JP2014125358A - 多結晶シリコン製造用シードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンロッド100を軸方向に沿って平行にスライスして複数の板状物1を製作した後に、これら板状物1をさらに面方向と直交する方向に沿って平行に切断して断面矩形の複数の多結晶シリコン製造用シード2を製造する方法であって、シリコンロッド100の径方向の両側部10a,10bを軸方向に沿って平行に、かつ2つの異なる幅A,Bの切断面11,12となるように切断する第1工程と、両切断面11,12のうち幅の広い切断面11側から、その切断面11に垂直にスライスすることにより板状物1を形成する第2工程と、板状物1を切断して多結晶シリコン製造用シード2を製造する第3工程とを有し、第1工程において広い幅Aと狭い幅Bとの比率B/Aを0.8以下に設定する。
【選択図】 図1
Description
このチッピングは、割れやクラックには至らないものの、最終的にシード状態に加工した際に、シードの長さ方向で断面積が部分的に小さくなる箇所が発生する。これにより、シードの断面積が小さいところでは抗折強度が低下するため、シリコン析出中にシードが折れやすくなることから通電不良により加熱ができなくなったり、シードロッドの倒壊が発生することにより他のシードの倒壊を誘発したりして、シリコン析出の生産性が低下するおそれがある。また、チッピングが形成されるとその部分のシードの断面積が小さくなることで、シードの通電時に局所的に高温になる部分が発生し、シードの溶断が生じやすくなる。その結果、通電不良となり、上記と同様にシリコン析出の生産性が低下するおそれがある。
また、還元反応容器内でシリコンロッドの倒壊が発生すると、所定の形状のシリコン塊が得られなくなったり、倒壊によりシリコンロッドが炉壁などと接触したり激突することで、シリコン表面が汚染されるなど二次的な影響が発生する。この場合、その後の処理に時間や労力がかかるため、シリコンロッドの倒壊は避けなければならない課題となっている。
このため、チッピングが発生したシードは使用することができず、結果としてシードの切断加工の歩留まりの低下に繋がっていた。
しかし、このチッピングのレベル(サイズや発生割合)を低減することは。回転切断刃の回転数や送りスピードを変えるなど切断条件を調整することで可能ではあるが、シード生産効率を低下させることにも繋がるため、生産性を低下させないでチッピングを完全になくすことは難しい。
また、シリコンロッドを板状物にスライスする際に、シリコンロッド内の残留応力が開放されるので、板状物をさらに細幅のシードに切断するときには、チッピングは生じにくい。
したがって、シード切断加工時のチッピング不良率が低減することで、シリコンロッドから採取されるシードの歩留まりを向上させることができる。
本実施形態の多結晶シリコン製造用シードの製造方法は、図1(a)に示すような円柱状の多結晶シリコンのシリコンロッド100を、その長手方向(軸方向)に沿って平行にスライスして複数の板状物1(図2(b)参照)を製作した後に、これらの板状物1をさらに切断面方向と直交する方向に沿って複数を平行に切断することにより、断面矩形の複数の多結晶シリコン製造用のシード2(図2(c)参照)を製造する方法である。以下、工程順に詳述する。
まず、図1(a)及び(b)に示すように、シリコンロッド100の径方向の両側部10a,10bを、シリコンロッド100の長手方向(図1では、紙面前後方向)に沿って平行に、かつ2つの異なる幅A,Bの切断面11,12となるように切断する。図1では、左側に配置される側部10aの切断面11の幅Aは、右側に配置される側部10bの切断面12の幅Bよりも広く設定されており、これら幅Aと幅Bとの比率B/Aは、0.8以下に設定される。
ここで、図1に破線で囲まれる矩形の領域(シード形成領域)9は、シード2として使用される範囲を示すが、幅の広い切断面11はシード形成領域9の一つの辺上に設定され、その切断面11の切断により形成されるシード2の一側面となる。また、幅の狭い切断面12はシード形成領域9よりも距離Xだけ離れた位置に設定されており、その差の部分は製品としてのシード2としない切代部10cとされる。この切代部10cは、他のシリコン材料として利用される。
次に、図2(a)の矢印cで示すように、両側部10a,10bが切り落とされたシリコンロッド100Aを90°回転し、幅の狭い切断面12を下側にして配置する。そして、幅の広い切断面11側から、その切断面11にほぼ平行な切断面12にほぼ垂直に順次スライスすることにより、所定の厚みの板状物1(図2(b))を形成する。なお、板状物1の厚みは、製造するシード2の一側面の長さに相当する。
また、シリコンロッド100Aを切断面12にほぼ垂直にスライスするとき、回転切断刃がシリコンロッド100Aを切り抜ける際にシリコンロッド100A内の残留応力が集積し、さらにその周辺にダメージを与えられることにより、シリコンロッド100Aの下面側(図2(b)の板状物1の端部領域1c)にチッピングが生じ易い。しかし、シリコンロッド100Aの下面側には、切代部10cを残してあるので、チッピングの発生は切代部10cに対応する板状物1の端部領域1cに集約されることになる。
そして最後に、図2(b)の矢印cで示すように、板状物1をさらに面方向と直交する方向に沿って平行に切断することにより、図2(c)に示すように断面矩形の多結晶シリコン製造用シード2を製造する。この際、チッピングが形成された部分を含めて端部領域1c(前述の切代部10cが細幅に切断されたもの)がシード2から切り離され、チッピング部分を含まないシード2を得ることができる。
したがって、シリコンロッド100からのシード2を取得する際の歩留まりを確実に向上させることができる。
図1に示すように、直径70mm〜80mmの円柱状の多結晶シリコンロッド100の両側部10a,10bをそれぞれ切断面11,12と垂直にスライスして複数の板状物1を製造した後に、これらの板状物1をさらに面方向と直交する方向に沿って平行に切断することにより、断面矩形(7.2mm〜10.1mm角)のシード2を製造した。また、各試料は、幅A及び幅Bを表1に示す条件に設定した。
そして、このように設定されたシリコンロッドから製造されるシードの全数量に対し、チッピング等の不良が無く形成されたシード(良品)の本数の割合(表1に示すシードの歩留まり)を調べた。表1に結果を示す。
上記確認実験では、シリコンロッドの直径を70mm〜80mmとし、断面矩形7.2mm〜10.1mmのシード切断加工を行い、1本のシリコンロッドから25本のシードを採取したが、1本のシリコンロッドから採取するシードの本数はこれに限定されるものではない。シードの断面寸法を適宜変えることで、例えば、1本のシリコンロッドから36本のシード、1本のシリコンロッドから16本のシードのように採取することができる。
また、シリコンロッドの直径は、70mm以下あるいは80mm以上のものを使用することもできる。
さらに、上記実施形態では、被切断物を多結晶シリコンロッドとしたが、本発明の多結晶シリコン製造用シードの製造方法は、単結晶シリコンロッドや他の脆性材料の切断にも適用することができる。
1c 端部領域
2 シード(多結晶シリコン製造用シード)
9 シード形成領域
10a,10b 側部
10c 切代部
11,12 切断面
100 シリコンロッド(多結晶シリコンロッド)
Claims (1)
- シリコンロッドを軸方向に沿って平行にスライスして複数の板状物を製作した後に、これらの板状物をさらに面方向と直交する方向に沿って平行に切断して断面矩形の複数の多結晶シリコン製造用シードを製造する方法であって、前記シリコンロッドの径方向の両側部を前記軸方向に沿って平行に、かつ2つの異なる幅の切断面となるように切断する第1工程と、両切断面のうち幅の広い切断面側から、該切断面に垂直にスライスすることにより前記板状物を形成する第2工程と、前記板状物を切断して前記多結晶シリコン製造用シードを製造する第3工程とを有し、前記第1工程において前記2つの異なる幅のうち広い幅をAとし、狭い幅をBとした場合に、比率B/Aを0.8以下に設定することを特徴とする多結晶シリコン製造用シードの製造方法。
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