JP2014126518A - 光学装置、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電気変換素子の温度に与えられる影響を低減可能な光学装置を得る。
【解決手段】光学装置は、金属製の筺体80と、電気光変換素子を内蔵し筺体80に対して固定される半導体パッケージ40と、半導体パッケージ40に熱的に接続するように配置された放熱部材60と、放熱部材60と筺体80との間に設けられ、筺体80側で発生した熱エネルギーが放熱部材60を通して半導体パッケージ40に伝わることを抑制する断熱部材71,72と、を備える。
【選択図】図7
【解決手段】光学装置は、金属製の筺体80と、電気光変換素子を内蔵し筺体80に対して固定される半導体パッケージ40と、半導体パッケージ40に熱的に接続するように配置された放熱部材60と、放熱部材60と筺体80との間に設けられ、筺体80側で発生した熱エネルギーが放熱部材60を通して半導体パッケージ40に伝わることを抑制する断熱部材71,72と、を備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、光学装置、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置に関し、特に、電気光変換素子および金属筺体を備える光学装置、その光半導体パッケージを備えるマイケルソン干渉計、ならびに、そのマイケルソン干渉計を備えるフーリエ変換分光分析装置に関する。
特開平10−083564号公報(特許文献1)は、光ピックアップに関する発明を開示している。この光ピックアップは、リードフレーム型レーザー光源を備え、この光源から突出したフィンは、金属筐体に形成した取付基準平面とリブとの間にかしめられている。同公報は、リードフレーム型レーザー光源を用いて、その経時的な位置変化を生じることなく且つ放熱特性に優れた光ピックアップを得ることができると述べている。
特開2008−084383号公報(特許文献2)も、光ピックアップに関する発明を開示している。この光ピックアップは、半導体レーザー、筐体、および筐体の外側に設置された金属製のカバーを備える。半導体レーザーは、接着剤を介して筐体に固定されている。半導体レーザーの面に金属部材の面を熱的に接続して、当該半導体レーザーに当該金属部材が取付けられている。金属部材はカバーに半田を介して熱的に接続されている。同公報は、半導体レーザーから筐体への放熱経路を維持することで信頼性と生産性とを確保しつつ、筐体以外への熱抵抗の小さな放熱経路を確立して半導体レーザーの放熱性を高めることができると共に、樹脂性の筐体においても十分な放熱性を得ることができると述べている。
半導体レーザーなどの電気光変換素子を内蔵する半導体パッケージを固定するために金属筺体が用いられ、半導体パッケージの放熱性を高めるために、半導体パッケージから金属筺体への放熱効果が向上するように構成されたとする。一般的に、光学装置に用いられる金属筺体は、この筺体の内部に設けられた機器の温度を受けて、熱源もしくは冷源となり得る。金属筺体の有する熱エネルギーは、電気光変換素子の温度に影響を与えてしまうことがある。
本発明は、電気変換素子の温度に与えられる影響を低減可能な光学装置、その光学装置を備えるマイケルソン干渉計、および、そのマイケルソン干渉計を備えるフーリエ変換分光分析装置を提供することを目的とする。
本発明に基づく光学装置は、金属製の筺体と、電気光変換素子を内蔵し、上記筺体に対して固定される半導体パッケージと、上記半導体パッケージに熱的に接続するように配置された放熱部材と、上記放熱部材と上記筺体との間に設けられ、上記筺体側で発生した熱エネルギーが上記放熱部材を通して上記半導体パッケージに伝わることを抑制する断熱部材と、を備える。
好ましくは、上記半導体パッケージと上記放熱部材との間には、弾性を有する熱伝導部材が設けられる。
好ましくは、上記半導体パッケージは、ベース部材と、上記電気光変換素子を封止するキャップ部材とを含み、上記熱伝導部材は、上記ベース部材と上記放熱部材との間に設けられる。
好ましくは、上記放熱部材は、板状の形状を有し、互いに対向しつつ平行な方向に延在する第1延在部および第2延在部と、板状の形状を有し、上記第1延在部および上記第2延在部の端部同士の間を接続するように設けられる接続部と、を含み、上記半導体パッケージは、上記第1延在部、上記第2延在部および上記接続部によって囲まれる空間内に配置される。
本発明に基づくマイケルソン干渉計は、本発明に基づく上記の光学装置と、移動鏡と、固定鏡と、上記固定鏡の傾きを補正する光路補正装置と、上記半導体パッケージが出射した光を上記固定鏡に向かう光と上記移動鏡に向かう光とに分割するとともに、上記固定鏡および上記移動鏡の各々に反射した光を合成し干渉光として出射する光束分岐手段と、上記干渉光を検出する参照検出器と、を備え、上記参照検出器によって検出された上記干渉光の強度に応じて、上記固定鏡の傾きが所望の状態となるように上記光路補正装置が駆動される。
本発明に基づくフーリエ変換分光分析装置は、本発明に基づく上記のマイケルソン干渉計を備える。
本発明によれば、電気変換素子の温度に与えられる影響を低減可能な光学装置、その光学装置を備えるマイケルソン干渉計、および、そのマイケルソン干渉計を備えるフーリエ変換分光分析装置を得ることができる。
本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数および量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数およびその量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品および相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
(フーリエ変換分光分析装置100・マイケルソン干渉計10)
図1を参照して、実施の形態におけるフーリエ変換分光分析装置100について説明する。フーリエ変換分光分析装置100は、マイケルソン干渉計10、演算部20、および出力部30を備えている。マイケルソン干渉計10は、分光光学系11、参照光学系21、および光路補正装置26を含んでいる。
図1を参照して、実施の形態におけるフーリエ変換分光分析装置100について説明する。フーリエ変換分光分析装置100は、マイケルソン干渉計10、演算部20、および出力部30を備えている。マイケルソン干渉計10は、分光光学系11、参照光学系21、および光路補正装置26を含んでいる。
(分光光学系11)
分光光学系11は、光源12、コリメート光学系13、ビームスプリッター14(光束分岐手段)、固定鏡15、移動鏡16、集光光学系17、検出器18、および平行移動機構19を有している。
分光光学系11は、光源12、コリメート光学系13、ビームスプリッター14(光束分岐手段)、固定鏡15、移動鏡16、集光光学系17、検出器18、および平行移動機構19を有している。
光源12は、色温度2900Kのランプ等の発光素子から構成され、赤外光等のランプ光を出射する。光源12が出射したランプ光は、参照光学系21(詳細は後述する)における光路合成鏡22に導入され、半導体パッケージとしての参照光源40(詳細は後述する)が出射したレーザー光と合成される。
ランプ光およびレーザー光の合成によって形成された合成光は、光路合成鏡22から出射され、コリメート光学系13によって平行光に変換された後、ビームスプリッター14に導入される。ビームスプリッター14は、ハーフミラー等から構成され、設計により任意の波長の光を任意の割合で分岐することができる。
ビームスプリッター14としては、光学薄膜を利用したもの、偏光板を利用したもの、または、これらを複合したものから構成されるとよい。ビームスプリッター14に導入された合成光(入射光)は、2光束に分割される。分割された合成光(レーザー光を含む)の一方は固定鏡15に向かい、固定鏡15に照射される。固定鏡15に反射した合成光(反射光)は、反射前と略同一の光路を通過してビームスプリッター14に再び照射される。
分割された合成光(レーザー光を含む)の他方は移動鏡16に向かい、移動鏡16に照射される。移動鏡16に反射した合成光(反射光)は、反射前と略同一の光路を通過してビームスプリッター14に再び照射される。固定鏡15からの反射光および移動鏡16からの反射光は、ビームスプリッター14によって合成される(重ね合わせられる)。
ここで、分割された合成光の他方が移動鏡16に反射する際、移動鏡16は平行移動機構19によって平行を維持した状態で矢印AR方向に往復移動している。移動鏡16は約0.9mmの振幅を持ち、周波数は70Hzであり、移動速度は、振幅の中心位置でたとえば100m/secである。移動鏡16の往復移動によって、固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光との間には、光路長の差(以下、光路差ともいう)が生じている。
具体的には、ビームスプリッター14によって分割され、固定鏡15による反射を経て再びビームスプリッター14に照射される合成光(レーザー光を含む)の光路長は、(L1×2)によって表される。ビームスプリッター14によって分割され、移動鏡16による反射を経て再びビームスプリッター14に照射される合成光(レーザー光を含む)の光路長は、(L2×2)によって表される。
したがって、固定鏡15に反射される合成光と移動鏡16に反射される合成光との光路差は、|(L2×2)−(L1×2)|によって表される。固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光とは、ビームスプリッター14に合成されることによって干渉光を形成する。
移動鏡16の位置に応じて、光路差|(L2×2)−(L1×2)|は周期的に変化する。光路差に応じて干渉光としての光の強度も連続的に変化する。光路差が、たとえば、コリメート光学系13からビームスプリッター14に照射される光の波長の整数倍のとき、干渉光としての光の強度は最大となる。
干渉光を形成した光は、集光光学系17および光路分離鏡23を通して試料Sに照射される。具体的には、ビームスプリッター14によって合成された光は、ビームスプリッター14から干渉光として出射された後、集光光学系17によって集光される。集光光学系17によって集光された光は、参照光学系21(詳細は後述する)における光路分離鏡23に導入される。
光路分離鏡23によって分割された干渉光の一方が、試料Sに照射される。光路分離鏡23によって分割された干渉光の他方は、後述する参照検出器24に導入される。検出器18は、試料Sを透過した合成光(レーザー光を含む)を干渉パターン(インターフェログラム)として検出する。この干渉パターンは、CPU(Central Processing Unit)等を含む演算部20に送られる。演算部20は、収集(サンプリング)した干渉パターンをアナログ形式からデジタル形式に変換し、変換後のデータをさらにフーリエ変換する。
フーリエ変換によって、試料Sを透過した光(干渉光)の波数(=1/波長)毎の光の強度を示すスペクトル分布が算出される。フーリエ変換後のデータは、出力部30を通して他の機器に出力されたりディスプレイ等に表示されたりする。このスペクトル分布に基づいて、試料Sの特性(たとえば、材料、構造、または成分量)が分析される。
(参照光学系21)
参照光学系21は、コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、集光光学系17、参照光源40、光路合成鏡22、光路分離鏡23、参照検出器24、および制御部25を有している。コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、および集光光学系17は、分光光学系11および参照光学系21の双方の構成として共通している。
参照光学系21は、コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、集光光学系17、参照光源40、光路合成鏡22、光路分離鏡23、参照検出器24、および制御部25を有している。コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、および集光光学系17は、分光光学系11および参照光学系21の双方の構成として共通している。
半導体パッケージとしての参照光源40は、半導体レーザー等の電気光変換素子を含み、レーザー光(波長はたとえば300nm〜1100nmの範囲にある単波長光)を出射する。好適には、参照光源40は、分布ブラッグ反射器(DBR:Distributed Bragg Reflector)を含む垂直キャビティ面発光型(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting LASER)の電気光変換素子を含んでいるとよい。
参照光源40は、VHG(Volume Holographic Grating)型の半導体レーザー、または、FBG(Fiber Bragg Grating)型の半導体レーザーなど、回折格子を用いる波長安定化型半導体レーザーを含んでいてもよい。参照光源40を含む光学装置の更なる詳細な構成については、図4〜図6を参照して後述する。
上述のとおり、参照光源40(電気光変換素子)が出射したレーザー光は光路合成鏡22に導入される。光路合成鏡22はハーフミラー等から構成される。光源12からのランプ光は光路合成鏡22を透過する。参照光源40からのレーザー光は光路合成鏡22に反射される。光源12からのランプ光および参照光源40からのレーザー光は、光路合成鏡22によって合成された状態で、光路合成鏡22から同一光路上に出射される。光路合成鏡22から出射された合成光は、コリメート光学系13によって平行光に変換された後、ビームスプリッター14に導入されて2光束に分割される。
上述のとおり、分割された合成光の一方は固定鏡15に照射され、反射光としてビームスプリッター14に再び照射される。分割された合成光の他方は移動鏡16に照射され、反射光としてビームスプリッター14に再び照射される。固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光とは、ビームスプリッター14に合成されることによって干渉光を形成する。なお、上述の光路長の差|(L2×2)−(L1×2)|を形成可能であれば、固定鏡15および移動鏡16が相対的に移動可能に構成されていればよく、固定鏡15および移動鏡16の双方が移動可能に構成されてもよい。
上述のとおり、干渉光を形成した光は、集光光学系17および光路分離鏡23を通して試料Sに照射される。具体的には、ビームスプリッター14によって合成された光は、ビームスプリッター14から干渉光として出射された後、集光光学系17によって集光される。集光光学系17によって集光された光は、参照光学系21における光路分離鏡23に導入される。光路分離鏡23はハーフミラー等から構成され、光路分離鏡23によって分割された光の一方は、試料Sに照射される。光路分離鏡23によって分割された光の他方は、参照検出器24に導入される。
光源12から出射され、光路合成鏡22、コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、および集光光学系17を通して光路分離鏡23に導入された光は、光路分離鏡23を透過する。上述のとおり、光路分離鏡23を透過したこの光(干渉光)は、試料Sをさらに透過した後、検出器18によって検出される。
一方、参照光源40から出射され、光路合成鏡22、コリメート光学系13、ビームスプリッター14、固定鏡15、移動鏡16、および集光光学系17を通して光路分離鏡23に導入された光は、光路分離鏡23に反射される。光路分離鏡23からの反射光(干渉光)は、4分割センサ等から構成される参照検出器24によって干渉パターンとして検出される。
干渉光の干渉パターンは、CPU等を含む制御部25に送られる。制御部25は、収集した干渉パターンに基づく信号を処理し、光路分離鏡23から照射される反射光の強度を算出する。制御部25は、光路分離鏡23からの反射光の強度に基づいて、演算部20におけるサンプリングのタイミングを示す信号を生成することができる。演算部20におけるサンプリングのタイミングを示す信号は、公知の手段によって生成されることができる。
制御部25は、光路分離鏡23からの反射光の強度に基づいて、2光路間における光の傾き(固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光との相対的な傾き)を算出することもできる。2光路間における光の傾きは、たとえば以下のように算出される。
図2を参照して、4分割センサから構成される参照検出器24は、4つの受光素子E1〜E4を有している。受光素子E1〜E4は反時計回りに並んで相互に隣接している。受光素子E1〜E4によって構成される領域に、光路分離鏡23(図1参照)からの反射光が照射される。受光素子E1〜E4によって構成される領域の中心と、光路分離鏡23からの反射光のスポットDの中心とは略一致している。
受光素子E1〜E4は、光路分離鏡23からそれぞれの領域に照射された反射光の強度を検出する。光路分離鏡23からの反射光の強度は、経時的に変化する位相信号として、たとえば図3(A)および図3(B)に示されるように検出される。
図3(A)および図3(B)の各々の横軸は、時間(単位:秒)の経過を示している。図3(A)の縦軸は、受光素子E1が検出した光強度および受光素子E2が検出した光強度の和を強度A1(相対値)として示している。図3(B)の縦軸は、受光素子E3が検出した光強度および受光素子E4が検出した光強度の和を強度A2(相対値)として示している。
図3(A)および図3(B)に示すように、強度A1と強度A2との間に、位相差Δが生じているとする。位相差Δに基づいて、2光路間での光の傾き(固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光との相対的な傾き)が算出される。受光素子E1〜E4からなる他の組み合わせ(たとえば受光素子E1,E4と受光素子E2,E3との組合せ)によって、他の位相差Δを得ることができる。上記の位相差Δとこの他の位相差Δとに基づいて、2光路間での光の傾きの方向(ベクトル)を算出することもできる。
(光路補正装置26)
光路補正装置26は、制御部25における検出結果(固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光との相対的な傾き)に基づいて、固定鏡15の姿勢(ビームスプリッター14に対する角度)を調整する。当該調整によって、固定鏡15における反射光の光路が補正され、2光路間での光の傾きを無くす(若しくは減少させる)ことが可能となる。光路補正装置26がマイケルソン干渉計10内に設けられていることによって、干渉光をより精度の高く生成することが可能となる。
光路補正装置26は、制御部25における検出結果(固定鏡15からの反射光と移動鏡16からの反射光との相対的な傾き)に基づいて、固定鏡15の姿勢(ビームスプリッター14に対する角度)を調整する。当該調整によって、固定鏡15における反射光の光路が補正され、2光路間での光の傾きを無くす(若しくは減少させる)ことが可能となる。光路補正装置26がマイケルソン干渉計10内に設けられていることによって、干渉光をより精度の高く生成することが可能となる。
(参照光源40)
図4〜図6を参照して、本実施の形態における光学装置に用いられる参照光源40について説明する。図4は、参照光源40を示す斜視図である。図5は、参照光源40を示す断面図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿った矢視断面図である。
図4〜図6を参照して、本実施の形態における光学装置に用いられる参照光源40について説明する。図4は、参照光源40を示す斜視図である。図5は、参照光源40を示す断面図である。図6は、図5中のVI−VI線に沿った矢視断面図である。
図4〜図6に示すように、本実施の形態に用いられる参照光源40は、TO(Transistor Outline)−5型の光半導体パッケージである。参照光源40は、ベース部材41および金属製のキャップ部材43を備える。キャップ部材43には、射出窓42が設けられる。ベース部材41およびキャップ部材43によって、これらの内部に中空の空間が形成される。ベース部材41の外縁の一部には、位置決め等に用いられる突起部49が設けられる。
ベース部材41およびキャップ部材43によって形成された内部空間には、光半導体レーザー素子44(電気光変換素子)、温度検出部45、およびアクティブ温度制御部46が設けられる。光半導体レーザー素子44、温度検出部45、およびアクティブ温度制御部46は、ドライ窒素中でこの内部空間内に封止されている。当該封止により、アクティブ温度制御部46に結露などが発生することは防止される。
ベース部材41の外部から上記の内部空間に向かってベース部材41の底部を貫通するように、複数のピン端子47が設けられる。複数のピン端子47は、導電性ワイヤー48(図4,図6参照)を通して、光半導体レーザー素子44、温度検出部45、およびアクティブ温度制御部46にそれぞれ電気的に接続されている。
温度検出部45は、たとえば10kΩの抵抗値を有するサーミスター等から構成され、支持基板46Sの表面上のうちの温度検出部45が配置された部分の温度を検出値として検出する。アクティブ温度制御部46は、光半導体レーザー素子44の温度が所望の値となるように、温度検出部45によって検出された上記の検出値に応じて光半導体レーザー素子44の温度を制御する。たとえば、±0.05℃の温度変化に基づいてアクティブ温度制御部46が光半導体レーザー素子44の温度を制御することによって、温度による波長変動を0.04(nm・pp)程度に抑える事ができる。
本実施の形態におけるアクティブ温度制御部46は、ベース部材41の上に固定されるベースプレート46Bと、ベースプレート46Bの上にマトリックス状に並べられた複数のペルチェ素子46Eと、複数のペルチェ素子46Eの上に配置された熱伝導性を有する絶縁性プレート46Pと、絶縁性プレート46Pの上に配置された熱伝導性を有する支持基板46Sと、を含む。
本実施の形態における支持基板46Sは、平板状に形成されるとともに、その表面の外形は矩形状(長方形状)に形成される。光半導体レーザー素子44および温度検出部45は、互いに間隔を空けて支持基板46S上に並べて配置される。
上述のとおり、本実施の形態における光半導体レーザー素子44は、分布ブラッグ反射器(DBR)を含む垂直キャビティ面発光型(VCSEL)の縦シングルモードの半導体レーザーから構成され、光半導体レーザー素子44から放射されるレーザー光L(図5参照)の波長(本実施の形態では、約670nm)は、光半導体レーザー素子44自身の温度に応じてたとえば0.4(nm/K)程度変化する。
VCSELは、他の半導体レーザー素子に比べて発光出力が1mW程度と小さく、発熱量も小さい。VCSELチップは、ウェハレベルで同時に複数のものを作製することが可能である。たとえば、光半導体レーザー素子44としては、4つのVCSELを集積させて構成することができる。導電性ワイヤー48を取り付けるワイヤボンディング等の作業の際、4つのうちのいくつかが破損したとする。この場合であっても、他のVCSELチップに導電性ワイヤー48を取り付けて、当該他のVCSELチップを使用すればよい。
光半導体レーザー素子44は、ベース部材41の中心軸上に位置するように配置されるとよい。ここで言うベース部材41の中心軸とは、ベース部材41の表面に対して垂直な軸であって、ベース部材41の円板状に形成される部分DD(図5参照)の中心に位置する軸である。光半導体パッケージとしての参照光源40をコリメートしたり、参照光源40をファイバへ結合したりする際に、光半導体レーザーパッケージの全体としての基準位置に基づいてレンズ等の位置決めを容易に行なうことが可能となる。また、ファイバへの結合効率が上がることによって、レーザー光の利用効率が上がり、より高いS/N比を実現することができるとともに、高い精度を有する検出器を構成することが可能となる。
本実施の形態においては、光半導体レーザー素子44から出射されるレーザー光Lの光軸に対して、キャップ部材43に設けられる射出窓42が垂直となるように構成される。好適には、光半導体レーザー素子44から出射されるレーザー光Lの光軸に対して、キャップ部材43に設けられる射出窓42は傾斜するように構成されるとよい。レーザー光Lが射出窓42に反射して、光半導体レーザー素子44の発光を不安定にさせることを防止することが可能となる。また、射出窓42には、VCSELの発光波長に合わせてAR(Anti Reflection)コート処理が施されているとよい。
アクティブ温度制御部46は、参照光源40の外部に設けられた制御装置(図示せず)にピン端子47を通して接続される。この外部制御装置によりアクティブ温度制御部46(ペルチェ素子46E)が駆動されることによって、光半導体レーザー素子44は絶縁性プレート46Pおよび支持基板46Sを通して加熱または冷却される。アクティブ温度制御部46にペルチェ素子46Eが用いられる場合、アクティブ温度制御部46は、支持基板46Sの表面の温度を環境温度から20℃〜30℃程度、低くしたり高くしたりすることができる。
(光学装置)
図7は、本実施の形態における光学装置に用いられる金属筺体80および参照光源40の分解した状態を示す斜視図である。図8は、本実施の形態における光学装置に用いられる金属筺体80および参照光源40の組み立てた状態を示す斜視図である。図9は、図8中のIX−IX線に沿った矢視断面図である。
図7は、本実施の形態における光学装置に用いられる金属筺体80および参照光源40の分解した状態を示す斜視図である。図8は、本実施の形態における光学装置に用いられる金属筺体80および参照光源40の組み立てた状態を示す斜視図である。図9は、図8中のIX−IX線に沿った矢視断面図である。
図7〜図9を参照して、図1に基づき説明した光源12、固定鏡15、移動鏡16、および平行移動機構19、ならびに図4〜図6に基づき説明した参照光源40は、金属筺体80(図7〜図9参照)の内部またはその周辺に配置され、金属筺体80に対して固定される。
本実施の形態では、金属筺体80、参照光源40、放熱部材60および断熱部材71,72によって、光学装置が構成されている。この光学装置に用いられる金属筺体80は、箱状の形状を有し、金属製の部材から構成される。金属筺体80には、参照光源40などを挿し込むための開口部80Hと、ネジ穴81H,82Hとが設けられる。金属筺体80には、必要に応じて、光源12を取り付けられるための開口部(図示せず)なども設けられる。
参照光源40は、円筒形状を有するホルダー51の中に挿し込まれ、ホルダー51に接着、溶接または摩擦係合などによって固定される。図9では、ホルダー51の中に、参照光源40のキャップ部材43が挿し込まれた状態が図示されている。ホルダー51の参照光源40が挿し込まれる側の端部とは反対側の端部は、スペーサー部材52の中に挿し込まれる。スペーサー部材52も、円筒状の形状を有する。ホルダー51は、スペーサー部材52に、接着、溶接または摩擦係合などによって固定される。
スペーサー部材52のホルダー51が挿し込まれる側の端部とは反対側の端部は、レンズホルダー55の中に挿し込まれ、接着、溶接または摩擦係合などによって固定される。レンズホルダー55も、円筒状の形状を有し、レンズホルダー55の内部にはコリメート光学系13(図1,図9参照)などが設けられる。図1では、光源12からの光を平行光に変換する光学系と、参照光源40からの光を平行光に変換する光学系とを、コリメート光学系13が兼ねているが、これらの光学系は別個に構成されていてもよい。図9では、これらの光学系が別個に構成され、そのうちの一方がレンズホルダー55の中に配置されている状態が図示されている。
レンズホルダー55のスペーサー部材52が挿し込まれる側とは反対側の端部は、基準枠58の中に挿し込まれ、接着、溶接または摩擦係合などによって固定される。基準枠58も、円筒状の形状を有する。参照光源40、ホルダー51、スペーサー部材52、レンズホルダー55および基準枠58は、ユニット化されることが可能であり、光軸方向と光軸方向に対して直交する方向とにそれぞれの位置合わせが行われる。位置合わせによって、参照光源40からの光は、レンズホルダー55若しくは基準枠58から、平行光に変換された状態で適切に出射されることが可能となる。
基準枠58は、金属筺体80(マイケルソン干渉計10)内での光学系の光軸と、参照光源40からの光(変換された平行光)の光軸との位置関係を合わせるために用いられる。基準枠58を用いることによって、参照光源40、ホルダー51、スペーサー部材52およびレンズホルダー55は、ユニット化された状態で容易に金属筺体80に対して取り付けられることができる(図7中の矢印AR58参照)。ユニット化されたこれらの部材は、金属筺体80の開口部80Hの中に挿し込まれた後、図示しないネジ等を用いて金属筺体80に対して強固に固定される。
基準枠58は、必要に応じて用いられるとよい。基準枠58が用いられない場合は、スペーサー部材52またはレンズホルダー55等が、金属筺体80の開口部80Hの中に挿し込まれた後に、図示しないネジ等を用いて金属筺体80に対して強固に固定されるとよい。
本実施の形態では、参照光源40の放熱のために、放熱部材60が用いられる。放熱部材60は、たとえば金属製の部材から構成される。放熱部材60は、板状の形状を有する延在部61,62と、接続部63とを含む。第1延在部としての延在部61および第2延在部としての延在部62は、それぞれ板状(直方体状)の形状を有し、互いに対向しつつ平行な方向に延在している。接続部63も、板状の形状を有し、延在部61および延在部62の端部同士の間を接続するように設けられる。放熱部材60は、全体として略C字形状を有している。
延在部61には、その長手方向に沿って延在部61を貫通する貫通孔61Hが設けられる。貫通孔61Hには、樹脂ネジ73が挿し込まれる(図7中の矢印参照)。延在部62には、その長手方向に沿って延在部62を貫通する貫通孔62Hが設けられる。貫通孔62Hには、樹脂ネジ74が挿し込まれる(図7中の矢印参照)。接続部63には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔60Hが設けられる。貫通孔60Hが設けられている位置は、参照光源40における複数のピン端子47の位置に対応している。
放熱部材60は、参照光源40等が金属筺体80の開口部80Hの中に挿し込まれた後、延在部61,62と金属筺体80との間に断熱部材71,72をそれぞれ介在させて金属筺体80に取り付けられる(図7中の矢印AR60,AR71,AR72参照)。本実施の形態における断熱部材71,72とは、金属筺体80を構成する金属材料の熱伝導率(例えば、20〜400W/m・K)に対して、この熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する材料でできたものを意味し、具体例としてはたとえば、炭素繊維を含む樹脂材料、フェノール樹脂(ベークライト)、フッ素樹脂(商品名テフロン(登録商標))、エポキシ樹脂、ガラス等、熱伝導率が0.1〜20W/m・K程度のものが挙げられる。断熱部材71,72として金属製の材料が用いられる場合であっても、上記のような熱伝導率の差がある場合には、同様の作用効果を得ることができる。
樹脂ネジ73は、延在部61に設けられた貫通孔61Hおよび断熱部材71に設けられた貫通孔71Hを通して、金属筺体80のネジ穴81Hに螺合する(図9参照)。樹脂ネジ74は、延在部62に設けられた貫通孔62Hおよび断熱部材72に設けられた貫通孔72Hを通して、金属筺体80のネジ穴82Hに螺合する(図9参照)。
樹脂ネジ73,74の代わりに、高い断熱性を有する接着材を用いて、放熱部材60を金属筺体80に固定してもよい。放熱部材60が金属筺体80に取り付けられた状態では、参照光源40は、延在部61、延在部62および接続部63によって囲まれる空間内に配置される。ピン端子47は、貫通孔60Hを通して外部に突出している。参照光源40は、金属筺体80には直接的には接触しておらず、熱的にも隔絶された状態が形成されている。当該構成によれば、金属筺体80側で発生した熱エネルギーが放熱部材60を通して参照光源40の光半導体レーザー素子44等に伝わることを抑制でき、光半導体レーザー素子44の動作を安定させることができる。
ここで言う熱エネルギーとしては、マイケルソン干渉計10の場合は、参照検出器24またはサンルを照射する光源12などである。近赤外または赤外で高精度が求められる参照検出器24は冷却する必要があり、この放熱によって熱エネルギーが発生する。
放熱部材60を参照光源40に熱的に良好に接続するために、参照光源40のベース部材41と放熱部材60の接続部63との間には、弾性を有する熱伝導部材68(図9参照)が設けられるとよい。参照光源40からの熱が放熱部材60を通して外部に効果的に放出されることが可能となる。熱伝導部材68としては、金属フィラーを含有するシリコーン接着剤を充填するか、伝熱性の高いシリコーンシートを配置するとよい。放熱部材60の加工精度および断熱部材71,72の加工精度などによって参照光源40と放熱部材60との間の間隙が変動した場合でも、熱伝導部材68を用いることにより参照光源40の保持力を確保できる。
断熱部材71,72としては、たとえば樹脂が用いられる。このような断熱部材は、金属に比べて加工精度が劣るため、放熱部材60と金属筺体80との間隔を設計通りにすることは困難である。一方で、参照光源40に対する保持力は必要である。本実施の形態では、マイケルソン干渉計10の光軸と参照光源40からの光(平行光)の光軸とを合わせるために、基準枠58若しくはレンズホルダー55を用いて参照光源40を金属筺体80に対して固定している。このため、参照光源40を直接的に金属筺体80に固定する方式に比べて、本実施の形態では金属筺体80に対するユニットの固定点から参照光源40までの距離が長くなり、モーメントがかかることになるため参照光源40の付近での保持力がなければ経時的にかかる自重または衝撃等の外力で光軸が傾く恐れがある。したがって、熱伝導部材68としては、保持力の低いグリス等ではなく、金属フィラー入りシリコーン接着剤またはシリコーンシートを配置することによって、放熱部材60の加工精度および断熱部材71,72の加工精度などによって参照光源40と放熱部材60との間の間隙が変動した場合でも、熱伝導部材68を用いることにより参照光源40の保持力を確保できる。
上述の実施の形態では、電気光変換素子として、光を放射する光半導体素子が用いられているが、電気光変換素子として光を受光する光半導体素子が用いられる場合であっても同様の効果を得ることができる。以上、本発明に基づいた実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10 マイケルソン干渉計、11 分光光学系、12 光源、13 コリメート光学系、14 ビームスプリッター、15 固定鏡、16 移動鏡、17 集光光学系、18 検出器、19 平行移動機構、20 演算部、21 参照光学系、22 光路合成鏡、23 光路分離鏡、24 参照検出器、25 制御部、26 光路補正装置、30 出力部、40 参照光源(半導体パッケージ)、41 ベース部材、42 射出窓、43 キャップ部材、44 光半導体レーザー素子、45 温度検出部、46 アクティブ温度制御部、46B ベースプレート、46E ペルチェ素子、46P 絶縁性プレート、46S 支持基板、47 ピン端子、48 導電性ワイヤー、49 突起部、51 ホルダー、52 スペーサー部材、55 レンズホルダー、58 基準枠、60 放熱部材、60H,61H,62H,71H,72H 貫通孔、61 延在部(第1延在部)、62 延在部(第2延在部)、63 接続部、68 熱伝導部材、71,72 断熱部材、73,74 樹脂ネジ、80 金属筺体、80H 開口部、81H,82H ネジ穴、100 フーリエ変換分光分析装置、AR58,AR60,AR71,AR72 矢印、E1,E2,E3,E4 受光素子、L レーザー光、S 試料。
Claims (6)
- 金属製の筺体と、
電気光変換素子を内蔵し、前記筺体に対して固定される半導体パッケージと、
前記半導体パッケージに熱的に接続するように配置された放熱部材と、
前記放熱部材と前記筺体との間に設けられ、前記筺体側で発生した熱エネルギーが前記放熱部材を通して前記半導体パッケージに伝わることを抑制する断熱部材と、を備える、
光学装置。 - 前記半導体パッケージと前記放熱部材との間には、弾性を有する熱伝導部材が設けられる、
請求項1に記載の光学装置。 - 前記半導体パッケージは、ベース部材と、前記電気光変換素子を封止するキャップ部材とを含み、
前記熱伝導部材は、前記ベース部材と前記放熱部材との間に設けられる、
請求項2に記載の光学装置。 - 前記放熱部材は、
板状の形状を有し、互いに対向しつつ平行な方向に延在する第1延在部および第2延在部と、
板状の形状を有し、前記第1延在部および前記第2延在部の端部同士の間を接続するように設けられる接続部と、を含み、
前記半導体パッケージは、前記第1延在部、前記第2延在部および前記接続部によって囲まれる空間内に配置される、
請求項1から3のいずれかに記載の光学装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の光学装置と、
移動鏡と、
固定鏡と、
前記固定鏡の傾きを補正する光路補正装置と、
前記半導体パッケージが出射した光を前記固定鏡に向かう光と前記移動鏡に向かう光とに分割するとともに、前記固定鏡および前記移動鏡の各々に反射した光を合成し干渉光として出射する光束分岐手段と、
前記干渉光を検出する参照検出器と、を備え、
前記参照検出器によって検出された前記干渉光の強度に応じて、前記固定鏡の傾きが所望の状態となるように前記光路補正装置が駆動される、
マイケルソン干渉計。 - 請求項5に記載のマイケルソン干渉計を備える、
フーリエ変換分光分析装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012285128A JP2014126518A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 光学装置、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置 |
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JP2012285128A JP2014126518A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 光学装置、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置 |
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JP2012285128A Pending JP2014126518A (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | 光学装置、マイケルソン干渉計、およびフーリエ変換分光分析装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017084939A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザー発光装置及び該レーザー発光装置を備える撮像装置 |
WO2023042454A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 株式会社島津製作所 | フーリエ変換赤外分光光度計 |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012285128A patent/JP2014126518A/ja active Pending
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