JP2014128175A - 磁界発生装置および磁気記録媒体処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】妨害磁界の出力を増大させることが可能で、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能な磁界発生装置および磁気記録媒体処理装置を提供する。
【解決手段】コイルの一端を駆動電源部５１に接続し、他端を基準電位部５２に接続する第１のスイッチング部５３と、コイルの他端を駆動電源部５１に接続し、一端を基準電位部５２に接続する第２のスイッチング部５４と、第１のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部、インダクタの他端、コイルの一端、駆動電源部の順にたどるように形成する第１の回生電流経路形成部５５と、第１のスイッチング部と相補的に制御される第２のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部、コイルの一端、コイル、コイルの他端、駆動電源部の順にたどるように形成する第２の回生電流経路形成部５６とを有する。
【選択図】図５
【解決手段】コイルの一端を駆動電源部５１に接続し、他端を基準電位部５２に接続する第１のスイッチング部５３と、コイルの他端を駆動電源部５１に接続し、一端を基準電位部５２に接続する第２のスイッチング部５４と、第１のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部、インダクタの他端、コイルの一端、駆動電源部の順にたどるように形成する第１の回生電流経路形成部５５と、第１のスイッチング部と相補的に制御される第２のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部、コイルの一端、コイル、コイルの他端、駆動電源部の順にたどるように形成する第２の回生電流経路形成部５６とを有する。
【選択図】図５
Description
本発明は、磁気カード等の磁気記録媒体の不正読み取りを防止するための機能を備えた妨害磁界を発生する磁界発生装置、および磁気カードリーダ等の磁気記録媒体処理装置に関するものである。
カードリーダのカード挿入口に、いわゆるスキミングヘッドを取り付け、カード利用者のカード内の情報を入手する不正行為が行われることがある。
特許文献１には、カードリーダのカード挿入口に磁気発生装置を備え、磁界（磁気）発生装置から放出される妨害磁界（磁気）により、スキミングヘッドがカード利用者の磁気データを読み取ることを妨害する技術が開示されている。
この技術において、妨害磁界を発生する回路は、コイル（インダクタ）の電源を、スイッチ機能を有するトランジスタにて駆動させる構成が採用される。
ところで、上記した磁界（磁気）発生装置は、次のように適用される。
不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッドであるスキミングヘッドと磁気読み取り回路を取り付ける。
このスキミングヘッドに対し、磁気データが読み取れないようにするため、スキミングヘッドに妨害磁界を浴びせることができる磁界発生装置をカードリーダに取り付ける。
不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッドであるスキミングヘッドと磁気読み取り回路を取り付ける。
このスキミングヘッドに対し、磁気データが読み取れないようにするため、スキミングヘッドに妨害磁界を浴びせることができる磁界発生装置をカードリーダに取り付ける。
ところが、最近のスキミングヘッドは、金属製のカバーが被せられている場合がある。
この金属カバーにより磁界発生装置による妨害磁界が防御され、妨害磁界が十分な効果を発揮し得ないことがある。
このため、不正行為者の読み取り回路が、磁界発生装置の周波数と出力を認識して解析し、妨害磁界による効果を消滅させ、磁気カードのデータを読み出す可能性がある。
この金属カバーにより磁界発生装置による妨害磁界が防御され、妨害磁界が十分な効果を発揮し得ないことがある。
このため、不正行為者の読み取り回路が、磁界発生装置の周波数と出力を認識して解析し、妨害磁界による効果を消滅させ、磁気カードのデータを読み出す可能性がある。
本発明の目的は、妨害磁界の出力を増大させることが可能で、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能な磁界発生装置および磁気記録媒体処理装置を提供することにある。
本発明の第１の観点の磁界発生装置は、磁界を発生するためのインダクタと、駆動電圧を供給する駆動電源部と、基準電位部と、前記インダクタの一端を前記駆動電源部に接続し、他端を前記基準電位部に接続する第１のスイッチング部と、前記インダクタの他端を前記駆動電源部に接続し、一端を前記基準電位部に接続する第２のスイッチング部と、前記第１のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの他端、前記インダクタ、前記インダクタの一端、前記駆動電源部の順にたどるように形成する第１の回生電流経路形成部と、前記第２のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの一端、前記インダクタ、前記インダクタの他端、前記駆動電源部の順にたどるように形成する第２の回生電流経路形成部と、を有し、前記第１のスイッチング部と前記第２のスイッチング部とが、相補的に導通状態、非導通状態となるように制御される。
この磁界発生装置により、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
この磁界発生装置により、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
好適には、前記第１のスイッチング部は、前記インダクタの一端と前記駆動電源部との間に接続された第１のスイッチング素子と、前記インダクタの他端と前記基準電位部との間に接続された第２のスイッチング素子と、を含み、前記第２のスイッチング部は、前記インダクタの他端と前記駆動電源部との間に接続された第３のスイッチング素子と、前記インダクタの一端と前記基準電位部との間に接続された第４のスイッチング素子と、を含む。
好適には、前記第１の回生電流経路形成部は、前記インダクタの一端と前記駆動電源部との間に前記第１のスイッチング素子と並列に、当該インダクタの一端から前記駆動電源部に向かって順方向となるように接続された第１のダイオードと、前記インダクタの他端と前記基準電位部との間に前記第２のスイッチング素子と並列に、基準電位部から当該インダクタの他端に向かって順方向となるように接続された第２のダイオードと、を含み、前記第２の回生電流経路形成部は、前記インダクタの他端と前記駆動電源部との間に前記第３のスイッチング素子と並列に、当該インダクタの他端から前記駆動電源部に向かって順方向となるように接続された第３のダイオードと、前記インダクタの一端と前記基準電位部との間に前記第４のスイッチング素子と並列に、前記基準電位部から当該インダクタの一端に向かって順方向となるように接続された第４のダイオードと、を含む。
好適には、前記駆動電源部と、前記第１のスイッチング部、前記第２のスイッチング部、前記第１の回生電流経路形成部、および第２の回生電流経路形成部が接続された接続ノードと基準電位部との間に接続されたキャパシタと、前記駆動電源部に配置され、前記接続ノードから回生電流の流入を阻止する流入阻止部と、を含む。
これにより、回生電流による電荷がキャパシタに蓄積（充電）され、インダクタに印加される電圧が上がり、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
これにより、回生電流による電荷がキャパシタに蓄積（充電）され、インダクタに印加される電圧が上がり、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
好適には、前記流入阻止部は、駆動電源電位部と前記接続ノードとの間に、駆動電源電位部から当該接続ノードに向かって順方向となるように接続された第５のダイオードを含む。
また、本発明の第１の観点の磁界発生装置は、磁界を発生するためのインダクタと、駆動電圧を接続ノードから供給する駆動電源部と、基準電位部と、導通状態と非導通状態が切り替えられ、当該導通状態時に、前記インダクタの一端を前記駆動電源部に接続し、他端を前記基準電位部に接続するスイッチング部と、前記スイッチング部が導通状態から非導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの一端、前記インダクタ、前記インダクタの他端、前記駆動電源部の接続ノードの順にたどるように形成する回生電流経路形成部と、前記接続ノードと基準電位部との間に接続されたキャパシタと、前記駆動電源部に配置され、前記接続ノードから回生電流の流入を阻止する流入阻止部と、を有する。
これにより、回生電流による電荷がキャパシタに蓄積（充電）され、インダクタに印加される電圧が上がり、妨害磁界の出力を増大させることが可能となる。
これにより、回生電流による電荷がキャパシタに蓄積（充電）され、インダクタに印加される電圧が上がり、妨害磁界の出力を増大させることが可能となる。
好適には、前記スイッチング部は、前記インダクタの一端と駆動電源部との間に接続された第１のスイッチング素子と、前記インダクタの他端と基準電位部との間に接続された第２のスイッチング素子と、を含む。
好適には、前記回生電流経路形成部は、前記インダクタの他端と駆動電源部側の前記接続ノードとの間に前記第１のスイッチング素子および前記インダクタと並列に、当該インダクタの他端から前記接続ノードに向かって順方向となるように接続された第１のダイオードと、前記インダクタの一端と基準電位部との間に前記第２のスイッチング素子および前記インダクタと並列に、基準電位部から当該インダクタの一端に向かって順方向となるように接続された第２のダイオードと、を含む。
好適には、前記流入阻止部は、駆動電源電位部と前記接続ノードとの間に、駆動電源電位部から当該接続ノードに向かって順方向となるように接続された第３のダイオードを含む。
本発明の第２の観点の磁気記録媒体処理装置は、磁気データが記録された磁気記録媒体が挿入または排出される開口が形成され、当該磁気記録媒体処理装置の外部と内部を仕切るフロントパネルと、前記内部に挿入された前記磁気記録媒体に対して、磁気データの読み取りおよび書き込のうち少なくとも読み取り行う磁気ヘッドと、少なくとも前記フロントパネルの外部側に妨害磁界を発生する磁界発生装置と、を有し、前記磁界発生装置は、上記した各磁界発生装置のいずれかにより構成される。
本発明によれば、妨害磁界の出力を増大させることが可能で、磁気データの不正取得を確実に防止することが可能となる。
以下、本発明の実施形態を図面に関連付けて説明する。
本実施形態においては、磁気記録媒体処理装置として、磁気記録媒体である磁気カード等に記録された情報を再生あるいは情報を記録する磁気カードリーダを例に説明する。
以下では、まず、本実施形態に係る磁気カードリーダの概略構成を説明した後、妨害磁界を発生する磁界発生装置の具体的な回路構成および動作等を説明する。そして、この磁気カードリーダの磁気カードの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置の駆動タイミングと関連付けて説明する。
なお、ここでは、磁気カードリーダとしているが磁気データ読み取り（再生）機能に加えて磁気データ書き込み（記録）機能を併せ持つ場合もある。
なお、ここでは、磁気カードリーダとしているが磁気データ読み取り（再生）機能に加えて磁気データ書き込み（記録）機能を併せ持つ場合もある。
［磁気カードリーダの概略構成］
図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としての磁気カードリーダの主要部の概略構成を示す図である。
図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体処理装置としての磁気カードリーダの主要部の概略構成を示す図である。
図１の磁気カードリーダ１０は、装置の外部ＯＴと内部ＩＮを仕切るフロントパネル２０、フロントパネル２０の内部側に固定された磁気ヘッド３１を含む磁気カード処理部３０、駆動制御部４０、および基本的に、フロントパネル２０の外部側の領域に妨害磁界を発生するように配置される磁界発生装置５０を含んで構成されている。
なお、磁界発生装置（妨害磁界発生装置という場合もある）５０は、回路構成等に特徴を有しており、その具体的な構成については、複数の実施形態を例に後で詳細に説明する。
フロントパネル２０には、磁気データが記録された磁気記録媒体としての磁気カードＭＣが挿入または排出されるカードスロット用開口２１が形成されている。
そして、このカードスロット用開口２１の内部側（裏面側）に磁気カード処理部３０が固定されている。
そして、このカードスロット用開口２１の内部側（裏面側）に磁気カード処理部３０が固定されている。
磁気カード処理部３０は、磁気カード挿入および排出用のカードスロット３２、およびカードスロット３２から挿入される磁気カードＭＣを検出するためのカード挿入検出用の磁気ヘッドであるプリヘッド３３を有している。
さらに、磁気カード処理部３０は、カードスロット３２から挿入される磁気カードＭＣを内部に導く導入路３４、およびこの導入路３４を開閉するシャッター３５を有している。
磁気カード処理部３０においては、これらカードスロット３２、プリヘッド３３、導入路３４、およびシャッター３５が、カード挿入方向に沿って（装置の内部に向かって）、表記した順序で配置されている。
さらに、磁気カード処理部３０は、カードスロット３２から挿入される磁気カードＭＣを内部に導く導入路３４、およびこの導入路３４を開閉するシャッター３５を有している。
磁気カード処理部３０においては、これらカードスロット３２、プリヘッド３３、導入路３４、およびシャッター３５が、カード挿入方向に沿って（装置の内部に向かって）、表記した順序で配置されている。
磁気カード処理部３０において、シャッター３５の奥（さらに内部）には、カード取込み排出ローラ対３６が配置されている。
このカード取込み排出ローラ対３６によって内部に取り込まれた磁気カードＭＣは、所定の間隔で配置されている複数組の搬送ローラ対３７−１、３７−２によって規定される搬送路ＣＡＰＳに沿って搬送される。
各ローラ対３６，３７−１，３７−２は、駆動制御部４０の制御の下、駆動モータ３８によって回転駆動される。
搬送ローラ対３７−１の配置位置には、ここを通過する磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプに対して磁気的にデータを記録・再生するための磁気ヘッド３１が配置されている。
このカード取込み排出ローラ対３６によって内部に取り込まれた磁気カードＭＣは、所定の間隔で配置されている複数組の搬送ローラ対３７−１、３７−２によって規定される搬送路ＣＡＰＳに沿って搬送される。
各ローラ対３６，３７−１，３７−２は、駆動制御部４０の制御の下、駆動モータ３８によって回転駆動される。
搬送ローラ対３７−１の配置位置には、ここを通過する磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプに対して磁気的にデータを記録・再生するための磁気ヘッド３１が配置されている。
磁気カード処理部３０において、排出等される磁気カードＭＣの端部（たとえば後端部）を検出するためのフォトセンサ３９−１，３９−２が配置されている。
駆動制御部４０は、各部の駆動制御を司り、マイクロコンピュータ等により構成することができ、その内蔵ＲＯＭ内に格納されている制御プログラムに従って、磁気カードＭＣの搬送動作、磁気ヘッド３１による読み取り動作等を制御する。
本実施形態に係る磁気カードリーダ１０は、フロントパネル２０に形成された開口２１の内部側（裏面側）に、妨害磁界を発生する磁界発生装置５０が配置されている。
すなわち、フロントパネル２０における開口２１が形成されている部位の裏面であって、磁気カード処理部３０の装置フレーム３０ａの図中の下側（下部）に、妨害磁界発生装置５０が取付けられている。
なお、磁界発生装置５０の取り付け位置（配置位置）は、あくまでも一例であって、磁気カードの種類や装置構造等を考慮して、装置フレーム３０ａの上部等、適宜選択される。
すなわち、フロントパネル２０における開口２１が形成されている部位の裏面であって、磁気カード処理部３０の装置フレーム３０ａの図中の下側（下部）に、妨害磁界発生装置５０が取付けられている。
なお、磁界発生装置５０の取り付け位置（配置位置）は、あくまでも一例であって、磁気カードの種類や装置構造等を考慮して、装置フレーム３０ａの上部等、適宜選択される。
この妨害磁界発生装置５０は、磁界を発生するためのインダクタＬ１を含んで構成されている。
インダクタＬ１は、たとえば図２（Ａ）に示すように、コイルＣＬにより形成され、あるいは、インダクタＬ２は、図２（Ｂ）に示すように、鉄心ＦＣにコイルＣＬを巻いて形成される。
磁界発生装置５０は、駆動制御部４０の制御の下に、コイルＣＬには交流あるいは直流電流が流される。電流が流されると、開口２１あるいはカードスロット３２の外側部分に妨害磁界が発生するように構成され、配置される。
妨害磁界の発生領域は、カードスロット３２を介して挿入あるいは排出される磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプの通過領域を含む領域となるように構成されている。
インダクタＬ１は、たとえば図２（Ａ）に示すように、コイルＣＬにより形成され、あるいは、インダクタＬ２は、図２（Ｂ）に示すように、鉄心ＦＣにコイルＣＬを巻いて形成される。
磁界発生装置５０は、駆動制御部４０の制御の下に、コイルＣＬには交流あるいは直流電流が流される。電流が流されると、開口２１あるいはカードスロット３２の外側部分に妨害磁界が発生するように構成され、配置される。
妨害磁界の発生領域は、カードスロット３２を介して挿入あるいは排出される磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプの通過領域を含む領域となるように構成されている。
図３は、装置外部側に磁気ヘッドを含むスキマーが取り付けられた状態を模式的に示す図である。
図４は、装置外部側に磁気ヘッドを含むスキマーが取り付けられた状態の一例を具体的に示す図である。
図４は、装置外部側に磁気ヘッドを含むスキマーが取り付けられた状態の一例を具体的に示す図である。
磁気カードリーダ１０では、磁気カードＭＣの挿入時には、その先端をカードスロット３２に挿入されると同時に、磁気カードＭＣがカード取込み排出ローラ対３６によって一定の速度で搬送される。
同様に、磁気カードの排出時にも、磁気カードＭＣがカードスロット３２から実質的に外部に排出されるまでカード取込み排出ローラ対３６によって一定の速度で搬送される。
同様に、磁気カードの排出時にも、磁気カードＭＣがカードスロット３２から実質的に外部に排出されるまでカード取込み排出ローラ対３６によって一定の速度で搬送される。
したがって、カードスロット３２の外部側に磁気ヘッド（スキミングヘッド）および磁気読み取り回路を含むスキマー（不正に磁気カードのデータを読み取る装置）を取り付けた場合には、スキミングヘッド（磁気ヘッド）に沿って、一定の速度で磁気カードが移動することになる。
このため、このようなカードスロットの外部側に取り付けた磁気ヘッドにより、磁気カードの記録データを読み取ることが可能である。
このため、このようなカードスロットの外部側に取り付けた磁気ヘッドにより、磁気カードの記録データを読み取ることが可能である。
本実施形態に係る磁気カードリーダ１０においては、たとえば図３および図４に示すように、カードスロット用開口２１が形成されているフロントパネル２０の表面に不正に磁気ヘッド６１を含むスキマー６０が取り付けられたとしても、このような磁気ヘッド（スキミングヘッド）６１による磁気カードＭＣの読み取り動作を、妨害磁界発生装置５０による妨害磁界によって阻止することができる。
ただし、最近のスキミングヘッドは、金属製のカバーが被せられている場合がある。
この金属カバーにより磁界発生装置による妨害磁界が防御され、妨害磁界が十分な効果を発揮し得ないことがある。
このため、不正行為者の読み取り回路が、磁界発生装置の周波数と出力を認識して解析し、妨害磁界による効果を消滅させ、磁気カードのデータを読み出す可能性がある。
この金属カバーにより磁界発生装置による妨害磁界が防御され、妨害磁界が十分な効果を発揮し得ないことがある。
このため、不正行為者の読み取り回路が、磁界発生装置の周波数と出力を認識して解析し、妨害磁界による効果を消滅させ、磁気カードのデータを読み出す可能性がある。
そこで、本実施形態においては、妨害磁界の出力を増大させることが可能で、磁気データの不正取得を確実に防止することを可能とする、以下に説明するような特徴的な構成を有する磁界発生装置５０が採用されている。
［磁界発生装置５０の構成例］
次に、妨害磁界を発生する磁界発生装置５０の具体的な回路構成および動作を複数（第１〜第８）の実施形態として詳細に説明する。
以下に説明において、第１の本実施形態に係る磁界発生装置５０Ａは、基本的に、インダクタであるコイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えて交番磁界を発生する機能を有する。
この磁界発生装置５０Ａは、交番磁界を発生するで、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
次に、妨害磁界を発生する磁界発生装置５０の具体的な回路構成および動作を複数（第１〜第８）の実施形態として詳細に説明する。
以下に説明において、第１の本実施形態に係る磁界発生装置５０Ａは、基本的に、インダクタであるコイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えて交番磁界を発生する機能を有する。
この磁界発生装置５０Ａは、交番磁界を発生するで、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂは、第１の実施形態の交番磁界の発生機能に加えて、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタに充電して、インダクタであるコイルに印加される電圧を上げる機能を有する。
この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
第３の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃは、第１および第２の実施形態の交番磁界の発生機能は備えていないが、回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタに充電して、インダクタであるコイルに印加される電圧を上げる機能を有する。
この磁界発生装置５０Ｃは、妨害磁界の出力を増大させることが可能となる。
この磁界発生装置５０Ｃは、妨害磁界の出力を増大させることが可能となる。
第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、第１および第２の実施形態の交番磁界の発生機能、並びに第２および第３の実施形態の回線電流の充電機能は備えていないが、電源電圧を上げれば十分に不正行為を阻止可能な回路構成を有する。
第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、基本的な回路を有している。
第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、基本的な回路を有している。
［磁界発生装置の第１の実施形態］
まず、第１の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図５は、本発明の第１の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
まず、第１の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図５は、本発明の第１の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
図５の磁界発生装置５０Ａは、基本的に、磁界を発生するためのインダクタＬ１としてのコイルＣＬ１、駆動電源電圧ＶＣＣを供給する駆動電源部５１、および基準電位部５２を有する。
本実施形態においては、駆動電源部５１が供給する駆動電源電圧ＶＣＣは、１２Ｖあるいは２０Ｖに設定される。
駆動電源部５１は、各素子と接続される接続ノードＮＤ５１を通して駆動電源電圧ＶＣＣを供給する。
また、基準電位部５２は、基準電位ＶＳＳに設定される。本実施形態において、基準電位は接地電位ＧＮＤである。
本実施形態においては、駆動電源部５１が供給する駆動電源電圧ＶＣＣは、１２Ｖあるいは２０Ｖに設定される。
駆動電源部５１は、各素子と接続される接続ノードＮＤ５１を通して駆動電源電圧ＶＣＣを供給する。
また、基準電位部５２は、基準電位ＶＳＳに設定される。本実施形態において、基準電位は接地電位ＧＮＤである。
さらに、磁界発生装置５０Ａは、相補的に導通状態または非導通状態となるように駆動制御部４０により制御される、第１のスイッチング部５３および第２のスイッチング部５４を有する。
ここで、相補的とは、第１のスイッチング部５３が導通状態（ＯＮ状態）のときは第２のスイッチング部５４が非導通状態（ＯＦＦ状態）となり、第１のスイッチング部５３が非導通状態（ＯＦＦ状態）のときは第２のスイッチング部５４が導通状態（ＯＮ状態）となることをいう。
ここで、相補的とは、第１のスイッチング部５３が導通状態（ＯＮ状態）のときは第２のスイッチング部５４が非導通状態（ＯＦＦ状態）となり、第１のスイッチング部５３が非導通状態（ＯＦＦ状態）のときは第２のスイッチング部５４が導通状態（ＯＮ状態）となることをいう。
第１のスイッチング部５３は、導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の一端Ｔ１を駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１に接続し、他端Ｔ２を基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続する。
第１のスイッチング部５３は、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の一端Ｔ１と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１を電気的に切り離しに、他端Ｔ２と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
第１のスイッチング部５３は、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の一端Ｔ１と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１を電気的に切り離しに、他端Ｔ２と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
第１のスイッチング部５３は、インダクタであるコイルＣＬ１の一端Ｔ１と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１との間に接続された第１のスイッチング素子としてのｐｎｐ型の第１のトランジスタＴＲ１を有する。
第１のスイッチング部５３は、コイルＣＬ１の他端Ｔ２と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に接続された第２のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第２のトランジスタＴＲ２を有する。
さらに、第１のスイッチング部５３は、第１のトランジスタＴＲ１のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第５のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第５のトランジスタＴＲ５を有する。
第１のスイッチング部５３は、コイルＣＬ１の他端Ｔ２と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に接続された第２のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第２のトランジスタＴＲ２を有する。
さらに、第１のスイッチング部５３は、第１のトランジスタＴＲ１のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第５のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第５のトランジスタＴＲ５を有する。
具体的には、第１のトランジスタＴＲ１のエミッタが接続ノードＮＤ５１に接続され、コレクタがコイルＣＬ１の一端Ｔ１に接続され、ベースが第５のトランジスタＴＲ５のコレクタに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ２のコレクタがコイルＣＬ１の他端Ｔ２に接続され、エミッタが基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続されている。
第５のトランジスタＴＲ５のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第５のトランジスタＴＲ５のベースがドライバＤＶ２を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ２の供給ラインに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ２のベースがドライバＤＶ３を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ３の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第５のトランジスタＴＲ５と第２のトランジスタＴＲ２をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
第２のトランジスタＴＲ２のコレクタがコイルＣＬ１の他端Ｔ２に接続され、エミッタが基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続されている。
第５のトランジスタＴＲ５のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第５のトランジスタＴＲ５のベースがドライバＤＶ２を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ２の供給ラインに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ２のベースがドライバＤＶ３を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ３の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第５のトランジスタＴＲ５と第２のトランジスタＴＲ２をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
第２のスイッチング部５４は、導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の他端Ｔ２を駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１に接続し、一端Ｔ１を基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続する。
第１のスイッチング部５３は、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の他端Ｔ２と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１を電気的に切り離しに、一端Ｔ１と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
第１のスイッチング部５３は、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１の他端Ｔ２と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１を電気的に切り離しに、一端Ｔ１と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
第２のスイッチング部５４は、インダクタであるコイルＣＬ１の他端Ｔ２と駆動電源部５１側の接続ノードＮＤ５１との間に接続された第３のスイッチング素子としてのｐｎｐ型の第３のトランジスタＴＲ３を有する。
第２のスイッチング部５４は、コイルＣＬ１の一端Ｔ１と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に接続された第４のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第４のトランジスタＴＲ４を有する。
さらに、第２のスイッチング部５４は、第３のトランジスタＴＲ３のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第６のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第６のトランジスタＴＲ６を有する。
第２のスイッチング部５４は、コイルＣＬ１の一端Ｔ１と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に接続された第４のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第４のトランジスタＴＲ４を有する。
さらに、第２のスイッチング部５４は、第３のトランジスタＴＲ３のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第６のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第６のトランジスタＴＲ６を有する。
具体的には、第３のトランジスタＴＲ３のエミッタが接続ノードＮＤ５１に接続され、コレクタがコイルＣＬ１の他端Ｔ２に接続され、ベースが第６のトランジスタＴＲ６のコレクタに接続されている。
第４のトランジスタＴＲ４のコレクタがコイルＣＬ１の一端Ｔ１に接続され、エミッタが基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続されている。
第６のトランジスタＴＲ６のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第６のトランジスタＴＲ６のベースがドライバＤＶ１を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１の供給ラインに接続されている。
第４のトランジスタＴＲ４のベースがドライバＤＶ４を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ４の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第６のトランジスタＴＲ６と第４のトランジスタＴＲ４をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
第４のトランジスタＴＲ４のコレクタがコイルＣＬ１の一端Ｔ１に接続され、エミッタが基準電位部５２の接地電位ＧＮＤに接続されている。
第６のトランジスタＴＲ６のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第６のトランジスタＴＲ６のベースがドライバＤＶ１を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１の供給ラインに接続されている。
第４のトランジスタＴＲ４のベースがドライバＤＶ４を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ４の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第６のトランジスタＴＲ６と第４のトランジスタＴＲ４をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
そして、第１のスイッチング部５３の導通状態を制御する制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３と、第２のスイッチング部５４の導通状態を制御する制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４は、相補的なレベルをとる。
具体的には、制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）をとるときは、制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４はローレベル（Ｌ）をとり、制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）をとるときは、制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４はハイレベル（Ｈ）をとる。
具体的には、制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）をとるときは、制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４はローレベル（Ｌ）をとり、制御信号ＣＴＬ２およびＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）をとるときは、制御信号ＣＴＬ１およびＣＴＬ４はハイレベル（Ｈ）をとる。
さらに、磁界発生装置５０Ａは、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ側からコイルＣＬ１を介して駆動電源部５１に向かう回生電流（逆起電流、逆流する電力）がたどる電流経路を形成する第１の回生電流経路形成部５５および第２の回生電流経路形成部５６を有する。
第１の回生電流経路形成部５５は、第１のスイッチング部５３が非導通状態と導通状態が切り替わったとき、たとえば非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、インダクタであるコイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、接続ノードＮＤ５１、駆動電源部５１の順にたどるように形成する。
第１の回生電流経路形成部５５は、第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２を含んで構成されている。
第１のダイオードＤ１は、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端と駆動電源部５１の接続ノードＮＤ５１との間に第１のトランジスタ（第１のスイッチング素子）ＴＲ１と並列に、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から駆動電源部５１に向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第１のダイオードＤ１は、アノードがコイルＣＬ１の一端Ｔ１（および第１のトランジスタＴＲ１のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１（および第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ）に接続されている。
すなわち、第１のダイオードＤ１は、アノードがコイルＣＬ１の一端Ｔ１（および第１のトランジスタＴＲ１のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１（および第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ）に接続されている。
第２のダイオードＤ２は、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に第２のトランジスタ（第２のスイッチング素子）ＴＲ２と並列に、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤからコイルＣＬ１の他端Ｔ２に向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第２のダイオードＤ２は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第２のトランジスタＴＲ２のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１の他端Ｔ２（および第２のトランジスタＴＲ２のコレクタ）に接続されている。
すなわち、第２のダイオードＤ２は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第２のトランジスタＴＲ２のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１の他端Ｔ２（および第２のトランジスタＴＲ２のコレクタ）に接続されている。
第２の回生電流経路形成部５６は、第２のスイッチング部５４が非導通状態と導通状態が切り替わったとき、たとえば非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、接続ノードＮＤ５１、駆動電源部５１の順にたどるように形成する。
第２の回生電流経路形成部５６は、第３のダイオードＤ３および第４のダイオードＤ４を含んで構成されている。
第３のダイオードＤ３は、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２と駆動電源部５１の接続ノードＮＤ５１との間に第３のトランジスタ（第３のスイッチング素子）ＴＲ３と並列に、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から駆動電源部５１に向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第３のダイオードＤ３は、アノードがコイルＣＬ１の他端Ｔ２（および第３のトランジスタＴＲ３のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１（および第３のトランジスタＴＲ３のエミッタ）に接続されている。
すなわち、第３のダイオードＤ３は、アノードがコイルＣＬ１の他端Ｔ２（および第３のトランジスタＴＲ３のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１（および第３のトランジスタＴＲ３のエミッタ）に接続されている。
第４のダイオードＤ４は、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１と基準電位部の接地電位ＧＮＤとの間に第４のトランジスタ（第４のスイッチング素子）ＴＲ４と並列に、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤからコイルＣＬ１の一端Ｔ１に向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第４のダイオードＤ４は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第４のトランジスタＴＲ４のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１の一端Ｔ１（および第４のトランジスタＴＲ４のコレクタ）に接続されている。
すなわち、第４のダイオードＤ４は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第４のトランジスタＴＲ４のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１の一端Ｔ１（および第４のトランジスタＴＲ４のコレクタ）に接続されている。
以上の構成を有する電界発生装置５０Ａは、等価回路としては、インダクタであるコイルＣＬ１がブリッジの機能を果たすいわゆるＨ型の回路を形成しており、この回路をＨブリッジ回路としていうこともできる。
また、回路配置としては、図１に示すように、フロントパネル２０の内部側（裏面側）近傍に電界発生装置５０Ａを、全体回路を含んで配置することができるが、たとえばコイル（インダクタ）ＣＬ１のみフロントパネル２０の内部側近傍に配置し、残りの回路系を他の位置、たとえば駆動制御部４０側に配置する等、種々の態様が可能である。
また、回路配置としては、図１に示すように、フロントパネル２０の内部側（裏面側）近傍に電界発生装置５０Ａを、全体回路を含んで配置することができるが、たとえばコイル（インダクタ）ＣＬ１のみフロントパネル２０の内部側近傍に配置し、残りの回路系を他の位置、たとえば駆動制御部４０側に配置する等、種々の態様が可能である。
次に、第１の実施形態に係る磁界発生装置５０Ａの動作を、図６〜図１１に関連付けて説明する。
なお、以下の説明では、第１のスイッチング部５３を導通状態としてコイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１側に電圧を印加する（入れる）ことを正方向駆動（正方向動作）、第２のスイッチング部５４を導通状態として他端Ｔ２側に印加する（入れる）ことを逆方向駆動（逆方向動作）として説明する。
なお、以下の説明では、第１のスイッチング部５３を導通状態としてコイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１側に電圧を印加する（入れる）ことを正方向駆動（正方向動作）、第２のスイッチング部５４を導通状態として他端Ｔ２側に印加する（入れる）ことを逆方向駆動（逆方向動作）として説明する。
まず、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図６に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ２および第５のトランジスタＴＲ５が導通状態（ＯＮ状態）となり、第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４が非導通状態（ＯＦＦ状態）に保持される。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態となり、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態に保持される。
これにより、図６中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から妨害磁界が発生する。
この場合、図６に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ２および第５のトランジスタＴＲ５が導通状態（ＯＮ状態）となり、第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４が非導通状態（ＯＦＦ状態）に保持される。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態となり、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態に保持される。
これにより、図６中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から妨害磁界が発生する。
次に、逆方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図７および図８に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図７中に矢印ＹＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
この場合、図７および図８に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図７中に矢印ＹＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２への回生電流の流れが納まる。
そして、図８中に矢印ＹＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第３のトランジスタＴＲ３、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
そして、図８中に矢印ＹＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第３のトランジスタＴＲ３、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
次に、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図９および図１０に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第１のトランジスタＴＲ１および第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となり、第４のトランジスタＴＲ４、第６のトランジスタＴＲＦ６、および第３のトランジスタＴＲ３がＯＦＦ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第２のスイッチング部５４がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第１のトランジスタＴＲ１および第２のトランジスタＴＲ２は通電の始まりの状態にある。
第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図９中に矢印ＸＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第１のダイオードＤ１、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
この場合、図９および図１０に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第１のトランジスタＴＲ１および第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となり、第４のトランジスタＴＲ４、第６のトランジスタＴＲＦ６、および第３のトランジスタＴＲ３がＯＦＦ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第２のスイッチング部５４がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第１のトランジスタＴＲ１および第２のトランジスタＴＲ２は通電の始まりの状態にある。
第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図９中に矢印ＸＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第１のダイオードＤ１、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１への回生電流の流れが納まる。
そして、図１０中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から逆方向駆動とは逆のいわゆる正方向の妨害磁界が発生する。
そして、図１０中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から逆方向駆動とは逆のいわゆる正方向の妨害磁界が発生する。
次に、逆方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図１１に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１１中に矢印ＹＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
この場合、図１１に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１１中に矢印ＹＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１の順にたどるように形成される。
この経路をたどって回生電流が流れ、駆動電源電位部５１１から回路（本磁界発生装置５０Ａ）の外部に流れ出す。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２への回生電流の流れが納まる。
そして、上記した図８中に矢印ＹＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第２のトランジスタＴＲ２、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
そして、上記した図８中に矢印ＹＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第２のトランジスタＴＲ２、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
以上のようにして、正方向駆動と逆方向駆動が交互に行われ、交番磁界が発生され、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
［磁界発生装置の第２の実施形態］
次に、第２の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第２の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂが上述した第１の実施形態に係る磁界発生装置５０Ａと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｂは磁界発生装置５０Ａの構成に加えて、接続ノードＮＤ５１と基準電位部の接地電位との間に接続されたキャパシタＣ１を有する。
さらに、磁界発生装置５０Ｂは、駆動電源部５１Ｂにおいて、接続ノードＮ５１から回生電流の流入を阻止する流入阻止部５１２が配置されている。
流入阻止部５１２は、駆動電源電位部５１１と接続ノードＮＤ５１との間に、駆動電源電位部５１１から接続ノードＮＤ５１に向かって順方向となるように接続された第５のダイオードＤ５を含む。
すなわち、第５のダイオードＤ５のアノードが駆動電源電位部５１１に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１に接続されている。
磁界発生装置５０Ｂは磁界発生装置５０Ａの構成に加えて、接続ノードＮＤ５１と基準電位部の接地電位との間に接続されたキャパシタＣ１を有する。
さらに、磁界発生装置５０Ｂは、駆動電源部５１Ｂにおいて、接続ノードＮ５１から回生電流の流入を阻止する流入阻止部５１２が配置されている。
流入阻止部５１２は、駆動電源電位部５１１と接続ノードＮＤ５１との間に、駆動電源電位部５１１から接続ノードＮＤ５１に向かって順方向となるように接続された第５のダイオードＤ５を含む。
すなわち、第５のダイオードＤ５のアノードが駆動電源電位部５１１に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１に接続されている。
このように、第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂは、第１の実施形態の交番磁界の発生機能に加えて、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタＣ１に充電して、インダクタであるコイルＣＬ１に印加される電圧を上げる機能を有する。
この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
この磁界発生装置５０Ｂは、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
次に、第２の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｂの動作を、図１３〜図１８に関連付けて説明する。
まず、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図１３に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ２および第５のトランジスタＴＲ５が導通状態（ＯＮ状態）となり、第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４が非導通状態（ＯＦＦ状態）に保持される。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態となり、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態に保持される。
これにより、図１３中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第５のダイオードＤ５、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から妨害磁界が発生する。
またこのとき、駆動電源部５１ＢによりキャパシタＣ１が、たとえば電源電圧ＶＣＣのレベル、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）に充電される。
この場合、図１３に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ２および第５のトランジスタＴＲ５が導通状態（ＯＮ状態）となり、第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４が非導通状態（ＯＦＦ状態）に保持される。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態となり、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態に保持される。
これにより、図１３中に矢印ＸＤで示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１、第５のダイオードＤ５、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から妨害磁界が発生する。
またこのとき、駆動電源部５１ＢによりキャパシタＣ１が、たとえば電源電圧ＶＣＣのレベル、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）に充電される。
次に、逆方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図１４および図１５に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１４中に矢印ＹＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
この場合、図１４および図１５に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１４中に矢印ＹＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２への回生電流の流れが納まる。
そして、図１５中に矢印ＹＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第３のトランジスタＴＲ３、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
そして、図１５中に矢印ＹＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第３のトランジスタＴＲ３、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
次に、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図１６および図１７に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第１のトランジスタＴＲ１および第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となり、第４のトランジスタＴＲ４、第６のトランジスタＴＲＦ６、および第３のトランジスタＴＲ３がＯＦＦ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第２のスイッチング部５４がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第１のトランジスタＴＲ１および第２のトランジスタＴＲ２は通電の始まりの状態にある。
第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１６中に矢印ＸＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第１のダイオードＤ１、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
この場合、図１６および図１７に示すように、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第１のトランジスタＴＲ１および第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となり、第４のトランジスタＴＲ４、第６のトランジスタＴＲＦ６、および第３のトランジスタＴＲ３がＯＦＦ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第２のスイッチング部５４がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第１のトランジスタＴＲ１および第２のトランジスタＴＲ２は通電の始まりの状態にある。
第１のスイッチング部５３がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１６中に矢印ＸＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１の他端Ｔ２、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第１のダイオードＤ１、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１への回生電流の流れが納まる。
そして、図１７中に矢印ＸＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から逆方向駆動とは逆のいわゆる正方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
そして、図１７中に矢印ＸＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第１のトランジスタＴＲ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第２のトランジスタＴＲ２、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２へ電流が流れ、コイルＣＬ１から逆方向駆動とは逆のいわゆる正方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
次に、逆方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１〜ＣＴ４が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図１８に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１２中に矢印ＹＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣより高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
この場合、図１８に示すように、制御信号ＣＴＬ１とＣＴＬ４がハイレベル（Ｈ）で供給され、制御信号ＣＴＬ２とＣＴＬ３がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第４のトランジスタＴＲ４および第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となり、第２のトランジスタＴＲ２、第５のトランジスタＴＲ５、および第１のトランジスタＴＲ１がＯＦＦ状態となる。
第６のトランジスタＴＲ６がＯＮ状態となったことに伴い、第３のトランジスタＴＲ３のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第３のトランジスタＴＲ３がＯＮ状態となる。
すなわち、逆方向動作においては、第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わり、第１のスイッチング部５３がＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
このとき、ＯＮ状態となる第３のトランジスタＴＲ３および第４のトランジスタＴＲ４は通電の始まりの状態にある。
第２のスイッチング部５４がＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わったとき、図１２中に矢印ＹＩ２で示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第４のダイオードＤ４、コイル（インダクタ）ＣＬ１の一端Ｔ１、コイル（インダクタ）ＣＬ１、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、第３のダイオードＤ３、キャパシタＣ１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１への回生電流の流入は流入阻止部５１２の第５のダイオードＤ５で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１は電源電圧ＶＣＣより高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
これにより、コイルＣＬ１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１の一端Ｔ１から他端Ｔ２への回生電流の流れが納まる。
そして、上記した図１５中に矢印ＹＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第２のトランジスタＴＲ２、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
そして、上記した図１５中に矢印ＹＤ２で示すように、駆動電源部５１の駆動電源電位部５１１並びにキャパシタＣ１、第２のトランジスタＴＲ２、コイルＣＬ１の他端Ｔ２、コイルＣＬ１、コイルＣＬ１の一端Ｔ１、第４のトランジスタＴＲ４、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１の他端Ｔ２から一端Ｔ１へ電流が流れ、コイルＣＬ１から正方向駆動とは逆のいわゆる逆方向の妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、第１の実施形態ときよりもさらに増大されている（強くなっている）。
以上のようにして、正方向駆動と逆方向駆動が交互に行われ、交番磁界が発生され、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、かつ、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタＣ１に充電して、インダクタであるコイルＣＬ１に印加される電圧を上げることができ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力をさらに増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力をさらに増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
［磁界発生装置の第３の実施形態］
次に、第３の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図１９は、本発明の第３の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第３の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図１９は、本発明の第３の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第３の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃは、基本的に、第２の実施形態のように交番磁界の発生機能は持たずに、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタＣ１１に充電して、インダクタＬ１１であるコイルＣＬ１１に印加される電圧を上げる機能を有する。
磁界発生装置５０Ｃは、導通状態または非導通状態となるように駆動制御部４０により制御される、一つのスイッチング部５３Ｃを有する。
スイッチング部５３Ｃは、導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１を駆動電源部５１Ｃ側の接続ノードＮＤ５１Ｃに接続し、他端Ｔ１２を基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤに接続する。
スイッチング部５３Ｃは、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１と駆動電源部５１Ｃ側の接続ノードＮＤ５１Ｃを電気的に切り離しに、他端Ｔ１２と基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
スイッチング部５３Ｃは、非導通状態となるように制御されたときは、インダクタであるコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１と駆動電源部５１Ｃ側の接続ノードＮＤ５１Ｃを電気的に切り離しに、他端Ｔ１２と基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤとを電気的に切り離す。
スイッチング部５３Ｃは、インダクタであるコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１と駆動電源部５１Ｃ側の接続ノードＮＤ５１Ｃとの間に接続された第１のスイッチング素子としてのｐｎｐ型の第１のトランジスタＴＲ１１を有する。
スイッチング部５３Ｃは、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２と基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤとの間に接続された第２のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第２のトランジスタＴＲ１２を有する。
さらに、スイッチング部５３Ｃは、第１のトランジスタＴＲ１１のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第５のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第５のトランジスタＴＲ１５を有する。
スイッチング部５３Ｃは、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２と基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤとの間に接続された第２のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第２のトランジスタＴＲ１２を有する。
さらに、スイッチング部５３Ｃは、第１のトランジスタＴＲ１１のベースと接地電位ＧＮＤとの間に接続された第５のスイッチング素子としてのｎｐｎ型の第５のトランジスタＴＲ１５を有する。
具体的には、第１のトランジスタＴＲ１１のエミッタが接続ノードＮＤ５１Ｃに接続され、コレクタがコイルＣＬ１１の一端Ｔ１に接続され、ベースが第５のトランジスタＴＲ１５のコレクタに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ１２のコレクタがコイルＣＬ１１の他端Ｔ１２に接続され、エミッタが基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤに接続されている。
第５のトランジスタＴＲ１５のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第５のトランジスタＴＲ１５のベースがドライバＤＶ１１を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１１の供給ラインに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ１２のベースがドライバＤＶ１２を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１２の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ１２およびＣＴＬ１３は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第５のトランジスタＴＲ１５と第２のトランジスタＴＲ１２をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
第２のトランジスタＴＲ１２のコレクタがコイルＣＬ１１の他端Ｔ１２に接続され、エミッタが基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤに接続されている。
第５のトランジスタＴＲ１５のエミッタが接地電位ＧＮＤに接続されている。
そして、第５のトランジスタＴＲ１５のベースがドライバＤＶ１１を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１１の供給ラインに接続されている。
第２のトランジスタＴＲ１２のベースがドライバＤＶ１２を介して駆動制御部４０による制御信号ＣＴＬ１２の供給ラインに接続されている。
制御信号ＣＴＬ１２およびＣＴＬ１３は、同相の信号であり、ｎｐｎ型トランジスタである第５のトランジスタＴＲ１５と第２のトランジスタＴＲ１２をオン（ＯＮ）状態とするハイレベル（Ｈ）と、オフ（ＯＦＦ）状態にするローレベル（Ｌ）とが交互に切り替えられる信号として供給される。
磁界発生装置５０Ｃは、接続ノードＮＤ５１Ｃと基準電位部の接地電位ＧＮＤとの間に接続されたキャパシタＣ１１を有する。
さらに、磁界発生装置５０Ｃは、駆動電源部５１Ｃにおいて、接続ノードＮ５１Ｃから回生電流の流入を阻止する流入阻止部５１２Ｃが配置されている。
流入阻止部５１２Ｃは、駆動電源電位部５１１Ｃと接続ノードＮＤ５１Ｃとの間に、駆動電源電位部５１１Ｃから接続ノードＮＤ５１Ｃに向かって順方向となるように接続された第３のダイオードＤ１３を含む。
すなわち、第３のダイオードＤ１３のアノードが駆動電源電位部５１１Ｃに接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１Ｃに接続されている。
さらに、磁界発生装置５０Ｃは、駆動電源部５１Ｃにおいて、接続ノードＮ５１Ｃから回生電流の流入を阻止する流入阻止部５１２Ｃが配置されている。
流入阻止部５１２Ｃは、駆動電源電位部５１１Ｃと接続ノードＮＤ５１Ｃとの間に、駆動電源電位部５１１Ｃから接続ノードＮＤ５１Ｃに向かって順方向となるように接続された第３のダイオードＤ１３を含む。
すなわち、第３のダイオードＤ１３のアノードが駆動電源電位部５１１Ｃに接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１Ｃに接続されている。
さらに、磁界発生装置５０Ｃは、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤ側からコイルＣＬ１１を介して駆動電源部５１に向かう回生電流（逆起電流）がたどる電流経路を形成する回生電流経路形成部５５Ｃを有する。
回生電流経路形成部５５Ｃは、スイッチング部５３Ｃが非導通状態と導通状態が切り替わったとき、たとえば導通状態から非導通状態となったときに、回生電流の経路を、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、インダクタであるコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイル（インダクタ）ＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、キャパシタＣ１１（および接続ノードＮＤ５１Ｃ）の順にたどるように形成する。
回生電流経路形成部５５Ｃは、第１のダイオードＤ１１および第２のダイオードＤ１２を含んで構成されている。
第１のダイオードＤ１１は、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の他端と駆動電源部５１Ｃ側の接続ノードＮＤ５１Ｃとの間に第１のトランジスタ（第１のスイッチング素子）ＴＲ１１およびコイル（インダクタ）ＣＬ１１と並列に、コイルＣＬ１１の他端から接続ノードＮＤ５１Ｃに向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第１のダイオードＤ１１は、アノードがコイルＣＬ１１の他端Ｔ１２（および第２のトランジスタＴＲ１２のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１Ｃ（および第１のトランジスタＴＲ１１のエミッタ）に接続されている。
すなわち、第１のダイオードＤ１１は、アノードがコイルＣＬ１１の他端Ｔ１２（および第２のトランジスタＴＲ１２のコレクタ）に接続され、カソードが接続ノードＮＤ５１Ｃ（および第１のトランジスタＴＲ１１のエミッタ）に接続されている。
第２のダイオードＤ１２は、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の一端Ｔ１１と基準電位部５２の接地電位ＧＮＤとの間に第２のトランジスタ（第２のスイッチング素子）ＴＲ１２およびコイルＣＬ１１と並列に、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤからコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１に向かって順方向となるように接続されている。
すなわち、第２のダイオードＤ１２は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第２のトランジスタＴＲ１２のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１（および第１のトランジスタＴＲ１１のコレクタ）に接続されている。
すなわち、第２のダイオードＤ１２は、アノードが接地電位ＧＮＤ（および第２のトランジスタＴＲ１２のエミッタ）に接続され、カソードがコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１（および第１のトランジスタＴＲ１１のコレクタ）に接続されている。
次に、第３の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃの動作を、図２０〜図２２に関連付けて説明する。
この磁界発生装置５０Ｃは、正方向駆動のみ行われ、逆方向駆動は行われない。
この磁界発生装置５０Ｃは、正方向駆動のみ行われ、逆方向駆動は行われない。
まず、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１１，ＣＴ１２が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図２０に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２および第５のトランジスタＴＲ１５が導通状態（ＯＮ状態）となる。
第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＣがＯＮ状態となる。
これにより、図２０中に矢印ＺＤで示すように、駆動電源部５１Ｄの駆動電源電位部５１１Ｃ、第３のダイオードＤ１３、第１のトランジスタＴＲ１１、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
またこのとき、駆動電源部５１ＣによりキャパシタＣ１１が、たとえば電源電圧ＶＣＣのレベル、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）に充電される。
この場合、図２０に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２および第５のトランジスタＴＲ１５が導通状態（ＯＮ状態）となる。
第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＣがＯＮ状態となる。
これにより、図２０中に矢印ＺＤで示すように、駆動電源部５１Ｄの駆動電源電位部５１１Ｃ、第３のダイオードＤ１３、第１のトランジスタＴＲ１１、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
またこのとき、駆動電源部５１ＣによりキャパシタＣ１１が、たとえば電源電圧ＶＣＣのレベル、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）に充電される。
次に、スイッチング部５３ＣがＯＦＦ状態となるように制御信号ＣＴＬ１１，ＣＴ１２が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図２１に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２、第５のトランジスタＴＲ１５、および第１のトランジスタＴＲ１１がＯＦＦ状態に保持され，スイッチング部５３ＣがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
スイッチング部５３ＣがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わったとき、図２１中に矢印ＺＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ１２、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイル（インダクタ）ＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第１のダイオードＤ１１、キャパシタＣ１１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１Ｃの駆動電源電位部５１１Ｃへの回生電流の流入は流入阻止部５１２Ｃの第３のダイオードＤ１３で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
この場合、図２１に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２、第５のトランジスタＴＲ１５、および第１のトランジスタＴＲ１１がＯＦＦ状態に保持され，スイッチング部５３ＣがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
スイッチング部５３ＣがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わったとき、図２１中に矢印ＺＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、基準電位部５２の接地電位ＧＮＤ、第２のダイオードＤ１２、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイル（インダクタ）ＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第１のダイオードＤ１１、キャパシタＣ１１の順にたどるように形成される。
このとき、駆動電源部５１Ｃの駆動電源電位部５１１Ｃへの回生電流の流入は流入阻止部５１２Ｃの第３のダイオードＤ１３で阻止される。
この形成された経路をたどって回生電流が流れ、キャパシタＣ１１に流れ込む。この流れ込んだ回生電流によりキャパシタＣ１１は電源電圧ＶＣＣ、たとえば１２Ｖ（あるいは２０Ｖ）より高い電圧、たとえば２０Ｖ（あるいは３０Ｖ）となるように充電される。
これにより、コイルＣＬ１１が発生する磁界が弱くなり、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２への回生電流の流れが納まる。
次に、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１１，ＣＴ１２が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図２２に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２および第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＣがＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる。
そして、図２２中に矢印ＺＤ２で示すように、駆動電源部５１Ｃの駆動電源電位部５１１Ｃ並びにキャパシタＣ１１、第１のトランジスタＴＲ１１、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、増大されている（強くなっている）。
この場合、図２２に示すように、制御信号ＣＴＬ１１とＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２および第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となる。
第５のトランジスタＴＲ１５がＯＮ状態となったことに伴い、第１のトランジスタＴＲ１１のベース電位が接地電位ＧＮＤに向かって下がり、第１のトランジスタＴＲ１１がＯＮ状態となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＣがＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる。
そして、図２２中に矢印ＺＤ２で示すように、駆動電源部５１Ｃの駆動電源電位部５１１Ｃ並びにキャパシタＣ１１、第１のトランジスタＴＲ１１、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
このとき、コイルＣＬ１１に印加される（かかる）電圧が通常の電源電圧ＶＣＣより高い２０Ｖや３０Ｖに昇圧されていることから、コイルＣＬ１１に流れる電流も通常より大きくなり、妨害磁界の出力が、増大されている（強くなっている）。
以上のようにして、正方向駆動のみで、交番磁界を発生させることなく、妨害磁界の出力を増大させることができる。
すなわち、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタＣ１に充電して、インダクタであるコイルＣＬ１１に印加される電圧を上げることができ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、妨害磁界の出力をさらに増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタＣ１に充電して、インダクタであるコイルＣＬ１１に印加される電圧を上げることができ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
すなわち、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、妨害磁界の出力をさらに増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
［磁界発生装置の第４の実施形態］
次に、第４の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２３は、本発明の第４の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第４の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２３は、本発明の第４の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄが上述した第３の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｃと異なる点は、次の通りである。
本第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、第１および第２の実施形態の交番磁界の発生機能、並びに第２および第３の実施形態の回線電流の充電機能を備えていない。
ただし、磁界発生装置５０Ｄは、電源電圧ＶＣＣを上げれば（たとえば２０Ｖに上げれば）十分に不正行為を阻止可能な回路構成を有する。
本第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、第１および第２の実施形態の交番磁界の発生機能、並びに第２および第３の実施形態の回線電流の充電機能を備えていない。
ただし、磁界発生装置５０Ｄは、電源電圧ＶＣＣを上げれば（たとえば２０Ｖに上げれば）十分に不正行為を阻止可能な回路構成を有する。
本第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、第３の実施形態の磁界発生装置５０Ｃの第１のトランジスタＴＲ１１、第５のトランジスタＴＲ１５、第２のダイオードＤ１２、第３のダイオードＤ１３（流入阻止部５１２Ｃ）が削除された構成を有している。
すなわち、第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、基本的な回路を有している。
すなわち、第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄは、基本的な回路を有している。
次に、第４の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｄの動作を、図２４および図２５に関連付けて説明する。
この磁界発生装置５０Ｄは、正方向駆動のみ行われ、逆方向駆動は行われない。
この磁界発生装置５０Ｄは、正方向駆動のみ行われ、逆方向駆動は行われない。
まず、正方向動作を行うように制御信号ＣＴＬ１２が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図２４に示すように、制御信号ＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２が導通状態（ＯＮ状態）となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＤがＯＮ状態となる。
これにより、図２０中に矢印Ｚで示すように、駆動電源部５１Ｄの駆動電源電位部５１１Ｄ、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
この場合、図２４に示すように、制御信号ＣＴＬ１２がハイレベル（Ｈ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２が導通状態（ＯＮ状態）となる。
すなわち、正方向動作においては、スイッチング部５３ＤがＯＮ状態となる。
これにより、図２０中に矢印Ｚで示すように、駆動電源部５１Ｄの駆動電源電位部５１１Ｄ、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイルＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第２のトランジスタＴＲ１２、基準電位部５２Ｃの接地電位ＧＮＤの順にたどる駆動経路が形成される。
これに伴い、コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ電流が流れ、コイルＣＬ１１から妨害磁界が発生する。
次に、スイッチング部５３ＤがＯＦＦ状態となるように制御信号ＣＴＬ１２が駆動制御部４０から供給される。
この場合、図２５に示すように、制御信号ＣＴＬ１２がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２がＯＦＦ状態となり，スイッチング部５３ＤがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
スイッチング部５３ＤがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わったとき、図２５中に矢印ＺＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、駆動電源部５１Ｄ、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイル（インダクタ）ＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第１のダイオードＤ１１、さらには、ＣＬ１１の一端Ｔ１１の順にたどるように形成される。
この場合、回生電流はコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ流れ、第１のダイオードＤ１１を介して再度コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ流れ、徐々に減衰していく。
そして、磁界が消滅したころ、再び、図２４に関連付けて説明した正方向動作が行われる。
この場合、図２５に示すように、制御信号ＣＴＬ１２がローレベル（Ｌ）で供給される。
これに伴い、第２のトランジスタＴＲ１２がＯＦＦ状態となり，スイッチング部５３ＤがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる。
スイッチング部５３ＤがＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わったとき、図２５中に矢印ＺＩで示すように、回生電流（逆起電流）の経路が、駆動電源部５１Ｄ、コイル（インダクタ）ＣＬ１１の一端Ｔ１１、コイル（インダクタ）ＣＬ１１、コイルＣＬ１１の他端Ｔ１２、第１のダイオードＤ１１、さらには、ＣＬ１１の一端Ｔ１１の順にたどるように形成される。
この場合、回生電流はコイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ流れ、第１のダイオードＤ１１を介して再度コイルＣＬ１１の一端Ｔ１１から他端Ｔ１２へ流れ、徐々に減衰していく。
そして、磁界が消滅したころ、再び、図２４に関連付けて説明した正方向動作が行われる。
この場合も、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマー６０を取り付けていたとしても、妨害磁界を十分に出力することができ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
［磁界発生装置の第５の実施形態］
次に、第５の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２６は、本発明の第５の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第５の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２６は、本発明の第５の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第５の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｅが上述した第１の実施形態に係る図５の磁界発生装置５０Ａと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｅにおいては、図５においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタおよび第３のトランジスタを、ｐチャネルの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１Ｐ，ＴＲ３Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｅにおいては、図５においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、および第６のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ２Ｎ，ＴＲ４Ｎ，ＴＲ５Ｎ，ＴＲ６Ｎにより形成している。
磁界発生装置５０Ｅにおいては、図５においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタおよび第３のトランジスタを、ｐチャネルの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１Ｐ，ＴＲ３Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｅにおいては、図５においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、および第６のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ２Ｎ，ＴＲ４Ｎ，ＴＲ５Ｎ，ＴＲ６Ｎにより形成している。
その他の構成は、第１の実施形態と同様であり、本第５の実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
［磁界発生装置の第６の実施形態］
次に、第６の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２７は、本発明の第６の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第６の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２７は、本発明の第６の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第６の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｆが上述した第２の実施形態に係る図１２の磁界発生装置５０Ｂと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｆにおいては、図１２においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタおよび第３のトランジスタを、ｐチャネルのＦＥＴであるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１Ｐ，ＴＲ３Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｆにおいては、図１２においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、および第６のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ２Ｎ，ＴＲ４Ｎ，ＴＲ５Ｎ，ＴＲ６Ｎにより形成している。
磁界発生装置５０Ｆにおいては、図１２においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタおよび第３のトランジスタを、ｐチャネルのＦＥＴであるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１Ｐ，ＴＲ３Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｆにおいては、図１２においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタ、第４のトランジスタ、第５のトランジスタ、および第６のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ２Ｎ，ＴＲ４Ｎ，ＴＲ５Ｎ，ＴＲ６Ｎにより形成している。
その他の構成は、第２の実施形態と同様であり、本第６の実施形態によれば、上述した第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
［磁界発生装置の第７の実施形態］
次に、第７の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２８は、本発明の第７の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第７の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２８は、本発明の第７の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第７の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｇが上述した第３の実施形態に係る図１９の磁界発生装置５０Ｃと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｇにおいては、図１９においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタを、ｐチャネルのＦＥＴであるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１１Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｇにおいては、図１９においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタおよび第５のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ１２Ｎ、ＴＲ１５Ｎにより形成している。
磁界発生装置５０Ｇにおいては、図１９においてｐｎｐ型トランジスタで形成した第１のトランジスタを、ｐチャネルのＦＥＴであるＰＭＯＳトランジスタＴＲ１１Ｐにより形成している。
同様に、磁界発生装置５０Ｇにおいては、図１９においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタおよび第５のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ１２Ｎ、ＴＲ１５Ｎにより形成している。
その他の構成は、第３の実施形態と同様であり、本第７の実施形態によれば、上述した第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
［磁界発生装置の第７の実施形態］
次に、第８の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２９は、本発明の第８の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
次に、第８の実施形態に係る磁界発生装置について説明する。
図２９は、本発明の第８の実施形態に係る磁界発生装置を示す回路図である。
本第８の実施形態に係る磁界発生装置５０Ｈが上述した第４の実施形態に係る図２３の磁界発生装置５０Ｄと異なる点は、次の通りである。
磁界発生装置５０Ｈにおいては、図２３においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ１２Ｎにより形成している。
磁界発生装置５０Ｈにおいては、図２３においてｎｐｎ型トランジスタで形成した第２のトランジスタを、ｎチャネルのＦＥＴであるＮＭＯＳトランジスタＴＲ１２Ｎにより形成している。
その他の構成は、第４の実施形態と同様であり、本第８の実施形態によれば、上述した第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
［磁気カードリーダの磁気カード取り込みおよび排出動作］
最後に、一例として、磁気カードリーダ１０の磁気カードＭＣの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置５０の駆動タイミングと関連付けて説明する。
最後に、一例として、磁気カードリーダ１０の磁気カードＭＣの取り込みおよび排出動作を磁界発生装置５０の駆動タイミングと関連付けて説明する。
まず、取り込み動作を図３０および図３１に関連付けて説明する。
図３０は、磁気カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。
図３１は、磁気カード取込み時の動作を説明するための図である。
図３０は、磁気カード取込み時の動作を説明するためのフローチャートである。
図３１は、磁気カード取込み時の動作を説明するための図である。
利用者が磁気カードＭＣをカードスロット３２に挿入すると、挿入された磁気カードＭＣに形成されている磁気ストライプがカード挿入検出用のプリヘッド３３によって検出される（ステップＳＴ１）。
このプリヘッド３３による検出信号により、駆動制御部４０は、妨害磁界発生装置５０（５０Ａ〜５０Ｈ）を所定時間駆動して、妨害磁界を発生させる（ステップＳＴ２）。
そして、妨害磁界を発生した状態で、駆動制御部４０は、駆動モータ３８を起動して、取込みローラ対３６を含む搬送系を駆動する。同時に、駆動制御部４０は、シャッター３５を開く（ステップＳＴ３）。
このプリヘッド３３による検出信号により、駆動制御部４０は、妨害磁界発生装置５０（５０Ａ〜５０Ｈ）を所定時間駆動して、妨害磁界を発生させる（ステップＳＴ２）。
そして、妨害磁界を発生した状態で、駆動制御部４０は、駆動モータ３８を起動して、取込みローラ対３６を含む搬送系を駆動する。同時に、駆動制御部４０は、シャッター３５を開く（ステップＳＴ３）。
この結果、磁気カードＭＣを内部に取込み可能になる。
磁気カードＭＣがシャッター３５の位置を超えて奥まで挿入されると、その先端が取込み排出ローラ対３６にくわえ込まれて、磁気カードＭＣの取込み動作が開始される（ステップＳＴ４）。
磁気カードＭＣがシャッター３５の位置を超えて奥まで挿入されると、その先端が取込み排出ローラ対３６にくわえ込まれて、磁気カードＭＣの取込み動作が開始される（ステップＳＴ４）。
ここで、本例では、磁気カードＭＣの取り込みが開始された後は、たとえば磁気カードＭＣの後端がカードスロット３２から突出している状態の間は、妨害磁界発生装置５０（５０Ａ〜５０Ｈ）により妨害磁界を発生させ、その後、妨害磁界の発生を停止するようにしている（ステップＳＴ５）。
妨害磁界の発生時間は、カード挿入検出用のプリヘッド３３による検出時点からの経過時間等によって管理できる。
妨害磁界の発生時間は、カード挿入検出用のプリヘッド３３による検出時点からの経過時間等によって管理できる。
次に、磁気カードＭＣを読み取り用の磁気ヘッド３１の位置まで取り込んだ後は、磁気ヘッド３１により、磁気カードＭＣの読み取り動作あるいは書き込み動作を行う（ステップＳＴ６）。
このように、本例の磁気カードＭＣの取込み動作においては、磁気カードＭＣの後端がカードスロット３２から突出している時点で、妨害磁界を発生させるようにしている。
この結果、たとえば、図３１において想像線で示すように、カードスロット３２の外部側位置、たとえば、フロントパネル２０の表面に磁気ヘッド（スキミングヘッド）６１を含むスキマー６０が取り付けられていたとしても、妨害磁界の発生により、挿入される磁気カードＭＣの磁気データをスキミングヘッド６１によっては完全に読み取ることはできない。
よって、このようなスキミングヘッド６１０による磁気データの不正な読み取りを阻止できる。
この結果、たとえば、図３１において想像線で示すように、カードスロット３２の外部側位置、たとえば、フロントパネル２０の表面に磁気ヘッド（スキミングヘッド）６１を含むスキマー６０が取り付けられていたとしても、妨害磁界の発生により、挿入される磁気カードＭＣの磁気データをスキミングヘッド６１によっては完全に読み取ることはできない。
よって、このようなスキミングヘッド６１０による磁気データの不正な読み取りを阻止できる。
まず、排出動作を図３２および図３３に関連付けて説明する。
図３２は、磁気カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。
図３３は、磁気カード排出時の動作を説明するための図である。
図３２は、磁気カード排出時の動作を説明するためのフローチャートである。
図３３は、磁気カード排出時の動作を説明するための図である。
この場合、ローラ対３６，３７−１，３７−２によって磁気カードＭＣの排出動作を開始し（ステップＳＴ１１）、排出される磁気カードＭＣの排出方向の後端がフォトセンサ３９−１によって検出されると（ステップＳＴ１２）、妨害磁界発生装置５０（５０Ａ〜５０Ｈ）が駆動され、妨害磁界が発生される（ステップＳＴ１３）。
ここで、図３３に示すように、フォトセンサ３９−１によって磁気カードＭＣの後端が検出される状態は、磁気カードＭＣの排出方向の先端側がカードスロット３２から所定の量だけ突き出た状態である。
この後は、フォトセンサ３９−１よりもカードスロット側に配置されているフォトセンサ３９−２によって排出される磁気カードＭＣの後端が検出されると（ステップＳＴ１４）、駆動モータ３８を停止して（ステップＳＴ１５）、カード排出動作を終了する。
この後、駆動制御部４０は、妨害磁界発生装置５０の駆動を止め、妨害磁界の発生を停止させる（ステップＳＴ１６）。
この後、駆動制御部４０は、妨害磁界発生装置５０の駆動を止め、妨害磁界の発生を停止させる（ステップＳＴ１６）。
カード排出動作が終了した時点では、磁気カードＭＣの後端が取込みローラ対３６にくわえ込まれた状態にある。
利用者が軽く磁気カードＭＣを引っ張ることにより、カードスロット３２から磁気カードＭＣを取り出すことができる。
なお、利用者が磁気カードＭＣを取り出すことを忘れた場合には、所定の時間経過後に、取込みローラ対３６を駆動して、磁気カードＭＣを内部に回収できるようになっている。
利用者が軽く磁気カードＭＣを引っ張ることにより、カードスロット３２から磁気カードＭＣを取り出すことができる。
なお、利用者が磁気カードＭＣを取り出すことを忘れた場合には、所定の時間経過後に、取込みローラ対３６を駆動して、磁気カードＭＣを内部に回収できるようになっている。
このように、本例の磁気カードリーダ１０では、磁気カードの排出時においても、その排出側の先端部分がカードスロット３２から外部の突き出た状態で、一時的に妨害磁界を発生させるようにしている。
したがって、図２や図３等において示すようなフロントパネル表面にスキミングヘッド６１を含むスキマー６０が取り付けられていたとしても、このスキミングヘッド６１によって排出される磁気カードＭＣの磁気データが読み取られてしまうことを阻止できる。
したがって、図２や図３等において示すようなフロントパネル表面にスキミングヘッド６１を含むスキマー６０が取り付けられていたとしても、このスキミングヘッド６１によって排出される磁気カードＭＣの磁気データが読み取られてしまうことを阻止できる。
なお、本例では、一例であって、妨害磁界発生装置５０の駆動を、磁気カード挿入時および排出時に所定の期間にわたり１回だけ駆動しているが、２回以上に渡り間欠的に駆動してもよく、種々の態様が可能である。
［実施形態の効果］
上述したように、本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
本実施形態に係る磁界発生装置は、インダクタであるコイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えて交番磁界を発生する機能を有する。
この磁界発生装置は、交番磁界を発生するで、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
上述したように、本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
本実施形態に係る磁界発生装置は、インダクタであるコイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えて交番磁界を発生する機能を有する。
この磁界発生装置は、交番磁界を発生するで、妨害磁界の出力を結果的に増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
また、本実施形態に係る磁界発生装置は、交番磁界の発生機能に加えて、コイルに印加する電圧の供給を、コイルの一端側および他端側で交互に切り替えるときに発生する回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタに充電して、インダクタであるコイルに印加される電圧を上げる機能を有する。
したがってこの磁界発生装置は、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
したがってこの磁界発生装置は、妨害磁界の出力をさらに増大させることが可能となる。
さらに、本実施形態に係る磁界発生装置は、交番磁界の発生機能は備えていないが、回生電流を駆動電源部側に接続したキャパシタに充電して、インダクタであるコイルに印加される電圧を上げる機能を有する。
この磁界発生装置においても、妨害磁界の出力を十分に増大させることが可能となる。
この磁界発生装置においても、妨害磁界の出力を十分に増大させることが可能となる。
また、本実施形態に係る磁界発生装置は、交番磁界の発生機能、並びに回線電流の充電機能は備えていない場合であっても、電源電圧を上げれば十分に不正行為を阻止可能な回路構成を有する。
すなわち、本実施形態に係る磁界発生装置によれば、不正行為者が、磁気カードの磁気データを読み取るために、フロントパネルの外部側に、カードリーダのカード挿入口に、磁気ヘッド（スキミングヘッド）と磁気読み取り回路を含むいわゆるスキマーを取り付けていたとしても、交番磁界を発生することが可能で、妨害磁界の出力を増大させ、磁気データの不正取得を確実に防止することができる。
また、本実施形態では、妨害磁界の発生磁気を、磁気カードの挿入時および排出時としているので、磁気遮蔽板等を設けなくとも、内部の記録・再生用の磁気ヘッドによる動作が阻害されることがない。
また、本実施形態では、妨害磁界の発生磁気を、磁気カードの挿入時および排出時としているので、磁気遮蔽板等を設けなくとも、内部の記録・再生用の磁気ヘッドによる動作が阻害されることがない。
１０・・・磁気カードリーダ（磁気記録媒体理装置）、２０・・・フロントパネル。２１・・・開口、３０・・・磁気カード処理部、３１・・・磁気ヘッド、３２・・・カードスロット、３３・・・プリヘッド、４０・・・駆動制御部、５０，５０Ａ〜５０Ｈ・・・磁界発生装置、５１，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ・・・駆動電源部、５１１・・・駆動電源電位、５１２，５１２Ｃ・・・流入阻止部、５２，５２Ｃ・・・基準電位部、５３・・・第１のスイッチング部、５３Ｃ・・・スイッチング部、５４・・・第２のスイッチング部、５５・・・第１の回生電流経路形成部、５５Ｃ・・・回生電流経路形成部、５６・・・第２の回生電流経路形成部、Ｃ１，Ｃ１１・・・キャパシタ、ＮＤ５１，ＮＤ５１Ｂ，ＮＤ５１Ｃ・・・接続ノード、ＭＣ・・・磁気カード。
Claims (10)
- 磁界を発生するためのインダクタと、
駆動電圧を供給する駆動電源部と、
基準電位部と、
前記インダクタの一端を前記駆動電源部に接続し、他端を前記基準電位部に接続する第１のスイッチング部と、
前記インダクタの他端を前記駆動電源部に接続し、一端を前記基準電位部に接続する第２のスイッチング部と、
前記第１のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの他端、前記インダクタ、前記インダクタの一端、前記駆動電源部の順にたどるように形成する第１の回生電流経路形成部と、
前記第２のスイッチング部が非導通状態から導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの一端、前記インダクタ、前記インダクタの他端、前記駆動電源部の順にたどるように形成する第２の回生電流経路形成部と、を有し、
前記第１のスイッチング部と前記第２のスイッチング部とが、相補的に導通状態、非導通状態となるように制御される
磁界発生装置。 - 前記第１のスイッチング部は、
前記インダクタの一端と前記駆動電源部との間に接続された第１のスイッチング素子と、
前記インダクタの他端と前記基準電位部との間に接続された第２のスイッチング素子と、を含み、
前記第２のスイッチング部は、
前記インダクタの他端と前記駆動電源部との間に接続された第３のスイッチング素子と、
前記インダクタの一端と前記基準電位部との間に接続された第４のスイッチング素子と、を含む、
請求項１記載の磁界発生装置。 - 前記第１の回生電流経路形成部は、
前記インダクタの一端と前記駆動電源部との間に前記第１のスイッチング素子と並列に、当該インダクタの一端から前記駆動電源部に向かって順方向となるように接続された第１のダイオードと、
前記インダクタの他端と前記基準電位部との間に前記第２のスイッチング素子と並列に、基準電位部から当該インダクタの他端に向かって順方向となるように接続された第２のダイオードと、を含み、
前記第２の回生電流経路形成部は、
前記インダクタの他端と前記駆動電源部との間に前記第３のスイッチング素子と並列に、当該インダクタの他端から前記駆動電源部に向かって順方向となるように接続された第３のダイオードと、
前記インダクタの一端と前記基準電位部との間に前記第４のスイッチング素子と並列に、前記基準電位部から当該インダクタの一端に向かって順方向となるように接続された第４のダイオードと、を含む、
請求項２記載の磁界発生装置。 - 前記駆動電源部と、前記第１のスイッチング部、前記第２のスイッチング部、前記第１の回生電流経路形成部、および第２の回生電流経路形成部が接続された接続ノードと基準電位部との間に接続されたキャパシタと、
前記駆動電源部に配置され、前記接続ノードから回生電流の流入を阻止する流入阻止部と、を含む
請求項１から３のいずれか一に記載の磁界発生装置。 - 前記流入阻止部は、
駆動電源電位部と前記接続ノードとの間に、駆動電源電位部から当該接続ノードに向かって順方向となるように接続された第５のダイオードを含む、
請求項４記載の磁界発生装置。 - 磁界を発生するためのインダクタと、
駆動電圧を接続ノードから供給する駆動電源部と、
基準電位部と、
導通状態と非導通状態が切り替えられ、当該導通状態時に、前記インダクタの一端を前記駆動電源部に接続し、他端を前記基準電位部に接続するスイッチング部と、
前記スイッチング部が導通状態から非導通状態となったときに、回生電流の経路を、前記基準電位部、前記インダクタの一端、前記インダクタ、前記インダクタの他端、前記駆動電源部の接続ノードの順にたどるように形成する回生電流経路形成部と、
前記接続ノードと基準電位部との間に接続されたキャパシタと、
前記駆動電源部に配置され、前記接続ノードから回生電流の流入を阻止する流入阻止部と、
を有する磁界発生装置。 - 前記スイッチング部は、
前記インダクタの一端と駆動電源部との間に接続された第１のスイッチング素子と、
前記インダクタの他端と基準電位部との間に接続された第２のスイッチング素子と、を含む、
請求項６記載の磁界発生装置。 - 前記回生電流経路形成部は、
前記インダクタの他端と駆動電源部側の前記接続ノードとの間に前記第１のスイッチング素子および前記インダクタと並列に、当該インダクタの他端から前記接続ノードに向かって順方向となるように接続された第１のダイオードと、
前記インダクタの一端と基準電位部との間に前記第２のスイッチング素子および前記インダクタと並列に、基準電位部から当該インダクタの一端に向かって順方向となるように接続された第２のダイオードと、を含む、
請求項７記載の磁界発生装置。 - 前記流入阻止部は、
駆動電源電位部と前記接続ノードとの間に、駆動電源電位部から当該接続ノードに向かって順方向となるように接続された第３のダイオードを含む、
請求項６から８のいずれか一に記載の磁界発生装置。 - 磁気データが記録された磁気記録媒体が挿入または排出される開口が形成され、当該磁気記録媒体処理装置の外部と内部を仕切るフロントパネルと、
前記内部に挿入された前記磁気記録媒体に対して、磁気データの読み取りおよび書き込のうち少なくとも読み取り行う磁気ヘッドと、
少なくとも前記フロントパネルの外部側に妨害磁界を発生する磁界発生装置と、を有し、
前記磁界発生装置は、
請求項１から９のいずれかに記載された磁界発生装置により構成される
磁気記録媒体処理装置。
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