JP2014126550A - 位置検出装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きい位置検出装置を提供する。
【解決手段】ホールIC60は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101において回転体12に対し相対移動可能なようモールド部9に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。第1集磁部70および第2集磁部80は、ホールIC60を間に挟み、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30とが対向する方向と同じ方向で対向するよう設けられる。第1集磁部70および第2集磁部80のホールIC60側の面71および面81の面積をA1、第1集磁部70および第2集磁部80のホールIC60とは反対側の面72および面82の面積をA2とすると、第1集磁部70および第2集磁部80は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、検出対象の位置を検出する位置検出装置に関する。
従来、磁石等の磁束発生手段を用い、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置が知られている。例えば特許文献1に記載された位置検出装置では、2つの磁石および2つの磁束伝達部が基準部材に設けられている。ここで、2つの磁石は、磁極が2つの磁束伝達部の両端部に挟まれている。2つの磁束伝達部間に形成された隙間には、一方の磁束伝達部から他方の磁束伝達部に向かって漏洩磁束が流れている。磁束密度検出手段は、2つの磁束伝達部間の隙間を検出対象とともに移動し、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。これにより、位置検出装置は、磁束密度検出手段から出力される信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出する。
特開平8−292004号公報
特許文献1の位置検出装置では、磁束密度検出手段を間に挟むようにして2つのヨーク板が設けられている。これにより、2つの磁束伝達部間の漏洩磁束をヨーク板で集め、磁束密度検出手段を通過する磁束の量の増大を図っている。 一般に、磁気式の位置検出装置では、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが低いと、磁束密度検出手段から出力される信号精度が低下する。これに対し、特許文献1における位置検出装置では、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジを向上させる手段として、集磁ヨーク(ヨーク板)の面積を大きくしたり、より磁束発生量の大きい磁石を使用したりする必要がある。しかしながら、この場合、位置検出装置全体の体格が大きくなるおそれや、コストアップ要因につながるという課題が生じる。
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きい位置検出装置を提供することにある。
本発明は、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置であって、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部と第1磁束発生手段と第2磁束発生手段と磁束密度検出手段と集磁部とを備えている。
第1磁束伝達部は、検出対象または基準部材の一方に設けられる。第2磁束伝達部は、第1磁束伝達部との間に隙間を形成するよう検出対象または基準部材の一方に設けられる。
第1磁束発生手段は、第1磁束伝達部の一端と第2磁束伝達部の一端との間に設けられる。これにより、第1磁束発生手段から発生した磁束は、第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の一端から第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の他端へ伝達される。
第2磁束発生手段は、第1磁束伝達部の他端と第2磁束伝達部の他端との間に設けられる。これにより、第2磁束発生手段から発生した磁束は、第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の他端から第1磁束伝達部または第2磁束伝達部の一端へ伝達される。
磁束密度検出手段は、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間において検出対象または基準部材の一方に対し相対移動可能なよう検出対象または基準部材の他方に設けられる。磁束密度検出手段は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。ここで、磁束密度検出手段を主に通過する磁束は、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間を、第1磁束伝達部から第2磁束伝達部へ、または、第2磁束伝達部から第1磁束伝達部へ流れる漏洩磁束である。
上記構成により、位置検出装置は、磁束密度検出手段が出力した信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出することができる。
集磁部は、磁束密度検出手段を間に挟み、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部とが対向する方向と同じ方向で対向するよう2つ設けられる。これにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間を流れる漏洩磁束を集中して磁束密度検出手段に流す(通過させる)ことができる。そのため、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジを大きくすることができ、位置検出装置による位置検出の精度を向上することができる。
本発明では、集磁部の磁束密度検出手段側の面の面積をA1、集磁部の磁束密度検出手段とは反対側の面の面積をA2とすると、集磁部は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1磁束伝達部と第2磁束伝達部との間の隙間を流れる漏洩磁束を、より集中して磁束密度検出手段に流す(通過させる)ことができる。そのため、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジをより大きくすることができる。したがって、位置検出装置による位置検出の精度をより向上することができる。
本発明の第1実施形態による位置検出装置およびアクチュエータを示す模式的断面図。 図1のII−II線断面図。 (A)は本発明の第1実施形態による位置検出装置の集磁部を示す図、(B)は(A)を矢印B方向から見た図、(C)は(A)を矢印C方向から見た図。 本発明の第1実施形態および比較例の磁束密度検出手段により検出される磁束密度と基準部材に対する検出対象の位置との関係を示す図。 比較例による位置検出装置を示す模式的断面図。 (A)は本発明の第2実施形態による位置検出装置の集磁部および磁束密度検出手段を示す図、(B)は(A)を矢印B方向から見た図、(C)は(B)のC−C線断面図。 (A)は本発明の第3実施形態による位置検出装置の集磁部および磁束密度検出手段を示す図、(B)は(A)を矢印B方向から見た図、(C)は(B)のC−C線断面図。 (A)は本発明の第4実施形態による位置検出装置の集磁部および磁束密度検出手段を示す図、(B)は(A)を矢印B方向から見た図、(C)は(B)のC−C線断面図。 (A)は本発明の第5実施形態による位置検出装置の集磁部および磁束密度検出手段を示す図、(B)は(A)を矢印B方向から見た図、(C)は(B)のC−C線断面図。 本発明の第6実施形態による位置検出装置を示す模式的断面図。
以下、本発明の複数の実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図面に基づき説明する。なお、複数の実施形態において実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図1、2に示す。
アクチュエータ1は、例えば図示しない車両のスロットルバルブを駆動する駆動源として用いられる。アクチュエータ1は、モータ2、ハウジング5、カバー6、電子制御ユニット(以下、「ECU」という)11、回転体12および位置検出装置10等を備えている。
図1に示すように、モータ2は、出力軸3およびモータ端子4等を有している。モータ2には、モータ端子4を経由して電力が供給される。これによりモータ2が回転駆動する。モータ2の回転は、出力軸3から出力される。出力軸3は、例えば図示しないギア等を経由してスロットルバルブに接続される。そのため、モータ2が回転駆動することにより、スロットルバルブが回転する。
ハウジング5は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、内側にモータ2を収容している。
カバー6は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、底部に形成された穴部7に出力軸3が挿通した状態で、開口部がハウジング5の開口部に当接するよう設けられている。これにより、カバー6とモータ2との間に空間100が形成されている。
カバー6は、筒部から径方向外側へ筒状に延びるコネクタ8を有している。コネクタ8の内側には、モータ端子4の端部が露出している。コネクタ8には、ECU11に接続するワイヤーハーネスの端部が接続される。これにより、図示しないバッテリからの電力がECU11、ワイヤーハーネスおよびモータ端子4を経由してモータ2に供給される。
ECU11は、例えば演算手段としてのCPU、記憶手段としてのROMおよびRAM、ならびに、入出力手段等を備えた小型のコンピュータである。ECU11は、車両の各部に取り付けられたセンサからの信号等に基づき、車両に搭載された各種装置類の作動を制御する。
ECU11は、例えばアクセルペダルの開度信号等に基づき、モータ2に供給する電力を制御する。モータ2に電力が供給されると、モータ2が回転し、スロットルバルブが回転する。これにより、スロットルバルブが吸気通路を開閉し、吸気通路を流れる吸気の量が調整される。なお、本実施形態では、ECU11は、例えばISC(アイドルスピードコントロール)機能により、アクセルペダルの開度信号にかかわらず、モータ2への電力の供給を制御する場合がある。
回転体12は、例えば樹脂により円板状に形成され、空間100に設けられている。回転体12は、中心を出力軸3が貫いた状態で出力軸3に固定されている。これにより、出力軸3が回転すると、回転体12は出力軸3とともに回転する。出力軸3とスロットルバルブとは例えばギア等により接続されているため、回転体12の回転位置は、スロットルバルブの回転位置に対応している。
本実施形態では、位置検出装置10は、カバー6に対し相対回転移動する回転体12の回転位置を検出する。そのため、位置検出装置10により、カバー6に対し相対回転移動する回転体12の回転位置を検出すれば、スロットルバルブの回転位置を検出でき、スロットルバルブの開度を検出することができる。よって、位置検出装置10をスロットルポジションセンサとして用いることができる。
図1、2に示すように、位置検出装置10は、第1磁束伝達部20、第2磁束伝達部30、第1磁束発生手段としての磁石40、第2磁束発生手段としての磁石50、磁束密度検出手段としてのホールIC60、第1集磁部70、および、第2集磁部80等を備えている。
第1磁束伝達部20は、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第1磁束伝達部20は、回転体12に形成された円弧状の穴部13に設けられている。第1磁束伝達部20は、本体21、一端部22および他端部23を有している。本体21は、長手方向が、回転体12の回転中心Oを中心とする第1仮想円弧C1に沿う形状に形成されている(図2参照)。一端部22は、本体21の一端から第1仮想円弧C1の径方向外側へ延びるよう形成されている。他端部23は、本体21の他端から第1仮想円弧C1の径方向外側へ延びるよう形成されている。
第2磁束伝達部30は、第1磁束伝達部20と同様、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第2磁束伝達部30は、回転体12に形成された穴部13に設けられている。第2磁束伝達部30は、本体31、一端部32および他端部33を有している。本体31は、長手方向が、回転体12の回転中心Oを中心とし第1仮想円弧C1より半径が大きい第2仮想円弧C2に沿う形状に形成されている(図2参照)。一端部32は、本体31の一端から第2仮想円弧C2の径方向内側へ延びるよう形成されている。他端部33は、本体31の他端から第2仮想円弧C2の径方向内側へ延びるよう形成されている。
図1、2に示すように、第1磁束伝達部20および第2磁束伝達部30は、本体21と本体31とが第1仮想円弧C1の径方向で対向するよう回転体12の穴部13に設けられている。これにより、第1磁束伝達部20の本体21と第2磁束伝達部30の本体31との間に円弧状の隙間101が形成されている(図2参照)。
磁石40は、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。磁石40は、一端に磁極41を有し、他端に磁極42を有している。磁石40は、磁極41側がN極となるよう、磁極42側がS極となるよう着磁されている。磁石40は、磁極41が第1磁束伝達部20の一端部22に当接するよう、磁極42が第2磁束伝達部30の一端部32に当接するよう、一端部22と一端部32との間に設けられている。これにより、磁石40の磁極41から発生した磁束は、第1磁束伝達部20の一端部22から本体21を経由して他端部23へ伝達される。
磁石50は、磁石40と同様、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。磁石50は、一端に磁極51を有し、他端に磁極52を有している。磁石50は、磁極51側がN極となるよう、磁極52側がS極となるよう着磁されている。磁石50は、磁極51が第2磁束伝達部30の他端部33に当接するよう、磁極52が第1磁束伝達部20の他端部23に当接するよう、他端部33と他端部23との間に設けられている。これにより、磁石50の磁極51から発生した磁束は、第2磁束伝達部30の他端部33から本体31を経由して一端部32へ伝達される。
ここで、隙間101を第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れている。
なお、本実施形態では、磁石40と磁石50とは、体格、種類、材料組成および着磁調整の仕方が同じ永久磁石である。そのため、隙間101の長手方向の中心と磁石40との間では第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ漏洩磁束が流れ、隙間101の長手方向の中心と磁石50との間では第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。ここで、隙間101の長手方向において、磁石40または磁石50に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。また、隙間101の長手方向の中心では磁束密度が0になる。
また、磁石40の周囲には、磁極41から磁極42に磁束が飛ぶようにして流れている。また、磁石50の周囲には、磁極51から磁極52に磁束が飛ぶようにして流れている。
ホールIC60は、信号出力素子としてのホール素子61、封止体62、および、センサ端子63等を有している。ホール素子61は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。封止体62は、例えば樹脂により矩形の板状に形成されている。センサ端子63は、一端がホール素子61に接続している。封止体62は、ホール素子61の全部、および、センサ端子63の一端側を覆っている。ここで、ホール素子61は、封止体62の中央に位置している。
ホールIC60の封止体62およびセンサ端子63の一端側は、モールド部9によりモールドされている。モールド部9は、例えば樹脂により四角柱状に形成されている。ホールIC60の封止体62は、モールド部9の一端側に位置するようモールドされている。
モールド部9は、一端が隙間101に位置するよう、かつ、他端がカバー6の底部に接続するよう、カバー6に設けられている。これにより、ホールIC60は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101において、回転体12に対し相対回転移動可能である。ここで、カバー6およびモールド部9は特許請求の範囲における「基準部材」に対応し、回転体12は特許請求の範囲における「検出対象」に対応している。
ホールIC60のセンサ端子63は、他端がカバー6のコネクタ8の内側に露出するよう、カバー6にインサート成形されている。そのため、ECU11に接続するワイヤーハーネスの端部がコネクタ8に接続されると、ホールIC60のホール素子61とECU11とが接続される。これにより、ホール素子61からの信号がECU11に伝達される。
ここで、ホールIC60のホール素子61を主に通過する磁束は、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を、第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ、または、第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ流れる漏洩磁束である。
上述のように、本実施形態では、隙間101の長手方向の中心と磁石40との間では第1磁束伝達部20から第2磁束伝達部30へ漏洩磁束が流れ、隙間101の長手方向の中心と磁石50との間では第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる。また、隙間101の長手方向において、磁石40または磁石50に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。
そのため、例えば第2磁束伝達部30から第1磁束伝達部20へ漏洩磁束が流れる方向を負の向きとすると、ホールIC60の位置が隙間101の磁石50付近から磁石40付近へ相対回転移動すると、負の値から正の値へと磁束密度が単調増加するため、任意の回転位置に対して磁束密度の値が一意に決まり、それに応じてホールIC60からの出力も、回転位置に対して一意に決まる。
上記構成により、ECU11は、ホールIC60が出力した信号に基づき、カバー6に対する回転体12の回転位置を検出することができる。これにより、スロットルバルブの回転位置および開度を検出することができる。
第1集磁部70は、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、6面体状に形成されている。第1集磁部70は、所定の面71がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部9にモールドされるよう、モールド部9の一端に設けられている。第1集磁部70の面71とは反対側の面72は、第1磁束伝達部20の本体21に対向している。
第2集磁部80は、第1集磁部70と同様、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、6面体状に形成されている。第2集磁部80は、所定の面81がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部9にモールドされるよう、モールド部9の一端に設けられている。第2集磁部80の面81とは反対側の面82は、第2磁束伝達部30の本体31に対向している。
このように、第1集磁部70と第2集磁部80とは、ホールIC60を間に挟み、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30とが対向する方向と同じ方向で対向するよう設けられている。これにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。ここで、第1集磁部70および第2集磁部80は、特許請求の範囲における「集磁部」に対応している。
本実施形態では、図3に示すように、第1集磁部70のホールIC60側の面71、および、第2集磁部80のホールIC60側の面81の面積をA1(図3(B)に示す格子範囲)とし、第1集磁部70のホールIC60とは反対側の面72、および、第2集磁部80のホールIC60とは反対側の面82の面積をA2(図3(C)に示す格子範囲)とすると、第1集磁部70および第2集磁部80は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。
また、本実施形態では、ホール素子61の第1集磁部70側または第2集磁部80側の面の面積をA0とすると、ホール素子61、第1集磁部70および第2集磁部80は、A0<A1の関係を満たすよう形成されている。
本実施形態では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図4に示すL1のとおりとなる。隙間101の磁石40近傍および磁石50近傍には、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間を流れる漏洩磁束に加え、磁石40の磁極41から磁極42へ飛ぶ磁束、および、磁石50の磁極51から磁極52へ飛ぶ磁束が流れている。そのため、L1は、端部に向かうほど絶対値の変化率が大きくなる。
なお、本実施形態では、磁束密度と回転体12の可動範囲(スロットルバルブの全閉位置から全開位置までの範囲)との関係は、図4に示すとおりである。このように、本実施形態では、L1の直線性が比較的良好な範囲において回転体12の位置検出を行う。
ここで、比較例による位置検出装置を示すことで、比較例に対する本実施形態の有利な点を明らかにする。
図5に示すように、比較例では、第1集磁部70および第2集磁部80は、A1=A2の関係を満たすよう形成されている。なお、本実施形態の面72および面82と、比較例の面71、72、面81、82とは、面積が同じである。
比較例では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図4に一点鎖線で示すL2のとおりとなる。このように、本実施形態では、比較例と比べ、ホールIC60が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きいことがわかる。これは、本実施形態では第1集磁部70および第2集磁部80がA1<A2の関係を満たすよう形成されており、集磁の効果が高いためである。
以上説明したように、本実施形態では、第1集磁部70および第2集磁部80は、ホールIC60を間に挟み、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30とが対向する方向と同じ方向で対向するよう設けられている。これにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。そのため、ホールIC60が検出する磁束密度のダイナミックレンジを大きくすることができ、位置検出装置10による位置検出の精度を向上することができる。
また、本実施形態では、第1集磁部70および第2集磁部80のホールIC60側の面71および面81の面積をA1、第1集磁部70および第2集磁部80のホールIC60とは反対側の面72および面82の面積をA2とすると、第1集磁部70および第2集磁部80は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。そのため、ホールIC60が検出する磁束密度のダイナミックレンジをより大きくすることができる。したがって、位置検出装置10による位置検出の精度をより向上することができる。
また、本実施形態では、ホール素子61の第1集磁部70側または第2集磁部80側の面の面積をA0とすると、ホール素子61、第1集磁部70および第2集磁部80は、A0<A1の関係を満たすよう形成されている。そのため、例えば製造工程等において、第1集磁部70および第2集磁部80とホール素子61との間に面方向の位置ずれが生じても、ホール素子61を第1集磁部70の面71と第2集磁部80の面81との間に容易に位置させることができる。これにより、第1集磁部70および第2集磁部80とホール素子61との位置ずれによる、第1集磁部70および第2集磁部80による集磁効果の低減を抑制することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態による位置検出装置の一部を図6に示す。第2実施形態は、第1集磁部および第2集磁部の形状が第1実施形態と異なる。
図6は、第2実施形態による位置検出装置のホールIC、第1集磁部および第2集磁部を示すものである。第2実施形態では、第1集磁部73は、円錐部74および円柱部75からなる。円錐部74は、円錐の頂点側を、底面と平行な面で切断したような形状である。円柱部75は、軸方向の一方の面が円錐部74の底面に接続するよう円錐部74と一体に形成されている。
本実施形態では、第1集磁部73は、円錐部74の底面とは反対側の面71がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向するよう設けられている。これにより、円柱部75の軸方向の他方の面72は、第1磁束伝達部20の本体21に対向している。
第2集磁部83は、円錐部84および円柱部85からなる。円錐部84は、円錐の頂点側を底面と平行な面で切断したような形状である。円柱部85は、軸方向の一方の面が円錐部84の底面に接続するよう円錐部84と一体に形成されている。
本実施形態では、第2集磁部83は、円錐部84の底面とは反対側の面81がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向するよう設けられている。これにより、円柱部85の軸方向の他方の面82は、第2磁束伝達部30の本体31に対向している。
本実施形態では、図6に示すように、第1集磁部73のホールIC60側の面71、および、第2集磁部83のホールIC60側の面81の面積をA1とし、第1集磁部73のホールIC60とは反対側の面72、および、第2集磁部83のホールIC60とは反対側の面82の面積をA2とすると、第1集磁部73および第2集磁部83は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1実施形態と同様、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態による位置検出装置の一部を図7に示す。第3実施形態は、第1集磁部および第2集磁部の形状が第1実施形態と異なる。
図7は、第3実施形態による位置検出装置のホールIC、第1集磁部および第2集磁部を示すものである。第3実施形態では、第1集磁部76は、6面体の所定の2つの角部を面取りしたような形状に形成されている。第1集磁部76は、当該面取りした角部の間の面71がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向するよう設けられている。これにより、第1集磁部76の面71とは反対側の面72は第1磁束伝達部20の本体21に対向している。
第2集磁部86は、第1集磁部76と同様、6面体の所定の2つの角部を面取りしたような形状に形成されている。第2集磁部86は、当該面取りした角部の間の面81がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向するよう設けられている。これにより、第2集磁部86の面81とは反対側の面82は第2磁束伝達部30の本体31に対向している。
本実施形態では、図7に示すように、第1集磁部76のホールIC60側の面71、および、第2集磁部86のホールIC60側の面81の面積をA1とし、第1集磁部76のホールIC60とは反対側の面72、および、第2集磁部86のホールIC60とは反対側の面82の面積をA2とすると、第1集磁部76および第2集磁部86は、A1<A2の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1実施形態と同様、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態による位置検出装置の一部を図8に示す。第4実施形態は、第1集磁部および第2集磁部の形状が第1実施形態と異なる。
図8は、第4実施形態による位置検出装置のホールIC、第1集磁部および第2集磁部を示すものである。第4実施形態では、第1集磁部77は、三角柱状に形成されている。第1集磁部77は、所定の側辺がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向するよう、かつ、前記所定の側辺とは反対側の面72が第1磁束伝達部20の本体21に対向するよう設けられている。ここで、前記所定の側辺には、面積が0の面71が形成されている。
第2集磁部87は、第1集磁部77と同様、三角柱状に形成されている。第2集磁部87は、所定の側辺がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向するよう、かつ、前記所定の側辺とは反対側の面82が第2磁束伝達部30の本体31に対向するよう設けられている。ここで、前記所定の側辺には、面積が0の面81が形成されている。
本実施形態では、図8に示すように、第1集磁部77のホールIC60側の面71、および、第2集磁部87のホールIC60側の面81の面積をA1とし、第1集磁部77のホールIC60とは反対側の面72、および、第2集磁部87のホールIC60とは反対側の面82の面積をA2とすると、第1集磁部77および第2集磁部87は、A1<A2、A1=0の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1実施形態と同様、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
なお、本実施形態では、ホール素子61の第1集磁部77側または第2集磁部87側の面の面積をA0とすると、ホール素子61、第1集磁部77および第2集磁部87は、A1<A0、A1=0の関係を満たすよう形成されている。
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態による位置検出装置の一部を図9に示す。第5実施形態は、第1集磁部および第2集磁部の形状が第1実施形態と異なる。
図9は、第5実施形態による位置検出装置のホールIC、第1集磁部および第2集磁部を示すものである。第5実施形態では、第1集磁部78は、円錐状に形成されている。第1集磁部78は、頂点がホールIC60の封止体62の第1磁束伝達部20側の面の中央に当接または対向するよう、かつ、底面としての面72が第1磁束伝達部20の本体21に対向するよう設けられている。ここで、第1集磁部78の頂点には、面積が0の面71が形成されている。
第2集磁部88は、第1集磁部78と同様、円錐状に形成されている。第2集磁部88は、頂点がホールIC60の封止体62の第2磁束伝達部30側の面の中央に当接または対向するよう、かつ、底面としての面82が第2磁束伝達部30の本体31に対向するよう設けられている。ここで、第2集磁部88の頂点には、面積が0の面81が形成されている。
本実施形態では、図9に示すように、第1集磁部78のホールIC60側の面71、および、第2集磁部88のホールIC60側の面81の面積をA1とし、第1集磁部78のホールIC60とは反対側の面72、および、第2集磁部88のホールIC60とは反対側の面82の面積をA2とすると、第1集磁部78および第2集磁部88は、A1<A2、A1=0の関係を満たすよう形成されている。これにより、第1実施形態と同様、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
なお、本実施形態では、ホール素子61の第1集磁部78側または第2集磁部88側の面の面積をA0とすると、ホール素子61、第1集磁部78および第2集磁部88は、A1<A0、A1=0の関係を満たすよう形成されている。
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態による位置検出装置を図10に示す。第6実施形態は、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の形状等が第1実施形態と異なる。
第6実施形態では、検出対象としての移動体110は、例えば車両の変速機のシフトを切り替えるマニュアルバルブに取り付けられる。マニュアルバルブは、軸方向に直線状に移動し、変速機のシフトを切り替える。モールド部9は、マニュアルバルブ近傍のマニュアルバルブとは別部材に固定される。すなわち、移動体110は、基準部材としてのモールド部9に対し直線状に相対移動する。
本実施形態では、位置検出装置は、モールド部9に対し直線状に相対移動する移動体110の位置を検出する。これにより、マニュアルバルブの位置を検出でき、変速機の実際のシフト位置を検出することができる。このように、位置検出装置をストロークセンサ(直線変位センサ)として用いることができる。
図10に示すように、本実施形態では、第1磁束伝達部24は、移動体110に形成された長方形状の穴部111に設けられている。第1磁束伝達部24は、本体25、一端部26および他端部27を有している。本体24は、移動体110の相対移動方向に延びる仮想直線Sに対し平行となる形状に形成されている。一端部26は、本体25の一端から仮想直線Sに対し略垂直に延びるよう形成されている。他端部27は、本体25の他端から一端部26と同じ方向に延びるよう形成されている。
第2磁束伝達部34は、移動体110の穴部111に設けられている。第2磁束伝達部34は、本体35、一端部36および他端部37を有している。本体35は、本体25と同様、仮想直線Sに対し平行となる形状に形成されている。一端部36は、本体35の一端から仮想直線Sに対し略垂直に延びて一端部26に対向するよう形成されている。他端部37は、本体35の他端から一端部36と同じ方向に延びるよう形成されている。
図10に示すように、第1磁束伝達部24および第2磁束伝達部34は、本体25と本体35とが仮想直線Sに垂直な方向で対向するよう移動体110の穴部111に設けられている。これにより、第1磁束伝達部24の本体25と第2磁束伝達部34の本体35との間に長方形状の隙間102が形成されている。
第6実施形態は、上述した点以外の構成は第1実施形態と同様である。
本実施形態では、ホールIC60により検出される磁束密度は、図4の「回転位置(θ)」を移動体110の相対移動方向の「位置」と読み替えれば、概ね図4に示すL1のとおりとなる。
本実施形態においても、第1集磁部70および第2集磁部80がA1<A2の関係を満たすよう形成されているため、第1磁束伝達部20と第2磁束伝達部30との間の隙間101を流れる漏洩磁束を、より集中してホールIC60に流す(通過させる)ことができる。
(他の実施形態)
本発明の他の実施形態では、集磁部は、A1<A2の関係を満たすのであれば、どのような形状に形成されていてもよい。また、信号出力素子および集磁部は、A0=A1の関係を満たすよう形成されていてもよい。
また、上述の実施形態では、第1磁束伝達部、第2磁束伝達部、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段を検出対象に設け、磁束密度検出手段を基準部材に設ける例を示した。これに対し、本発明の他の実施形態では、第1磁束伝達部、第2磁束伝達部、第1磁束発生手段および第2磁束発生手段を基準部材に設け、磁束密度検出手段を検出対象に設けることとしてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、第1磁束伝達部および第2磁束伝達部の両端部間に設けられる磁石を、それぞれの磁極が上述の実施形態とは反対になるように設けてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、モータは、回転を減速して出力軸に伝達する減速機を有していてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、構成上の阻害要因がない限り、上述の各実施形態を組み合わせてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、アクチュエータを、例えばウェストゲートバルブの作動装置、可変容量ターボの可変ベーン制御装置、排気スロットルや排気切替弁のバルブ作動装置、および、可変吸気機構のバルブ作動装置等の駆動源として用いてもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
10 ・・・・・・位置検出装置
20、24 ・・・第1磁束伝達部
30、34 ・・・第2磁束伝達部
40 ・・・・・・磁石(第1磁束発生手段)
50 ・・・・・・磁石(第2磁束発生手段)
60 ・・・・・・ホールIC(磁束密度検出手段)
70、73、76、77、78 ・・・第1集磁部(集磁部)
80、83、86、87、88 ・・・第2集磁部(集磁部)
101、102 ・・・隙間

Claims (4)

  1. 基準部材(6、9)に対し相対移動する検出対象(12、110)の位置を検出する位置検出装置(10)であって、
    前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第1磁束伝達部(20、24)と、
    前記第1磁束伝達部との間に隙間(101、102)を形成するよう前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第2磁束伝達部(30、34)と、
    前記第1磁束伝達部の一端と前記第2磁束伝達部の一端との間に設けられる第1磁束発生手段(40)と、
    前記第1磁束伝達部の他端と前記第2磁束伝達部の他端との間に設けられる第2磁束発生手段(50)と、
    前記隙間において前記検出対象または前記基準部材の一方に対し相対移動可能なよう前記検出対象または前記基準部材の他方に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する磁束密度検出手段(60)と、
    前記磁束密度検出手段を間に挟み、前記第1磁束伝達部と前記第2磁束伝達部とが対向する方向と同じ方向で対向するよう2つ設けられる集磁部(70、80、73、83、76、86、77、87、78、88)と、を備え、
    前記集磁部の前記磁束密度検出手段側の面(71、81)の面積をA1、前記集磁部の前記磁束密度検出手段とは反対側の面(72、82)の面積をA2とすると、
    前記集磁部は、A1<A2の関係を満たすよう形成されていることを特徴とする位置検出装置。
  2. 前記磁束密度検出手段は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する信号出力素子(61)を有し、
    前記信号出力素子の前記集磁部側の面の面積をA0とすると、
    前記信号出力素子および前記集磁部(70、80、73、83、76、86)は、A0≦A1の関係を満たすよう形成されていることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
  3. 前記検出対象(12)は、前記基準部材(6、9)に対し相対回転移動し、
    前記第1磁束伝達部(20)および前記第2磁束伝達部(30)は、前記検出対象の回転中心を中心とする仮想円弧(C1、C2)に沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
  4. 前記検出対象(110)は、前記基準部材(9)に対し直線状に相対移動し、
    前記第1磁束伝達部(24)および前記第2磁束伝達部(34)は、前記検出対象の相対移動方向に延びる仮想直線(S)に対し平行となる形状に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
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