JP2014128048A - 高周波電圧発生装置及び受給電システム - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波電圧を継続して発生させるための回路駆動を低周波数で行う。
【解決手段】給電装置1のLC並列共振回路10は、互いに並列接続されたコイル11とコンデンサ12とを含み、一端が電源ラインLと電気的に接続されている。N型MOSFET20は、一端がLC並列共振回路10の他端と電気的に接続され、他端が、接地点GNDと電気的に接続され、ゲートGに入力された制御信号に応じてオンオフする。駆動回路30は、N型MOSFET20をオンさせるオン期間と、N型MOSFET20をオフさせるオフ期間とを交互に繰り返すための制御信号CSを、ゲートGへ出力する。LC並列共振回路10は、オン期間にコンデンサ12を充電し、オフ期間に自励発振して、コイル11に出力される発振電圧を発生させる。コイル11に発振電圧が出力されると、給電装置1は、電磁誘導により高周波の磁場を発生させる。
【選択図】図1
【解決手段】給電装置1のLC並列共振回路10は、互いに並列接続されたコイル11とコンデンサ12とを含み、一端が電源ラインLと電気的に接続されている。N型MOSFET20は、一端がLC並列共振回路10の他端と電気的に接続され、他端が、接地点GNDと電気的に接続され、ゲートGに入力された制御信号に応じてオンオフする。駆動回路30は、N型MOSFET20をオンさせるオン期間と、N型MOSFET20をオフさせるオフ期間とを交互に繰り返すための制御信号CSを、ゲートGへ出力する。LC並列共振回路10は、オン期間にコンデンサ12を充電し、オフ期間に自励発振して、コイル11に出力される発振電圧を発生させる。コイル11に発振電圧が出力されると、給電装置1は、電磁誘導により高周波の磁場を発生させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、自励発振を利用して高周波電圧を発生させる技術に関する。
自励式の発振回路を用いて非接触給電を行う発明が、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1は、送電側共振部に、コンデンサと送電側一次コイルとを並列接続した自励式発振回路、及び、送電側一次コイルと磁気結合する送電側二次コイルを設けた、磁気共鳴型の非接触給電装置を開示している。この送電側共振部では、コンデンサが有する共振周波数の電圧を生成して、この電圧をもとに送電側二次コイルに誘導電圧を発生させ、この誘導電圧をTFT(Thin Film Transistor)のゲート−ドレインを介して送電側一次コイルにフィードバックさせることにより、自励式の発振動作を実現している。
特許文献1に記載の発明によれば、電力供給を可能とする受電側への伝達距離を延長することができる。
これに対し、本発明の目的は、高周波電圧を継続して発生させるための回路駆動を低周波数で行うことのできる技術を提供することである。
これに対し、本発明の目的は、高周波電圧を継続して発生させるための回路駆動を低周波数で行うことのできる技術を提供することである。
上記目的を達成するため、本発明の高周波電圧発生装置は、互いに並列接続されたコイルとコンデンサとを含み、一端が、直流電圧源及び基準電位点の一方と電気的に接続された並列共振回路と、一端が前記並列共振回路の他端と電気的に接続され、他端が、前記直流電圧源及び前記基準電位点の他方と電気的に接続され、制御端子に入力された制御信号に応じてオンオフするスイッチと、前記スイッチをオンさせるオン期間と、前記スイッチをオフさせるオフ期間とを交互に繰り返すための前記制御信号を、前記制御端子へ出力する駆動回路とを備え、前記並列共振回路は、前記オン期間に前記コンデンサを充電し、前記オフ期間に自励発振して、前記コイルに発振電圧を出力することを特徴とする。
本発明の高周波電圧発生装置において、前記駆動回路は、前記オン期間よりも前記オフ期間を長くするように、前記制御信号を出力するようにしてもよい。
本発明の高周波電圧発生装置において、前記駆動回路は、前記制御信号として、デューティ比が50%のPWM(Pulse Width Modulation)信号を出力するようにしてもよい。
本発明の高周波電圧発生装置において、前記駆動回路は、前記制御信号として、デューティ比が50%のPWM(Pulse Width Modulation)信号を出力するようにしてもよい。
本発明の高周波電圧発生装置において、一端が、前記並列共振回路と前記スイッチとの接点と電気的に接続され、他端が前記基準電位点と電気的に接続された、共振周波数調整用のコンデンサを備えるようにしてもよい。
本発明の高周波電圧発生装置において、前記コイルが平面コイルにより構成されるようにしてもよい。
本発明の受給電システムは、上記いずれか1の構成の高周波電圧発生装置を含み、前記発振電圧を前記コイルに出力して電磁誘導方式の非接触給電を行う給電装置と、前記コイルと磁気的に結合する受電用コイルを含む受電装置とを備える。
本発明の高周波電圧発生装置において、前記コイルが平面コイルにより構成されるようにしてもよい。
本発明の受給電システムは、上記いずれか1の構成の高周波電圧発生装置を含み、前記発振電圧を前記コイルに出力して電磁誘導方式の非接触給電を行う給電装置と、前記コイルと磁気的に結合する受電用コイルを含む受電装置とを備える。
本発明によれば、高周波電圧を継続して発生させるための回路駆動を低周波数で行うことができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る給電装置1の回路構成を示す図である。図1に示すように、給電装置1は、LC並列共振回路10と、N型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)20と、駆動回路30と、調整用コンデンサ40とを含む高周波電圧発生装置を含む。
LC並列共振回路10は、互いに並列接続されたコイル11とコンデンサ12とを含む並列共振回路である。コイル11は、ここでは、線材を同一平面上で複数回巻き回した平面コイルである。コイル11を構成する線材は、例えば、直列抵抗を低減させるために絶縁被覆された複数の導線を撚り合わせた線材である。この絶縁被覆の材料としては、エナメル等の樹脂、絹等の繊維等を使用することができる。コイル11を構成する線材は、例えばリッツ線である。コンデンサ12は、ここでは可変容量コンデンサ(バリコン)である。コンデンサ12の容量は、LC並列共振回路10が所望する共振周波数で共振するように、その容量が設定されている。
LC並列共振回路10の一端は、直流電圧VDDが印加された電源ラインLと電気的に接続されている。直流電圧VDDは、例えば12V又は24Vである。電源ラインLは、給電装置1における直流電圧源である。給電装置1では、電源ラインLに印加された直流電圧に基づいて、電磁誘導方式で非接触給電を行うための電圧をコイル11(つまり給電用コイル)に出力する。コイル11の出力電圧を、「Vo」と表す。
N型MOSFET20は、ドレインDがLC並列共振回路10の他端と電気的に接続され、ソースSが接地点GNDと電気的に接続されたスイッチである。給電装置1では、接地点GNDにより基準電位点が規定されている。本実施形態では、LC並列共振回路10とN型MOSFET20との電気的接点を「接点N」と表し、接点Nの電位を「VN」と表す。N型MOSFET20は、ゲートGを制御端子とし、ゲートGに入力された制御信号に応じてオンオフする。具体的には、N型MOSFET20は、ソースSの電位(ここでは接地電位)よりも高く、且つ、ソースSとの電位差が閾値以上である電圧レベル(以下「オンレベル」という。)の制御信号が入力されると、オンする。一方で、N型MOSFET20は、オンレベルの制御信号が入力されていないとき、例えば、ソースSよりも低電位であるオフレベルの制御信号が入力されたときに、オフする。
駆動回路30は、ここではPWM制御回路であり、N型MOSFET20においてオン期間とオフ期間とを交互に繰り返すための制御信号CSを、N型MOSFET20のゲートGに出力する。駆動回路30は、例えば、駆動周波数が300KHzでデューティ比が25%のPWM信号を、制御信号CSとして出力する。このPWM信号は、ここでは方形
波を示す信号である。
波を示す信号である。
調整用コンデンサ40は、一端が接点Nと電気的に接続され、他端が接地点GNDと電気的に接続された可変容量コンデンサである。調整用コンデンサ40は、LC並列共振回路10を含む、給電装置1の回路系の共振周波数f0を、所望する周波数に調整するためのコンデンサである。ただし、LC並列共振回路10のみで、共振周波数f0を所望する共振周波数に調整することができる場合には、調整用コンデンサ40が設けられなくてもよい。
なお、共振周波数f0は、浮遊容量や寄生容量その他の影響を考慮しなければ、理論上、f0=1/2π√LCという関係を満たす。ここにおいて、Lは、コイル11の自己インダクタンスである。Cは、コンデンサ12と調整用コンデンサ40との合成容量である。共振周波数f0は、例えば数MHzになるように調整されている。共振周波数f0は、少なくとも、駆動回路30が出力するPWM信号の駆動周波数(ここでは300KHz)よりも高い周波数である。
なお、共振周波数f0は、浮遊容量や寄生容量その他の影響を考慮しなければ、理論上、f0=1/2π√LCという関係を満たす。ここにおいて、Lは、コイル11の自己インダクタンスである。Cは、コンデンサ12と調整用コンデンサ40との合成容量である。共振周波数f0は、例えば数MHzになるように調整されている。共振周波数f0は、少なくとも、駆動回路30が出力するPWM信号の駆動周波数(ここでは300KHz)よりも高い周波数である。
図2は、コイル11及び給電装置1におけるコイル11周辺の物理的構成の一例を示す図である。図2(a)は、コイル11の平面図である。図2(b)は、図2(a)のI−I線に沿ってコイル11を切断した場合の断面図である。
図2(a)に示すように、コイル11は、前述したように、線材を同一平面上で複数回巻き回した平面コイルである。図2(b)に示すように、給電装置1は、放熱板101と、第1磁性シート102と、基板103と、第2磁性シート104と、第1スペーサ105と、コイル11と、第2スペーサ106とを順に積層した構成を有する。
図1に示したコンデンサ12やN型MOSFET20、駆動回路30及び調整用コンデンサ40の回路要素は、例えば基板103に実装される。ただし、給電装置1の回路要素の一部が基板103以外の場所に設けられてもよい。第1磁性シート102及び第2磁性シート104は、それぞれ基板103の上面側又は下面側に配置され、いわゆる電磁ノイズ削減用のシートである。第1磁性シート102及び第2磁性シート104は、コイル11から離間して設けられた磁性体である。放熱板101は、コイル11が発熱した場合に、基板103に伝導した熱を外部に放出するために設けられている。放熱板101は、熱伝導率の大きい材料を用いて形成される。放熱板101の材料としては、アルミニウムや銅が挙げられ、コイル11の外部磁場による挙動の変化を抑えるために非磁性体であることが好ましい。コイル11に交流電流が流れた場合であっても、第1磁性シート102及び第2磁性シート104によって磁気シールドされるので、放熱板101が誘導加熱されるのを防止することができる。第1スペーサ105及び第2スペーサ106は、それぞれ放熱シート又は樹脂シートによって構成されたスペーサである。
図2(a)に示すように、コイル11は、前述したように、線材を同一平面上で複数回巻き回した平面コイルである。図2(b)に示すように、給電装置1は、放熱板101と、第1磁性シート102と、基板103と、第2磁性シート104と、第1スペーサ105と、コイル11と、第2スペーサ106とを順に積層した構成を有する。
図1に示したコンデンサ12やN型MOSFET20、駆動回路30及び調整用コンデンサ40の回路要素は、例えば基板103に実装される。ただし、給電装置1の回路要素の一部が基板103以外の場所に設けられてもよい。第1磁性シート102及び第2磁性シート104は、それぞれ基板103の上面側又は下面側に配置され、いわゆる電磁ノイズ削減用のシートである。第1磁性シート102及び第2磁性シート104は、コイル11から離間して設けられた磁性体である。放熱板101は、コイル11が発熱した場合に、基板103に伝導した熱を外部に放出するために設けられている。放熱板101は、熱伝導率の大きい材料を用いて形成される。放熱板101の材料としては、アルミニウムや銅が挙げられ、コイル11の外部磁場による挙動の変化を抑えるために非磁性体であることが好ましい。コイル11に交流電流が流れた場合であっても、第1磁性シート102及び第2磁性シート104によって磁気シールドされるので、放熱板101が誘導加熱されるのを防止することができる。第1スペーサ105及び第2スペーサ106は、それぞれ放熱シート又は樹脂シートによって構成されたスペーサである。
以上の構成を有する給電装置1では、LC並列共振回路10が自励発振して発振電圧を発生させ、この発振電圧をコイル11に出力する。この発振電圧が出力されたコイル11は、電磁誘導による磁場を発生させる。この磁場の発生により、給電装置1は、電磁誘導方式により非接触給電を行う。非接触給電を行うときの給電装置1の動作について、詳しくは、後で説明する。一方、給電装置1から非接触で受電する受電装置200は、受電時においては、例えば第2スペーサ106上に置かれる。このとき、受電装置200は、第2スペーサ106を介してコイル11に面するので、電磁誘導方式による受電が可能となる。
図3は、受電装置200の回路構成の一例を示す図である。
図3に示すように、受電装置200は、受電用コイル201と、整流回路202と、抵抗203と、コンデンサ204と、負荷205とを備える。受電用コイル201は、ここでは、線材を同一平面上で複数回巻き回した平面コイルである。コイル11を構成する線材は、例えば、直列抵抗を低減させるために絶縁被覆された複数の導線を撚り合わせた線
材である。給電装置1からの受電時には、受電用コイル201は、コイル11に対向するように配置される。コイル11に交流電圧が印加されて交流電流が流れると、コイル11と受電用コイル201とが磁気的に結合する。この磁気的な結合により、受電用コイル201は誘導起電力(交流電圧)を発生させる。整流回路202は、受電用コイル201の出力電圧を全波整流して、整流した電圧を出力する。抵抗203は、整流回路202により整流された電圧を低下させて調整して出力する。コンデンサ204は、抵抗203が出力した電圧を平滑化する平滑コンデンサである。負荷205は、コンデンサ204により平滑化された電圧が印加される負荷である。負荷205は、例えば直流電圧の印加又は直流電流の供給を受けて動作する電子回路(例えば発光ダイオード)を有するが、その具体的な構成については特に問わない。
図3に示すように、受電装置200は、受電用コイル201と、整流回路202と、抵抗203と、コンデンサ204と、負荷205とを備える。受電用コイル201は、ここでは、線材を同一平面上で複数回巻き回した平面コイルである。コイル11を構成する線材は、例えば、直列抵抗を低減させるために絶縁被覆された複数の導線を撚り合わせた線
材である。給電装置1からの受電時には、受電用コイル201は、コイル11に対向するように配置される。コイル11に交流電圧が印加されて交流電流が流れると、コイル11と受電用コイル201とが磁気的に結合する。この磁気的な結合により、受電用コイル201は誘導起電力(交流電圧)を発生させる。整流回路202は、受電用コイル201の出力電圧を全波整流して、整流した電圧を出力する。抵抗203は、整流回路202により整流された電圧を低下させて調整して出力する。コンデンサ204は、抵抗203が出力した電圧を平滑化する平滑コンデンサである。負荷205は、コンデンサ204により平滑化された電圧が印加される負荷である。負荷205は、例えば直流電圧の印加又は直流電流の供給を受けて動作する電子回路(例えば発光ダイオード)を有するが、その具体的な構成については特に問わない。
図4は、給電装置1が給電するときに行う動作を説明する図である。図4には、駆動回路30が出力する制御信号CSと、接点Nの電位VNの時系列変化と、コイル11からの出力電圧Voの時系列変化とを示すタイミングチャートが示されている。
なお、以下の給電装置1の動作説明において、時刻t0よりも前の期間においては、コイル11に電流は流れておらず、且つ、コンデンサ12は充電されていないものとする。
なお、以下の給電装置1の動作説明において、時刻t0よりも前の期間においては、コイル11に電流は流れておらず、且つ、コンデンサ12は充電されていないものとする。
駆動回路30は、時刻t0よりも前からオフレベルの制御信号CSを出力している。オフレベルの制御信号CSが入力されたN型MOSFET20は、オフする。そして、駆動回路30は、時刻t0になったタイミングで、制御信号CSをオフレベルからオンレベルに切り替える。制御信号CSがオフレベルからオンレベルに切り替わると、N型MOSFET20のゲートGの電位が上昇して、N型MOSFET20がオンし、オン期間が開始する。このオン期間において、給電装置1では、LC並列共振回路10のコンデンサ12(及び調整用コンデンサ40)が、電源ラインLにより印加される直流電圧VDDに基づいて充電される。この充電より、接点Nの電位VNは、時刻t0を経過したときから急激に上昇して、ピーク電位Vpに達する。
電位VNがピーク電位Vpに達するのは、時刻t0が経過したときからごく僅かの時間の経過後である。よって、このときには、コイル11に電流が流れていないか、又は、ほとんど流れていない状態である。すなわち、このタイミングで、LC並列共振回路10が発振条件を満たす。発振条件を満たすと、LC並列共振回路10は、コンデンサ12に蓄えられた電荷を用いて、共振周波数f0で自励発振する。LC並列共振回路10は、自励発振して交流の発振電圧を発生させる。この発振電圧が発生したことによって、時刻t0よりも後である時刻t1において、コイル11の出力電圧Voが最大振幅の+Aに達する。この出力電圧Voの最大振幅Aは、直流電圧VDDに応じた大きさとなる。
なお、接点Nの電位VNにあっては、LC並列共振回路10の自励発振が開始したとき以降は、ピーク電位Vpは急激に低下する。
なお、接点Nの電位VNにあっては、LC並列共振回路10の自励発振が開始したとき以降は、ピーク電位Vpは急激に低下する。
駆動回路30は、時刻t1以降もオンレベルの制御信号CSを継続して出力し、時刻t2になったタイミングで、制御信号CSをオンレベルからオフレベルに切り替える。すなわち、駆動回路30は、時刻t0からt2までの長さtaのオン期間において、オン信号を継続して出力し、その後、オフ信号に出力を切り替える。時刻t2以降、駆動回路30は、オフ信号を継続して出力する。このオフ信号に応じて、N型MOSFET20はオフし、オフ期間が開始する。このオフ期間においても、LC並列共振回路10は、共振周波数f0で自励発振する。この自励発振によって、時刻t2以降のオフ期間においても、高周波の発振電圧がコイル11に出力されて、出力電圧Voは図4に示すように変化する。
この高周波の発振電圧がコイル11に出力されることにより、コイル11の対向空間には高周波の磁場が発生する。受電装置200にあっては、この磁場中に受電用コイル201が置かれることにより、電磁誘導方式による受電が可能となる。
なお、受電用コイル201における出力電圧の波形は、図4に示すコイル11の出力電
圧に近い波形となると考えられるが、振幅については、図4に示す例よりも小さくなると考えられる。
この高周波の発振電圧がコイル11に出力されることにより、コイル11の対向空間には高周波の磁場が発生する。受電装置200にあっては、この磁場中に受電用コイル201が置かれることにより、電磁誘導方式による受電が可能となる。
なお、受電用コイル201における出力電圧の波形は、図4に示すコイル11の出力電
圧に近い波形となると考えられるが、振幅については、図4に示す例よりも小さくなると考えられる。
ところで、図4の時刻t1以降の出力電圧Voの時系列変化を見て分かるように、出力電圧Voが最大振幅Aに達したとき以降は、時間経過とともに、発振電圧の振幅が漸次減衰する。この漸次減衰の発生原因としては、例えば、給電装置1の回路系に存在する抵抗成分の存在があり、例えば、コイル11に含まる直流抵抗やN型MOSFET20のツェナーの存在等がある。
以上のとおり、N型MOSFET20のオフ期間であっても、LC並列共振回路10が自励発振し、高周波の発振電圧がコイル11に出力される一方で、その振幅は時間経過とともに漸次減衰していく。この発振電圧の減衰に伴い、給電装置1が非接触で給電することのできる電力の量が減少する。
以上のとおり、N型MOSFET20のオフ期間であっても、LC並列共振回路10が自励発振し、高周波の発振電圧がコイル11に出力される一方で、その振幅は時間経過とともに漸次減衰していく。この発振電圧の減衰に伴い、給電装置1が非接触で給電することのできる電力の量が減少する。
駆動回路30は、時刻t2から長さtbのオフ期間が経過して、時刻t3になると、制御信号CSをオフレベルからオンレベルに切り替える。制御信号CSがオンレベルに切り替えられると、N型MOSFET20のゲートGの電位が上昇し、オン期間が開始する。このオン期間では、前述したとおり、LC並列共振回路10のコンデンサ12が充電される。この充電により、接点Nの電位VNは、時刻t3の電位から再び急激に上昇して、ピーク電位Vpに達する。そして、LC並列共振回路10は、共振周波数f0で自励発振する。LC並列共振回路10が自励発振すると、時刻t3よりも僅かに後である時刻t4において、コイル11の出力電圧Voは、最大振幅の+Aの発振電圧となる。すなわち、直前のオフ期間(時刻t2からt3までの期間)で、出力電圧Voが低下した場合であっても、再びN型MOSFET20のオン期間が開始することで、出力電圧Voは再び大きくなる。
ここでは、オフ期間の長さtbをオン期間の長さtaよりも大きくし、具体的には3倍の長さとしている。オフ期間の長さtbは、出力電圧Voの振幅の低減をどこまで許容するかによって決定されればよい。例えば、オフ期間をオン期間の10倍の長さ以下とすれば、給電装置1では、受電装置200に安定的に給電するための発振電圧を得ることができる。一方、オン期間の長さtaについては、少なくとも発振条件を満たすように決められ、LC並列共振回路10が飽和しない程度の長さにする必要がある。オン期間taが長すぎると、コイル11に流れる電流が増大しすぎて、LC並列共振回路10の挙動が安定し、発振条件を満たさなくなるためである。オン期間の長さtaは、例えば、コンデンサ12がフル充電される最低時間以上であって、なるべく短い時間とするとよい。
以降においても、駆動回路30は、給電装置1の駆動を行い、時刻t3からオン期間taが経過すると、時刻t5にて制御信号CSをオンレベルからオフレベルに切り替える。そして、時刻t5からt6までの長さtbの期間において、駆動回路30は、N型MOSFET20はオフ期間とする。このオフ期間においても、LC並列共振回路10が、共振周波数f0で自励発振する。以降も、駆動回路30は、長さtaのオン期間と、長さtbのオフ期間とを交互に繰り返すように、制御信号CSを出力する。このオンオフ駆動により、給電装置1では、自励発振による発振電圧を継続して発生させて、この発振電圧を用いて非接触給電を行う。
以上説明したとおり、給電装置1は、N型MOSFET20のオンオフを交互に繰り返して駆動して、LC並列共振回路10を自励発振させて発振電圧を発生させる。給電装置1によれば、発振電圧を継続して発生させ、コイル11に出力するので、非接触給電を安定的に行うことができる。また、共振周波数f0については、給電装置1の回路系の回路定数の設定により、定めることができる。この設定により、給電装置1によれば、高周波電圧を継続して発生させるための回路駆動を低周波数で行うことができる。この結果、給
電装置1では、駆動回路30の駆動周波数を低く抑えることができるので、給電装置1の回路駆動に係る消費電力量の増大を抑えつつ、高周波電力を継続して外部に供給することができる。
電装置1では、駆動回路30の駆動周波数を低く抑えることができるので、給電装置1の回路駆動に係る消費電力量の増大を抑えつつ、高周波電力を継続して外部に供給することができる。
前述した給電装置1では、スイッチとしてN型MOSFET20を用いていたが、P型MOSFET50に代えて用いてもよい。この場合の給電装置1の回路構成は、例えば、図5に示すとおりである。
図5に示すように、給電装置1では、P型MOSFET50は、ソースSが電源ラインLと電気的に接続されて、ドレインDが並列共振回路10の一端と電気的に接続される。調整用コンデンサ40は、一端が並列共振回路10の他端と電気的に接続され、他端が基準電位点としての接地点GNDと電気的に接続される。
図5に示すように、給電装置1では、P型MOSFET50は、ソースSが電源ラインLと電気的に接続されて、ドレインDが並列共振回路10の一端と電気的に接続される。調整用コンデンサ40は、一端が並列共振回路10の他端と電気的に接続され、他端が基準電位点としての接地点GNDと電気的に接続される。
この構成の下、駆動回路30は、P型MOSFET50のゲートGに制御信号CSを出力して、P型MOSFET50のオンオフ動作を行う。ただし、P型MOSFET50を用いた場合には、ドレインDよりも低い電位の制御信号CSの出力によりP型MOSFET50がオン期間となり、ドレインDよりも高い電位の制御信号CSの出力によりP型MOSFET50がオフ期間となる点で、給電装置1の場合とは相違する。ただし、駆動回路30におけるその他の駆動については、N型MOSFET20を用いた給電装置1の場合と同様に行えばよい。この場合も、LC並列共振回路10では、オン期間においてコンデンサ12を充電し、このオン期間に続くオフ期間において自励発振して、高周波数の発振電圧を発生させてコイル11に出力する。
次に、本発明の実施例を図6〜図8を参照して説明する。
発明者らは、図1に示す回路構成の給電装置1を作製して、発振電圧を用いた非接触給電に関する測定を行った。この実施例では、直流電圧VDD=12Vとし、駆動回路30が、駆動周波数が300KHzのパルス波形の制御信号CSを用いてN型MOSFET20を駆動する。また、コイル11及び受電用コイル201に用いたリッツ線は、0.07mmΦのニッケルメッキ線(銅)を7本撚り合わせて絶縁ポリエステルで被覆した線材である。また、コンデンサ12の容量を30pFとした。
コイル11及び受電用コイル201の条件を以下に示す。
(コイル11の条件)
外径(直径) :102mm
内径(直径) :51
厚さ :0.85mm(導通部0.49mm、被覆部0.36mm)
巻数 :30
自己インダクタンス:70.71μH(計算値)
自己共振周波数 :2.8MHz
(受電用コイル201の条件)
外径(直径) :70mm
内径(直径) :43mm
厚さ :0.85mm(導通部0.49mm、被覆部0.36mm)
巻数 :16
自己インダクタンス:17.33μH(計算値)
自己共振周波数 :6.5MHz
発明者らは、図1に示す回路構成の給電装置1を作製して、発振電圧を用いた非接触給電に関する測定を行った。この実施例では、直流電圧VDD=12Vとし、駆動回路30が、駆動周波数が300KHzのパルス波形の制御信号CSを用いてN型MOSFET20を駆動する。また、コイル11及び受電用コイル201に用いたリッツ線は、0.07mmΦのニッケルメッキ線(銅)を7本撚り合わせて絶縁ポリエステルで被覆した線材である。また、コンデンサ12の容量を30pFとした。
コイル11及び受電用コイル201の条件を以下に示す。
(コイル11の条件)
外径(直径) :102mm
内径(直径) :51
厚さ :0.85mm(導通部0.49mm、被覆部0.36mm)
巻数 :30
自己インダクタンス:70.71μH(計算値)
自己共振周波数 :2.8MHz
(受電用コイル201の条件)
外径(直径) :70mm
内径(直径) :43mm
厚さ :0.85mm(導通部0.49mm、被覆部0.36mm)
巻数 :16
自己インダクタンス:17.33μH(計算値)
自己共振周波数 :6.5MHz
また、この実施例においては、図6(a)に示す断面図(図2(b)に対応する断面図である。)のように、基板110上にコイル11を実装し、基板210上に受電用コイル201を実装し、基板110の法線方向において50mmの間隔を空けて、基板110と基板210とを平行に配置した。そして、スペクトラムアナライザ(HP SPECTRUM ANALYZER 8593E(20GHz))の端子を、受電用コイル201の
両端にそれぞれ接続し、図6(b)に示す測定1〜測定16の各測定条件で、受電用コイル201の出力電圧の周波数特性を測定した。図6(b)に示す「測定周期」は、1組のオン期間とオフ期間とを1周期としたときの、1周期の長さ(つまりta+tb)である。「駆動周波数」は、制御信号CSの周波数であり、測定周期の逆数である。「オン期間ta」及び「オフ期間tb」は、前述したとおり、それぞれ、N型MOSFET20のオン期間の長さとオフ期間の長さとを意味する。「電流測定(無負荷)」は、負荷としての基板210及び受電用コイル201がないときに、コイル11を流れる電流を測定した値である。「電流測定(負荷あり)」は、負荷としての基板210及び受電用コイル201があるときに、コイル11を流れる電流を測定した値である。
両端にそれぞれ接続し、図6(b)に示す測定1〜測定16の各測定条件で、受電用コイル201の出力電圧の周波数特性を測定した。図6(b)に示す「測定周期」は、1組のオン期間とオフ期間とを1周期としたときの、1周期の長さ(つまりta+tb)である。「駆動周波数」は、制御信号CSの周波数であり、測定周期の逆数である。「オン期間ta」及び「オフ期間tb」は、前述したとおり、それぞれ、N型MOSFET20のオン期間の長さとオフ期間の長さとを意味する。「電流測定(無負荷)」は、負荷としての基板210及び受電用コイル201がないときに、コイル11を流れる電流を測定した値である。「電流測定(負荷あり)」は、負荷としての基板210及び受電用コイル201があるときに、コイル11を流れる電流を測定した値である。
図7及び図8は、測定1〜測定16における測定結果を示す図である。図7及び図8に示すグラフにおいて、横軸が周波数(10Hz〜20MHz)に対応し、縦軸が受電用コイル201の出力電圧に対応している。
図7に示すように、測定2及び測定3では、広い周波数帯域で、LC並列共振回路10が自励発振することにより、受電用コイル201においても高い出力電圧が得られていることを確認することができた。測定2及び測定3は、オン期間taとオフ期間tbとの長さがほぼ同じ、すなわち、デューティ比が50%の制御信号CSを用いた場合に対応している。測定4〜測定8においても、自励発振によって、受電用コイル201の出力電圧の変動が僅かに生じていることが確認されたが、測定2及び測定3の場合ほどその変動が顕著ではなかった。測定4〜測定8で自励発振が生じにくかった原因として、オン期間taが長くなり過ぎてしまい、LC並列共振回路10が飽和して挙動が安定したことが考えられる。図8に示すように、オン期間が更に長い測定9〜測定16では、スペクトラムアナライザの特性が現れているだけで、自励発振の発生を確認することができなかった。測定1でも、自励発振の発生を確認することができなかった。
以上の測定により、給電装置1によれば、オン期間taとオフ期間tbとの長さを同じにし、デューティ比が50%のPWM信号を制御信号CSとすることによっても、発振電圧が発生することを確認した。
図7に示すように、測定2及び測定3では、広い周波数帯域で、LC並列共振回路10が自励発振することにより、受電用コイル201においても高い出力電圧が得られていることを確認することができた。測定2及び測定3は、オン期間taとオフ期間tbとの長さがほぼ同じ、すなわち、デューティ比が50%の制御信号CSを用いた場合に対応している。測定4〜測定8においても、自励発振によって、受電用コイル201の出力電圧の変動が僅かに生じていることが確認されたが、測定2及び測定3の場合ほどその変動が顕著ではなかった。測定4〜測定8で自励発振が生じにくかった原因として、オン期間taが長くなり過ぎてしまい、LC並列共振回路10が飽和して挙動が安定したことが考えられる。図8に示すように、オン期間が更に長い測定9〜測定16では、スペクトラムアナライザの特性が現れているだけで、自励発振の発生を確認することができなかった。測定1でも、自励発振の発生を確認することができなかった。
以上の測定により、給電装置1によれば、オン期間taとオフ期間tbとの長さを同じにし、デューティ比が50%のPWM信号を制御信号CSとすることによっても、発振電圧が発生することを確認した。
本発明は、上述した実施形態と異なる形態で実施することが可能である。本発明は、例えば、以下のような形態で実施することも可能である。また、以下に示す変形例は、各々を適宜に組み合わせてもよい。
上述した実施形態では、スイッチは、N型又はP型のMOSFETであったが、MOSFET以外のTFTを用いたスイッチ等の、他のスイッチであってもよい。給電装置1では、オン期間とオフ期間とを交互に繰り返せるようにこのスイッチを駆動して、LC並列共振回路10を自励発振させれば、発振電圧による非接触給電を行うことができる。
上述した実施形態では、スイッチは、N型又はP型のMOSFETであったが、MOSFET以外のTFTを用いたスイッチ等の、他のスイッチであってもよい。給電装置1では、オン期間とオフ期間とを交互に繰り返せるようにこのスイッチを駆動して、LC並列共振回路10を自励発振させれば、発振電圧による非接触給電を行うことができる。
また、駆動回路30の駆動周波数は、必ずしも一定値に設定される必要はない。例えば、給電装置1は、コイル11に発生した発振電圧の振幅を測定して、閾値電圧以上の発振電圧を継続して発生させることができるように、発振電圧が閾値以下に減衰するまではオフ期間とし、発振電圧が閾値以下になるとオン期間に切り替えてもよい。
また、給電装置1では、自装置の回路系の共振周波数を測定する回路を設け、所望する共振周波数が得られるように、コンデンサ12や調整用コンデンサ40の容量を自動調整してもよい。
また、コンデンサ12は容量固定のコンデンサであってもよい。
また、給電装置1では、自装置の回路系の共振周波数を測定する回路を設け、所望する共振周波数が得られるように、コンデンサ12や調整用コンデンサ40の容量を自動調整してもよい。
また、コンデンサ12は容量固定のコンデンサであってもよい。
LC並列共振回路を用いた発振回路では、負性抵抗を発生する回路を並列共振回路と電気的に接続することで、発振電圧の減衰を抑えられることが知られている。よって、給電装置1において、負性抵抗を発生する回路がLC並列共振回路10と電気的に接続されてもよい。
また、制御信号CSの信号波形は、方形波に限らず、サイン波や三角波等であってもよ
い。
また、制御信号CSの信号波形は、方形波に限らず、サイン波や三角波等であってもよ
い。
本発明のコイルは、円形の平面コイルに限らず、四角形その他の多角形等、他の形状の平面コイルで構成されてもよい。また、本発明は、ソレノイドコイルその他の種類のコイルを用いて実施することも可能である。
本発明は、上述した実施形態の給電装置1と、受電用コイル201で受電した電力を外部に出力する受電装置200とをユニット化した受給電システムを構成してもよい。この受給電システムはトランスに相当する。また、この受給電システムは、コイル11及び受電用コイル201が平面コイルで構成されていれば、薄型のトランスとして提供することが可能である。これ以外にも、本発明は、本発明の高周波電圧発生装置を含み、発振電圧をコイルに出力して電磁誘導方式の非接触給電を行う給電装置と、このコイルと磁気的に結合する受電用コイルを含む受電装置とを含む受給電システムとして特定することができる。
1…給電装置、10…LC並列共振回路、11…コイル、12…コンデンサ、20…N型MOSFET、30…駆動回路、40…調整用コンデンサ、50…P型MOSFET。
Claims (6)
- 互いに並列接続されたコイルとコンデンサとを含み、一端が、直流電圧源及び基準電位点の一方と電気的に接続された並列共振回路と、
一端が前記並列共振回路の他端と電気的に接続され、他端が、前記直流電圧源及び前記基準電位点の他方と電気的に接続され、制御端子に入力された制御信号に応じてオンオフするスイッチと、
前記スイッチをオンさせるオン期間と、前記スイッチをオフさせるオフ期間とを交互に繰り返すための前記制御信号を、前記制御端子へ出力する駆動回路と
を備え、
前記並列共振回路は、
前記オン期間に前記コンデンサを充電し、
前記オフ期間に自励発振して、前記コイルに発振電圧を出力する
ことを特徴とする高周波電圧発生装置。 - 前記駆動回路は、
前記オン期間よりも前記オフ期間を長くするように、前記制御信号を出力する
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波電圧発生装置。 - 前記駆動回路は、
前記制御信号として、デューティ比が50%のPWM(Pulse Width Modulation)信号を出力する
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波電圧発生装置。 - 一端が前記並列共振回路と電気的に接続され、他端が前記基準電位点と電気的に接続された、共振周波数調整用のコンデンサを備える
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の高周波電圧発生装置。 - 前記コイルが平面コイルにより構成される
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の高周波電圧発生装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の高周波電圧発生装置を含み、前記発振電圧を前記コイルに出力して電磁誘導方式の非接触給電を行う給電装置と、
前記コイルと磁気的に結合する受電用コイルを含む受電装置と
を備えることを特徴とする受給電システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012280766A JP2014128048A (ja) | 2012-12-25 | 2012-12-25 | 高周波電圧発生装置及び受給電システム |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018117510A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-26 | 入野 晃一 | 電力変換装置 |
JP2018530288A (ja) * | 2015-07-20 | 2018-10-11 | アモセンス・カンパニー・リミテッドAmosense Co., Ltd. | 無線電力送信モジュール |
JP7491735B2 (ja) | 2020-05-18 | 2024-05-28 | トヨタ自動車東日本株式会社 | エネルギ振動型伝送システム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09149565A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-06-06 | Hitachi Maxell Ltd | 非接触転送電源装置 |
JP2006060909A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 非接触電力伝送装置 |
JP2006230104A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 充電装置 |
JP2010161882A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 非接触電力伝送回路 |
JP2012195993A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Nagano Japan Radio Co | 受電装置および非接触型電力伝送装置 |
-
2012
- 2012-12-25 JP JP2012280766A patent/JP2014128048A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09149565A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-06-06 | Hitachi Maxell Ltd | 非接触転送電源装置 |
JP2006060909A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 非接触電力伝送装置 |
JP2006230104A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 充電装置 |
JP2010161882A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 非接触電力伝送回路 |
JP2011217605A (ja) * | 2009-01-08 | 2011-10-27 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 非接触電力伝送回路 |
JP2012195993A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Nagano Japan Radio Co | 受電装置および非接触型電力伝送装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018530288A (ja) * | 2015-07-20 | 2018-10-11 | アモセンス・カンパニー・リミテッドAmosense Co., Ltd. | 無線電力送信モジュール |
JP2018117510A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-26 | 入野 晃一 | 電力変換装置 |
JP7491735B2 (ja) | 2020-05-18 | 2024-05-28 | トヨタ自動車東日本株式会社 | エネルギ振動型伝送システム |
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