JP2014103187A - 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014103187A JP2014103187A JP2012252884A JP2012252884A JP2014103187A JP 2014103187 A JP2014103187 A JP 2014103187A JP 2012252884 A JP2012252884 A JP 2012252884A JP 2012252884 A JP2012252884 A JP 2012252884A JP 2014103187 A JP2014103187 A JP 2014103187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- substrate
- resin
- wafer
- fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 C*(C)*(c1ccccc1)(OC)O*[S+](*)(*(C)C)c1ccccc1 Chemical compound C*(C)*(c1ccccc1)(OC)O*[S+](*)(*(C)C)c1ccccc1 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/02—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
- B32B5/022—Non-woven fabric
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/12—Layered products comprising a layer of synthetic resin next to a fibrous or filamentary layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/24—Coatings containing organic materials
- C03C25/26—Macromolecular compounds or prepolymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/24—Coatings containing organic materials
- C03C25/26—Macromolecular compounds or prepolymers
- C03C25/32—Macromolecular compounds or prepolymers obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C03C25/36—Epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
- C08J5/0405—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres
- C08J5/043—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material with inorganic fibres with glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/04—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
- C08J5/06—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material using pretreated fibrous materials
- C08J5/08—Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material using pretreated fibrous materials glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
- C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
- C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/0427—Coating with only one layer of a composition containing a polymer binder
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
- D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
- D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
- D06M15/37—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- D06M15/39—Aldehyde resins; Ketone resins; Polyacetals
- D06M15/41—Phenol-aldehyde or phenol-ketone resins
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
- D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
- D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
- D06M15/37—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- D06M15/55—Epoxy resins
-
- D—TEXTILES; PAPER
- D06—TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- D06M—TREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
- D06M15/00—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment
- D06M15/19—Treating fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, with macromolecular compounds; Such treatment combined with mechanical treatment with synthetic macromolecular compounds
- D06M15/37—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- D06M15/643—Macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds containing silicon in the main chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2250/00—Layers arrangement
- B32B2250/02—2 layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
- B32B2260/021—Fibrous or filamentary layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/046—Synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
- B32B2262/02—Synthetic macromolecular fibres
- B32B2262/0261—Polyamide fibres
- B32B2262/0269—Aromatic polyamide fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
- B32B2262/10—Inorganic fibres
- B32B2262/101—Glass fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
- B32B2262/10—Inorganic fibres
- B32B2262/103—Metal fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
- B32B2262/10—Inorganic fibres
- B32B2262/105—Ceramic fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2262/00—Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
- B32B2262/10—Inorganic fibres
- B32B2262/106—Carbon fibres, e.g. graphite fibres
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
- B32B2307/306—Resistant to heat
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/726—Permeability to liquids, absorption
- B32B2307/7265—Non-permeable
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2439/00—Containers; Receptacles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
- C08J2363/04—Epoxynovolacs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2463/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T442/00—Fabric [woven, knitted, or nonwoven textile or cloth, etc.]
- Y10T442/20—Coated or impregnated woven, knit, or nonwoven fabric which is not [a] associated with another preformed layer or fiber layer or, [b] with respect to woven and knit, characterized, respectively, by a particular or differential weave or knit, wherein the coating or impregnation is neither a foamed material nor a free metal or alloy layer
- Y10T442/2041—Two or more non-extruded coatings or impregnations
Abstract
【解決手段】半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面、又は半導体素子3を形成したウエハ7の半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化させ、X−Y方向の線膨張係数が3ppmより小さい樹脂含浸繊維基材1と、該樹脂含浸繊維基材1の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層2とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板10。
【選択図】図1
Description
さらに、該繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハは、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したり、ウエハが破損することが抑制されたものとなる。さらに、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ反りが抑制された該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置は高品質なものとなる。また、前記繊維含有樹脂基板を用いた半導体装置の製造方法により、高品質な半導体装置を製造することができる。
前述のように、半導体素子を搭載した金属等の大口径基板や半導体素子を形成した大口径ウエハを封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したり、ウエハが破損したりすることが抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハーレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる汎用性の高い封止材が求められていた。
本発明の繊維含有樹脂基板は樹脂含浸繊維基材を有する。該樹脂含浸繊維基材は、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化したものである。樹脂含浸繊維基材のX−Y方向の線膨張係数(ppm/℃)が3ppmより小さく、後に詳述する未硬化樹脂層を硬化させた時の収縮応力を抑制することができるため、本発明の繊維含有樹脂基板により大径ウエハや金属等の大径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離、特にウエハの口径が300ミリ以上で厚みが100マイクロ以下の大口径薄膜状のウエハの破損を抑制できるものである。なお、X−Y方向とは前記樹脂含浸繊維基材の面方向をいう。また、X−Y方向の線膨張係数は、前記樹脂含浸繊維基材の面方向に任意にX軸、Y軸をとって測定した線膨張係数をいう。
前記繊維基材として使用することができるものとしては、例えば炭素繊維、ガラス繊維、石英ガラス繊維、金属繊維等の無機繊維、芳香族ポリアミド繊維、ポリイミド繊維、ポリアミドイミド繊維等の有機繊維、さらには炭化ケイ素繊維、炭化チタン繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維等が例示され、製品特性に応じていかなるものも使用することができる。また、最も好ましい繊維基材としてはガラス繊維、石英繊維、炭素繊維等が例示される。中でも絶縁性の高いガラス繊維や石英ガラス繊維が繊維基材として好ましい。
前記樹脂含浸繊維基材の熱硬化性樹脂としては、下記に例示するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノ−ル樹脂、シアネ−ト樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂が例示されるが、通常半導体素子の封止に使用される熱硬化性の樹脂であれば特に制限はされない。
前記繊維基材に前記熱硬化性樹脂を含浸させる方法としては、溶剤法とホットメルト法のいずれの方法でも実施できる。溶剤法とは前記熱硬化性樹脂を有機溶剤に溶解した樹脂ワニスを調整し、該樹脂ワニスを前記繊維基材に含浸させる方法であり、ホットメルト法とは固形の前記熱硬化性樹脂を加熱して溶かし前記繊維基材に含浸させる方法である。
本発明の繊維含有樹脂基板は未硬化樹脂層を有する。該未硬化樹脂層は前記樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなるものである。未硬化樹脂層は、半導体素子を封止するための樹脂層となる。
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はされないが、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など室温(25℃)で液状や固体の公知のエポキシ樹脂が挙げられる。また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を一定量併用することができる。
前記シリコーン樹脂としては、熱硬化性のシリコーン樹脂等が使用可能である。特に、シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層は付加硬化型シリコーン樹脂組成物を含むことが望ましい。該付加硬化型シリコーン樹脂組成物としては、(A)非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物、(B)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び(C)白金系触媒を必須成分とするものが特に好ましい。以下、これら(A)〜(C)成分について説明する。
前記(A)非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物は、シリコーン樹脂組成物のベースポリマー(主剤)として作用するものであり、この(A)成分としては、
一般式(1):R1R2R3SiO−(R4R5SiO)a−(R6R7SiO)b−SiR1R2R3
(式中、R1は非共役二重結合含有一価炭化水素基を示し、R2〜R7はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基を示し、a及びbは0≦a≦500、0≦b≦250、かつ0≦a+b≦500を満たす整数である。)
で示される分子鎖両末端にアルケニル基等の非共役二重結合を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンが例示される。
前記(B)成分はシリコーン樹脂組成物の架橋剤(硬化剤)として作用するものであり、この(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を2個以上、特には3個以上、とりわけ3〜100個程度有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが好ましい。一分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、架橋剤として作用し、(B)成分中のSiH基と(A)成分のビニル基、アルケニル基等の非共役二重結合含有基とが付加反応することにより、硬化物を形成することができる。
前記(C)成分には、白金系触媒が用いられる。(C)白金系触媒としては、例えば塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、キレート構造を有する白金錯体等が挙げられる。これらは1種単独でも、2種以上の組み合わせでも使用することができる。
前記混成樹脂に含まれるエポキシ樹脂とシリコーン樹脂としては、前述のエポキシ樹脂と前述のシリコーン樹脂が挙げられる。
本発明に係る未硬化樹脂層には無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
本発明の繊維含有樹脂基板の断面図の一例を図1に示す。本発明の繊維含有樹脂基板10は、繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化させ、X−Y方向の線膨張係数が3ppmより小さい上述の樹脂含浸繊維基材1と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる上述の未硬化樹脂層2とを有するものである。
繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化した樹脂含浸繊維基材を使用して本発明の繊維含有樹脂基板を作製する場合は、樹脂含浸繊維基材の片面上に、減圧又は真空下で、印刷やディスペンス等で熱硬化性の液状エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を更に塗布し、加熱することで、50℃以下で固形な未硬化樹脂層を形成し、繊維含有樹脂基板を作製する。
本発明の繊維含有樹脂基板は半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、及び半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板である。半導体素子を搭載した基板としては、例えば図2(a)中の一個以上の半導体素子3を接着剤4で無機、金属あるいは有機基板5上に搭載した基板が挙げられる。また、半導体素子を形成したウエハとしては、例えば図2(b)中のウエハ7上に半導体素子6が形成されたウエハが挙げられる。なお、前記半導体素子を搭載した基板とは、半導体素子を搭載し配列等した半導体素子アレイを含むものである。
本発明の繊維含有樹脂基板により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例を図2(a)及び(b)に示す。本発明の封止後半導体素子搭載基板11は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2(図1参照)により半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層2(図1参照)を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層2’とし、前記繊維含有樹脂基板10により一括封止されたものである(図2(a))。また、本発明の封止後半導体素子形成ウエハ12は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2(図1参照)により半導体素子6を形成したウエハ7の半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層2(図1参照)を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層2’とし、前記繊維含有樹脂基板10により一括封止されたものである(図2(b))。
本発明の半導体装置の一例を図3(a)、(b)に示す。本発明の半導体装置13は前記封止後半導体素子搭載基板11(図2参照)又は前記封止後半導体素子形成ウエハ12(図2参照)をダイシングして、個片化したものである。このように、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる繊維含有樹脂基板により封止され、かつ基板やウエハの反り、基板からの半導体素子3の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板11(図2参照)又は封止後半導体素子形成ウエハ12(図2参照)をダイシングし、個片化して作製された半導体装置13、14は高品質な半導体装置となる。前記封止後半導体素子搭載基板11(図2(a)参照)をダイシングして個片化した場合、半導体装置13は基板5上に接着剤4を介して半導体素子3が搭載され、その上から硬化後の樹脂層2’と樹脂含浸繊維基材1からなる繊維含有樹脂基板10により封止された半導体装置となる(図3(a))。また、前記封止後半導体素子形成ウエハ12(図2(b)参照)をダイシングして個片化した場合、半導体装置14はウエハ7に半導体素子6が形成され、その上から硬化後の樹脂層2’と樹脂含浸繊維基材1からなる繊維含有樹脂基板10により封止された半導体装置となる(図3(b))。
本発明は、半導体装置を製造する方法であって、
前記繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び
該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。以下、図4を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法に係る被覆工程は、樹脂含浸繊維基材1と未硬化樹脂層2を有する繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2により、接着剤4を介して半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面、又は半導体素子(不図示)を形成したウエハ(不図示)の半導体素子形成面を被覆する工程である(図4(A))。
本発明の半導体装置の製造方法に係る封止工程は、前記繊維含有樹脂基板10の未硬化樹脂層2を加熱、硬化して硬化後の樹脂層2’とすることで、前記半導体素子3を搭載した基板5の半導体素子搭載面又は前記半導体素子(不図示)を形成したウエハ(不図示)の半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板11又は封止後半導体素子形成ウエハ(不図示)とする工程である(図4(B))。
本発明の半導体装置の製造方法に係る個片化工程は、前記封止後半導体素子搭載基板11又は前記封止後半導体素子形成ウエハ(不図示)をダイシングし、個片化することで、半導体装置13、14(図3(b)参照)を製造する工程である(図4(C)、(D))。
[樹脂含浸繊維基材の作製]
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部をプラネタリ−ミキサ−にてMEK(メチルエチルケトン)400重量部に溶解後、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)700質量部、イミダゾ−ル触媒(2E4MZ 四国化成工業製)0.6質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を添加して十分撹拌させてエポキシ樹脂組成物のMEK分散液を得た。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)400質量部、触媒TPP(トリフェニルホスフィン 北興化学工業製)0.2質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物(I−b)を得た。
半硬化させたエポキシ樹脂含浸繊維基材(I−a−2)を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物(I−b)の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を80℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム(剥離フィルム)をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが80ミクロンになるように3分間圧縮成形して繊維含有樹脂基板(I−c)を作製した。成形後、直径300mm(12インチ)の円板状に切断した。
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm(12インチ)で厚みが70ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板(I−c)の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物(I−b)面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、繊維含有樹脂基板(I−c)により封止されたシリコンウエハを更に150℃で2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ(I−d)を得た。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)300質量部、触媒TPP(トリフェニルホスフィン 北興化学工業製)0.2質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物(II−b)を得た。
実施例1と同様にして作製した半硬化させたエポキシ樹脂含浸繊維基材(II−a)を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物(II−b)の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を80℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム(剥離フィルム)をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが80ミクロンになるように3分間圧縮成形して繊維含有樹脂基板(II−c)を作製した。成形後、直径300mm(12インチ)の円板状に切断した。
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm(12インチ)で厚みが70ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板(II−c)の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物(I−b)面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、繊維含有樹脂基板(II−c)により封止されたシリコンウエハを更に150℃で2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ(II−d)を得た。
[樹脂含浸繊維基材の作製]
繊維基材としてガラスクロスを含み、粒径が0.3ミクロンの球状シリカを添加し線膨張係数(x、y軸)を2.9ppmに調整した厚み70ミクロンのBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂基板(ガラス転移温度185℃)を樹脂含浸繊維基材(III−a)として準備した。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)400質量部、触媒TPP(トリフェニルホスフィン 北興化学工業製)0.2質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物(III−b)を得た。
樹脂含浸繊維基材(III−a)を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物(III−b)の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を80℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム(剥離フィルム)をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが80ミクロンになるように3分間圧縮成形して繊維含有樹脂基板(III−c)を作製した。成形後、直径300mm(12インチ)の円板状に切断した。
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を170℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm(12インチ)で厚みが100ミクロンの金属基板上に高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である400個のシリコンチップ(形状:5mm×7mm 厚み100ミクロン)を整列し搭載したシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板(III−c)の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物(III−b)面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、170℃で4時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ(III−d)を得た。
[樹脂含浸繊維基材の作製]
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部をプラネタリ−ミキサ−にてMEK(メチルエチルケトン)400重量部に溶解後、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)400質量部、イミダゾ−ル触媒(2E4MZ 四国化成工業製)0.6質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を添加して十分撹拌させてエポキシ樹脂組成物のMEK分散液を得た。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN1020 日本化薬製)60質量部、フェノールノボラック樹脂(H−4 群栄化学製)30質量部、球状シリカ(龍森製平均粒径7ミクロン)400質量部、触媒TPP(トリフェニルホスフィン 北興化学工業製)0.2質量部、シランカップリング剤(KBM403 信越化学工業製)0.5質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物(IV−b)を得た。
樹脂含浸繊維基材(IV−a)を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物(IV−b)の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を80℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム(剥離フィルム)をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが80ミクロンになるように3分間圧縮成形して繊維含有樹脂基板(IV−c)を作製した。成形後、直径300mm(12インチ)の円板状に切断した。
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を130℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに300mm(12インチ)で厚みが70ミクロンのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した繊維含有樹脂基板(IV−c)の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物(IV−b)面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ5分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、繊維含有樹脂基板(IV−c)により封止されたシリコンウエハを更に150℃で2時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ(IV−d)を得た。
[半導体素子が搭載された基板]
直径300mm(8インチ)で厚みが500ミクロンの金属基板上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である400個のシリコンチップ(形状:5mm×7mm 厚み125ミクロン)を整列し搭載した。
この基板を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上に実施例3と同様にして作製したエポキシ樹脂組成物(V−b)の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を170℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたPETフィルム(剥離フィルム)をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが50ミクロンになるように3分間圧縮成形し、硬化封止した。硬化封止後、170℃で4時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板(V−d)を得た。
Claims (8)
- 半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための繊維含有樹脂基板であって、
繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸させて、該熱硬化性樹脂を半硬化又は硬化させ、X−Y方向の線膨張係数が3ppmより小さい樹脂含浸繊維基材と、該樹脂含浸繊維基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであることを特徴とする繊維含有樹脂基板。 - 前記未硬化樹脂層の厚みが20ミクロン以上2000ミクロン以下であることを特徴とする請求項1に記載の繊維含有樹脂基板。
- 前記未硬化樹脂層が、50℃未満で固形化し、かつ50℃以上150℃以下で溶融する熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の繊維含有樹脂基板。
- 封止後半導体素子搭載基板であって、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子搭載基板。 - 封止後半導体素子形成ウエハであって、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記繊維含有樹脂基板により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子形成ウエハ。 - 上記ウエハの厚みが30ミクロン以上100ミクロン以下であり、その直径が300ミリ以上であることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子形成ウエハ。
- 半導体装置であって、
請求項4に記載の封止後半導体素子搭載基板、又は請求項5及び請求項6に記載の封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化したものであることを特徴とする半導体装置。 - 半導体装置を製造する方法であって、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の繊維含有樹脂基板の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び
該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012252884A JP5934078B2 (ja) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | 繊維含有樹脂基板及び半導体装置の製造方法 |
US14/080,319 US9287174B2 (en) | 2012-11-19 | 2013-11-14 | Fiber-containing resin substrate, device-mounting substrate and device-forming wafer, semiconductor apparatus, and method for producing semiconductor apparatus |
US14/919,240 US20160043012A1 (en) | 2012-11-19 | 2015-10-21 | Fiber-containing resin substrate, device-mounting substrate and device-forming wafer, semiconductor apparatus, and method for producing semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012252884A JP5934078B2 (ja) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | 繊維含有樹脂基板及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103187A true JP2014103187A (ja) | 2014-06-05 |
JP5934078B2 JP5934078B2 (ja) | 2016-06-15 |
Family
ID=50727192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012252884A Active JP5934078B2 (ja) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | 繊維含有樹脂基板及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9287174B2 (ja) |
JP (1) | JP5934078B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016031579A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び封止用シート |
JP2016033951A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 信越化学工業株式会社 | 支持基材付封止材、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
WO2018181761A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
WO2022024369A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法、半導体装置を備えた装置の製造方法、半導体装置、半導体装置を備えた装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160064299A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Nishant Lakhera | Structure and method to minimize warpage of packaged semiconductor devices |
US11342189B2 (en) * | 2015-09-17 | 2022-05-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor packages with die including cavities and related methods |
US11348796B2 (en) * | 2017-08-17 | 2022-05-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backmetal removal methods |
DE102018111200A1 (de) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | United Monolithic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines wenigstens teilweise gehäusten Halbleiterwafers |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
JP2011243801A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Elpida Memory Inc | 半導体パッケージの製造装置及び製造方法 |
JP2012151451A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2012174861A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10046296C2 (de) | 2000-07-17 | 2002-10-10 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Chipbauteil mit einer integrierten Schaltung und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP3707534B2 (ja) | 2000-12-15 | 2005-10-19 | 信越化学工業株式会社 | 半導体スクリーン印刷封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
JP2004193497A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Nec Electronics Corp | チップサイズパッケージおよびその製造方法 |
JP5124984B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-01-23 | 日立化成工業株式会社 | 印刷配線板 |
JP4379387B2 (ja) | 2005-06-27 | 2009-12-09 | パナソニック電工株式会社 | エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
JP5342221B2 (ja) | 2008-12-05 | 2013-11-13 | パナソニック株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シート及び成形品 |
US8872358B2 (en) * | 2012-02-07 | 2014-10-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
JP2014103176A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 支持基材付封止材、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-11-19 JP JP2012252884A patent/JP5934078B2/ja active Active
-
2013
- 2013-11-14 US US14/080,319 patent/US9287174B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-21 US US14/919,240 patent/US20160043012A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
JP2011243801A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Elpida Memory Inc | 半導体パッケージの製造装置及び製造方法 |
JP2012151451A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2012174861A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016033951A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 信越化学工業株式会社 | 支持基材付封止材、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
WO2016031579A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法及び封止用シート |
WO2018181761A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
CN110462818A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-11-15 | 日立化成株式会社 | 密封膜、电子部件装置的制造方法及电子部件装置 |
KR20190132401A (ko) * | 2017-03-31 | 2019-11-27 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 봉지 필름, 전자 부품 장치의 제조 방법 및 전자 부품 장치 |
JPWO2018181761A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-20 | 日立化成株式会社 | 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
JP7115469B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-08-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
KR102440947B1 (ko) | 2017-03-31 | 2022-09-05 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 봉지 필름, 전자 부품 장치의 제조 방법 및 전자 부품 장치 |
CN110462818B (zh) * | 2017-03-31 | 2023-12-26 | 株式会社力森诺科 | 密封膜、电子部件装置的制造方法及电子部件装置 |
WO2022024369A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 国立大学法人東北大学 | 半導体装置の製造方法、半導体装置を備えた装置の製造方法、半導体装置、半導体装置を備えた装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160043012A1 (en) | 2016-02-11 |
US20140138856A1 (en) | 2014-05-22 |
JP5934078B2 (ja) | 2016-06-15 |
US9287174B2 (en) | 2016-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5851824B2 (ja) | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5934078B2 (ja) | 繊維含有樹脂基板及び半導体装置の製造方法 | |
US8872358B2 (en) | Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus | |
US20180247834A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor apparatus | |
JP6603174B2 (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6165686B2 (ja) | 支持基材付封止材、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014103176A (ja) | 支持基材付封止材、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
US20170110415A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus | |
JP6185342B2 (ja) | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハ、及び半導体装置の製造方法 | |
US20170098551A1 (en) | Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, method for manufacturing base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, and method for manufacturing semiconductor apparatus | |
JP2015050447A (ja) | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP5770662B2 (ja) | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6117715B2 (ja) | 真空ラミネーション装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5542848B2 (ja) | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載ウエハ、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014103178A (ja) | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6001515B2 (ja) | 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015133526A (ja) | 繊維含有樹脂基板、封止後半導体素子搭載基板、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015154011A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160331 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160419 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5934078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |