JP2014127606A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】イオンマイグレーションの誘発を回避しつつ、基板の上面における反射率の低下を防止する新たな発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に載置される複数の発光素子と、前記基板上に設けられ前記複数の発光素子に電気的に接続される第1電極及び第2電極と、前記第1電極の第1領域と前記第2電極の第2領域とに接続部材を介して正負の電極がそれぞれ接続される保護素子と、を備えた発光装置であって、前記第1電極と前記第2電極とから絶縁された光反射膜が付着する導電部材を前記基板上における前記第1領域と前記第2領域との間に備える発光装置である。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、複数の発光素子からなる直列回路を蛇行させて基板上に配置することにより、アノードとカソードとを大きく離間させ、これらの間で生じるイオンマイグレーションを抑制する発光装置が提案された(特許文献1参照)。
特開2009−158872号公報
しかしながら、従来の発光装置では、アノードとカソードとが大きく離間する結果、これらの間に位置する基板の上面が大きく露出してしまい、基板の上面における反射率が低下するという問題があった。
そこで、本発明は、イオンマイグレーションの誘発を回避しつつ、基板の上面における反射率の低下を防止する新たな発光装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。すなわち、基板と、前記基板上に載置される複数の発光素子と、前記基板上に設けられ前記複数の発光素子に電気的に接続される第1電極及び第2電極と、前記第1電極の第1領域と前記第2電極の第2領域とに接続部材を介して正負の電極がそれぞれ接続される保護素子と、を備えた発光装置であって、前記第1電極と前記第2電極とから絶縁された光反射膜が付着する導電部材を前記基板上における前記第1領域と前記第2領域との間に備えることを特徴とする発光装置である。
本発明の実施形態に係る発光装置の模式的斜視図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の模式的平面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の模式的断面図である。
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の模式的斜視図であり、図2は、本発明の実施形態に係る発光装置の模式的平面図である。
図1、2に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置1は、基板2と、基板2上に載置される複数の発光素子3と、基板2上に設けられ複数の発光素子3に電気的に接続される第1電極4及び第2電極5と、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとに接続部材6(例:ワイヤ)を介して正負の電極がそれぞれ接続される保護素子7と、を備えた発光装置であって、第1電極4と第2電極5とから絶縁された光反射膜9が付着する導電部材8を基板2上における第1領域4aと第2領域5aとの間に備える。
第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとは、保護素子7の正負の電極が接続される領域(例:アノードとして機能する領域、カソードとして機能する領域)であるため電位差が大きく(例えば12V以上)、イオンマイグレーションの誘発を回避するためにある程度離して設けられている。しかしながら、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとを離して設けると、これら領域の間に位置する基板2の上面における反射率が低下する。そこで、本発明の実施形態に係る発光装置1では、これら領域の間に導電部材8を設けることにした。この導電部材8は、光反射膜9が付着されたものであるとともに、第1電極4と第2電極5とから絶縁されたものであるため、本発明の実施形態に係る発光装置1によれば、イオンマイグレーションの誘発を回避しつつ、基板2上面における反射率の低下を防止することができる。
以下、各部材について詳細に説明する。
[基板]
基板2には、発光素子3から放出される光や外光などが透過しにくいある程度の強度を有する絶縁性部材を好ましく用いることができる。このような絶縁性部材としては、例えば、セラミックス(Al、AlNなど)、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)などの樹脂を一例として挙げることができる。これらの樹脂に、ガラス繊維や、SiO、TiO、Alなどの無機フィラーを混合すれば、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、及び光反射率の向上などを図ることができる。
基板2の形状は、特に限定されない。図1では、平面板状の基板2を一例として示したが、例えば凹部(キャビティ)などが設けられた基板など、平面板状の基板2以外にも様々な形状をした基板を用いることができる。
[複数の発光素子]
複数の発光素子3には、例えば発光ダイオードを用いることができる。複数の発光素子3は、フリップチップ実装される。フリップチップ実装する場合は、発光素子3の基板層(例えばサファイア)を上面に向け、発光層(例えばGaN)を実装面側に配置し、実装する。こうすることで、発光層から直接得られる光よりも、発光層から基板層に抜ける光のほうがより多くなる。つまり、より高い効率が得られる。これは、基板層の屈折率よりも、発光層の屈折率のほうが高いためである。なお、ワイヤーボンディングやダイボンディングなどで複数の発光素子3を実装することも可能である。
[第1電極及び第2電極]
第1電極4及び第2電極5には、基板2の材質に応じた様々な部材を用いることができる。例えば基板2としてセラミックなどを用いる場合には、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する部材を第1電極4及び第2電極5として用いるのが好ましい。このような部材の一例としては、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を挙げることができる。
これらの金属の上には、さらに、単層または多層の金属膜を形成することができ、このように金属膜が形成されたものを第1電極4及び第2電極5として用いることもできる。このような金属膜の一例としては、銀、銅、金、アルミニウム、ロジウムなどの単体又はこれらの合金を挙げることができるが、熱伝導率などに優れているため、金の単体を用いることが特に好ましい。金属膜の膜厚は、これが単層である場合は、0.05μm〜50μm程度であることが好ましく、これが多層膜である場合は、層全体の厚さを0.05μm〜50μm程度とするのが好ましい。
[保護素子]
保護素子7には、例えば、ツェナー・ダイオードを用いることができる。保護素子7の正負の電極は、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとにワイヤボンドやフリップチップ実装などによって接続される。
[導電部材]
導電部材8は、第1電極4と第2電極5とから絶縁されており、基板2上における第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとの間に設けられる。
導電部材8は、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとの最短距離が例えば1mmである場合には、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとからそれぞれ0.05mm〜0.2mm程度離間させて配置されることが好ましい。このようにすれば、電気的な方法(例:めっき、電着塗装、静電塗装)を用いて導電部材8に光反射膜9を付着させる際に、第1領域4aと導電部材8との間や第2領域5aと導電部材8との間を光反射膜9で覆うことが容易になる(図3(c)参照)。
導電部材8は、基板2が複数連結された集合基板の状態であるときに第1電極4と第2電極5とに電気的に接続されていた部材であることが好ましく、特に、第1電極4及び第2電極5と同じ材質からなることが好ましい。このようにすれば、集合基板の状態で第1電極4及び第2電極5と導電部材8とが共通の電位を持つため、基板2が複数連結された集合基板の状態であるときに第1電極4及び第2電極5に通電することができる。このため、電気的な方法(例:めっき、電着塗装、静電塗装)によって第1電極4、第2電極5、及び導電部材8に光反射膜9を付着させることが容易になる。
上記の場合、図1に示すように、第1電極4及び第2電極5と導電部材8とは、個別の基板2の内部を通って個別の基板2の側面から露出するよう設けられることが好ましい(図1中の基板2の側面に示した第1電極4、第2電極5、及び導電部材8を参照。)。このようにすれば、第1電極4及び第2電極5と導電部材8とを電気的に接続する内部配線を、集合基板を個別の基板2に分割する際に切断することができる。つまり、集合基板の内部には、第1電極4、第2電極5、及び導電部材8を互いに接続する内部配線が埋まっており、この内部配線は、集合基板の状態において集合基板の上面には露出しない。しかし、この内部配線は、集合基板が個別の基板2へと分割される際に集合基板とともに切断され、その切断面が集合基板の分割面(個別の基板2の側面)から露出する。これにより、第1電極4及び第2電極5と導電部材8とは、互いに電気的に接続されていないものとなり、個別の基板2の内部を通って個別の基板2の側面から露出することになる。
なお、第1電極4及び第2電極5については、これらが基板2の内部を通って基板2の側面から露出している場合、基板2の裏面を金属体に接触させて駆動させると、沿面放電によって短絡する虞がある。そこで、第1電極4及び第2電極5と基板2の裏面との沿面距離は、1.5mm以上、より好ましくは2mm以上とされていることが好ましい。このようにすれば、第1電極4及び第2電極5と金属体との距離が1.5mm以上、より好ましくは2mm以上離れるため、短絡が回避される。なお、沿面距離は、基板2の厚みを厚くすることで長くしてもよいし、基板2の側面を凹状とすることで長くしてもよい。
導電部材8は、第1電極4の第1領域4aと第2電極5の第2領域5aとの間に生じる基板2の上面が露出した領域を可能な限り少なくする形状にすることが好ましい。このようにすれば、導電部材8の面積が広がるため、より多くの面積を導電部材8、あるいは導電部材8とこれに付着する光反射膜9で覆うことができる。また、導電部材8の方が基板2よりも熱伝導率が高い場合は、導電部材8の面積が広がるため、放熱性が向上する。
[光反射膜]
図3は、本発明の実施形態に係る発光装置の模式的断面図であり、図3(a)〜(c)は、いずれも、図2におけるA-A断面の一例である。
図3に示すように、光反射膜9は、導電部材8に付着する。また、本発明の実施形態に係る発光装置では、導電部材8に加えて、第1電極4と第2電極5とにも光反射膜9が付着する。光反射膜9には、金属や絶縁部材などを用いることができる。
(金属)
光反射膜9として用いる金属には、少なくとも基板2の反射率よりも高い反射率であれば好ましく、例えば、Ag、Rh、Au、Alなどを用いることができる。
(絶縁部材)
光反射膜9として用いる絶縁部材には、白色のフィラー(例:絶縁性の無機化合物からなる白色フィラー)を好ましく用いることができる。ただし、ここでの白色には、フィラー自体が透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含まれる。
白色フィラーの一例としては、例えば、SiO、Al、TiO、ZrO、ZnO、Nb、MgO、SrO、In、TaO、HfO、SeO、Yなどの酸化物や、SiN、AlN、AlONなどの窒化物、MgFなどのフッ化物を挙げることができる。これらは、単独で用いても良いし、または、混合して用いてもよい。あるいは、積層させてもよい。
フィラーの粒径は、1nm〜10μm程度のものを用いることが好ましく、100nm〜5μm程度のものを用いることがより好ましい。このようにすれば、光を良好に散乱させることができる。
フィラーの形状は、例えば、球形や鱗片形状などにすることができる。
(付着方法)
図3(a)に示すように、光反射膜9に金属を用いる場合には、めっきにより、これを第1電極4、第2電極5、及び導電部材8に付着させることができる。この場合は、保護素子7を実装する前に光反射膜9を付着させるため、光反射膜9が保護素子7及び接続部材6に付着しない。
図3(b)に示すように、光反射膜9に絶縁部材を用いる場合には、電着塗装により、これを第1電極4、第2電極5、及び導電部材8に付着させることができる。この場合は、保護素子7を実装した後に光反射膜9を付着させるため、光反射膜9が保護素子7及び接続部材6に付着する(保護素子7及び接続部材6が第1電極4及び第2電極5に導通しているため。)。
図3(c)に示すように、光反射膜9に白色フィラー(絶縁部材の一例)を用いる場合には、電着塗装により、これを第1電極4、第2電極5、及び導電部材8に付着させることができる。この場合は、白色フィラーの厚みを増していくと、導電部材8の上面や側面についた白色フィラーの厚みが増していき、やがて、導電部材8間のギャップが白色フィラーで埋まる。このようにすると、基板2の上面が露出した領域も光反射膜9で覆うことができるため、より好ましい。なお、後述のリフレクタ10を設ける場合は、リフレクタ10で被覆される部分についてはこの限りではない。
[リフレクタ、透光性部材]
図1、2、3に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置1は、さらに、複数の発光素子3の光を反射させるリフレクタ10と、複数の発光素子3を封止する透光性部材11と、を備えている。
(リフレクタ)
リフレクタ10には、例えば、TiO、Al、ZrO、MgOなどの反射部材を含有したフェノール樹脂、エポキシ樹脂、BT樹脂、PPA樹脂、またはシリコーン樹脂などの光反射性樹脂を用いることができる。
リフレクタ10は、複数の発光素子3を囲むように設けることにより、透光性部材11を充填するための枠としても用いることができる。
(透光性部材)
透光性部材11には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、またはユリア樹脂などを用いることができる。これらの樹脂には、蛍光体、着色剤、光拡散剤などを含有させてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明は、これらの説明によって何ら限定されるものではない。
1 発光装置
2 基板
3 発光素子
4 第1電極
4a 第1領域
5 第2電極
5a 第2領域
6 接続部材
7 保護素子
8 導電部材
9 光反射膜
10 リフレクタ
11 透光性部材

Claims (10)

  1. 基板と、前記基板上に載置される複数の発光素子と、前記基板上に設けられ前記複数の発光素子に電気的に接続される第1電極及び第2電極と、前記第1電極の第1領域と前記第2電極の第2領域とに接続部材を介して正負の電極がそれぞれ接続される保護素子と、を備えた発光装置であって、
    前記第1電極と前記第2電極とから絶縁された光反射膜が付着する導電部材を前記基板上における前記第1領域と前記第2領域との間に備えることを特徴とする発光装置。
  2. 前記第1電極と前記第2電極との電位差が12V以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第1電極、前記第2電極、及び前記導電部材が前記基板の内部を通って前記基板の側面から露出することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第1電極、前記第2電極、及び前記導電部材が同じ材質からなることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記導電部材は、前記基板が複数連結された集合基板の状態であるときに前記第1電極と前記第2電極とに電気的に接続されていた部材であり、
    前記光反射膜は、前記基板が複数連結された集合基板の状態であるときに前記第1電極及び前記第2電極に通電することによって前記第1電極、前記第2電極、及び前記導電部材に付着されたものである、
    ことを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
  6. 前記光反射膜は、金属であることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記光反射膜は、前記第1電極、前記第2電極、及び前記導電部材にめっきにより付着されることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記光反射膜は、絶縁部材であり、前記第1電極、前記第2電極、及び前記導電部材に電着塗装により付着されることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  9. 前記絶縁部材は、白色のフィラーであることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
  10. 前記発光素子がフリップチップ実装されることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の発光装置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008192949A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2011228369A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012028630A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
WO2012050994A2 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
JP2012156442A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008192949A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2011228369A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2012028630A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
WO2012050994A2 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
JP2012156442A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

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