JP2014126553A - 位置検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度にかかわらず検出対象の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度が高い位置検出装置を提供する。
【解決手段】第1磁束伝達部20は、回転体12に設けられる。第2磁束伝達部30は、第1磁束伝達部20との間に隙間101を形成するよう回転体12に設けられる。第1電磁石40は、第1磁束伝達部20の一端と第2磁束伝達部30の一端との間に設けられる。第2電磁石50は、第1磁束伝達部20の他端と第2磁束伝達部30の他端との間に設けられる。ホールIC60は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101において回転体12に対し相対移動可能なようモールド部9に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。
【選択図】図2
【解決手段】第1磁束伝達部20は、回転体12に設けられる。第2磁束伝達部30は、第1磁束伝達部20との間に隙間101を形成するよう回転体12に設けられる。第1電磁石40は、第1磁束伝達部20の一端と第2磁束伝達部30の一端との間に設けられる。第2電磁石50は、第1磁束伝達部20の他端と第2磁束伝達部30の他端との間に設けられる。ホールIC60は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101において回転体12に対し相対移動可能なようモールド部9に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。
【選択図】図2
Description
本発明は、検出対象の位置を検出する位置検出装置に関する。
従来、磁石等の磁束発生手段を用い、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置が知られている。例えば特許文献1に記載された位置検出装置では、2つの磁石および2つの磁束伝達部が基準部材に設けられている。ここで、2つの磁石は、磁極が2つの磁束伝達部の両端部に挟まれている。2つの磁束伝達部間に形成された隙間には、一方の磁束伝達部から他方の磁束伝達部に向かって漏洩磁束が流れている。磁束密度検出手段は、2つの磁束伝達部間の隙間を検出対象とともに移動し、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。これにより、位置検出装置は、磁束密度検出手段から出力される信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出する。
特許文献1の位置検出装置では、体格および種類等が同じ2つの磁石を、磁極の向きが逆になるようにして2つの磁束伝達部の両端部に設けている。そのため、2つの磁束伝達部間の隙間の中心において、磁束の向きが反転する。つまり、2つの磁束伝達部間の隙間の長手方向の中心、すなわち、検出対象および磁束密度検出手段の可動範囲の中心に、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」が設定されている。
一般に、磁束密度検出手段の移動範囲内で「磁束密度の絶対値が最小となる位置」では、磁束発生手段の温度係数による磁力変化が生じないため、温度に対する耐性が良好である。そのため、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」では、それ以外の位置と比べ、検出対象の位置の検出精度が高くなる。これにより、特許文献1の位置検出装置では、2つの磁束伝達部間の隙間の中心の位置で位置検出精度が高くなり、隙間の端部近傍等、隙間の中心以外の位置では位置検出精度が低くなる。したがって、「温度にかかわらず位置検出精度の高い位置」が、検出対象の可動範囲の中心に固定されるといった問題が生じる。よって、例えば検出対象の可動範囲の端部近傍において最も高い位置検出精度を必要とする検出対象に対しては、特許文献1の位置検出装置は不適となるおそれがある。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度にかかわらず検出対象の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度が高い位置検出装置を提供することにある。
本発明は、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置であって、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部と第1電磁石と第2電磁石と磁束密度検出手段とを備えている。
第1磁束伝達部は、検出対象または基準部材の一方に設けられる。第2磁束伝達部は、第1磁束伝達部との間に隙間を形成するよう検出対象または基準部材の一方に設けられる。
第1磁束伝達部は、検出対象または基準部材の一方に設けられる。第2磁束伝達部は、第1磁束伝達部との間に隙間を形成するよう検出対象または基準部材の一方に設けられる。
第1電磁石は、第1磁束伝達部の一端と第2磁束伝達部の一端との間に設けられる。これにより、第1電磁石から発生した磁束は、第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の一端から第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の他端へ伝達される。
第2電磁石は、第1磁束伝達部の他端と第2磁束伝達部の他端との間に設けられる。これにより、第2電磁石から発生した磁束は、第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の他端から第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の一端へ伝達される。
第2電磁石は、第1磁束伝達部の他端と第2磁束伝達部の他端との間に設けられる。これにより、第2電磁石から発生した磁束は、第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の他端から第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の一端へ伝達される。
磁束密度検出手段は、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間において検出対象または基準部材の一方に対し相対移動可能なよう検出対象または基準部材の他方に設けられる。磁束密度検出手段は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。ここで、磁束密度検出手段を主に通過する磁束は、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間を、第1磁束伝達部から第2磁束伝達部へ、または、第2磁束伝達部から第1磁束伝達部へ流れる漏洩磁束である。
上記構成により、位置検出装置は、磁束密度検出手段が出力した信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出することができる。
上記構成により、位置検出装置は、磁束密度検出手段が出力した信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出することができる。
上述のように、本発明では、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の両端部に第1電磁石および第2電磁石が設けられている。そのため、例えば第1電磁石および第2電磁石のコイルの巻数を個別に設定する、あるいは、第1電磁石および第2電磁石に供給する電流を制御すること等により、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間の磁束密度検出手段の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、前記隙間の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。つまり、本発明では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を、検出対象の可動範囲の任意の位置に設定可能である。そのため、可動範囲の任意の位置で最も高い位置検出精度を必要とする検出対象に本発明の位置検出装置を適用した場合、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を、「最も高い位置検出精度を必要とする位置」に合わせることができる。
一般に、磁束密度検出手段の移動範囲内で「磁束密度の絶対値が最小となる位置」では、磁束発生手段の温度係数による磁力変化が生じないため、温度に対する耐性が良好である。したがって、本発明では、温度にかかわらず検出対象の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度を高くすることができる。
以下、本発明の複数の実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図面に基づき説明する。なお、複数の実施形態において実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図1、2に示す。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図1、2に示す。
アクチュエータ1は、例えば図示しない車両のスロットルバルブを駆動する駆動源として用いられる。アクチュエータ1は、モータ2、ハウジング5、カバー6、電子制御ユニット(以下、「ECU」という)11、回転体12および位置検出装置10等を備えている。
図1に示すように、モータ2は、出力軸3およびモータ端子4等を有している。モータ2には、モータ端子4を経由して電力が供給される。これによりモータ2が回転駆動する。モータ2の回転は、出力軸3から出力される。出力軸3は、例えば図示しないギア等を経由してスロットルバルブに接続される。そのため、モータ2が回転駆動することにより、スロットルバルブが回転する。
ハウジング5は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、内側にモータ2を収容している。
カバー6は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、底部に形成された穴部7に出力軸3が挿通した状態で、開口部がハウジング5の開口部に当接するよう設けられている。これにより、カバー6とモータ2との間に空間100が形成されている。
カバー6は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、底部に形成された穴部7に出力軸3が挿通した状態で、開口部がハウジング5の開口部に当接するよう設けられている。これにより、カバー6とモータ2との間に空間100が形成されている。
カバー6は、筒部から径方向外側へ筒状に延びるコネクタ8を有している。コネクタ8の内側には、モータ端子4の端部が露出している。コネクタ8には、ECU11に接続するワイヤーハーネスの端部が接続される。これにより、図示しないバッテリからの電力がECU11、ワイヤーハーネスおよびモータ端子4を経由してモータ2に供給される。
ECU11は、例えば演算手段としてのCPU14、記憶手段としてのROMおよびRAM、ならびに、入出力手段等を備えた小型のコンピュータである。ECU11は、車両の各部に取り付けられたセンサからの信号等に基づき、車両に搭載された各種装置類の作動を制御する。
ECU11は、例えばアクセルペダルの開度信号等に基づき、モータ2に供給する電力を制御する。モータ2に電力が供給されると、モータ2が回転し、スロットルバルブが回転する。これにより、スロットルバルブが吸気通路を開閉し、吸気通路を流れる吸気の量が調整される。なお、本実施形態では、ECU11は、例えばISC(アイドルスピードコントロール)機能により、アクセルペダルの開度信号にかかわらず、モータ2への電力の供給を制御する場合がある。
回転体12は、例えば樹脂により円板状に形成され、空間100に設けられている。回転体12は、中心を出力軸3が貫いた状態で出力軸3に固定されている。これにより、出力軸3が回転すると、回転体12は出力軸3とともに回転する。出力軸3とスロットルバルブとは例えばギア等により接続されているため、回転体12の回転位置は、スロットルバルブの回転位置に対応している。
本実施形態では、位置検出装置10は、カバー6に対し相対回転移動する回転体12の回転位置を検出する。そのため、位置検出装置10により、カバー6に対し相対回転移動する回転体12の回転位置を検出すれば、スロットルバルブの回転位置を検出でき、スロットルバルブの開度を検出することができる。よって、位置検出装置10をスロットルポジションセンサとして用いることができる。
図1、2に示すように、位置検出装置10は、第1磁束伝達部20、第2磁束伝達部30、第1電磁石40、第2電磁石50、磁束密度検出手段としてのホールIC60、第1集磁部70、および、第2集磁部80等を備えている。
第1磁束伝達部20は、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第1磁束伝達部20は、回転体12に形成された円弧状の穴部13に設けられている。第1磁束伝達部20は、長手方向が、回転体12の回転中心Oを中心とする第1仮想円弧C1に沿う形状に形成されている(図2参照)。
第2磁束伝達部30は、第1磁束伝達部20と同様、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第2磁束伝達部30は、回転体12に形成された穴部13に設けられている。第2磁束伝達部30は、長手方向が、回転体12の回転中心Oを中心とし第1仮想円弧C1より半径が大きい第2仮想円弧C2に沿う形状に形成されている(図2参照)。
図1、2に示すように、第1磁束伝達部20および第2磁束伝達部30は、第1仮想円弧C1の径方向で対向するよう回転体12の穴部13に設けられている。これにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間に円弧状の隙間101が形成されている(図2参照)。
第1電磁石40は、心部41およびコイル42等を有している。心部41は、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により棒状に形成されている。心部41は、一端43が第1磁束伝達部20の一端に接続し、他端44が第2磁束伝達部30の一端に接続するよう、第1磁束伝達部20および第2磁束伝達部30と一体に形成されている。コイル42は、例えば銅等の金属により形成され、心部41に巻回されるようにして設けられている。コイル42に電流が供給されると、心部41から磁束が発生する。本実施形態では、例えば心部41の一端43側がN極、他端44側がS極となるようコイル42に電流が供給される。これにより、第1電磁石40の心部41から発生した磁束は、第1磁束伝達部20の一端から他端へ伝達される。
第2電磁石50は、心部51およびコイル52等を有している。心部51は、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により棒状に形成されている。心部51は、一端53が第2磁束伝達部30の他端に接続し、他端54が第1磁束伝達部20の他端に接続するよう、第1磁束伝達部20および第2磁束伝達部30と一体に形成されている。コイル52は、例えば銅等の金属により形成され、心部51に巻回されるようにして設けられている。コイル52に電流が供給されると、心部51から磁束が発生する。本実施形態では、例えば心部51の一端53側がN極、他端54側がS極となるようコイル52に電流が供給される。これにより、第2電磁石50の心部51から発生した磁束は、第2磁束伝達部30の他端から一端へ伝達される。
ここで、第1電磁石40および第2電磁石50に電流が供給されているとき、隙間101を第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。
ここで、第1電磁石40および第2電磁石50に電流が供給されているとき、隙間101を第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。
なお、本実施形態では、第1電磁石40のコイル42と第2電磁石50のコイル52とは、巻数が同じに設定されている。そのため、第1電磁石40と第2電磁石50とに同じ電流が供給されている場合、隙間101の長手方向の中心と第1電磁石40との間では第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ漏洩磁束が流れ、隙間101の長手方向の中心と第2電磁石50との間では第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。ここで、隙間101の長手方向において、第1電磁石40または第2電磁石50に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。また、隙間101の長手方向の中心では磁束密度が0になる。
また、第1電磁石40の周囲には、一端43から他端44に磁束が飛ぶようにして流れる。また、第2電磁石50の周囲には、一端53から他端54に磁束が飛ぶようにして流れる。
また、第1電磁石40の周囲には、一端43から他端44に磁束が飛ぶようにして流れる。また、第2電磁石50の周囲には、一端53から他端54に磁束が飛ぶようにして流れる。
ホールIC60は、信号出力素子としてのホール素子61、封止体62、および、センサ端子63等を有している。ホール素子61は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。封止体62は、例えば樹脂により矩形の板状に形成されている。センサ端子63は、一端がホール素子61に接続している。封止体62は、ホール素子61の全部、および、センサ端子63の一端側を覆っている。ここで、ホール素子61は、封止体62の中央に位置している。
ホールIC60の封止体62およびセンサ端子63の一端側は、モールド部9によりモールドされている。モールド部9は、例えば樹脂により四角柱状に形成されている。ホールIC60の封止体62は、モールド部9の一端側に位置するようモールドされている。
モールド部9は、一端が隙間101に位置するよう、かつ、他端がカバー6の底部に接続するよう、カバー6に設けられている。これにより、ホールIC60は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101において、回転体12に対し相対回転移動可能である。ここで、カバー6およびモールド部9は特許請求の範囲における「基準部材」に対応し、回転体12は特許請求の範囲における「検出対象」に対応している。
ホールIC60のセンサ端子63は、他端がカバー6のコネクタ8の内側に露出するよう、カバー6にインサート成形されている。そのため、ECU11に接続するワイヤーハーネスの端部がコネクタ8に接続されると、ホールIC60のホール素子61とECU11とが接続される。これにより、ホール素子61からの信号がECU11に伝達される。
ここで、ホールIC60のホール素子61を主に通過する磁束は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を、第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ流れる漏洩磁束である。
ここで、ホールIC60のホール素子61を主に通過する磁束は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を、第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ流れる漏洩磁束である。
上述のように、本実施形態では、第1電磁石40と第2電磁石50とに同じ電流が供給されている場合、隙間101の長手方向の中心と第1電磁石40との間では第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ漏洩磁束が流れ、隙間101の長手方向の中心と第2電磁石50との間では第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。また、隙間101の長手方向において、第1電磁石40または第2電磁石50に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。
そのため、例えば第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる方向を負の向きとすると、ホールIC60の位置が隙間101の第2電磁石50付近から第1電磁石40付近へ相対回転移動すると、負の値から正の値へと磁束密度が単調増加するため、任意の回転位置に対して磁束密度の値が一意に決まり、それに応じてホールIC60からの出力も、回転位置に対して一意に決まる。
そのため、例えば第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる方向を負の向きとすると、ホールIC60の位置が隙間101の第2電磁石50付近から第1電磁石40付近へ相対回転移動すると、負の値から正の値へと磁束密度が単調増加するため、任意の回転位置に対して磁束密度の値が一意に決まり、それに応じてホールIC60からの出力も、回転位置に対して一意に決まる。
上記構成により、ECU11は、ホールIC60が出力した信号に基づき、カバー6に対する回転体12の回転位置を検出することができる。これにより、スロットルバルブの回転位置および開度を検出することができる。
第1集磁部70は、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、6面体状に形成されている。第1集磁部70は、所定の面71がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部9にモールドされるよう、モールド部9の一端に設けられている。第1集磁部70の面71とは反対側の面72は、第1磁束伝達部20に対向している。
第2集磁部80は、第1集磁部70と同様、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、6面体状に形成されている。第2集磁部80は、所定の面81がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部9にモールドされるよう、モールド部9の一端に設けられている。第2集磁部80の面81とは反対側の面82は、第2磁束伝達部30に対向している。
このように、第1集磁部70と第2集磁部80とは、ホールIC60を間に挟み、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30とが対向する方向と同じ方向で対向するよう設けられている。これにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
図2に示すように、本実施形態では、ECU11は、第1通電部15および第2通電部16を有している。第1通電部15は、第1電磁石40のコイル42およびCPU14に接続している。第2通電部16は、第2電磁石50のコイル52およびCPU14に接続している。
CPU14は、第1通電部15に指令値を伝達することにより、図示しないバッテリからコイル42に供給する電流を制御可能である。なお、本実施形態では、CPU14は、コイル42に流れている電流の値を第1通電部15からフィードバックしつつ、コイル42に供給する電流を制御可能である。
また、CPU14は、第2通電部16に指令値を伝達することにより、図示しないバッテリからコイル52に供給する電流を制御可能である。また、本実施形態では、CPU14は、コイル52に流れている電流の値を第2通電部16からフィードバックしつつ、コイル52に供給する電流を制御可能である。ここで、ECU11は、特許請求の範囲における「制御手段」に対応している。
また、CPU14は、第1電磁石40および第2電磁石50のそれぞれに対し任意の量の電流を供給することができる。これにより、CPU14は、第1電磁石40および第2電磁石50のそれぞれから発生する磁束の量を制御可能である。そのため、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101のホールIC60の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、隙間101の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。
一般に、ホールIC60の移動範囲内で「磁束密度の絶対値が最小となる位置」では、第1電磁石40および第2電磁石50の温度係数による磁力変化が生じないため、温度に対する耐性が良好である。したがって、ホールIC60の移動範囲内で「磁束密度の絶対値が最小となる位置」近傍では、位置検出装置10による位置検出精度が高い。
また、本実施形態では、図2に示すように、位置検出装置10は、第1温度センサ17および第2温度センサ18をさらに備えている。第1温度センサ17は、第1電磁石40近傍に設けられている。第2温度センサ18は、第2電磁石50近傍に設けられている。第1温度センサ17および第2温度センサ18は、CPU14に接続されている。第1温度センサ17および第2温度センサ18は、それぞれ、周囲の温度に対応する信号を出力する。CPU14は、第1温度センサ17および第2温度センサ18から出力された信号に基づき、第1電磁石40近傍および第2電磁石50近傍の温度を検出することができる。ここで、第1温度センサ17および第2温度センサ18は、特許請求の範囲における「温度検出手段」に対応している。
本実施形態では、CPU14は、第1温度センサ17および第2温度センサ18により検出した第1電磁石40近傍および第2電磁石50近傍の温度に基づき、第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御可能である。
本実施形態では、CPU14は、第1温度センサ17および第2温度センサ18により検出した第1電磁石40近傍および第2電磁石50近傍の温度に基づき、第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御可能である。
本実施形態では、スロットルバルブが全閉状態のとき、ホールIC60は、隙間101における可動範囲内で最も第2電磁石50に近い位置に位置する。一方、スロットルバルブが全開状態のとき、ホールIC60は、隙間101における可動範囲内で最も第1電磁石40に近い位置に位置する。
スロットルバルブは、全閉位置付近で最も高い位置検出精度を必要とする。上述のように、本実施形態では、CPU14は、第1電磁石40および第2電磁石50のそれぞれに対し任意の量の電流を供給することができるため、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101のホールIC60の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、隙間101の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。つまり、本実施形態では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を、回転体12の可動範囲の任意の位置に設定可能である。したがって、本実施形態では、スロットルバルブの全閉位置に対応する回転体12の位置に、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を設定することができる。よって、温度にかかわらず、スロットルバルブの全閉位置付近における位置検出精度を高くすることができる。
本実施形態では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図3に示すL1のとおりとなる。隙間101の第1電磁石40近傍および第2電磁石50近傍には、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間を流れる漏洩磁束に加え、第1電磁石40の一端43から他端44へ飛ぶ磁束、および、第2電磁石50の一端53から他端54へ飛ぶ磁束が流れる。そのため、L1は、端部に向かうほど絶対値の変化率が大きくなる。
なお、本実施形態では、磁束密度と回転体12の可動範囲(スロットルバルブの全閉位置から全開位置までの範囲)との関係は、図3に示すとおりである。このように、本実施形態では、L1の直線性が比較的良好な範囲において回転体12の位置検出を行う。
ここで、比較例による位置検出装置を示すことで、比較例に対する本実施形態の有利な点を明らかにする。
図4に示すように、比較例では、第1実施形態の第1電磁石40に代えて磁石47が設けられている。また、第1実施形態の第2電磁石50に代えて磁石57が設けられている。磁石47および磁石57は、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。
図4に示すように、比較例では、第1実施形態の第1電磁石40に代えて磁石47が設けられている。また、第1実施形態の第2電磁石50に代えて磁石57が設けられている。磁石47および磁石57は、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。
磁石47は、一端に磁極48を有し、他端に磁極49を有している。磁石47は、磁極48側がN極となるよう、磁極49側がS極となるよう着磁されている。磁石47は、磁極48が第1磁束伝達部20の一端に当接するよう、磁極49が第2磁束伝達部30の一端に当接するよう設けられている。これにより、磁石47の磁極48から発生した磁束は、第1磁束伝達部20の一端から他端へ伝達される。
磁石57は、一端に磁極58を有し、他端に磁極59を有している。磁石57は、磁極58側がN極となるよう、磁極59側がS極となるよう着磁されている。磁石57は、磁極58が第2磁束伝達部30の他端に当接するよう、磁極59が第1磁束伝達部20の他端に当接するよう設けられている。これにより、磁石57の磁極58から発生した磁束は、第2磁束伝達部30の一端から他端へ伝達される。
ここで、隙間101を第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れている。
ここで、隙間101を第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れている。
比較例では、磁石47と磁石57とは、体格、種類、材料組成および着磁調整の仕方が同じ永久磁石である。そのため、隙間101の長手方向の中心と磁石47との間では第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ漏洩磁束が流れ、隙間101の長手方向の中心と磁石57との間では第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。ここで、隙間101の長手方向において、磁石47または磁石57に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。また、隙間101の長手方向の中心では磁束密度が0になる。
また、磁石47の周囲には、磁極48から磁極49に磁束が飛ぶようにして流れている。また、磁石57の周囲には、磁極58から磁極59に磁束が飛ぶようにして流れている。
また、磁石47の周囲には、磁極48から磁極49に磁束が飛ぶようにして流れている。また、磁石57の周囲には、磁極58から磁極59に磁束が飛ぶようにして流れている。
比較例では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図3に一点鎖線で示すL2のとおりとなる。このように、比較例では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」が、回転体12の可動範囲の中央(図3では0)に設定(固定)されている。そのため、比較例をスロットルバルブの位置(開度)検出に用いる場合、全閉位置付近の位置検出精度が低下するおそれがある。
一方、本実施形態では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」が、スロットルバルブの全閉位置に対応する回転体12の位置に設定されている。そのため、全閉位置付近の位置検出精度を高めることができる。よって、本実施形態は、比較例と比べ、スロットルバルブの位置(開度)検出をするのにより適している。
一方、本実施形態では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」が、スロットルバルブの全閉位置に対応する回転体12の位置に設定されている。そのため、全閉位置付近の位置検出精度を高めることができる。よって、本実施形態は、比較例と比べ、スロットルバルブの位置(開度)検出をするのにより適している。
以上説明したように、本実施形態では、第1磁束伝達部20および第2磁束伝達部30の両端部に第1電磁石40および第2電磁石50が設けられている。そのため、ECU11によって第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御することにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101のホールIC60の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、隙間101の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。つまり、本実施形態では、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を、回転体12の可動範囲の任意の位置に設定可能である。そのため、可動範囲の任意の位置で最も高い位置検出精度を必要とする回転体12(スロットルバルブ)に本実施形態の位置検出装置10を適用した場合、「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を、「最も高い位置検出精度を必要とする位置」に合わせることができる。
上述のように、ホールIC60の移動範囲内で「磁束密度の絶対値が最小となる位置」では、第1電磁石40および第2電磁石50の温度係数による磁力変化が生じないため、温度に対する耐性が良好である。したがって、本実施形態では、温度にかかわらず回転体12(スロットルバルブ)の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度を高くすることができる。
また、本実施形態では、第1電磁石40近傍および第2電磁石50近傍の温度を検出可能な第1温度センサ17および第2温度センサ18をさらに備えている。そして、CPU14は、第1温度センサ17および第2温度センサ18により検出した温度に基づき、第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御可能である。そのため、温度により発生磁束の量が変化し得る第1電磁石40および第2電磁石50から発生する磁束の量を所定の量となるよう制御することができる。したがって、第1電磁石40および第2電磁石50の温度にかかわらず、位置検出装置10による位置検出の精度を高くすることができる。
また、本実施形態では、第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流をECU11で調整することにより、製品の個体差を吸収しつつ「磁束密度の絶対値が最小となる位置」を設定することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態による位置検出装置を図5に示す。第2実施形態は、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の形状等が第1実施形態と異なる。
本発明の第2実施形態による位置検出装置を図5に示す。第2実施形態は、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の形状等が第1実施形態と異なる。
第2実施形態では、検出対象としての移動体110は、例えば車両の変速機のシフトを切り替えるマニュアルバルブに取り付けられる。マニュアルバルブは、軸方向に直線状に移動し、変速機のシフトを切り替える。モールド部9は、マニュアルバルブ近傍のマニュアルバルブとは別部材に固定される。すなわち、移動体110は、基準部材としてのモールド部9に対し直線状に相対移動する。
本実施形態では、位置検出装置は、モールド部9に対し直線状に相対移動する移動体110の位置を検出する。これにより、マニュアルバルブの位置を検出でき、変速機の実際のシフト位置を検出することができる。このように、位置検出装置をストロークセンサ(直線変位センサ)として用いることができる。
図5に示すように、本実施形態では、第1磁束伝達部24は、移動体110に形成された長方形状の穴部111に設けられている。第1磁束伝達部24は、移動体110の相対移動方向に延びる仮想直線Sに対し平行となる形状に形成されている。
第2磁束伝達部34は、移動体110の穴部111に設けられている。第2磁束伝達部34は、第1磁束伝達部24と同様、仮想直線Sに対し平行となる形状に形成されている。
図5に示すように、第1磁束伝達部24および第2磁束伝達部34は、仮想直線Sに垂直な方向で対向するよう移動体110の穴部111に設けられている。これにより、第1磁束伝達部24と第2磁束伝達部34との間には長方形状の隙間102が形成されている。
第2実施形態は、上述した点以外の構成は第1実施形態と同様である。
図5に示すように、第1磁束伝達部24および第2磁束伝達部34は、仮想直線Sに垂直な方向で対向するよう移動体110の穴部111に設けられている。これにより、第1磁束伝達部24と第2磁束伝達部34との間には長方形状の隙間102が形成されている。
第2実施形態は、上述した点以外の構成は第1実施形態と同様である。
本実施形態では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図3の「回転位置(θ)」を移動体110の相対移動方向の「位置」と読み替えれば、概ね図3に示すL1のとおりとなる。
本実施形態においても、ECU11によって第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御することにより、第1磁束伝達部24と第2磁束伝達部34との間の隙間102のホールIC60の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、隙間102の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。したがって、本実施形態では、温度にかかわらず移動体110(マニュアルバルブ)の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度を高くすることができる。
本実施形態においても、ECU11によって第1電磁石40および第2電磁石50に供給する電流を制御することにより、第1磁束伝達部24と第2磁束伝達部34との間の隙間102のホールIC60の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、隙間102の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。したがって、本実施形態では、温度にかかわらず移動体110(マニュアルバルブ)の移動範囲内の任意の位置における位置検出精度を高くすることができる。
(他の実施形態)
本発明の他の実施形態では、制御手段を備えていなくてもよい。すなわち、第1電磁石および第2電磁石に供給する電流の量を所定の量に固定してもよい。この場合、例えば第1電磁石のコイルの巻数と第2電磁石のコイルの巻数とを同じにし、第1電磁石および第2電磁石のそれぞれに供給する電流の量を所定の量に固定することにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間の磁束密度検出手段の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、前記隙間の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。あるいは、例えば第1電磁石および第2電磁石のそれぞれに供給する電流の量を所定の量に固定し、第1電磁石のコイルの巻数と第2電磁石のコイルの巻数とを異ならせることにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間の磁束密度検出手段の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、前記隙間の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。
本発明の他の実施形態では、制御手段を備えていなくてもよい。すなわち、第1電磁石および第2電磁石に供給する電流の量を所定の量に固定してもよい。この場合、例えば第1電磁石のコイルの巻数と第2電磁石のコイルの巻数とを同じにし、第1電磁石および第2電磁石のそれぞれに供給する電流の量を所定の量に固定することにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間の磁束密度検出手段の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、前記隙間の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。あるいは、例えば第1電磁石および第2電磁石のそれぞれに供給する電流の量を所定の量に固定し、第1電磁石のコイルの巻数と第2電磁石のコイルの巻数とを異ならせることにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間の磁束密度検出手段の相対移動方向において磁束密度の絶対値が最小となる位置を、前記隙間の前記相対移動方向の任意の位置に設定することができる。
また、本発明の他の実施形態では、位置検出装置は温度検出手段を備えていなくてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、位置検出装置は第1集磁部および第2集磁部を備えていなくてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、位置検出装置は第1集磁部および第2集磁部を備えていなくてもよい。
また、上述の実施形態では、第1磁束伝達部、第2磁束伝達部、第1電磁石および第2電磁石を検出対象に設け、磁束密度検出手段を基準部材に設ける例を示した。これに対し、本発明の他の実施形態では、第1磁束伝達部、第2磁束伝達部、第1電磁石および第2電磁石を基準部材に設け、磁束密度検出手段を検出対象に設けることとしてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の両端部間に設けられる第1電磁石および第2電磁石の磁極が、それぞれ上述の実施形態とは反対になるよう第1電磁石および第2電磁石に電流を供給してもよい。
また、本発明の他の実施形態では、モータは、回転を減速して出力軸に伝達する減速機を有していてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、モータは、回転を減速して出力軸に伝達する減速機を有していてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、アクチュエータを、例えばウェストゲートバルブの作動装置、可変容量ターボの可変ベーン制御装置、排気スロットルや排気切替弁のバルブ作動装置、および、可変吸気機構のバルブ作動装置等の駆動源として用いてもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
10 ・・・・・・位置検出装置
20、24 ・・・第1磁束伝達部
30、34 ・・・第2磁束伝達部
40 ・・・・・・第1電磁石
50 ・・・・・・第2電磁石
60 ・・・・・・ホールIC(磁束密度検出手段)
101、102 ・・・隙間
20、24 ・・・第1磁束伝達部
30、34 ・・・第2磁束伝達部
40 ・・・・・・第1電磁石
50 ・・・・・・第2電磁石
60 ・・・・・・ホールIC(磁束密度検出手段)
101、102 ・・・隙間
Claims (6)
- 基準部材(6、9)に対し相対移動する検出対象(12、110)の位置を検出する位置検出装置(10)であって、
前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第1磁束伝達部(20、24)と、
前記第1磁束伝達部との間に隙間(101、102)を形成するよう前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第2磁束伝達部(30、34)と、
前記第1磁束伝達部の一端と前記第2磁束伝達部の一端との間に設けられる第1電磁石(40)と、
前記第1磁束伝達部の他端と前記第2磁束伝達部の他端との間に設けられる第2電磁石(50)と、
前記隙間において前記検出対象または前記基準部材の一方に対し相対移動可能なよう前記検出対象または前記基準部材の他方に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する磁束密度検出手段(60)と、
を備える位置検出装置。 - 前記第1電磁石と前記第2電磁石とは、互いにコイルの巻数が異なることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
- 前記第1電磁石および前記第2電磁石に供給する電流を制御可能な制御手段(11)をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
- 前記第1電磁石近傍および前記第2電磁石近傍の温度を検出可能な温度検出手段(17、18)をさらに備え、
前記制御手段は、前記温度検出手段により検出した温度に基づき、前記第1電磁石および前記第2電磁石に供給する電流を制御可能であることを特徴とする請求項3に記載の位置検出装置。 - 前記検出対象(12)は、前記基準部材(6、9)に対し相対回転移動し、
前記第1磁束伝達部(20)および前記第2磁束伝達部(30)は、前記検出対象の回転中心を中心とする仮想円弧(C1、C2)に沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の位置検出装置。 - 前記検出対象(110)は、前記基準部材(9)に対し直線状に相対移動し、
前記第1磁束伝達部(24)および前記第2磁束伝達部(34)は、前記検出対象の相対移動方向に延びる仮想直線(S)に対し平行となる形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012286103A JP2014126553A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2014126553A true JP2014126553A (ja) | 2014-07-07 |
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ID=51406135
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JP2012286103A Pending JP2014126553A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 位置検出装置 |
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Country | Link |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9581659B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-02-28 | Denso Corporation | Position detector with magnetic flux transmission parts enclosed between two other magnetic flux transmission parts |
US9810518B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-11-07 | Denso Corporation | Position detector with transmission parts defining varying gap width |
US9816798B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-11-14 | Denso Corporation | Position detector having a gap width different from a magnet width |
US9857200B2 (en) | 2012-12-27 | 2018-01-02 | Denso Corporation | Position detector with a minimum magnetic flux density position shifted from a center of a gap |
US10060760B2 (en) | 2012-12-27 | 2018-08-28 | Denso Corporation | Magnetix flux position detector that detects the magnetic flux at minimum position along a magnetic circuit |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012286103A patent/JP2014126553A/ja active Pending
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US9857200B2 (en) | 2012-12-27 | 2018-01-02 | Denso Corporation | Position detector with a minimum magnetic flux density position shifted from a center of a gap |
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