JP2007150336A - Substrate transporting apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板搬送装置に関し、詳しくは、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる基板搬送装置に関する。 The present invention relates to a substrate transfer apparatus, and more particularly to a substrate transfer apparatus that can transfer a substrate such as a semiconductor wafer with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from a film forming apparatus or the like.
半導体製造工程においては、シリコンなどの半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)上に集積回路を形成するために、CVD(ChemicalVapor Deposition)やスパッタリングなどの成膜処理が行われている。このような成膜処理では、真空引きされて所定の高温に加熱された真空容器内に、所定の処理ガス等が供給され、ウエハが搬送装置により搬入されて、ウエハに所定の金属等が成膜されている。成膜処理後には、ウエハは、搬送装置により搬出され、他の工程等に移送されている。 In a semiconductor manufacturing process, a film forming process such as CVD (Chemical Vapor Deposition) or sputtering is performed to form an integrated circuit on a semiconductor wafer such as silicon (hereinafter referred to as “wafer”). In such a film forming process, a predetermined processing gas or the like is supplied into a vacuum vessel that has been evacuated and heated to a predetermined high temperature, and the wafer is carried in by a transfer device so that a predetermined metal or the like is formed on the wafer. It is a membrane. After the film forming process, the wafer is unloaded by the transfer device and transferred to other processes.
このようなウエハの搬送装置としては、図14に示すように、駆動機構1の上方に、第1アーム2、第2アーム3、及び第3アーム4が順次回動自在に連結されている。この第3アーム4の先端に、ウエハを載置するエンドエフェクタ5が設けられている。このエンドエフェクタ5は、ウエハとの接触面積を小さくするように先端がフォーク状に形成されていると共に、汚染防止、絶縁等のためセラミックスから形成されている。このように、駆動機構1の駆動により、第1乃至第3アーム2〜4がZ方向に昇降されると、エンドエフェクタ5がZ方向に昇降され、第1乃至第3アーム2〜4が回動されると、エンドエフェクタ5がθ方向に回転され、R軸方向に移動されるようになっている。
As such a wafer transfer apparatus, as shown in FIG. 14, a first arm 2, a second arm 3, and a
さらに、図15に示すように、エンドエフェクタ5は、ウエハWを載置するためのフォーク状部6を有すると共に、上記のように、セラミックスから形成されている。このエンドエフェクタ5の基端部は、第3アーム4の先端部に設けられた嵌合部7に嵌合されて固定されており、また、この第3アーム4は、汚染防止等のため、アルミニウムから形成されている。
Further, as shown in FIG. 15, the
しかしながら、CVD等の成膜処理装置では、成膜処理中、ウエハWは非常に高温に晒されており、この高温は、ウエハWから、これを載置するエンドエフェクタ5を介して、熱伝導性の良いアルミニウム製の第3アーム4に伝達され、さらに、この第3アーム4から、第2アーム3、第1アーム2、及び駆動機構1に伝達され、成膜処理装置からの熱の影響を受けるといったことがある。
However, in a film forming apparatus such as CVD, the wafer W is exposed to a very high temperature during the film forming process, and this high temperature is transferred from the wafer W through the
このように、搬送装置が成膜処理装置からの熱の影響を受ける場合には、搬送装置内で使用している磁性流体が変質され、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことがあり、また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形され、これらグリースやベルトの寿命が短縮されるといったことがあり、さらに、搬送装置の金属部品にも比較的高温の熱が伝達され、これら金属部品が熱膨張されてその精度が劣化されるといったことがある。 As described above, when the transfer device is affected by the heat from the film forming apparatus, the magnetic fluid used in the transfer device may be altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal may be deteriorated. In addition, the grease and belt in the transport device may be altered or deformed to shorten the service life of the grease and belt, and relatively high-temperature heat is also transmitted to the metal parts of the transport device. In some cases, the metal parts are thermally expanded to deteriorate their accuracy.
本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであって、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる基板搬送装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and is a substrate transfer apparatus capable of transferring a substrate such as a semiconductor wafer with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from a film forming apparatus or the like. The purpose is to provide.
上記目的を達成するため、本発明に係る基板搬送装置は、駆動機構に順次回動自在に連結されて駆動される複数のアームの先端アームに、基板を載置する載置部材が連結された基板搬送装置において、前記載置部材に連結された前記先端アームの先端部と、この先端アームの基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, in the substrate transport apparatus according to the present invention, a mounting member for mounting a substrate is connected to the tip arms of a plurality of arms that are sequentially connected to a drive mechanism and are driven to rotate. In the substrate transport apparatus, a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided between a distal end portion of the distal arm connected to the mounting member and a proximal end portion of the distal arm. Features.
このように、本発明によれば、基板の載置部材が成膜処理装置等の比較的高温に晒されたとしても、この載置部材に連結された先端アームの先端部と基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられているため、搬送装置の他のアームや駆動機構等への熱伝導が抑えられ、成膜処理装置等からの熱の影響が少なくなる。そのため、搬送装置内で使用している磁性流体が変質されることが少なく、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことが少なくなる。また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形されることが少なく、これらグリースやベルトの寿命が延命され、メンテナンスの回数が減少される。さらに、搬送装置の金属部品にも高温の熱が伝達され難いため、これら金属部品の熱膨張が少なくなり、その精度も安定化される。従って、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる。 As described above, according to the present invention, even if the substrate mounting member is exposed to a relatively high temperature such as a film forming apparatus, the distal end portion and the proximal end portion of the distal arm connected to the mounting member Since a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided in between, heat conduction to other arms, drive mechanisms, etc. of the transfer device is suppressed, and the influence of heat from the film formation processing device etc. Less. For this reason, the magnetic fluid used in the transfer device is rarely altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal is less deteriorated. In addition, the grease and belt in the conveying device are rarely deteriorated or deformed, the life of the grease and belt is extended, and the number of maintenance is reduced. Furthermore, since it is difficult for high-temperature heat to be transmitted to the metal parts of the conveying device, the thermal expansion of these metal parts is reduced, and the accuracy is stabilized. Therefore, a substrate such as a semiconductor wafer can be transported with high accuracy over a long period of time while minimizing the thermal influence from the film forming apparatus and the like.
以下、本発明の実施の形態に係るウエハ搬送装置を図面を参照しつつ説明する。本発明の実施の形態にかかるウエハ搬送装置において以下に述べる部分以外は図14、図15に示した基板搬送装置と同じである。 Hereinafter, a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The wafer transfer apparatus according to the embodiment of the present invention is the same as the substrate transfer apparatus shown in FIGS. 14 and 15 except for the parts described below.
図1は、本発明の第1実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、エンドエフェクタ5(載置部材)は、ウエハW(基板)を載置するためのフォーク状部6を有し、このエンドエフェクタ5の基端部は、第3アーム4(先端アーム)の先端部に設けられた嵌合部7に嵌合されて固定されている。
FIG. 1 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention. An end effector 5 (a mounting member) is used for mounting a wafer W (substrate). A fork-
本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基端部との間に、3個の切込み溝8が交互に形成されている。これらの切込み溝8の間に形成された部分は、熱の伝導路を構成しているが、切込み溝8により比較的長く形成されているため、エンドエフェクタ5側から熱が伝達されたとしても、この切込み溝8の間の部分を伝達される間に自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。本実施の形態では、この切込み溝8の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。
In the present embodiment, three
なお、本第1実施の形態および以下の実施の形態において、切込み溝の形状及び個数は、各実施の形態に何ら限定されるものではない。 In the first embodiment and the following embodiments, the shape and number of the cut grooves are not limited to the respective embodiments.
図2は、本発明の第2実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基端部との間に、第1実施の形態より細い5個の切込み溝8が交互に形成されている。切込み溝8の間の部分は、第1実施の形態より長く形成されているため、切込み溝8の間の部分でより一層自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。本実施の形態でも、この切込み溝8の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。
FIG. 2 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the second embodiment of the present invention. In this embodiment, the space between the distal end portion and the proximal end portion of the
図3は、本発明の第3実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4の側端部に切込み溝8が形成されているだけでなく、第3アーム4の中央部にも切込み溝9が形成されている。そのため、切込み溝8,9の間の部分の熱伝導路がより一層長く形成されており、この部分でより一層自然放熱されることから、第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導がより一層抑制される。本実施の形態でも、この切込み溝8,9の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。
FIG. 3 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the third embodiment of the present invention. In this embodiment, a
図4は、本発明の第4実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4が基端部10と先端部11とに分割されており、これら先端部10と基端部11との間に、熱伝導率が低く数回湾曲されたステンレス製の薄板部材12が介装されている。この薄板部材12が熱伝導抑制部を構成しており、この薄板部材12は、熱伝導率が低いステンレスから形成され、数回湾曲されて熱伝導路が長くされているため、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。
FIG. 4 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the
図5は、本発明の第5実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第4実施の形態の薄板部材12が対称に一対設けられている。これら一対の薄板部材12は、熱伝導率が低いステンレスから形成され、数回湾曲されて熱伝導路が長くされ、第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制されることは勿論であるが、本実施の形態は、薄板部材12が一対設けられているため、強度的には第4実施の形態より強くなっている。
FIG. 5 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer conveyance device according to a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, a pair of
図6(a)は、本発明の第6実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。 FIG. 6A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.
本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基板部との間には、成膜処理装置等から直接輻射熱を受ける傾斜面13と、成膜処理装置等側から直接輻射熱を受けない傾斜面14とが形成されている。傾斜面13と、両傾斜面の間の頂上面15とは、鏡面処理されており、この鏡面の傾斜面13と頂上面15により、成膜処理装置等からの輻射熱が反射されるようになっている。また、傾斜面14は、レイデント処理等の黒色着色処理され、第3アーム4からの熱が放出されるようになっている。これら鏡面の傾斜面13と頂上面15と、黒色着色処理された傾斜面14とが、熱伝導抑制部を構成している。なお、第3アーム4の裏面も同様に構成されている。
In the present embodiment, between the tip of the
図7(a)は、本発明の第7実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図、(c)は(b)の部分拡大図である。 FIG. 7A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer transfer apparatus according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. (C) is the elements on larger scale of (b).
本実施の形態において、第3アーム4は基端部10と先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11から互いに向かって突出した薄板延長部10aと11bとの間をステンレス製の薄板部材18が3個の溝8を形成して接続している。薄板部材18と薄板延長部10aおよび11bとの間にはそれぞれテフロン樹脂層16が挟み込まれている。そのため溝8の自然放熱により熱伝導が抑制されると共に、テフロン樹脂層16により熱伝導が抑制されている。
In the present embodiment, the
図8(a)は、本発明の第8実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。 FIG. 8A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.
本実施の形態では、第3アーム4が基端部10と、先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11の夫々に、テフロン樹脂コーティングされたブリッジ部材17が設けられ、これらブリッジ部材17に、ステンレス製の薄板部材18が掛け渡されている。このように、ブリッジ部材17がテフロン樹脂コーティングされて熱伝導率が低くされ、薄板部材18がステンレス製で熱伝導率が低くされているため、自然放熱により熱伝導が抑制される。これらブリッジ部材17及び薄板部材18が熱伝導抑制部を構成している。
In the present embodiment, the
図9(a)は、本発明の第9実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。 FIG. 9A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the ninth embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.
本実施の形態では、第8の実施の形態と同様に、第3アーム4が基端部10と、先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11の夫々に、テフロン樹脂コーティングされたブリッジ部材19が設けられ、これらブリッジ部材19に、ステンレス製の薄板部材18が掛け渡され、熱伝導が抑制されている。
In the present embodiment, as in the eighth embodiment, the
本実施の形態では、ブリッジ部材19が円筒状に形成されているため、第3アーム4の基端部10と先端部11との角度を変更することができ、これにより、第3アーム4の傾斜角と上下方向位置を調整することができる。
In the present embodiment, since the
図10は、本発明の第10実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、ウエハWを2個同時に搬送できるように、2個のエンドエフェクタ5が設けられており、これら2個のエンドエフェクタ5が一つのアーム20に嵌合されている。アーム20には、図10に示すように、切込み溝21が縦横に形成されている。特に、第1実施の形態に比べて、アーム20の幅方向にも切込み溝21が形成されている。そのため、エンドエフェクタ5側から熱が伝達されたとしても、この切込み溝21の間の部分を伝達される間に自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。
FIG. 10 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer transfer apparatus according to a tenth embodiment of the present invention. In this embodiment, two ends are provided so that two wafers W can be transferred simultaneously. An
次に、図11以下を参照して本発明の第11実施の形態について説明する。 Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第11実施の形態において、駆動装置1、第1アーム2、第2アーム3までのの構成は図14に示す従来技術、従ってまたこれまで説明してきた実施の形態におけるものと同様である。 In the eleventh embodiment, the configuration up to the driving device 1, the first arm 2, and the second arm 3 is the same as that in the prior art shown in FIG.
また、これから説明する第11実施の形態にあっても第3アーム104が第2アーム3に回動自在に接続されており、該第3アームにはエンドエフェクタ105が嵌合して設けられていることも従来例もしくはこれまでの実施の形態と同様である。
In the eleventh embodiment to be described below, the
第3アームにおける熱伝導抑制部の構成がこれまでの実施の形態のものと異なっており、第3アームには約120゜C以下で融解する低温融解物質(例えばナトリウムやナフタリン等)を第3アーム内に封じ込め、搬送物であるウエハからの熱がこの低温融解物質に達したときに、融解熱として吸収される事により他のアームや駆動機構への熱伝導が抑えられるよう様になっている。 The structure of the heat conduction suppressing portion in the third arm is different from that of the previous embodiments, and a low-melting substance (for example, sodium or naphthalene) that melts at about 120 ° C. or less is added to the third arm. When the heat from the wafer, which is the object to be transported, reaches this low-temperature melting material, it is absorbed as the heat of fusion, and heat conduction to other arms and drive mechanisms is suppressed. Yes.
図13に示すように、第3アームの外観形状は図14、図15に示す従来例の第3アーム4と同様であるが、本実施の形態における第3アーム104内には適当な面積の室部101が形成されており、そこに低温融解物質であるナフタリン102が充満されている。ナフタリン102の下側には永久磁石板103を介して非磁性体のアルミ製蓋107が室部全体をおおって第3アーム104の下面に固設されている。永久磁石板103は本実施の形態のおいては、上側がN極、下側がS極となっているが、これは逆でも良い。
As shown in FIG. 13, the external shape of the third arm is the same as that of the
図11に示すように、第3アーム104の下方には冷却装置110が上下に移動可能に設けられている。冷却装置110はその上端にエンドエファクタ104の室部101とほぼ同一面積にわたる磁性流体部102を有しており、上昇位置では磁性流体部102がエンドエファクタ104の室部101と近接対向するようになっている。
As shown in FIG. 11, a
冷却装置110は上端の磁性流体部102の近くに電磁石112を有していると共に、磁性流体部102の近接位置を通る冷却水パイプ113を有しており、冷却水を循環させるようになっている。
The
図12は図11のA部拡大図であり、上昇位置にある冷却装置110の上端部を示しており、(a)は電磁石の励磁前の状態、(b)は電磁石の励磁後の状態を示している。
FIG. 12 is an enlarged view of part A in FIG. 11, showing the upper end of the
このような構造の冷却装置110はベローズ115に包囲されて、トランスファーチャンバー130に接続されている。
The
第11実施の形態において、図示されていない昇降装置により冷却装置110が上昇して、かつ電磁石112が上方にN極となる様に励磁されると図12(b)に示す如く磁性流体部102が室101に吸着するため、ナフタリン等低温融解物質に蓄積された熱を吸い取る。吸い取られた熱は冷却水パイプ113を循環する冷却水により吸い取られて排出される。また、電磁石112の励磁を逆にすることにより、第3アームより磁性流体を飛散させることなく分離することができる。
In the eleventh embodiment, when the
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、種々変形可能である。特に、搬送装置により搬送されるものは、半導体ウエハに限定されず、LCD基板など種々の基板であってもよい。 In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. In particular, what is transferred by the transfer device is not limited to a semiconductor wafer, and may be various substrates such as an LCD substrate.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、基板の載置部材が成膜処理装置等の比較的高温に晒されたとしても、この載置部材に連結された先端アームの先端部と基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられているため、搬送装置の他のアームや駆動機構等への熱伝導が抑えられ、成膜処理装置等からの熱の影響が少なくなる。そのため、搬送装置内で使用している磁性流体が変質されることが少なく、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことが少なくなる。また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形されることが少なく、これらグリースやベルトの寿命が延命され、メンテナンスの回数が減少される。さらに、搬送装置の金属部品にも高温の熱が伝達され難いため、これら金属部品の熱膨張が少なくなり、その精度も安定化される。従って、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる。
(The invention's effect)
As described above, according to the present invention, even if the mounting member of the substrate is exposed to a relatively high temperature of a film forming apparatus or the like, the distal end portion and the proximal end of the distal arm connected to the mounting member Since a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided between the two parts, heat conduction to other arms, drive mechanisms, etc. of the transport device is suppressed, and Impact is reduced. For this reason, the magnetic fluid used in the transfer device is rarely altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal is less deteriorated. In addition, the grease and belt in the conveying device are rarely deteriorated or deformed, the life of the grease and belt is extended, and the number of maintenance is reduced. Furthermore, since it is difficult for high-temperature heat to be transmitted to the metal parts of the conveying device, the thermal expansion of these metal parts is reduced, and the accuracy is stabilized. Therefore, a substrate such as a semiconductor wafer can be transported with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from the film forming apparatus or the like.
1 駆動機構
2 第1アーム
3 第2アーム
4、104 第3アーム(先端アーム)
5、105 エンドエフェクタ(載置部材)
8 切込み溝
9 切込み溝
10 基端部
11 先端部
12 薄板部材
13 鏡面の傾斜面
14 黒色着色処理された傾斜面
15 鏡面の頂上面
16 テフロン樹脂層
17 ブリッジ部材
18 薄板部材
19 ブリッジ部材
20 アーム(先端アーム)
102 低温融解物質
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Drive mechanism 2 1st arm 3
5, 105 End effector (mounting member)
8 Incision groove 9
102 Low temperature melting material
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