CN111893556B - 铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。上述籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。

Description

铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法

技术领域

本发明涉及太阳能光伏材料技术领域，特别是涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。

背景技术

太阳能光伏发电是目前发展最快的可持续能源利用的形式之一，近些年来在各国都得到了迅速的发展。目前，利用铸造法生产太阳能用单晶硅的方法受到了越来越多的关注。铸造单晶硅具有直拉单晶硅低缺陷的优点，并且可以通过碱制绒的方法形成金字塔型的织构，提高对光的吸收，从而提高转化效率；同时，铸造单晶硅也具有铸造多晶硅生产成本低，产量高的优点。因此，铸造单晶硅继承了直拉单晶硅和铸造多晶硅的优点，克服了两种方式各自的缺点，生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。在不明显增加硅片成本的前提下，使电池转换效率提高1％以上。成为降低太阳能电池生产成本的重要途径。

传统的铸造单晶的籽晶铺设方法为：采用二种或以上侧面晶向不同、生长面晶向都为<100>的籽晶进行交替拼接，通过侧面晶向不同来形成晶界，利用产生的晶界来抑制位错增值的目的。然而，传统的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶的位错较多，导致缺陷较多，不利于应用。

发明内容

基于此，有必要针对如何减少铸造单晶位错的问题，提供一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。

一种铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：

在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；其中，所述单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，所述单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个所述正方形单晶籽晶沿所述长方形单晶籽晶的长度方向排列且与所述长方形单晶籽晶拼接；

所述长方形单晶籽晶的长度是所述正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。

上述铸造单晶的籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。

在其中一个实施例中，相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为10度～90度。

在其中一个实施例中，相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为20度～40度。

在其中一个实施例中，所述单晶籽晶层包括若干个相互拼接的单晶籽晶单元，每个所述单晶籽晶单元包括相互拼接的一个长方形单晶籽晶、至少一个第一正方形单晶籽晶和至少一个第二正方形单晶籽晶，所述长方形单晶籽晶、所述第一正方形单晶籽晶与所述第二正方形单晶籽晶的侧面晶向均不相同。

在其中一个实施例中，所述单晶籽晶单元中，所述第一正方形单晶籽晶的个数为至少两个，所述第二正方形单晶籽晶的个数为至少两个，至少两个所述第一正方形单晶籽晶和至少两个所述第二正方形单晶籽晶在所述长方形单晶籽晶的一侧沿所述长方形单晶籽晶的长度方向交替排列。

一种铸造单晶硅锭的制备方法，包括上述的铸造单晶的籽晶铺设方法。

在其中一个实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，所述单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，所述单晶条的缺陷比值大于相邻所述单晶籽晶的缺陷比值。

在其中一个实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周填充硅基浆料，所述硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

在其中一个实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，所述单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，所述单晶条的缺陷比值大于相邻所述单晶籽晶的缺陷比值；

在所述单晶条的四周填充硅基浆料，所述硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

上述铸造单晶硅锭的制备方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。

一种铸造单晶硅锭，由上述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到。

上述铸造单晶硅锭的制备方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。因此，由上述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到的铸造单晶硅锭的缺陷较少。

附图说明

图1为实施例1的铸造单晶的籽晶铺设示意图；

图2为实施例2的铸造单晶的籽晶铺设示意图；

图3为实施例3的铸造单晶的籽晶铺设示意图；

图4为采用实施例1的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶硅锭的头部PL图；

图5为采用实施例2的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶硅锭的头部PL图；

图6为采用对比例1的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶硅锭的头部PL图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明的发明人经过研究发现，相互拼接的籽晶难免产生拼接缝，该缝隙是铸造单晶产生位错的一个源。籽晶的个数越多，则拼接缝越多，则产生的位错越多。而位错较多，导致缺陷较多。为解决上述技术问题，本发明提出一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法，

一实施方式的铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：

在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；其中，单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；

长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。

其中，坩埚为本领域铸造单晶硅锭常用的坩埚。其中，籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种。单晶籽晶层用于制备铸造单晶硅锭的引晶层。

在坩埚的底部铺设单晶籽晶的操作中，单晶籽晶的晶向不限，单晶籽晶以紧密排列的方式铺设在坩埚的底部中央位置，使单晶籽晶之间的缝隙尽可能小，从而减少由籽晶缝隙处引入的晶界和位错。

其中，长方形单晶籽晶指的是，在长晶过程中，单晶籽晶沿垂直于晶体生长方向的截面形状为长方形。正方形单晶籽晶指的是，在长晶过程中，单晶籽晶沿垂直于晶体生长方向的截面形状为正方形。

其中，由于长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1，因而排列时较优的排列方式为长方形单晶籽晶的长边一侧或者长边两侧为n个正方形单晶籽晶。这样这n个正方形单晶籽晶与长方形单晶籽晶拼接，能够在形成晶界的同时，最大化的减少单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错。

其中，长方形单晶籽晶的生长面晶向和侧面晶向都为<100>。与长方形单晶籽晶拼接的正方形单晶籽晶的生长面晶向为<100>，侧面晶向为非<100>。当正方形单晶籽晶的个数为若干个时，可以由两种或者两种以上的侧面晶向不同的正方形单晶籽晶组成，只要相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同即可。

此外，单晶籽晶单元中，长方形单晶籽晶的宽度与正方形单晶籽晶的宽度相同，亦或不同。

在其中一实施例中，相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为10度～90度。当相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为10度～90度时，能够在相邻单晶籽晶的拼接位置形成晶界，从而可以抑制位错增值。

进一步地，相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为20度～40度。当相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为20度～40度时，能够在相邻单晶籽晶的拼接位置形成晶界，抑制位错增值的效果最佳。

在其中一实施例中，单晶籽晶层包括若干个相互拼接的单晶籽晶单元，每个单晶籽晶单元包括相互拼接的一个长方形单晶籽晶、至少一个第一正方形单晶籽晶和至少一个第二正方形单晶籽晶，长方形单晶籽晶、第一正方形单晶籽晶与第二正方形单晶籽晶的侧面晶向均不相同。

其中，若干个相互拼接的单晶籽晶单元可以呈线性排布，或者按照成行成列的方式排布。当然，还可以按照其他的方式排布。本发明中，单晶籽晶单元的个数不限。

进一步地，单晶籽晶单元中，第一正方形单晶籽晶的个数为至少两个，第二正方形单晶籽晶的个数为至少两个，至少两个第一正方形单晶籽晶和至少两个第二正方形单晶籽晶在长方形单晶籽晶的一侧沿长方形单晶籽晶的长度方向交替排列。也就是说，长方形单晶籽晶的一侧至少设置有四个正方形单晶籽晶，能够在形成晶界的同时，最大化的减少单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错。此外，这样有利于使正方形单晶籽晶规整排列于长方形单晶籽晶的一侧，亦能够减少由于相邻单晶籽晶排列不规整导致的缺陷。

上述铸造单晶的籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。

一实施方式的铸造单晶硅锭的制备方法，包括上述的铸造单晶的籽晶铺设方法。

当然，上述铸造单晶硅锭的制备方法还包括在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后开方得到铸造单晶硅锭的步骤。

在其中一实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值。

其中，单晶条的缺陷比值指的是，单晶条内的缺陷在单晶条内的占比。单晶籽晶的缺陷比值指的是，单晶籽晶内的缺陷在单晶籽晶内的占比。计算单晶条与单晶籽晶的缺陷比值的方法为：采用PL(光致发光)设备测试后，通过软件计算黑色区域(缺陷)的面积占所测单晶面积的一个比值。通过测试面的缺陷比值，可推测得到整个单晶条或者单晶籽晶内的缺陷比值，二者的变化趋势相同。其中，缺陷指的是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。按照缺陷的维度，可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。其中，点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。线缺陷包括位错等。面缺陷主要有同种晶体内的晶界、小角晶界、层错以及异种晶体间的相界等。体缺陷有很多种类，常见的有包裹体、气泡、空洞、微沉淀等。缺陷可以位于单晶条或者单晶籽晶的内部，亦或者位于单晶条或者单晶籽晶的表面。

在其中一实施例中，单晶条由以下方法制备得到：切割铸造单晶块得到头部，之后检测切割面的缺陷比值，将切割面的缺陷比值大于50％的头部切割成多根单晶条。采用上述方法制备单晶条，有利于对缺陷较高的铸造单晶块的头部进行重新利用，提高其利用价值。

进一步地，在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条的操作中，单晶条的缺陷比值大于50％的切割面朝向相邻的单晶籽晶。这样在长晶过程中，单晶条的切割面靠近单晶籽晶，因此单晶条的切割面内的缺陷能够吸附与之拼接的单晶籽晶周围的杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。

进一步地，单晶条为长方体，单晶条的长度和高度均与相邻单晶籽晶的长度和高度相同，单晶条的宽度为5mm～40mm。本文中，高度指的是元件在垂直于坩埚底部平面方向上的尺寸。对应的，长度指的是元件垂直于高度方向上的尺寸。宽度指的是同时垂直于高度和长度方向上的尺寸。这样有利于单晶条与相邻单晶籽晶的匹配，即相同长度的单晶条与单晶籽晶相拼接，在长晶过程中，边角位置的单晶籽晶一直受到外围的相同长度的单晶条的保护，更有利于降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率。

在其中一实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在单晶籽晶层的四周填充硅基浆料，硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

其中，硅基浆料中的溶剂为水、酒精或者甲醇。当然，还可以为其他能够溶解硅基浆料的溶剂。

由于硅基填充条位于单晶条的四周，能够在高温熔化阶段，起到阻挡硅液渗入到边角块的籽晶底部的作用。

进一步地，氮化硅与硅粉的混合浆料中，氮化硅与硅粉的质量比为(2～10)：1。氮化硅与硅粉混合，结合了颗粒较大的硅粉与颗粒较小的氮化硅，这样能够保证干燥之后不容易开裂，能够在高温熔化阶段，起到阻挡硅液渗入到边角块的单晶籽晶底部的作用。

进一步地，硅基填充条的高度与单晶籽晶的高度的比值为(5～7)：10。这样有利于与单晶籽晶熔化后的高度保持一致，从而在长晶过程中，高温熔化阶段，起到充分阻挡硅液渗入到边角块的单晶籽晶底部的作用。

在其中一实施例中，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，单晶条的缺陷比值大于相邻单晶籽晶的缺陷比值；

在单晶条的四周填充硅基浆料，硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

该实施例的铸造单晶硅锭的制备方法，一方面，在长晶过程中，单晶条的切割面靠近单晶籽晶，因此单晶条的切割面内的缺陷能够吸附与之拼接的单晶籽晶周围的杂质，从而降低边角硅块的杂质含量和边角硅块缺陷的产生几率；另一方面，硅基填充条位于单晶条的四周，能够在高温熔化阶段，起到阻挡硅液渗入到边角块的籽晶底部的作用。

上述铸造单晶硅锭的制备方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。

一实施方式的铸造单晶硅锭，由上述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到。

上述铸造单晶硅锭的制备方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少，有利于应用。因此，由上述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到的铸造单晶硅锭的缺陷较少。

下面结合具体实施例对本发明的铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法进行进一步的说明。

实施例1

请参见图1，在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层100。其中，单晶籽晶层100包括三个相互拼接的单晶籽晶单元110，每个单晶籽晶单元110包括相互拼接的一个长方形单晶籽晶A、三个第一正方形单晶籽晶B和三个第二正方形单晶籽晶C。三个第一正方形单晶籽晶B和三个第二正方形单晶籽晶C在长方形单晶籽晶A的一侧沿长方形单晶籽晶A的长度方向交替排列。长方形单晶籽晶A、第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的侧面晶向均不相同。

其中，长方形单晶籽晶A的尺寸为942mm*157mm*20mm，第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的尺寸均为157mm*157mm*20mm，长方形单晶籽晶A、第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的生长面晶向都为<100>。第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的侧面晶向都为非<100>。

实施例2

请参见图2，在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层200。其中，单晶籽晶层200包括三个相互拼接的单晶籽晶单元210，每个单晶籽晶单元210包括相互拼接的一个长方形单晶籽晶A、一个第一正方形单晶籽晶B和两个第二正方形单晶籽晶C。一个第一正方形单晶籽晶B和两个第二正方形单晶籽晶C在长方形单晶籽晶A的一侧沿长方形单晶籽晶A的长度方向交替排列。长方形单晶籽晶A、第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的侧面晶向均不相同。

其中，长方形单晶籽晶A的尺寸为471mm*157mm*20mm，第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的尺寸均为157mm*157mm*20mm，长方形单晶籽晶A、第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的生长面晶向都为<100>。第一正方形单晶籽晶B与第二正方形单晶籽晶C的侧面晶向都为非<100>。

实施例2的第一正方形单晶籽晶B与实施例1的第一正方形单晶籽晶B相同，实施例2的第二正方形单晶籽晶C与实施例1的第二正方形单晶籽晶C相同。

对比例1

请参见图3，在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层100'。其中，单晶籽晶层200由18个第一正方形单晶籽晶A和18个第二正方形单晶籽晶B按照成行成列的方式排布，每行或者每列单晶籽晶中，第一正方形单晶籽晶A和第二正方形单晶籽晶B交替拼接。

其中，对比例1的第一正方形单晶籽晶A与实施例1的第一正方形单晶籽晶B相同，对比例1的第二正方形单晶籽晶B与实施例1的第二正方形单晶籽晶C相同。第一正方形单晶籽晶A和第二正方形单晶籽晶B的尺寸均为157mm*157mm*20mm。第一正方形单晶籽晶A和第二正方形单晶籽晶B的生长面晶向都为<100>，且侧面晶向都为非<100>。

PL测试：

在实施例1、实施例2与对比例1的单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后开方得到相应的铸造单晶硅锭。分别对所述铸造单晶硅锭的头部分别进行PL测试，得到图4～图6所示的PL图。

从图4和图5可以看出，采用实施例1和实施例2的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶硅锭的缺陷较少。从图6可以看出，采用对比例1的铸造单晶的籽晶铺设方法得到的铸造单晶硅锭的缺陷较多。表明采用本发明的铸造单晶的籽晶铺设方法能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，从而减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种铸造单晶的籽晶铺设方法，其特征在于，包括如下步骤：

在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；其中，所述单晶籽晶层包括若干个相互拼接的单晶籽晶单元，每个所述单晶籽晶单元包括相互拼接的一个长方形单晶籽晶、至少一个第一正方形单晶籽晶和至少一个第二正方形单晶籽晶，所述长方形单晶籽晶、所述第一正方形单晶籽晶与所述第二正方形单晶籽晶的侧面晶向均不相同，至少两个正方形单晶籽晶沿所述长方形单晶籽晶的长度方向排列且与所述长方形单晶籽晶拼接；

所述长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶的籽晶铺设方法，其特征在于，相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为10度~90度。

3.根据权利要求2所述的铸造单晶的籽晶铺设方法，其特征在于，相邻所述单晶籽晶之间相互接触的侧面位向差为20度~40度。

4.根据权利要求1所述的铸造单晶的籽晶铺设方法，其特征在于，所述单晶籽晶单元中，所述第一正方形单晶籽晶的个数为至少两个，所述第二正方形单晶籽晶的个数为至少两个，至少两个所述第一正方形单晶籽晶和至少两个所述第二正方形单晶籽晶在所述长方形单晶籽晶的一侧沿所述长方形单晶籽晶的长度方向交替排列。

5.一种铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括权利要求1~4中任一项所述的铸造单晶的籽晶铺设方法。

6.根据权利要求5所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，所述单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，所述单晶条的缺陷比值大于相邻所述单晶籽晶的缺陷比值。

7.根据权利要求5所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述单晶条的宽度为5mm～40mm。

8.根据权利要求5所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周填充硅基浆料，所述硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

9.根据权利要求5所述的铸造单晶硅锭的制备方法，其特征在于，形成单晶籽晶层之后，还包括如下步骤：

在所述单晶籽晶层的四周铺设至少一根单晶条，所述单晶条与相邻的单晶籽晶相互拼接，其中，所述单晶条的缺陷比值大于相邻所述单晶籽晶的缺陷比值；

在所述单晶条的四周填充硅基浆料，所述硅基浆料为氮化硅与硅粉的混合浆料或者氮化硅浆料，干燥之后形成硅基填充条。

10.一种铸造单晶硅锭，其特征在于，由权利要求5~9中任一项所述的铸造单晶硅锭的制备方法制备得到。

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