JP2007150336A - Substrate transporting apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate transporting apparatus capable of transporting a substrate such as a semiconductor wafer with high precision for a long period of time, while reducing a thermal effect from a deposition treatment device to a minimum. <P>SOLUTION: The apparatus is provided with a heat conduction preventer for preventing heat conduction, for example, a cutting grooves 8 or a low-temperature melting substances etc. between the tip of a tip arm 4, 104 connected to a placing member 5 of a wafer W and the base end of the tip arm 4, 104. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板搬送装置に関し、詳しくは、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる基板搬送装置に関する。   The present invention relates to a substrate transfer apparatus, and more particularly to a substrate transfer apparatus that can transfer a substrate such as a semiconductor wafer with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from a film forming apparatus or the like.

半導体製造工程においては、シリコンなどの半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)上に集積回路を形成するために、CVD(ChemicalVapor Deposition)やスパッタリングなどの成膜処理が行われている。このような成膜処理では、真空引きされて所定の高温に加熱された真空容器内に、所定の処理ガス等が供給され、ウエハが搬送装置により搬入されて、ウエハに所定の金属等が成膜されている。成膜処理後には、ウエハは、搬送装置により搬出され、他の工程等に移送されている。   In a semiconductor manufacturing process, a film forming process such as CVD (Chemical Vapor Deposition) or sputtering is performed to form an integrated circuit on a semiconductor wafer such as silicon (hereinafter referred to as “wafer”). In such a film forming process, a predetermined processing gas or the like is supplied into a vacuum vessel that has been evacuated and heated to a predetermined high temperature, and the wafer is carried in by a transfer device so that a predetermined metal or the like is formed on the wafer. It is a membrane. After the film forming process, the wafer is unloaded by the transfer device and transferred to other processes.

このようなウエハの搬送装置としては、図14に示すように、駆動機構1の上方に、第1アーム2、第2アーム3、及び第3アーム4が順次回動自在に連結されている。この第3アーム4の先端に、ウエハを載置するエンドエフェクタ5が設けられている。このエンドエフェクタ5は、ウエハとの接触面積を小さくするように先端がフォーク状に形成されていると共に、汚染防止、絶縁等のためセラミックスから形成されている。このように、駆動機構1の駆動により、第1乃至第3アーム2〜4がZ方向に昇降されると、エンドエフェクタ5がZ方向に昇降され、第1乃至第3アーム2〜4が回動されると、エンドエフェクタ5がθ方向に回転され、R軸方向に移動されるようになっている。   As such a wafer transfer apparatus, as shown in FIG. 14, a first arm 2, a second arm 3, and a third arm 4 are sequentially and rotatably connected above the drive mechanism 1. An end effector 5 for placing a wafer is provided at the tip of the third arm 4. The end effector 5 has a fork-shaped tip so as to reduce the contact area with the wafer, and is formed of ceramics for preventing contamination, insulating, and the like. As described above, when the first to third arms 2 to 4 are moved up and down in the Z direction by driving the drive mechanism 1, the end effector 5 is moved up and down in the Z direction, and the first to third arms 2 to 4 are rotated. When it is moved, the end effector 5 is rotated in the θ direction and moved in the R-axis direction.

さらに、図15に示すように、エンドエフェクタ5は、ウエハWを載置するためのフォーク状部6を有すると共に、上記のように、セラミックスから形成されている。このエンドエフェクタ5の基端部は、第3アーム4の先端部に設けられた嵌合部7に嵌合されて固定されており、また、この第3アーム4は、汚染防止等のため、アルミニウムから形成されている。   Further, as shown in FIG. 15, the end effector 5 has a fork-like portion 6 on which the wafer W is placed, and is made of ceramic as described above. The base end portion of the end effector 5 is fitted and fixed to a fitting portion 7 provided at the distal end portion of the third arm 4, and the third arm 4 is used for preventing contamination. It is made of aluminum.

しかしながら、CVD等の成膜処理装置では、成膜処理中、ウエハWは非常に高温に晒されており、この高温は、ウエハWから、これを載置するエンドエフェクタ5を介して、熱伝導性の良いアルミニウム製の第3アーム4に伝達され、さらに、この第3アーム4から、第2アーム3、第1アーム2、及び駆動機構1に伝達され、成膜処理装置からの熱の影響を受けるといったことがある。   However, in a film forming apparatus such as CVD, the wafer W is exposed to a very high temperature during the film forming process, and this high temperature is transferred from the wafer W through the end effector 5 on which the wafer W is mounted. Is transmitted to the third arm 4 made of good aluminum, and further transmitted from the third arm 4 to the second arm 3, the first arm 2, and the drive mechanism 1, and the influence of heat from the film forming apparatus. There are times when it receives.

このように、搬送装置が成膜処理装置からの熱の影響を受ける場合には、搬送装置内で使用している磁性流体が変質され、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことがあり、また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形され、これらグリースやベルトの寿命が短縮されるといったことがあり、さらに、搬送装置の金属部品にも比較的高温の熱が伝達され、これら金属部品が熱膨張されてその精度が劣化されるといったことがある。   As described above, when the transfer device is affected by the heat from the film forming apparatus, the magnetic fluid used in the transfer device may be altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal may be deteriorated. In addition, the grease and belt in the transport device may be altered or deformed to shorten the service life of the grease and belt, and relatively high-temperature heat is also transmitted to the metal parts of the transport device. In some cases, the metal parts are thermally expanded to deteriorate their accuracy.

本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであって、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる基板搬送装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and is a substrate transfer apparatus capable of transferring a substrate such as a semiconductor wafer with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from a film forming apparatus or the like. The purpose is to provide.

上記目的を達成するため、本発明に係る基板搬送装置は、駆動機構に順次回動自在に連結されて駆動される複数のアームの先端アームに、基板を載置する載置部材が連結された基板搬送装置において、前記載置部材に連結された前記先端アームの先端部と、この先端アームの基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, in the substrate transport apparatus according to the present invention, a mounting member for mounting a substrate is connected to the tip arms of a plurality of arms that are sequentially connected to a drive mechanism and are driven to rotate. In the substrate transport apparatus, a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided between a distal end portion of the distal arm connected to the mounting member and a proximal end portion of the distal arm. Features.

このように、本発明によれば、基板の載置部材が成膜処理装置等の比較的高温に晒されたとしても、この載置部材に連結された先端アームの先端部と基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられているため、搬送装置の他のアームや駆動機構等への熱伝導が抑えられ、成膜処理装置等からの熱の影響が少なくなる。そのため、搬送装置内で使用している磁性流体が変質されることが少なく、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことが少なくなる。また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形されることが少なく、これらグリースやベルトの寿命が延命され、メンテナンスの回数が減少される。さらに、搬送装置の金属部品にも高温の熱が伝達され難いため、これら金属部品の熱膨張が少なくなり、その精度も安定化される。従って、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる。   As described above, according to the present invention, even if the substrate mounting member is exposed to a relatively high temperature such as a film forming apparatus, the distal end portion and the proximal end portion of the distal arm connected to the mounting member Since a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided in between, heat conduction to other arms, drive mechanisms, etc. of the transfer device is suppressed, and the influence of heat from the film formation processing device etc. Less. For this reason, the magnetic fluid used in the transfer device is rarely altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal is less deteriorated. In addition, the grease and belt in the conveying device are rarely deteriorated or deformed, the life of the grease and belt is extended, and the number of maintenance is reduced. Furthermore, since it is difficult for high-temperature heat to be transmitted to the metal parts of the conveying device, the thermal expansion of these metal parts is reduced, and the accuracy is stabilized. Therefore, a substrate such as a semiconductor wafer can be transported with high accuracy over a long period of time while minimizing the thermal influence from the film forming apparatus and the like.

以下、本発明の実施の形態に係るウエハ搬送装置を図面を参照しつつ説明する。本発明の実施の形態にかかるウエハ搬送装置において以下に述べる部分以外は図14、図15に示した基板搬送装置と同じである。   Hereinafter, a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The wafer transfer apparatus according to the embodiment of the present invention is the same as the substrate transfer apparatus shown in FIGS. 14 and 15 except for the parts described below.

図1は、本発明の第1実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、エンドエフェクタ5(載置部材)は、ウエハW(基板)を載置するためのフォーク状部6を有し、このエンドエフェクタ5の基端部は、第3アーム4(先端アーム)の先端部に設けられた嵌合部7に嵌合されて固定されている。   FIG. 1 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention. An end effector 5 (a mounting member) is used for mounting a wafer W (substrate). A fork-like portion 6 is provided, and a base end portion of the end effector 5 is fitted and fixed to a fitting portion 7 provided at a tip portion of the third arm 4 (tip arm).

本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基端部との間に、3個の切込み溝8が交互に形成されている。これらの切込み溝8の間に形成された部分は、熱の伝導路を構成しているが、切込み溝8により比較的長く形成されているため、エンドエフェクタ5側から熱が伝達されたとしても、この切込み溝8の間の部分を伝達される間に自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。本実施の形態では、この切込み溝8の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。   In the present embodiment, three cut grooves 8 are alternately formed between the distal end portion and the proximal end portion of the third arm 4. The portion formed between these cut grooves 8 constitutes a heat conduction path, but is formed relatively long by the cut grooves 8, so even if heat is transmitted from the end effector 5 side. Since heat is naturally radiated while being transmitted through the portion between the cut grooves 8, heat conduction from the film forming apparatus or the like to the first and second arms 2 and 3 and the drive mechanism 1 is suppressed. In the present embodiment, the portion between the cut grooves 8 constitutes a heat conduction suppressing portion that suppresses heat conduction.

なお、本第1実施の形態および以下の実施の形態において、切込み溝の形状及び個数は、各実施の形態に何ら限定されるものではない。   In the first embodiment and the following embodiments, the shape and number of the cut grooves are not limited to the respective embodiments.

図2は、本発明の第2実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基端部との間に、第1実施の形態より細い5個の切込み溝8が交互に形成されている。切込み溝8の間の部分は、第1実施の形態より長く形成されているため、切込み溝8の間の部分でより一層自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。本実施の形態でも、この切込み溝8の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。   FIG. 2 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the second embodiment of the present invention. In this embodiment, the space between the distal end portion and the proximal end portion of the third arm 4 is shown. The five cut grooves 8 narrower than those of the first embodiment are alternately formed. Since the portion between the cut grooves 8 is formed longer than that in the first embodiment, the heat is further radiated more naturally at the portion between the cut grooves 8. Heat conduction to the arms 2 and 3 and the drive mechanism 1 is suppressed. Also in the present embodiment, the portion between the cut grooves 8 constitutes a heat conduction suppressing portion that suppresses heat conduction.

図3は、本発明の第3実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4の側端部に切込み溝8が形成されているだけでなく、第3アーム4の中央部にも切込み溝9が形成されている。そのため、切込み溝8,9の間の部分の熱伝導路がより一層長く形成されており、この部分でより一層自然放熱されることから、第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導がより一層抑制される。本実施の形態でも、この切込み溝8,9の間の部分が、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部を構成している。   FIG. 3 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the third embodiment of the present invention. In this embodiment, a cut groove 8 is formed at the side end of the third arm 4. In addition, a notch groove 9 is formed in the central portion of the third arm 4. For this reason, the heat conduction path in the portion between the cut grooves 8 and 9 is formed to be much longer, and natural heat is further radiated in this portion, so that the first and second arms 2 and 3 and the drive mechanism 1 are transferred. Is further suppressed. Also in the present embodiment, a portion between the cut grooves 8 and 9 constitutes a heat conduction suppressing portion that suppresses heat conduction.

図4は、本発明の第4実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第3アーム4が基端部10と先端部11とに分割されており、これら先端部10と基端部11との間に、熱伝導率が低く数回湾曲されたステンレス製の薄板部材12が介装されている。この薄板部材12が熱伝導抑制部を構成しており、この薄板部材12は、熱伝導率が低いステンレスから形成され、数回湾曲されて熱伝導路が長くされているため、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。   FIG. 4 is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the third arm 4 is connected to the proximal end portion 10 and the distal end portion 11. A thin plate member 12 made of stainless steel having a low thermal conductivity and curved several times is interposed between the distal end portion 10 and the proximal end portion 11. The thin plate member 12 constitutes a heat conduction suppressing portion, and the thin plate member 12 is formed of stainless steel having a low thermal conductivity and is bent several times so that the heat conduction path is long. Etc., heat conduction from the first to the second and second arms 2 and 3 and the drive mechanism 1 is suppressed.

図5は、本発明の第5実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、第4実施の形態の薄板部材12が対称に一対設けられている。これら一対の薄板部材12は、熱伝導率が低いステンレスから形成され、数回湾曲されて熱伝導路が長くされ、第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制されることは勿論であるが、本実施の形態は、薄板部材12が一対設けられているため、強度的には第4実施の形態より強くなっている。   FIG. 5 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer conveyance device according to a fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, a pair of thin plate members 12 of the fourth embodiment are provided symmetrically. ing. The pair of thin plate members 12 are made of stainless steel having a low thermal conductivity, bent several times to lengthen the heat conduction path, and heat conduction to the first and second arms 2 and 3 and the drive mechanism 1 is suppressed. Of course, this embodiment is stronger in strength than the fourth embodiment because a pair of thin plate members 12 are provided.

図6(a)は、本発明の第6実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。   FIG. 6A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.

本実施の形態では、第3アーム4の先端部と基板部との間には、成膜処理装置等から直接輻射熱を受ける傾斜面13と、成膜処理装置等側から直接輻射熱を受けない傾斜面14とが形成されている。傾斜面13と、両傾斜面の間の頂上面15とは、鏡面処理されており、この鏡面の傾斜面13と頂上面15により、成膜処理装置等からの輻射熱が反射されるようになっている。また、傾斜面14は、レイデント処理等の黒色着色処理され、第3アーム4からの熱が放出されるようになっている。これら鏡面の傾斜面13と頂上面15と、黒色着色処理された傾斜面14とが、熱伝導抑制部を構成している。なお、第3アーム4の裏面も同様に構成されている。   In the present embodiment, between the tip of the third arm 4 and the substrate portion, an inclined surface 13 that receives radiant heat directly from the film forming apparatus or the like, and an inclination that does not receive radiant heat directly from the film forming apparatus or the like side. A surface 14 is formed. The inclined surface 13 and the top surface 15 between the two inclined surfaces are mirror-finished, and the radiant heat from the film forming apparatus and the like is reflected by the inclined surface 13 and the top surface 15 of the mirror surface. ing. Further, the inclined surface 14 is subjected to a black coloring process such as a radiant process so that heat from the third arm 4 is released. The inclined surface 13 and the top surface 15 of the mirror surface and the inclined surface 14 subjected to the black coloring process constitute a heat conduction suppressing portion. The back surface of the third arm 4 is configured in the same manner.

図7(a)は、本発明の第7実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図、(c)は(b)の部分拡大図である。   FIG. 7A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer transfer apparatus according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. (C) is the elements on larger scale of (b).

本実施の形態において、第3アーム4は基端部10と先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11から互いに向かって突出した薄板延長部10aと11bとの間をステンレス製の薄板部材18が3個の溝8を形成して接続している。薄板部材18と薄板延長部10aおよび11bとの間にはそれぞれテフロン樹脂層16が挟み込まれている。そのため溝8の自然放熱により熱伝導が抑制されると共に、テフロン樹脂層16により熱伝導が抑制されている。   In the present embodiment, the third arm 4 is divided into a base end portion 10 and a tip end portion 11, and a thin plate extension portion 10 a and 11 b protruding from the split base end portion 10 and the tip end portion 11 toward each other. A thin plate member 18 made of stainless steel forms three grooves 8 between them. A Teflon resin layer 16 is sandwiched between the thin plate member 18 and the thin plate extensions 10a and 11b. Therefore, the heat conduction is suppressed by the natural heat dissipation of the groove 8 and the heat conduction is suppressed by the Teflon resin layer 16.

図8(a)は、本発明の第8実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。   FIG. 8A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.

本実施の形態では、第3アーム4が基端部10と、先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11の夫々に、テフロン樹脂コーティングされたブリッジ部材17が設けられ、これらブリッジ部材17に、ステンレス製の薄板部材18が掛け渡されている。このように、ブリッジ部材17がテフロン樹脂コーティングされて熱伝導率が低くされ、薄板部材18がステンレス製で熱伝導率が低くされているため、自然放熱により熱伝導が抑制される。これらブリッジ部材17及び薄板部材18が熱伝導抑制部を構成している。   In the present embodiment, the third arm 4 is divided into a base end portion 10 and a tip end portion 11, and a bridge member 17 coated with Teflon resin is provided on each of the divided base end portion 10 and tip end portion 11. The bridge member 17 is provided with a thin plate member 18 made of stainless steel. Thus, since the bridge member 17 is coated with Teflon resin to reduce the thermal conductivity, and the thin plate member 18 is made of stainless steel and has a low thermal conductivity, the heat conduction is suppressed by natural heat dissipation. The bridge member 17 and the thin plate member 18 constitute a heat conduction suppressing portion.

図9(a)は、本発明の第9実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。   FIG. 9A is a plan view of the mounting member and the arm of the wafer conveyance device according to the ninth embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a side view of the mounting member and the arm shown in FIG. It is.

本実施の形態では、第8の実施の形態と同様に、第3アーム4が基端部10と、先端部11とに分割され、これら分割された基端部10と先端部11の夫々に、テフロン樹脂コーティングされたブリッジ部材19が設けられ、これらブリッジ部材19に、ステンレス製の薄板部材18が掛け渡され、熱伝導が抑制されている。   In the present embodiment, as in the eighth embodiment, the third arm 4 is divided into a base end portion 10 and a tip end portion 11, and each of the divided base end portion 10 and tip end portion 11 is divided. A bridge member 19 coated with Teflon resin is provided, and a thin plate member 18 made of stainless steel is stretched over the bridge member 19 to suppress heat conduction.

本実施の形態では、ブリッジ部材19が円筒状に形成されているため、第3アーム4の基端部10と先端部11との角度を変更することができ、これにより、第3アーム4の傾斜角と上下方向位置を調整することができる。   In the present embodiment, since the bridge member 19 is formed in a cylindrical shape, the angle between the proximal end portion 10 and the distal end portion 11 of the third arm 4 can be changed. The tilt angle and vertical position can be adjusted.

図10は、本発明の第10実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、本実施の形態では、ウエハWを2個同時に搬送できるように、2個のエンドエフェクタ5が設けられており、これら2個のエンドエフェクタ5が一つのアーム20に嵌合されている。アーム20には、図10に示すように、切込み溝21が縦横に形成されている。特に、第1実施の形態に比べて、アーム20の幅方向にも切込み溝21が形成されている。そのため、エンドエフェクタ5側から熱が伝達されたとしても、この切込み溝21の間の部分を伝達される間に自然放熱されることから、成膜処理装置等から第1及び第2アーム2,3や駆動機構1への熱伝導が抑制される。   FIG. 10 is a plan view of a mounting member and an arm of a wafer transfer apparatus according to a tenth embodiment of the present invention. In this embodiment, two ends are provided so that two wafers W can be transferred simultaneously. An effector 5 is provided, and these two end effectors 5 are fitted to one arm 20. As shown in FIG. 10, the arm 20 has cut grooves 21 formed vertically and horizontally. In particular, as compared with the first embodiment, the cut groove 21 is also formed in the width direction of the arm 20. Therefore, even if heat is transmitted from the end effector 5 side, natural heat is dissipated while being transmitted through the portion between the cut grooves 21, so that the first and second arms 2, 2 from the film forming apparatus or the like 3 and the heat conduction to the drive mechanism 1 are suppressed.

次に、図11以下を参照して本発明の第11実施の形態について説明する。   Next, an eleventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

第11実施の形態において、駆動装置1、第1アーム2、第2アーム3までのの構成は図14に示す従来技術、従ってまたこれまで説明してきた実施の形態におけるものと同様である。   In the eleventh embodiment, the configuration up to the driving device 1, the first arm 2, and the second arm 3 is the same as that in the prior art shown in FIG.

また、これから説明する第11実施の形態にあっても第3アーム104が第2アーム3に回動自在に接続されており、該第3アームにはエンドエフェクタ105が嵌合して設けられていることも従来例もしくはこれまでの実施の形態と同様である。   In the eleventh embodiment to be described below, the third arm 104 is rotatably connected to the second arm 3, and an end effector 105 is fitted to the third arm. This is the same as the conventional example or the previous embodiments.

第3アームにおける熱伝導抑制部の構成がこれまでの実施の形態のものと異なっており、第3アームには約120゜C以下で融解する低温融解物質(例えばナトリウムやナフタリン等)を第3アーム内に封じ込め、搬送物であるウエハからの熱がこの低温融解物質に達したときに、融解熱として吸収される事により他のアームや駆動機構への熱伝導が抑えられるよう様になっている。   The structure of the heat conduction suppressing portion in the third arm is different from that of the previous embodiments, and a low-melting substance (for example, sodium or naphthalene) that melts at about 120 ° C. or less is added to the third arm. When the heat from the wafer, which is the object to be transported, reaches this low-temperature melting material, it is absorbed as the heat of fusion, and heat conduction to other arms and drive mechanisms is suppressed. Yes.

図13に示すように、第3アームの外観形状は図14、図15に示す従来例の第3アーム4と同様であるが、本実施の形態における第3アーム104内には適当な面積の室部101が形成されており、そこに低温融解物質であるナフタリン102が充満されている。ナフタリン102の下側には永久磁石板103を介して非磁性体のアルミ製蓋107が室部全体をおおって第3アーム104の下面に固設されている。永久磁石板103は本実施の形態のおいては、上側がN極、下側がS極となっているが、これは逆でも良い。   As shown in FIG. 13, the external shape of the third arm is the same as that of the third arm 4 of the conventional example shown in FIGS. 14 and 15, but the third arm 104 in the present embodiment has an appropriate area. A chamber portion 101 is formed, which is filled with naphthalene 102, which is a low-melting substance. A nonmagnetic aluminum lid 107 is fixed to the lower surface of the third arm 104 below the naphthalene 102 through the permanent magnet plate 103 so as to cover the entire chamber. In the present embodiment, the permanent magnet plate 103 has an N pole on the upper side and an S pole on the lower side, but this may be reversed.

図11に示すように、第3アーム104の下方には冷却装置110が上下に移動可能に設けられている。冷却装置110はその上端にエンドエファクタ104の室部101とほぼ同一面積にわたる磁性流体部102を有しており、上昇位置では磁性流体部102がエンドエファクタ104の室部101と近接対向するようになっている。   As shown in FIG. 11, a cooling device 110 is provided below the third arm 104 so as to be movable up and down. The cooling device 110 has a magnetic fluid portion 102 over the same area as the chamber portion 101 of the end effector 104 at the upper end thereof, and the magnetic fluid portion 102 faces and opposes the chamber portion 101 of the end effector 104 in the raised position. It is like that.

冷却装置110は上端の磁性流体部102の近くに電磁石112を有していると共に、磁性流体部102の近接位置を通る冷却水パイプ113を有しており、冷却水を循環させるようになっている。   The cooling device 110 has an electromagnet 112 near the magnetic fluid portion 102 at the upper end, and a cooling water pipe 113 that passes through a position close to the magnetic fluid portion 102 so that the cooling water is circulated. Yes.

図12は図11のA部拡大図であり、上昇位置にある冷却装置110の上端部を示しており、(a)は電磁石の励磁前の状態、(b)は電磁石の励磁後の状態を示している。   FIG. 12 is an enlarged view of part A in FIG. 11, showing the upper end of the cooling device 110 in the raised position, where (a) shows the state before excitation of the electromagnet, and (b) shows the state after excitation of the electromagnet. Show.

このような構造の冷却装置110はベローズ115に包囲されて、トランスファーチャンバー130に接続されている。   The cooling device 110 having such a structure is surrounded by the bellows 115 and connected to the transfer chamber 130.

第11実施の形態において、図示されていない昇降装置により冷却装置110が上昇して、かつ電磁石112が上方にN極となる様に励磁されると図12(b)に示す如く磁性流体部102が室101に吸着するため、ナフタリン等低温融解物質に蓄積された熱を吸い取る。吸い取られた熱は冷却水パイプ113を循環する冷却水により吸い取られて排出される。また、電磁石112の励磁を逆にすることにより、第3アームより磁性流体を飛散させることなく分離することができる。   In the eleventh embodiment, when the cooling device 110 is raised by a lifting device (not shown) and the electromagnet 112 is excited so as to have an N pole upward, as shown in FIG. Adsorbs in the chamber 101 and absorbs heat accumulated in a low-melting substance such as naphthalene. The sucked heat is sucked by the cooling water circulating through the cooling water pipe 113 and discharged. Further, by reversing the excitation of the electromagnet 112, the magnetic fluid can be separated from the third arm without being scattered.

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、種々変形可能である。特に、搬送装置により搬送されるものは、半導体ウエハに限定されず、LCD基板など種々の基板であってもよい。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. In particular, what is transferred by the transfer device is not limited to a semiconductor wafer, and may be various substrates such as an LCD substrate.

(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、基板の載置部材が成膜処理装置等の比較的高温に晒されたとしても、この載置部材に連結された先端アームの先端部と基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられているため、搬送装置の他のアームや駆動機構等への熱伝導が抑えられ、成膜処理装置等からの熱の影響が少なくなる。そのため、搬送装置内で使用している磁性流体が変質されることが少なく、磁性流体シールのシール性能が劣化されるといったことが少なくなる。また、搬送装置内のグリースやベルトが変質又は変形されることが少なく、これらグリースやベルトの寿命が延命され、メンテナンスの回数が減少される。さらに、搬送装置の金属部品にも高温の熱が伝達され難いため、これら金属部品の熱膨張が少なくなり、その精度も安定化される。従って、成膜処理装置等からの熱影響を極力少なくしながら、半導体ウエハ等の基板を長期にわたって高精度に搬送できる。
(The invention's effect)
As described above, according to the present invention, even if the mounting member of the substrate is exposed to a relatively high temperature of a film forming apparatus or the like, the distal end portion and the proximal end of the distal arm connected to the mounting member Since a heat conduction suppression unit that suppresses heat conduction is provided between the two parts, heat conduction to other arms, drive mechanisms, etc. of the transport device is suppressed, and Impact is reduced. For this reason, the magnetic fluid used in the transfer device is rarely altered and the sealing performance of the magnetic fluid seal is less deteriorated. In addition, the grease and belt in the conveying device are rarely deteriorated or deformed, the life of the grease and belt is extended, and the number of maintenance is reduced. Furthermore, since it is difficult for high-temperature heat to be transmitted to the metal parts of the conveying device, the thermal expansion of these metal parts is reduced, and the accuracy is stabilized. Therefore, a substrate such as a semiconductor wafer can be transported with high accuracy over a long period of time while minimizing the influence of heat from the film forming apparatus or the like.

本発明の第1実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer transfer apparatus concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 5th Embodiment of this invention. (a)は、本発明の第6実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。(A) is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concerns on 6th Embodiment of this invention, (b) is a side view of the mounting member and arm shown to (a). . (a)は、本発明の第7実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図であり、また(c)は、(b)の部分拡大図である。(A) is a top view of the mounting member and arm of the wafer conveyance apparatus which concern on 7th Embodiment of this invention, (b) is a side view of the mounting member and arm shown to (a). (C) is a partially enlarged view of (b). (a)は、本発明の第8実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。(A) is a top view of the mounting member and arm of the wafer conveyance apparatus which concern on 8th Embodiment of this invention, (b) is a side view of the mounting member and arm shown to (a). . (a)は、本発明の第9実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図であり、(b)は、(a)に示す載置部材及びアームの側面図である。(A) is a top view of the mounting member and arm of the wafer conveyance apparatus which concern on 9th Embodiment of this invention, (b) is a side view of the mounting member and arm shown to (a). . 本発明の第10実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 10th Embodiment of this invention. 本発明の第11実施の形態に係るウエハ搬送装置を正面から見た説明図である。It is explanatory drawing which looked at the wafer conveyance apparatus which concerns on 11th Embodiment of this invention from the front. 図11のA部拡大説明図であり、(a)は電磁石の励磁前、(b)は電磁石の励磁後の状態を示している。FIG. 12 is an enlarged explanatory view of a part A in FIG. 11, (a) shows a state before excitation of the electromagnet, and (b) shows a state after excitation of the electromagnet. (a)は第11実施の形態に係るウエハ搬送装置の載置部材およびアームの平面図、(b)はこれらを正面から見た図、(c)は該アームの底面図である。(A) is the top view of the mounting member and arm of a wafer conveyance apparatus which concern on 11th Embodiment, (b) is the figure which looked at these from the front, (c) is the bottom view of this arm. ウエハ搬送装置の斜視図である。It is a perspective view of a wafer conveyance device. 従来のウエハ搬送装置の載置部材及びアームの平面図である。It is a top view of the mounting member and arm of the conventional wafer conveyance apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 駆動機構
2 第1アーム
3 第2アーム
4、104 第3アーム(先端アーム)
5、105 エンドエフェクタ(載置部材)
8 切込み溝
9 切込み溝
10 基端部
11 先端部
12 薄板部材
13 鏡面の傾斜面
14 黒色着色処理された傾斜面
15 鏡面の頂上面
16 テフロン樹脂層
17 ブリッジ部材
18 薄板部材
19 ブリッジ部材
20 アーム(先端アーム)
102 低温融解物質
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Drive mechanism 2 1st arm 3 2nd arm 4 and 104 3rd arm (tip arm)
5, 105 End effector (mounting member)
8 Incision groove 9 Incision groove 10 Base end portion 11 Tip portion 12 Thin plate member 13 Mirror surface inclined surface 14 Black colored inclined surface 15 Mirror surface top surface 16 Teflon resin layer 17 Bridge member 18 Thin plate member 19 Bridge member 20 Arm ( Tip arm)
102 Low temperature melting material

Claims (1)

駆動機構に順次回動自在に連結されて駆動される複数のアームの先端アームに、基板を載置する載置部材が連結された基板搬送装置において、前記載置部材に連結された前記先端アームの先端部と、この先端アームの基端部との間に、熱の伝導を抑制する熱伝導抑制部が設けられていることを特徴とする基板搬送装置。   In the substrate transfer apparatus in which a mounting member for mounting a substrate is connected to the tip arms of a plurality of arms that are sequentially connected to a driving mechanism so as to freely rotate, the tip arm connected to the mounting member described above A substrate transfer apparatus, characterized in that a heat conduction suppressing portion for suppressing heat conduction is provided between the distal end portion of the first arm and the proximal end portion of the distal end arm.
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