CN116277561B - 硅棒的开方方法 - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 182
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 182
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 218
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 27
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
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Abstract
本发明涉及光伏硅片生产技术领域,具体而言,涉及硅棒的开方方法,其包括确定方棒的对称轴线的位置,其中,方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿其直径延伸方向间隔预设距离;确定初始切割位置,初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转预设角度;从初始切割位置处进行第一切割和第二切割,第二切割的切割线与第一切割的切割线垂直;以及依据切割尺寸确定切割位置并进行第三切割和第四切割,以得到方棒和两个残留硅棒,一个残留硅棒从第三切割的切割线处与方棒分离,另一个残留硅棒从第四切割的切割线处与方棒分离;在两个残留硅棒上分别切割出端面呈矩形的硅棒。本发明的方法能够提高开方的硅棒的收率。
Description
技术领域
本发明涉及光伏硅片生产技术领域,具体而言,涉及硅棒的开方方法。
背景技术
光伏,能够利用光伏半导体材料的光生伏打效应而将太阳能转化为直流电能;用来发电的半导体材料主要有:单晶硅、多晶硅、非晶硅及碲化镉等。其中,高纯单晶硅材料提纯过程中能耗较高,技术难度也大,为了降低成本,硅材料在生产过程中最大限度的利用和可再生回收是其中的关键。
由于太阳能光伏板的发电量和接收光源面积直接相关,故相应的硅棒和硅片发展方向逐渐走向大直径和大尺寸。硅棒拉制生长的特殊方式,从单晶炉生长出来的硅棒的端面都是圆形的,而太阳能行业需要的大尺寸硅片通常都是方形;因此,硅片生产的第一步需要把圆形的硅棒四面剖除留下一个大尺寸的方形硅棒。
但是,相关技术提供的硅棒的开方方法的开方收率较低,大部分的硅棒无法使用而需要回炉重铸。
发明内容
本发明的目的在于提供硅棒的开方方法,该方法能够提高开方的硅棒的收率,提高硅材料的利用率,降低需要回炉重铸的硅棒比例。
本发明是这样实现的:
本发明提供一种硅棒的开方方法,包括:
确定方棒的对称轴线的位置,其中,方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿待切割的硅棒的直径延伸方向间隔预设距离;
确定初始切割位置,初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转预设角度;
从初始切割位置处进行第一切割,第一切割的切割线与方棒的对称轴线垂直或平行;
从初始切割位置处进行第二切割,第二切割的切割线与第一切割的切割线垂直;
以及依据切割尺寸确定切割位置进行第三切割和第四切割,以得到方棒和两个残留硅棒,其中一个残留硅棒从第三切割的切割线处与方棒分离,其中另一个残留硅棒从第四切割的切割线处与方棒分离;第三切割的切割线和第四切割的切割线两者中的一者与第一切割的切割线垂直、并与第二切割的切割线平行,两者中的另一者与第一切割的切割线平行、并与第二切割的切割线垂直;
在两个残留硅棒上分别切割出端面呈矩形的硅棒。
在可选的实施方式中,预设距离为3mm-7mm。
在可选的实施方式中,预设距离为5mm。
在可选的实施方式中,预设角度为1.5°-2.5°。
在可选的实施方式中,第一切割时的切割速度为320-400mm/min。
在可选的实施方式中,第二切割时的切割速度为320-400mm/min。
在可选的实施方式中,第三切割包括连续进行的三段切割步骤,三段切割步骤的切割速度依次为280-320 mm/min、180-220 mm/min、280-320 mm/min。
在可选的实施方式中,第四切割包括连续进行的三段切割步骤,三段切割步骤的切割速度依次为280-320 mm/min、180-220 mm/min、280-320 mm/min。
在可选的实施方式中,三段切割步骤,具体包括:
沿切割方向,切割线分为依次连接的第一段、第二段和第三段,其中,第二段的长度等于端面呈矩形的硅棒的长边长度,切割第一段对应的位置时的速度为280-320 mm/min、切割第二段对应的位置时的速度为180-220 mm/min、切割第三段对应的位置时的速度为280-320 mm/min;第一段和第三段的切割面的表面粗糙度Ra为72-88μm,第二段的切割面的表面粗糙度Ra为60-68μm。
在可选的实施方式中,第一切割、第二切割、第三切割和第四切割中的至少一者为用钢线进行切割;钢线的直径为38-46μm,钢线的张力为100-150N。
在可选的实施方式中,硅棒的开方方法还包括:在进行第一切割前,按照180-220mm/min的速度在初始切割位置进行预切割,至钢线稳定后进行开方切割。
本发明包括以下有益效果:
本发明的硅棒的开方方法中,由于确定的方棒的对称轴线相对于待切割的硅棒的对称轴线偏移了预设距离,故方棒的对称轴线和待切割的硅棒的对称轴线不重合,与此同时使待切割的硅棒的初始切割位置相对于其生长棱线偏转预设角度,即可使开方的位置相对于待切割的硅棒的中轴线偏移,也即能够实现偏心开方,使得切割出来的方棒的中轴线与未切割的硅棒的中轴线平行、而不重合,如此,即可在进行第三切割和第四切割背离方棒的一侧留出端面相对较大的残留硅棒,以便于进一步在残留硅棒上切割出端面呈矩形的硅棒。这样一来,不仅能够切割出端面尺寸较大的方棒,还能够额外的切割出两个尺寸相对较小的、端面呈矩形的硅棒,通过合理的切割位置规划,切割出更多可用的硅棒,提高硅棒的收率,即提高硅材料的利用率,降低需要回炉重铸的硅棒比例。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的圆形的硅棒的切割示意图;
图2为现有技术提供的圆形的硅棒的切割示意图;
图3为本发明提供的圆形的硅棒的切割示意图和现有技术提供的圆形的硅棒的切割示意图的对比图;
图4为本发明对比例2的硅片表面隐裂的局部放大图。
图标:
010-待切割的硅棒;100-方棒;101-第一切割的切割线;102-第二切割的切割线;103-第三切割的切割线;104-第四切割的切割线;105-方棒的对称轴线;106-待切割的硅棒的对称轴线;110-初始切割位置;111-第一切割位置;112-第二切割位置;200-残留硅棒;201-第一段;202-第二段;203-第三段;210-端面呈矩形的硅棒。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明提供一种硅棒的开方方法,其可以利用相关技术提供的开方设备切割硅棒;具体地,在进行切割时,采用钢线切割。
可选地,钢线的直径为38-46μm,例如:38μm、39μm、40μm、42μm、43μm、44μm、46μm等;钢线的张力为100-150N,例如:100 N、110 N、120 N、130 N、140 N、150 N等。
请结合图1-图3,本发明的硅棒的开方方法包括:
确定需要从待切割的圆形硅棒上切割出来的方棒的对称轴线105的位置,其中,该方棒的对称轴线105与待切割的硅棒的对称轴线106沿待切割的硅棒010的直径延伸方向间隔预设距离h。
确定初始切割位置110,初始切割位置110相对于待切割的硅棒010的生长棱线L绕待切割的硅棒010的圆心o偏转预设角度α。
从初始切割位置110处进行第一切割,第一切割的切割线101与方棒的对称轴线105垂直。
从初始切割位置110处进行第二切割,第二切割的切割线102与第一切割的切割线101垂直。
依据切割尺寸确定第三切割和第四切割的位置,并进行第三切割和第四切割,以得到方棒100和两个残留硅棒200,其中一个残留硅棒200从第三切割的切割线103处与方棒100分离,其中另一个残留硅棒200从第四切割的切割线104处与方棒100分离;第三切割的切割线103和第四切割的切割线104两者中的一者与第一切割的切割线101垂直、并与第二切割的切割线102平行,两者中的另一者与第一切割的切割线101平行、并与第二切割的切割线102垂直。
在两个残留硅棒200上分别切割出端面呈矩形的硅棒210。
应当理解,一些实施方式中,从初始切割位置110处进行第一切割时,第一切割的切割线101还可以与方棒的对称轴线105平行。
需要说明的是,依据切割尺寸确定第三切割和第四切割的位置,并进行第三切割和第四切割,具体地可以是指:在确定了第一切割和第二切割的切割位置后,根据所需的方棒的尺寸,例如:例如方棒的尺寸为156mm×156mm,可以将与第一切割的位置间隔156mm、且与第一切割的切割线平行的位置,确定为第四切割的位置,并可以将与第二切割的位置间隔156mm、且与第二切割的切割线平行的位置,确定为第三切割的位置。
由于本发明的方法确定的方棒的对称轴线105相对于待切割的硅棒的对称轴线106偏移了预设距离h,故方棒的对称轴线105和待切割的硅棒的对称轴线106不重合,与此同时使待切割的硅棒010的初始切割位置110相对于其生长棱线L偏转预设角度,即可使开方的位置相对于待切割的硅棒010的中轴线偏移,也即能够实现偏心开方,使得切割出来的方棒100的中轴线与未切割的硅棒的中轴线平行、而不重合,如此,即可在进行第三切割处和第四切割处背离方棒的一侧留出端面相对较大的残留硅棒200,以便于进一步在残留硅棒200上切割出端面呈矩形的硅棒210。这样一来,不仅能够切割出端面尺寸较大的方棒100,还能够额外的切割出两个尺寸相对较小的、端面呈矩形的硅棒210,通过合理的切割位置规划,切割出更多可用的硅棒,提高硅棒的收率,即提高硅材料的利用率,降低需要回炉重铸的硅棒比例。
现有技术提供的硅棒的开方方法为中心对称型的开方方式,切割位置在圆形硅棒的生长棱线L处,而且切割出来的方棒100的中心轴与圆棒的中心轴重合,切割出方棒100后,方棒100四周形成的硅棒残留部分,端面面积小,无法再额外的切割出端面呈方形或矩形的、可用的方棒100,故硅棒的利用率较低,以直径为223mm的圆硅棒为例,按照中心对称型的开方方式切割出来的方棒100的尺寸D’为166mm×166mm,硅棒的利用率在70.5%左右。按照本发明的硅棒的开方方法,使方棒100的中心轴偏离圆形硅棒的中心轴,开方出来的方棒100的尺寸D为156mm×156mm,而切割出方棒100后留下的两个残留硅棒200均还可以切割出尺寸为30mm×10mm(长度a为30mm,宽度b为10mm)的硅棒,硅棒利用率可以提升77.7%左右,显然本发明的开方方法能够切割出能够用于太阳能光伏的、大尺寸(156mm×156mm)的硅棒、同时还能开出能够使用的小尺寸(30mm×10mm)的硅棒,且相比于相关技术提高硅棒利用率。
可选地,为了在切割硅棒时,减少碎边、减少端面崩缺损坏等;初始切割位置110包括第一切割位置111和第二切割位置112,其中,第二切割位置112相对于第一切割位置111绕待切割的圆形硅棒的圆心偏转设定角度,第一切割时钢丝从第一切割位置111切入,第二切割时钢丝从第二切割位置112切入;这样一来,切割出来的方棒100的第一切割的切割线101与第二切割的切割线102之间的夹角处为圆弧边,且第二切割时钢丝的切入口避开第一切割的切入口,能够减少碎边、端面崩坏损坏。其中,设定角度包括但不限于0.5°、1°、2°,在此不作具体限定。
在一些实施方式中,预设距离h为3mm-7mm,例如:3mm、4mm、5mm、6mm、7mm等;优化方棒的对称轴线105相对于待切割的硅棒的对称轴线106的偏移距离,能够确保切割出的方棒100尺寸够大,能够满足用于太阳能光伏的大尺寸方棒100要求,而且又能确保切割后留下的两个残留硅棒200,能够切割出尺寸小、但是能够仍然满足使用要求的端面呈矩形的硅棒210。
待切割的硅棒010可以为<100>取向的单晶硅,由于其由四个{111}面和圆柱形晶体倾斜相交,在晶体柱面形成四条对称分布的生长棱线;在一些实施方式中,将初始切割位置110相对于待切割的硅棒010的生长棱线绕待切割的硅棒010的圆心偏转的角度配置为1.5°-2.5°,例如:1.5°、1.8°、2.0°、2.2°、2.5°等;可以通过优化初始切割位置110相对于待切割的硅棒010的生长棱线绕待切割的硅棒010的圆心偏转的角度,确保切割出来的方棒100无应力隐裂的情况产生。具体地,相关技术中,考虑到晶棒长晶位错问题按照晶向<100>进行开方,即在圆形硅棒的生长棱线处进行剖方,以便保证晶棒不出现应力隐裂现象;而本发明的硅棒开方方法,采用偏心剖切,使方棒的对称轴线105相对于待切割的硅棒的对称轴线106沿待切割的硅棒010的直径延伸方向偏移一定距离,与此同时使初始切割位置110相对于待切割的硅棒010的生长棱线偏转1.5°-2.5°,使方棒100的四个边线与待切割的硅棒010的生长棱线错开一定角度方位,最终切割得到的方棒100和两个端面呈矩形的硅棒210都为非<100>晶向的硅片,以使晶向<100>±(1.5°-2.5°)偏移仍然能保证偏心开方的方棒100无应力隐裂情况产生。
在圆形的待切割的硅棒010开始切割的阶段,按照180-220mm/min(例如:180mm/min、190mm/min、200mm/min、210mm/min、220mm/min等)的速度在所述初始切割位置进行预切割,至钢线稳定后进行后续开方切割。如此,即可避免钢丝与硅棒接触时的速度过快导致边皮容易夹线断线的问题。
进一步地,在进行第一切割和第二切割时,可以采用快速切割,提高切割速度,有利于提高生产效率;第一切割时的切割速度和第二切割的速度均可以是320-400mm/min,例如:320 mm/min、330 mm/min、340 mm/min、350 mm/min、360 mm/min、370 mm/min、380 mm/min、390 mm/min、400 mm/min等。
在进行第三切割和第四切割时,可以连续进行三段切割,且三段切割的速度依次为280-320 mm/min(例如:280 mm/min、290 mm/min、300 mm/min、310 mm/min、320 mm/min等)、180-220 mm/min(例如:180 mm/min、190 mm/min、200 mm/min、210 mm/min、220 mm/min等)、280-320 mm/min(例如:280 mm/min、290 mm/min、300 mm/min、310 mm/min、320mm/min等)。
上述的三段切割,具体是指:在进行第三切割和第四切割时,沿切割的方向,将切割线划分为依次连接的第一段201、第二段202和第三段203,其中,第二段202的长度等于从残留硅棒200切割下来的端面呈矩形的硅棒210的长边长度。这样一来,即可控制切割第一段201对应的位置时的速度为280-320 mm/min、控制切割第二段202对应的位置时的速度为180-220 mm/min、控制切割第三段203对应的位置时的速度为280-320 mm/min,确保钢丝接触到后续需要切割出来的端面呈矩形的硅棒210的长边时的下压速度慢一些,能够避免切割出来的端面呈矩形的硅棒210的长边出现碎裂的问题。也就是说,在三段切割时,控制不同的切割速度,能够得到不同粗糙程度的切割面,进而减少形成晶裂等缺陷的可能,可提高小块晶坯开方的完整性,减少缺陷,减少废料;其中,第一段201和第三段203的切割面的表面粗糙度Ra为72-88μm,例如:72μm、76μm、78μm、82μm、88μm等,第二段202的切割面的表面粗糙度Ra为60-68μm,例如:60μm、62μm、64μm、66μm、68μm等。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
确定方棒的对称轴线的位置,其中,方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿待切割的硅棒的直径延伸方向间隔5mm。
确定初始切割位置,初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转1.5°。
进行第一切割、第二切割、第三切割和第四切割;其中,在初始切割位置的第一切割位置进行第一切割,第一切割的切割线与方棒的对称轴线垂直。钢丝直径为42μm,钢线的张力为120N;第一切割前钢丝的下压速度为200mm/min,第一切割的速度为350 mm/min。
在初始切割位置的第二切割位置进行第二切割,第二切割的切割线与第一切割的切割线垂直;第二切割位置相对于第一切割位置偏转0.5°。第二切割的速度为350 mm/min。
第三切割的切割线与第一切割的切割线垂直、并与第二切割的切割线平行,第四切割的切割线与第一切割的切割线平行、并与第二切割的切割线垂直。第三切割和第四切割均为连续进行的三段切割,三段速度分别为300 mm/nim 、200 mm/nim 、300mm/nim。
在切割出方棒和两个残留硅棒后,分别在两个残留硅棒切割端面呈矩形的硅棒。
切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒基本无隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
实施例2
确定方棒的对称轴线的位置,其中,方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿待切割的硅棒的直径延伸方向间隔7mm。
确定初始切割位置,初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转2.5°。
进行第一切割、第二切割、第三切割和第四切割;其中,在初始切割位置的第一切割位置进行第一切割,第一切割的切割线与方棒的对称轴线垂直。钢丝直径为46μm,钢线的张力为100N;第一切割前钢丝的下压速度为180mm/min,第一切割的速度为320 mm/min。
在初始切割位置的第二切割位置进行第二切割,第二切割的切割线与第一切割的切割线垂直;第二切割位置相对于第一切割位置偏转1°。第二切割的速度为320 mm/min。
第三切割的切割线与第一切割的切割线垂直、并与第二切割的切割线平行,第四切割的切割线与第一切割的切割线平行、并与第二切割的切割线垂直。第三切割和第四切割均为连续进行的三段切割,三段速度分别为280 mm/nim 、180 mm/nim 、280mm/nim。
在切割出方棒和两个残留硅棒后,分别在两个残留硅棒切割端面呈矩形的硅棒。
切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒均无隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
实施例3
确定方棒的对称轴线的位置,其中,方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿待切割的硅棒的直径延伸方向间隔3mm。
确定初始切割位置,初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转1.8°。
进行第一切割、第二切割、第三切割和第四切割;其中,在初始切割位置的第一切割位置进行第一切割,第一切割的切割线与方棒的对称轴线垂直。钢丝直径为38μm,钢线的张力为150N;第一切割前钢丝的下压速度为220mm/min,第一切割的速度为400 mm/min。
在初始切割位置的第二切割位置进行第二切割,第二切割的切割线与第一切割的切割线垂直;第二切割位置相对于第一切割位置偏转0.5°。第二切割的速度为400 mm/min。
第三切割的切割线与第一切割的切割线垂直、并与第二切割的切割线平行,第四切割的切割线与第一切割的切割线平行、并与第二切割的切割线垂直。第三切割和第四切割均为连续进行的三段切割,三段速度分别为320 mm/nim 、220 mm/nim 、320mm/nim。
在切割出方棒和两个残留硅棒后,分别在两个残留硅棒切割端面呈矩形的硅棒。
切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒基本无隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
对比例1
对比例1的开方方式和实施例1类似,不同之处在于:初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转3°;其他工艺参照实施例1。切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒均存在少量的隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
对比例2
对比例2的开方方式和实施例1类似,不同之处在于:初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转5°;其他工艺参照实施例1。切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒均存在大量的隐裂(请参照图4);切割得到的方棒的隐裂率见表1。
对比例3
对比例3的开方方式和实施例1类似,不同之处在于:初始切割位置相对于待切割的硅棒的生长棱线绕待切割的硅棒的圆心偏转0.5°;其他工艺参照实施例1。切割得到的方棒和端面呈矩形的硅棒均存在一定量的隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
对比例4
对比例4的开方方式和实施例1类似,不同之处在于:在第三切割和第四切割时,采用一段式切割,全程切割速度控制在300 mm/min;其他工艺参照实施例1。切割得到的端面呈矩形的硅棒均存在一定量的隐裂;切割得到的方棒的隐裂率见表1。
综上所述,本发明的硅棒的开方方法不仅能够提高圆形的待切割的硅棒的开方收率,提高硅材料的利用率,降低需要回炉重铸的硅棒比例;而且可以有效地改善切割导致的隐裂问题。
以上仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种硅棒的开方方法,其特征在于,包括:
确定方棒的对称轴线的位置,其中,所述方棒的对称轴线与待切割的硅棒的对称轴线沿所述待切割的硅棒的直径延伸方向间隔预设距离;
确定初始切割位置,所述初始切割位置相对于所述待切割的硅棒的生长棱线绕所述待切割的硅棒的圆心偏转预设角度;
从所述初始切割位置处进行第一切割,所述第一切割的切割线与所述方棒的对称轴线垂直或平行;
从所述初始切割位置处进行第二切割,所述第二切割的切割线与所述第一切割的切割线垂直;
以及依据切割尺寸确定切割位置并进行第三切割和第四切割,以得到所述方棒和两个残留硅棒,其中一个所述残留硅棒从所述第三切割的切割线处与所述方棒分离,其中另一个所述残留硅棒从所述第四切割的切割线处与所述方棒分离;所述第三切割的切割线和所述第四切割的切割线两者中的一者与所述第一切割的切割线垂直、并与所述第二切割的切割线平行,两者中的另一者与所述第一切割的切割线平行、并与所述第二切割的切割线垂直;
在两个所述残留硅棒上分别切割出端面呈矩形的硅棒。
2.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述预设距离为3mm-7mm。
3.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述预设角度为1.5°-2.5°。
4.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第一切割时的切割速度为320-400mm/min。
5.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第二切割时的切割速度为320-400mm/min。
6.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第三切割包括连续进行的三段切割步骤,所述三段切割步骤的切割速度依次为280-320 mm/min、180-220 mm/min、280-320 mm/min。
7.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第四切割包括连续进行的三段切割步骤,所述三段切割步骤的切割速度依次为280-320 mm/min、180-220 mm/min、280-320 mm/min。
8.根据权利要求6或7所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述三段切割步骤,具体包括:
沿切割方向,切割线分为依次连接的第一段、第二段和第三段,其中,所述第二段的长度等于所述端面呈矩形的硅棒的长边长度,切割所述第一段对应的位置时的速度为280-320 mm/min、切割所述第二段对应的位置时的速度为180-220 mm/min、切割所述第三段对应的位置时的速度为280-320 mm/min;所述第一段和所述第三段的切割面的表面粗糙度Ra为72-88μm,所述第二段的切割面的表面粗糙度Ra为60-68μm。
9.根据权利要求1所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述第一切割、所述第二切割、所述第三切割和所述第四切割中的至少一者为用钢线进行切割;所述钢线的直径为38-46μm,所述钢线的张力为100-150N。
10.根据权利要求9所述的硅棒的开方方法,其特征在于,所述硅棒的开方方法还包括:在进行所述第一切割前,按照180-220mm/min的速度在所述初始切割位置进行预切割,至钢线稳定后进行开方切割。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310559115.3A CN116277561B (zh) | 2023-05-18 | 2023-05-18 | 硅棒的开方方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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CN116277561B true CN116277561B (zh) | 2023-07-21 |
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Country Status (1)
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CN (1) | CN116277561B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103862584A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-18 | 常州时创能源科技有限公司 | 太阳能电池用单晶硅圆棒的开方工艺及应用 |
JP2014125358A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン製造用シードの製造方法 |
CN111251483A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅棒的切割方法 |
CN111477540A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-07-31 | 天津市环智新能源技术有限公司 | 单晶硅片、单晶硅棒及制备方法、太阳能电池及组件 |
CN111745844A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 边皮籽晶及其制备方法和应用 |
CN112643910A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-13 | 天合光能股份有限公司 | 一种大尺寸硅片的切割方法 |
CN113601738A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-05 | 宇泽半导体(云南)有限公司 | 一种用原生单晶硅棒加工矩形光伏电池硅片的加工方法 |
CN113696358A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-26 | 西安中晶半导体材料有限公司 | 一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法 |
CN114193640A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-18 | 常州时创能源股份有限公司 | <100>偏晶向硅片的制备方法 |
CN114589822A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-06-07 | 青岛高测科技股份有限公司 | 四线垂直切割硅棒的方法、切割设备及切割系统 |
-
2023
- 2023-05-18 CN CN202310559115.3A patent/CN116277561B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014125358A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコン製造用シードの製造方法 |
CN103862584A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-18 | 常州时创能源科技有限公司 | 太阳能电池用单晶硅圆棒的开方工艺及应用 |
CN111745844A (zh) * | 2019-03-26 | 2020-10-09 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 边皮籽晶及其制备方法和应用 |
CN111251483A (zh) * | 2020-03-12 | 2020-06-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅棒的切割方法 |
CN111477540A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-07-31 | 天津市环智新能源技术有限公司 | 单晶硅片、单晶硅棒及制备方法、太阳能电池及组件 |
CN112643910A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-13 | 天合光能股份有限公司 | 一种大尺寸硅片的切割方法 |
CN113601738A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-11-05 | 宇泽半导体(云南)有限公司 | 一种用原生单晶硅棒加工矩形光伏电池硅片的加工方法 |
CN113696358A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-26 | 西安中晶半导体材料有限公司 | 一种多线切割实现单晶晶体晶向偏离的方法 |
CN114193640A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-18 | 常州时创能源股份有限公司 | <100>偏晶向硅片的制备方法 |
CN114589822A (zh) * | 2022-04-21 | 2022-06-07 | 青岛高测科技股份有限公司 | 四线垂直切割硅棒的方法、切割设备及切割系统 |
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Publication number | Publication date |
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