JP2014107497A - スピン注入電極構造、及びスピン伝導素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チャンネル層上にトンネル層と強磁性層を設け、半導体チャンネル層と接する第一トンネル層の格子定数と、強磁性層と接する第二トンネル層の格子定数が異なり、さらに、第一トンネル層と第二トンネル層は、それぞれ異なる結晶系である。
【選択図】図4
Description
元素表記が、元素記号の場合と仮名表記の場合とで混在しているようです。統一した方が好ましいと思います。
まず、基板、絶縁膜、及びシリコン膜からなるSOI基板を準備した。基板にはシリコン基板、絶縁膜には200nmの酸化珪素層を用い、シリコン膜は100nmであった。シリコン膜に導電性を付与するリンイオンの打ち込みを行った。その後、900℃のアニールにより不純物を拡散させて、シリコン膜の電子濃度の調整を行った。この際、シリコン膜全体の平均電子濃度が5.0×1019cm−3となるようにした。
NL測定法では、実施例1で作製したスピン伝導素子において、第一強磁性層14Aの磁化方向G1および第二強磁性層14Bの磁化方向G2を外部磁場B1の磁化方向と同一方向(図3に示すY軸方向)に固定した。このスピン伝導素子に対して、第一強磁性層14Aおよび第二強磁性層14Bの磁化方向と平行な方向(Y軸方向)から外部磁場B1を印加した。交流電流源70からの検出用電流を第一強磁性層14Aへ流すことにより、第一強磁性層14Aからシリコンチャンネル層12へスピンを注入した。そして、外部磁場B1による磁化変化に基づく出力を出力測定器80により測定した。この際、測定はいずれも室温にて行った。
NL−Hanle測定法では、実施例1で作製したスピン伝導素子において、印加する外部磁場B2の方向(図3に示すZ軸方向)を第一強磁性層14Aの磁化方向(図3に示すY軸方向)G1および第二強磁性層14Bの磁化方向(図3に示すY軸方向)G2と垂直方向とした。図6は、NL−Hanle測定法における印加磁場と電圧出力の関係を示すグラフである。図6は、第一強磁性層14Aの磁化方向を第二強磁性層14Bの磁化方向と平行に固定した場合の測定結果である。
トンネル層の評価は、断面TEM(Transmission Electorn Microscopy)、XRD(X Ray Diffraction)、および、EDX(Energy Dispersive X−Ray analysis)によって解析した。断面TEMの結果からトンネル層の厚さは2.2nmであった。また、トンネル層内に非結晶質の層が形成されており、非結晶質の結晶格子緩和領域が形成されていた。
実施例1と同様に素子作成を行った。但し、第二トンネル層13Bとして、マグネシウムとアルミニウムからなる非磁性スピネル層を形成した。トンネル層の評価は断面TEM及びEDXにて実施した。断面TEMの結果からトンネル層の厚さは2.0nmであった。また、第一トンネル層13Aは、スピネル構造の酸化アルミニウムからなり、第二トンネル層13Bは、スピネル構造のマグネシウムとアルミニウムの酸化物であることを確認した。さらに、第一トンネル層13Aと第二トンネル層13Bの間にはアモルファス構造が混ざった結晶格子緩和領域16が形成されていることを確認した。
実施例1と同様に素子作成を行った。但し、第二トンネル層13Bとして、亜鉛とアルミニウムからなる非磁性スピネル層を形成した。トンネル層の評価は断面TEM及びEDXにて実施した。断面TEMの結果からトンネル層の厚さは2.0nmであった。また、第一トンネル層13Aはスピネル構造の酸化アルミニウムからなり、第二トンネル層13Bはスピネル構造の亜鉛とアルミニウムの酸化物であることを確認した。さらに、第一トンネル層13Aと第二トンネル層13Bの間にはアモルファス構造が混ざった結晶格子緩和領域16が形成されていることを確認した。
実施例1と同様に素子作成を行った。但し、第二トンネル層13Bはスパッタ法を用いて形成した。さらに、強磁性層にはコバルト、鉄、ホウ素からなる合金を用いた。積層膜を形成後、230℃で3時間のアニールを実施した。
実施例1と同様に素子作成を行った。但し、第一トンネル層13Aは形成せず、酸化マグネシウムからなる第二トンネル層13BのみをMBE法にて形成した。
実施例1と同様に素子作成を行った。但し、第二トンネル層13Bは酸化タンタルとし、MBE法によって形成した。
結果を表1に示す。
Claims (8)
- 半導体チャンネル層と、
前記半導体チャンネル層上に設けられた第一トンネル層と、
前記第一トンネル層上に設けられた第二トンネル層と、
前記第二トンネル層上に設けられた強磁性層と、を備え、
前記第一トンネル層と前記第二トンネル層は格子定数が異なり、前記第一トンネル層と前記第二トンネル層は異なる結晶系であることを特徴とするスピン注入電極構造。 - 前記第一トンネル層と前記第二トンネル層の間に結晶格子緩衝領域が設けられた請求項1に記載のスピン注入電極構造。
- 前記結晶格子緩衝領域は、非結晶質である請求項1〜2のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。
- 前記結晶格子緩衝領域は、前記第一トンネル層と前記第二トンネル層の構成元素を一部、あるいは、全部を含む構成元素である請求項1〜3のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。
- 前記第一トンネル層及び前記第二トンネル層は、Al、Mg、Si、Zn、Tiのいずれかの元素を含む酸化物から構成される、請求項1〜4に記載のスピン注入電極構造。
- 前記第一トンネル層は、スピネル構造である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。
- 前前記第二トンネル層は、NaCl構造である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載のスピン注入電極構造を有するスピン伝導素子。
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JP2010238956A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tdk Corp | スピン伝導デバイス |
JP2011222546A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Tdk Corp | スピン伝導素子 |
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