CN114193640A - <100>偏晶向硅片的制备方法 - Google Patents
<100>偏晶向硅片的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。本发明能制备晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片，且降低了偏晶向硅片的工艺难度，提升了硅棒的利用率，还降低了偏晶向硅片的制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域，具体涉及一种<100>偏晶向硅片的制备方法。
背景技术
硅单晶由于其晶格缺陷少、少子寿命高、转化效率高、单晶制造成本低等优势，已成为光伏用硅片的主要材料。目前，<100>晶向的单晶硅片，已成为光伏电池产品应用中最广泛的基底材料。但随着光伏技术的发展，制备和应用晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片成为一种选项。
目前偏晶向硅片的制备有两种方案：1）通过晶向偏离<100>一定角度的偏晶向籽晶直接拉制出晶向偏离<100>一定角度的偏晶向晶棒，再将偏晶向晶棒切割出晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片；2）对<100>晶棒进行斜切，切片方向倾斜于晶棒生长轴线，切割出晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片。
方案1）拉制晶向偏离<100>一定角度的偏晶向晶棒，对晶体生长的工艺条件提出了挑战和难度，晶体生长成本也大幅提升。
方案2）主要用于切割晶向偏离<100>角度较小的偏晶向硅片，若用于切割晶向偏离<100>角度较大的偏晶向硅片，则需要更大的圆棒直径作为支持，而圆棒直径加大会降低晶棒的利用率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，0°<θ<45°（优选的，0°<θ<15°）；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
单晶硅方棒切片的具体步骤参见实施例，单晶硅方棒切片制得硅片可以是矩形硅片（如：方片，长方形硅片），还可以是四角为倒角的矩形硅片（如：准方片，四角为倒角的长方形硅片）。
另外，单晶硅圆棒开方有产生边皮料；边皮料包括矩形底面，该边皮料的底面的晶向为<100>偏θ角；对边皮料切片，切片方向平行于边皮料的矩形底面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
边皮料切片的具体步骤参见实施例，边皮料切片制得硅片可以是矩形硅片（如：方片，长方形硅片），还可以是四角为倒角的矩形硅片（如：四角为倒角的方片或长方形硅片）。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种<100>偏晶向硅片的制备方法，其能制备晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片。
本发明具有如下特点：
1）拉制晶向偏离<100>一定角度的偏晶向晶棒，晶体生长工艺较为复杂，成本较高。而本发明无需拉制偏晶向晶棒，可通过目前行业普遍采用的<100>晶棒制备晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片，降低了偏晶向硅片的工艺难度和成本。
2）对<100>晶棒进行斜切制备晶向偏离<100>角度较大的偏晶向硅片，需要更大的圆棒直径作为支持，而圆棒直径加大会降低晶棒的利用率。而本发明晶向偏离<100>的角度可通过旋转<100>晶棒调整，无需加大圆棒直径，不会降低晶棒的利用率。
3）本发明还能进一步将边皮料切割出晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片，且切边皮料的切割十分方便，不仅大大提升了整棒硅料的利用率，还大幅降低了偏晶向硅片的制造成本。
4）本发明不仅能制备晶向偏离<100>一定角度的的方片或准方片，还能制备晶向偏离<100>一定角度的长方形硅片，特别是能以边皮料制备出晶向偏离<100>一定角度的方片或长方形硅片，为<100>偏晶向硅片的制备和应用拓展了更广泛的前景。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明提供一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
单晶硅圆棒开方过程中：将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
单晶硅方棒切片过程中：切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
另外，单晶硅圆棒开方有产生边皮料；边皮料包括矩形底面，该边皮料的底面的晶向为<100>偏θ角；对边皮料切片，切片方向平行于边皮料的矩形底面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
本发明的具体实施例如下：
实施例1
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例2
在实施例1的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片为方片，该方片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例3
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再对硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例4
在实施例3的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片是四角为倒角的准方片，该准方片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例5
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块；
再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例6
在实施例5的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片是半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例6中的正方体硅块与实施例2中的正方体硅块的边长相同，则实施例6制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例6制得的硅片为方片的半片。
实施例7
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块；
再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例8
在实施例7的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片是四角为倒角的半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例8中的正方体硅块与实施例2中的正方体硅块的边长相同，则实施例8制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例8制得的硅片为方片的半片。
实施例9
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再平行于硅块的端面对硅块进行切割，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块；
再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例10
在实施例7的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片是半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例10中的正方体硅块与实施例2中的正方体硅块的边长相同，则实施例10制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例10制得的硅片为方片的半片。
实施例11
一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：
1）选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
2）单晶硅圆棒开方过程中：
将单晶硅圆棒垂直置于晶托上，将单晶硅圆棒的硅棒棱线与晶托的晶托棱线一一对准，再将单晶硅圆棒相对晶托顺时针或逆时针旋转θ角（也即单晶硅圆棒绕其自身轴心顺时针或逆时针旋转θ角），θ角大于0°，且θ角小于45°；
再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；该单晶硅方棒的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；
3）单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；该硅块的四个侧面的晶向都为<100>偏θ角；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再平行于硅块的端面对硅块进行切割，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块；
再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例12
在实施例11的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成正方体硅块；最终制得的硅片是四角为倒角的半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例12中的正方体硅块与实施例2中的正方体硅块的边长相同，则实施例12制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例12制得的硅片为方片的半片。
需要声明的是：1）虽然实施例5、实施例7、实施例9、实施例11都将硅块分割成两个小硅块，但不表示本发明只能将硅块分割成两个小硅块；将硅块分割成多个小硅块也是可以实施的，也在本发明的保护范围之内；2）虽然实施例5、实施例7、实施例9、实施例11都对硅块进行了等分分割，但不表示本发明只能对硅块进行等分分割；对硅块进行不等分分割也是可以实施的，也在本发明的保护范围之内。
另外，实施例1至实施例12的单晶硅圆棒开方都有产生边皮料；边皮料包括矩形底面，该边皮料的底面的晶向为<100>偏θ角；可以对边皮料进行进一步切割切片。
实施例13
对边皮料进行进一步切割切片：
先将边皮料切割成正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；该硅块的底面的晶向为<100>偏θ角；
再将硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例14
在实施例13的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成长方体硅块；最终制得的硅片是半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例14中的长方体硅块的底面宽度为实施例2中的正方体硅块的边长的一半，则实施例14制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例14制得的硅片为方片的半片。
实施例15
对边皮料进行进一步切割切片：
先将边皮料切割成正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；该硅块的底面的晶向为<100>偏θ角；
再对硅块上与底面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
实施例16
在实施例15的基础上，区别在于：将单晶硅方棒截断成长方体硅块；最终制得的硅片是四角为倒角的半片，该半片的晶向为<100>偏θ角，0°<θ<45°。
若实施例16中的长方体硅块的底面宽度为实施例2中的正方体硅块的边长的一半，则实施例16制得的硅片宽度为实施例2制得的硅片（方片）宽度的一半，即实施例16制得的硅片为方片的半片。
上述各实施例中，θ角的范围都是0°<θ<45°，更优选的范围为0°<θ<15°。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；其特征在于：
选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；
单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；
单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
2.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，所述θ角大于0°，且θ角小于45°。
3.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
4.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再对硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
5.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；
再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
6.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；
再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
7.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时平行于硅块的端面对硅块进行切割；
再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
8.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：
先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；
再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时平行于硅块的端面对硅块进行切割；
再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块。
10.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅圆棒开方有产生边皮料；边皮料包括矩形底面；对边皮料切片，切片方向平行于边皮料的矩形底面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
11.根据权利要求10所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，边皮料切片过程中：
先将边皮料切割成长方体或正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；
再将硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
12.根据权利要求10所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，边皮料切片过程中：
先将边皮料切割成长方体或正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；
再对硅块上与底面垂直的四个边进行倒角处理；
再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
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