JP2014133927A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置防着板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理室2内でプラズマにより基板20上に薄膜を形成するプラズマ処理装置1において、前記処理室内で前記基板上以外に絶縁物が付着するのを妨げ、かつアノードとして機能する導電性の防着板10,11と、前記処理室内で放電電圧を印加する電源部と、を備え、前記防着板の少なくとも一部は、板面を表裏に貫通し好適には大きさが1〜5mmの複数の貫通孔13が設けられ、かつ前記貫通孔が設けられた前記防着板同士が好適には互いに1〜5mmの間隔をあけて板面を対向させて配置されており、防着板の抵抗の不均一化を回避して安定したプラズマ放電を可能にする。
【選択図】図1
Description
成膜粒子などが防着板表面に堆積すると、堆積膜が厚く形成された部分と、堆積膜が比較的薄い部分とが生じて抵抗が不均一に増加しやすくなる。特に成膜粒子が絶縁物の性質を有するものでは、堆積膜が厚く形成された高抵抗の部分と堆積膜が比較的薄い低抵抗の部分とが生じて、抵抗不均一が顕著になる。
この状態でプラズマ処理を継続すると、抵抗の低いところに電子が集中するなどしてプラズマ放電が不安定になりプラズマ処理を安定的に行うことが難しくなる。
これを時系列で現すと以下のようになる。
1)防着板(アノード電位)に膜が堆積する。堆積する膜はプラズマの分布やガスのマス濃度により変化するため全体に均一に積層しない。
2)不均一に膜が堆積することにより電界(真空中の抵抗)に電位差を発生させる。
3)低抵抗部に、電子が集中することによりプラズマの分布は変化する。
4)更に現象が進むと発熱を発生して、ついには防着板自体の破壊に至ることがある。
この装置では、対向するターゲットの間に導電性アノードを配置し、ターゲットのエロージョン領域からアノードまでの距離を規定することでアノードの不動態化を抑えアノードの導電性を維持できるものとしている。
前記処理室内で前記基板上以外に絶縁物が付着するのを妨げ、かつアノードとして機能する導電性の防着板と、
前記処理室内で放電電圧を印加する電源部と、を備え、
前記防着板の少なくとも一部は、板面を表裏に貫通する複数の貫通孔が設けられ、かつ前記貫通孔が設けられた前記防着板同士が互いに間隔をあけて板面を対向させて配置されていることを特徴とする。
板面を表裏に貫通する複孔の貫通孔が設けられ、かつ互いに間隔をあけて板面を対向させて配置されることを特徴とする。
さらに、少なくとも一部の防着板は、表裏に貫通する貫通孔を有し、互いに間隔を空けて板面を対向させて配置される
貫通孔の大きさが1mm未満であると、電子の通過が妨げられ、放電の不安定化を招きやすくなる。また、貫通孔の大きさが5mmを超えると、1枚目の貫通孔を通過した成膜粒子などが2枚目の防着板の広い面積に付着、堆積し、電子の透過性を損ない、放電の不安定化を招く。
貫通孔は、板の全面にわたってまたは面の一部に分散して形成されたものとすることができ、例えば、所定の間隔をおいて配列することができる。孔同士の間隔としては、例えば孔の周縁間距離として1〜5mmを挙げることができる。
1mm未満では貫通孔の面積が小さくなりすぎ、プラズマ放電が不安定となり、5mmを超えると、貫通孔の効果が少なく、プラズマ放電が不安定となる。
なお、貫通孔の大きさと貫通孔間の間隔は同じにするのが望ましい。
その間隔が1mm未満であると、1枚目の防着板の貫通孔を通過した電子の直進性によって成膜粒子などが堆積した部分にしか電子が至らず、通電が阻害され放電安定性を得ることが難しい。
一方、間隔が5mmを超えると、1枚目の貫通孔を通過した成膜粒子などが2枚目の防着板の広い面積に付着、堆積し、電子の透過性を損ない、放電の不安定化を招く。
プラズマ処理装置1は処理室2を備えており、処理室2は、真空減圧可能な気密構造を有し、電気的に接地されている。処理室は、その内部においてプラズマを発生して基板上に薄膜の形成が可能な構造のものであれば特に限定されるものではないが、例えば0.1〜10Pa程度の真空状態に減圧可能な気密構造のものとすることができる。
なお、処理室2内にスパッタガスを導入するラインと、処理室2内に反応性ガスを導入するラインとを別個独立に処理室2に接続してもよい。
また処理室2には、処理室2内のガスを排気するための排気ライン5が接続されている。
また、本発明としては反応性ガスを用いないものであってもよく、例えば、スパッタに使用するArなどを用いるものでもよい。
また、ターゲット支持台7には、本発明の電源部に相当する直流電源9の負極が電気的に接続されており、直流電源9の正極は接地されている。
また、防着板11は、防着板10と間隙を有し、かつ防着板10とは板面を対向するように配置されており、導電性のボルト15によって適所で互いに電気的かつ機械的に接続されている。ボルト15は、断面積が10mm2と小さく、防着板10、11を点接触により電気的に接続している。ボルト15の接続により防着板10、11の間隔が設定されており、その間隔は1〜5mmとされている。
なお、図1および図2では、防着板10、11の2枚が対向して配置された構成を示しているが、3枚以上の防着板を間隔を置いて配置するものであってもよい。
まず、処理室2内の天板下面側の基板ホルダー6に基板20を設置し、ターゲット支持台7上に、ターゲット21を設置する。
次いで、真空ポンプ3により処理室2内を所定の圧力の真空状態、例えば、0.1〜10Paに減圧する。次いで、処理室2内に、ガス導入ライン4を通して、アルゴンガスなどのプラズマガスと、酸素ガス、窒素ガスなどの反応性ガスの混合ガスを所定の流量で導入する。その後、直流電源9により、接地側に直流電圧を印加する。この電圧の印加により、基板ホルダー6、処理室内壁2a、防着板10とターゲット支持台7との間に放電が生じ、プラズマガスによるプラズマが発生する。プラズマ発生部16は、主として基板ホルダー6の下方側に位置する。プラズマは、ターゲット21をスパッタリングするとともに反応性ガスを励起して絶縁性の成膜粒子を生成する。生成された成膜粒子は、基板20上で薄膜を形成するとともに一部は処理室2内において四散し、防着板10、11にも付着堆積する。
したがって、薄膜の形成を継続した場合であっても、防着板10、11が絶縁化しても処理室内壁2aとの導電性が失われることはなく、プラズマ放電が安定化される。
以下に、プラズマCVD装置について詳細に説明する。
また、処理室2には、処理室2内に雰囲気ガスを導入するガス導入ライン4が接続されている。ガス導入ライン4は、例えば、酸素ガス、窒素ガスなどのなどの原料ガスや、アルゴンガスなどのキャリアガスの導入が可能に構成されている。
処理室2内には、電極22と基板ホルダー6との間の空間の底部および天板下面側を除く周囲を囲むように、導電性の防着板10、11が設置されている。
防着板10は、基板20上に形成すべき薄膜を構成する絶縁物が基板20上以外に付着するのを妨げるものである。特に、図3に示す構成では、防着板10、11は、処理室2の内側壁面2aに絶縁物が付着するのを妨げるように配置されている。防着板10、11は、前記実施形態のプラズマ処理装置1と同様の構造であり、ここでは詳細な説明を省略する。
まず、基板ホルダー6上に基板20を取り付ける。
次いで、真空ポンプ3により処理室2内を所定の圧力の真空状態まで減圧し、処理室2内に、ガス導入ライン4を通して、アルゴンガスなどのプラズマガスと、酸素ガス、窒素ガスなどの原料ガス、キャリアガスとの混合ガスを所定の流量で導入する。その後、直流電源9により、接地側に直流電圧を印加する。この電圧の印加により、電極22と基板ホルダー6、処理室内壁2a、防着板10、11との間に放電が生じ、プラズマガスによりプラズマを発生させる。
成膜粒子は、基板20表面に付着堆積して薄膜を形成するとともに、防着板10、11にも付着堆積する。
しかし、防着板10、11では、前記実施形態で説明したように、防着板10、11が絶縁化しても処理室内壁との導電性が失われることはなく、プラズマ放電が安定化される。
2 処理室
2a 内側壁面
3 真空ポンプ
4 ガス導入ライン
6 基板ホルダー
7 ターゲット支持台
9 直流電源
10 防着板
11 防着板
12 貫通孔
13 貫通孔
15 固定ねじ
16 プラズマ発生部
20 基板
21 ターゲット
Claims (13)
- 処理室内でプラズマにより基板上に薄膜を形成するプラズマ処理装置において、
前記処理室内で前記基板上以外に絶縁物が付着するのを妨げ、かつアノードとして機能する導電性の防着板と、
前記処理室内で放電電圧を印加する電源部と、を備え、
前記防着板の少なくとも一部は、板面を表裏に貫通する複数の貫通孔が設けられ、かつ前記貫通孔が設けられた前記防着板同士が互いに間隔をあけて板面を対向させて配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記薄膜が電気的に絶縁物であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記間隔が、1〜5mmであることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記貫通孔の大きさが、1〜5mmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記防着板が、前記処理室に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 互いに間隔をあけて配置されている前記複数枚の防着板が、導電体を介して接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 互いに間隔をあけて配置されている前記防着板の一方に設けられた前記貫通孔と前記防着板の他方に設けられた前記貫通孔とが、プラズマ発生側方向に対し、前記方向に沿って位置しないように設けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理室内に、前記薄膜の原料の少なくとも一部となるターゲットが配置されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記薄膜の原料の少なくとも一部となる原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガス供給部をさらに備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 処理室内でプラズマにより基板上に薄膜を形成するためのプラズマ処理装置に配置され、アノードとして機能する導電性の防着板であって、
板面を表裏に貫通する複数の貫通孔が設けられ、かつ互いに間隔をあけて板面を対向させて配置されることを特徴とするプラズマ処理装置防着板。 - 前記貫通孔の大きさが1〜5mmであることを特徴とする請求項10に記載のプラズマ処理装置防着板。
- 板面を互いに対向させて配置する前記防着板間の間隔を1〜5mmに規定し、かつ互いの防着板を電気的に接続する接続具を有することを特徴とする請求項10または11に記載のプラズマ処理装置防着板。
- 前記接続具は、互いに隣接する2枚の前記防着板の一方に形成された前記貫通孔と他方に形成された前記貫通孔とが、プラズマ発生側方向に対し、前記方向に沿って位置しないように、互いの防着板を位置付けすることを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載のプラズマ処理装置防着板。
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