凸が多少生じてはいるが、傾向としては波長が1μmから10μmに向けて大きくなる程、輻射率も大きくなっている。 Wavelength, but irregularities in the characteristics are slightly caused in the vicinity 2.5~3.5Myuemu, enough to increase toward the 10μm wavelength is 1μm is the trend, is larger emissivity.

ここで上記搬送機構のアーム部は、半導体ウエハの搬送のために高温状態の処理容器56内と室温状態のトランスファチャンバ26内とを繰り返し往復移動することになる。 Wherein the arm portion of the transfer mechanism would repeatedly reciprocates and the processing vessel 56 of the high-temperature state and the transfer chamber 26 at room temperature conditions for the transport of the semiconductor wafer. 上記処理容器56内では高温に加熱された載置台32Aに接近し、トランスファチャンバ26内では室温状態のトランスファ用容器80等により囲まれることになる。 It is within the processing vessel 56 approaches the table 32A which is heated to a high temperature, will be surrounded by the transfer container 80 or the like at room temperature conditions within the transfer chamber 26.

そして、処理容器56内では”熱源”となる載置台32Aからは、その温度に対応した熱放射がなされ、この熱放射の波長はプロセス温度にもよるが1〜4μm程度の範囲である。 Then, the processing in vessel 56 "heat source" and becomes the stage 32A, the temperature in the corresponding thermal radiation is performed, the wavelength of the thermal radiation ranges depending on the process temperature of about 1 to 4 [mu] m. これは、プロセス温度である熱源温度の450〜2500 ℃の範囲に相当する。 This corresponds to a range of from 450 to 2,500 ° C. in the heat source temperature the process temperature. ここで処理容器56内での実際の使用温度は、一般的には例えば500〜1000℃程度の範囲内である。 Here the actual use temperature of in the processing chamber 56 is generally in the range of, for example, about 500 to 1000 ° C..
他方、トランスファチャンバ26内では”熱源”となるトランスファ用容器80からは、その温度に対応した熱放射がなされ、この熱放射の波長は7〜10μm程度の範囲である。 On the other hand, the transfer container 80 as a "heat source" is within the transfer chamber 26, the temperature in the corresponding thermal radiation is performed, the wavelength of the thermal radiation is in the range of about 7~10Myuemu. これは熱源温度の15〜140℃の範囲に相当する。 This corresponds to a range of fifteen to one hundred forty ° C. the heat source temperature. ここでトランスファチャンバ26内での実際の使用温度は、一般的には例えば50〜100℃程度の範囲内である。 Here the actual operating temperature of within the transfer chamber 26 is generally in the range of, for example, about 50 to 100 ° C..

このような状態において、図11に示すような特性を有するセラミック溶射層を有するアームがトランスファチャンバ26内と処理容器56内を往復移動すると、処理容器56内では熱源温度が高いことから熱放射の波長は上述のように例えば1〜4μmの範囲内であるので、この波長に対してはセラミック溶射層の輻射率は比較的低くなっており、例えば66%以下になっている。 In this state, the arm when reciprocated between the processing vessel 56 in the transfer chamber 26, the heat radiation since the heat source temperature is high in the processing chamber 56 having a ceramic thermal sprayed layer having the characteristics shown in FIG. 11 since the wavelength is in the range for example of 1~4μm as described above, the emissivity of the ceramic thermal sprayed layer with respect to this wavelength is relatively low, which is 66% or less, for example. この結果、セラミック溶射層の反射率は高いことになるので、セラミック溶射層は上記熱放射を反射してこれを遮断する傾向が大きくなり、アーム自体が加熱されるのを抑制することができる。 As a result, the reflectance of the ceramic thermal sprayed layer becomes high that, the ceramic thermal sprayed layer tends to block it reflects the thermal radiation is increased, it is possible to prevent the arm itself is heated.

これに対して、トランスファチャンバ26内では熱源温度が低い(室温程度)ことから、熱放射の波長は上述のように例えば7〜10μmの範囲内であるので、この波長に対してはセラミック溶射層の輻射率は、上記の場合と比較して高くなっており、例えば66%よりも大きくなっている。 In contrast, since the heat source temperature is low (around room temperature) is within the transfer chamber 26, since the wavelength of the thermal radiation is in the range of, as described above for example 7~10Myuemu, ceramic sprayed layer with respect to this wavelength emissivity of, which is higher as compared to the case of the above, is larger Ri by 66 percent if example example. この結果、セラミック溶射層の反射率は低いことになるので、セラミック溶射層は上記熱放射を反射し難くなって熱を放射し易くなる。 As a result, the reflectance of the ceramic sprayed layer will be low, the ceramic thermal sprayed layer is easily radiate heat not easily reflect the thermal radiation. この結果、セラミック溶射層からの放熱が促進されてアーム自体の冷却が効率的に行われることになる。 As a result, the heat radiation is accelerated in the arm itself cooling from the ceramic sprayed layer is carried out efficiently. このような現象により、前述したようなアーム自体の温度上昇を抑制することができる原理を理解することができる。 This phenomenon can be understood the principles it is possible to suppress the temperature rise of the arm itself as described above.

更には、熱遮蔽層としてはセラミック溶射層に限らず、図11に示したような特性、すなわち室温程度の熱源からの熱放射の波長(7〜 10μm程度)に対しては輻射率が高く、且つプロセス温度程度の熱源からの熱放射の波長(1 〜4μm程度)に対しては輻射熱が低くなるような特性を有する材料を熱遮蔽層121として用いることにより、前述したような本発明の作用効果を発揮できることを理解することができる。 Furthermore, as the heat shielding layer is not limited to the ceramic spray layer, characteristics as shown in FIG. 11, i.e., high emissivity for heat release morphism wavelength of from about room temperature of the heat source (about. 7 to 10 [mu] m) and by using a material having the characteristics as radiation heat is low for the wavelength of the thermal radiation from the process temperature of about the heat source (approximately 1 ~4μm) as a heat-shielding layer 121, the present invention as described above it can be understood to be able to exert effects.

尚、以上説明した各実施例では、熱遮蔽板104と熱遮蔽層121とをそれぞれ別個に設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、熱遮蔽板104の表面は熱遮蔽層121を形成して熱遮蔽効果をより増加させるようにしてもよい。 Incidentally, more than in the embodiments described, the case where the heat shielding plate 104 and the heat-shielding layer 121 respectively separately provided has been described as an example, not limited to this, the surface of the heat shielding plate 104 is heat-shielding layer 121 may formed to be allowed to increase more heat shielding effect.

また、上記各実施例では、アーム部として第1アーム、第2アームに加えて第3アームを設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、第3アームを省略して第2アームの先端にフォーク部を直接連結した搬送機構にも本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiments, the first arm as the arm portion, the case in which the third arm in addition to the second arm has been described as an example, without being limited thereto, the omitted third arm 2 also transfer mechanism connecting the fork portion directly to the distal end of the arm it is possible to apply the present invention. また、上記各実施例では、真空雰囲気で熱処理する処理装置に対して本発明の搬送機構を用いる場合を例にとって説明したが、これに限定されず、本発明の搬送機構は大気圧、或いはこれに近い雰囲気中で熱処理する処理装置にも適用できる。 Further, in the above embodiments, a case has been described using a transport mechanism of the present invention to the processing apparatus for heat treatment in a vacuum atmosphere as an example, not limited to this, the transport mechanism of the present invention is atmospheric pressure, or it It can also be applied to a processing apparatus for the heat treatment in the near atmosphere to.

また、上記各実施例では、2つのアーム部の外に駆動アームと従来アームを用いた形式の搬送機構を例にとって説明したが、これに限定されず、本発明は、いわゆるフロッグレグ形式の搬送機構やスカラー形式の搬送機構など、全ての形式の搬送機構に適用することができる。 Further, in the respective embodiments, the form transport mechanism with two outer to the drive arm and the conventional arm of the arm has been described as an example, without being limited thereto, the present invention includes a transport mechanism of the so-called Furogguregu format and the like conveying mechanism scalar form, can be applied to all forms transport mechanism. 更に、上記各実施例では被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。 Further, in the above embodiments has been described as an example a semiconductor wafer as an object to be processed is not limited to, a glass substrate, LCD substrate, it is also possible to apply the present invention to a ceramic substrate, or the like.

22 処理システム 24A〜24D 処理装置 26 トランスファチャンバ 32A〜32D 載置台 34 搬送機構 36A,36B アーム部 38A,38B フォーク部 56 処理容器 60 加熱手段 74 排気手段 80 トランスファ用容器 90 回転基台 92 駆動源 94 第1アーム 96 第2アーム 97 駆動アーム 98 第3アーム 99 アームケース 110 従動アーム 102 連結部材 104 熱遮蔽板 104A 側面用熱遮蔽板 104B 下面用熱遮蔽板 121 熱遮蔽層 122,124,126 セラミック溶射層 122A 側面用セラミック溶射層 122B 下面用セラミック溶射層 W 半導体ウエハ(被処理体) 22 processing system 24A~24D processing apparatus 26 transfer chamber 32A~32D mounting table 34 carrying mechanism 36A, 36B arm section 38A, 38B fork 56 treatment vessel 60 heating means 74 exhaust means 80 transfer container 90 rotary base 92 drive source 94 the first arm 96 second arm 97 drives arm 98 third arm 99 arm case 110 driven arm 102 connecting member 104 thermal shield 104A side heat shield plate 104B underside heat shielding plate 121 heat-shielding layer 122, 124 and 126 ceramic spray ceramic sprayed layer W semiconductor wafer ceramic sprayed layer 122B under surface layer 122A side (object to be processed)

請求項1の発明は、 処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部とを有し、前記アーム部の前記処理容器内に侵入する部分の表面側に輻射熱を反射し易くするためのミラー面を形成するように構成したとを特徴とする搬送機構である。 The invention of claim 1, wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel and adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms and the arm portion, is connected to the distal end of the arm portion and a fork portion for holding the workpiece for ease of reflecting radiation heat on the surface side of a portion entering into the processing chamber of the arm portion a transfer mechanism for the this configured to form a mirror surface, wherein.
このように、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分の表面にミラー面を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することが可能となる。 Thus, since so as to form a mirror surface on a surface of a portion entering the processing chamber within the arm portion, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself .
本発明の関連技術は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 Related art of the present invention, the in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel and adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms and the arm portion, further comprising a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber among said arm portion which is a conveying mechanism, wherein.

本発明の他の関連技術は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 Another related art of the present invention, the in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, to be capable of bending and stretching and turning a plurality of arms and made an arm portion, transfer mechanism for a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shielding layer formed on the surface of the arm portion, comprising the it is.

本発明の更に他の技術は、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、を備えたことを特徴とする搬送機構である。 Yet another technique of the present invention, the in the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, to be capable of bending and stretching and turning a plurality of arms and made an arm portion, and a fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion, and a heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber among said arm portions, said arm a heat shielding layer formed on the surface of the part is a feeding mechanism comprising the.

本発明に係る搬送機構によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。 According to the transport mechanism of the present invention can exhibit excellent effects and advantages as follows.
本発明によれば、 アーム部の内で処理容器内に侵入する部分の表面にミラー面を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to the present invention, it is possible because so as to form a mirror surface on a surface of a portion entering the processing chamber within the arm portion, for maintaining a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself .
本発明の関連技術によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設けるようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to a related art of the present invention, in a transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing container, it is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms connecting the fork portion for holding a workpiece on the tip of the arm portions. Thus providing the heat shielding plate in the portion entering into the processing vessel of the arm portion, and suppress an increase in the temperature of the arm portion itself it is possible to maintain a high conveyance accuracy Te.

本発明の他の関連技術によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の表面に熱遮蔽層を形成するようにしたので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to another related art of the present invention, in a transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, capable of bending and turning a plurality of arms connecting the fork portion for holding the object to be processed at the front end of the arm portion, there is provided, since so as to form a heat shielding layer on the surface of the arm portion, a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself it can be maintained.

本発明の更に他の関連技術によれば、処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して被処理体を搬出入させる搬送機構において、複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部の先端に被処理体を保持するフォーク部を連結し、アーム部の内で処理容器内に侵入する部分に熱遮蔽板を設け、更にアーム部の表面に熱遮蔽層を形成したので、アーム部自体の温度上昇を抑制して搬送精度を高く維持することができる。 According to still another related art of the present invention, in a transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in a processing vessel, the bending and pivoting a plurality of arms connecting the fork portion for holding a workpiece on the tip of capable made an arm portion, the heat shield plate is provided at a portion entering into the processing vessel within the arm portion, a further heat shield layer on the surface of the arm portion since the formed, it is possible to maintain a high conveying accuracy by suppressing the temperature rise of the arm portion itself.

Claims (30)

  1. 処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、 Wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in the processing vessel,
    複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、 An arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms,
    前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、 A fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion,
    前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、 A heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber within the arm portion,
    を備えたことを特徴とする搬送機構。 Transport mechanism, characterized in that it comprises a.
  2. 前記複数のアームは、第1アーム、第2アーム及び第3アームよりなり、この順序で相互に屈曲可能に直列に連結されていることを特徴とする請求項1記載の搬送機構。 Wherein the plurality of arms, a first arm made of a second arm and third arm, the transport mechanism according to claim 1, characterized in that it is connected in series bendable to each other in this order.
  3. 前記熱遮蔽板は、前記第2アームの前記第3アーム側の先端に設けられることを特徴とする請求項2記載の搬送機構。 The heat shield plate transfer mechanism according to claim 2, characterized in that provided in the third arm of the tip of the second arm.
  4. 前記熱遮蔽板は、前記第2アームの下面側及び/又は側面側に設けられることを特徴とする請求項3記載の搬送機構。 The heat shield plate transfer mechanism according to claim 3, characterized in that provided on the lower surface side and / or the side surface of the second arm.
  5. 処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、 Wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in the processing vessel,
    複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、 An arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms,
    前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、 A fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion,
    前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、 A heat shielding layer formed on the surface of the arm portion,
    を備えたことを特徴とする搬送機構。 Transport mechanism, characterized in that it comprises a.
  6. 前記複数のアームは、第1アーム、第2アーム及び第3アームよりなり、この順序で相互に屈曲可能に直列に連結されていることを特徴とする請求項5記載の搬送機構。 Wherein the plurality of arms, a first arm made of a second arm and third arm, the transport mechanism according to claim 5, characterized in that it is connected in series bendable to each other in this order.
  7. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームに設けられていることを特徴とする請求項6記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism according to claim 6, characterized in that provided in the second arm.
  8. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームと前記第3アームとに設けられていることを特徴とする請求項6記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, the transport mechanism according to claim 6, characterized in that provided on said third arm and the second arm.
  9. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームの下面と側面とに設けられていることを特徴とする請求項7又は8記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, the transport mechanism according to claim 7 or 8, wherein the provided on the lower surface and the side surface of the second arm.
  10. 前記熱遮蔽層は、前記第3アームの全面に設けられていることを特徴とする請求項8又は9記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism of claim 8, wherein provided on the entire surface of the third arm.
  11. 前記フォーク部の表面には、更に熱遮蔽層が設けられていることを特徴とする請求項5乃至10のいずれか一項に記載の搬送機構。 Wherein the surface of the fork portion, conveying mechanism according to any one of claims 5 to 10, characterized in that it further provided heat shield layer.
  12. 前記熱遮蔽層は、波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率が、波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率よりも大きくなっているような特性を有していることを特徴とする請求項5乃至11のいずれか一項に記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, that emissivity wavelength for the heat rays in the range of 7~10μm has a property such as wavelength is larger than the emissivity for heat rays in the range of 1~4μm conveying mechanism according to any one of claims 5 to 11, wherein.
  13. 前記波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%よりも大きく、前記波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%以下であることを特徴とする請求項12記載の搬送機構。 Emissivity for heat rays in the range the wavelength of 7~10μm is greater than 66 percent, according to claim 12, wherein said wavelength emissivity for heat rays in the range of 1~4μm is equal to or less than 66% transport mechanism of.
  14. 前記熱遮蔽層は、セラミック溶射層よりなることを特徴とする請求項5乃至13のいずれか一項に記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, the transport mechanism according to any one of claims 5 to 13, characterized in that a ceramic thermal sprayed layer.
  15. 前記熱遮蔽層は、塗料を塗布して形成した塗料層よりなることを特徴とする請求項5乃至13のいずれか一項に記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, the transport mechanism according to any one of claims 5 to 13, characterized in that from the coating layer formed by applying a coating.
  16. 処理容器内で被処理体に熱処理を施す処理装置に対して前記被処理体を搬出入させる搬送機構において、 Wherein the transport mechanism for carrying in and carrying out the object to be processed to the processing apparatus for performing a heat treatment to the object to be processed in the processing vessel,
    複数のアームを有して屈伸及び旋回が可能になされたアーム部と、 An arm portion which is adapted to allow bending and pivoting a plurality of arms,
    前記アーム部の先端に連結されて前記被処理体を保持するフォーク部と、 A fork portion for holding the object to be processed is connected to the distal end of the arm portion,
    前記アーム部の内で前記処理容器内に侵入する部分に設けた熱遮蔽板と、 A heat shield plate provided in a portion penetrating into the processing chamber within the arm portion,
    前記アーム部の表面に形成された熱遮蔽層と、 A heat shielding layer formed on the surface of the arm portion,
    を備えたことを特徴とする搬送機構。 Transport mechanism, characterized in that it comprises a.
  17. 前記複数のアームは、第1アーム、第2アーム及び第3アームよりなり、この順序で相互に屈曲可能に直列に連結されていることを特徴とする請求項16記載の搬送機構。 Wherein the plurality of arms, a first arm made of a second arm and third arm, the transport mechanism of claim 16, wherein the coupled in series bendable to each other in this order.
  18. 前記熱遮蔽板は、前記第2アームの前記第3アーム側の先端に設けられることを特徴とする請求項17記載の搬送機構。 The heat shield plate transfer mechanism of claim 17, wherein a provided in the third arm of the side front end of the second arm.
  19. 前記熱遮蔽板は、前記第2アームの下面側及び/又は側面側に設けられることを特徴とする請求項18記載の搬送機構。 The heat shield plate transfer mechanism according to claim 18 characterized in that it is provided on the lower surface side and / or the side surface of the second arm.
  20. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームに設けられていることを特徴とする請求項16乃至19のいすれか一項に記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism according to Isure one of claims 16 to 19, characterized in that provided on the second arm.
  21. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームと前記第3アームとに設けられていることを特徴とする請求項16乃至19のいすれか一項に記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism according to Isure one of claims 16 to 19, characterized in that provided on said third arm and the second arm.
  22. 前記熱遮蔽層は、前記第2アームの下面と側面とに設けられていることを特徴とする請求項20又は21記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, according to claim 20 or 21 conveying mechanism according to, characterized in that provided on the lower surface and the side surface of the second arm.
  23. 前記熱遮蔽層は、前記第3アームの全面に設けられていることを特徴とする請求項21又は22記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism according to claim 21 or 22, wherein provided on the entire surface of the third arm.
  24. 前記フォーク部の表面には、更に熱遮蔽層が設けられていることを特徴とする請求項16乃至23のいずれか一項に記載の搬送機構。 Wherein the surface of the fork portion, conveying mechanism according to any one of claims 16 to 23, characterized in that it further provided heat shield layer.
  25. 前記熱遮蔽層は、波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率 が、波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率よりも大きくなっているような特性を有していることを特徴とする請求項16乃至24のいずれか一項に記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, that emissivity wavelength for the heat rays in the range of 7~10μm has a property such as wavelength is larger than the emissivity for heat rays in the range of 1~4μm conveying mechanism according to any one of claims 16 to 24, characterized.
  26. 前記波長が7〜10μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%よりも大きく、前記波長が1〜4μmの範囲内の熱線に対する輻射率は66%以下であることを特徴とする請求項25記載の搬送機構。 Emissivity for heat rays in the range the wavelength of 7~10μm is greater than 66 percent, according to claim 25, wherein said wavelength emissivity for heat rays in the range of 1~4μm is equal to or less than 66% transport mechanism of.
  27. 前記熱遮蔽層は、セラミック溶射層よりなることを特徴とする請求項16乃至26のいずれか一項に記載の搬送機構。 It said heat shielding layer, the transport mechanism according to any one of claims 16 to 26, characterized by comprising a ceramic thermal sprayed layer.
  28. 前記熱遮蔽層は、塗料を塗布して形成した塗料層よりなることを特徴とする請求項16乃至26のいずれか一項に記載の搬送機構。 Said heat shielding layer, the transport mechanism according to any one of claims 16 to 26, characterized in that consists of coating layer formed by applying a coating.
  29. 前記熱遮蔽板は、ステンレススチール、アルミニウム、アルミニウム合金及びセラミック材よりなる群から選択される1つの材料よりなることを特徴とする請求項1乃至26のいずれか一項に記載の搬送機構。 The heat shielding plate, stainless steel, aluminum, transport mechanism according to any one of claims 1 to 26, characterized in that consists of one material selected from the group consisting of aluminum alloy and ceramic material.
  30. 前記アーム部と前記フォーク部とは熱伝導率が低い低熱伝導部材により連結されていることを特徴とする請求項1乃至27のいずれか一項に記載の搬送機構。 Conveying mechanism according to any one of claims 1 to 27, characterized in that it is connected by a lower low thermal conductive member is thermal conductivity and the arm portion and the fork portion.
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