JP2014101307A - イリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一般式(1)で表されるイリジウム錯体のフェイシャル体を製造する方法であって、該イリジウム錯体のメリジオナル体を光照射した後、弱酸を用いて処理するイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
〔式中、B1〜B5及びB11〜B15はそれぞれ炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表し、B1〜B5の少なくとも一つ及びB11〜B15の少なくとも一つは窒素原子を表す。Z及びZ1は各々6員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。m1は1〜3の整数を表し、m2は0〜2の整数を表すが、m1+m2は3である。〕
【選択図】なし
Description
2.前記一般式(1)において、B1〜B5で表される環が、イミダゾール環を表すことを特徴とする第1項に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
本発明に係る一般式(1)で表されるイリジウム錯体について説明する。下記一般式(1)で表されるイリジウム錯体はリン光ドーパントとして好ましく用いることができる。
更に詳しく説明する。Z及びZ1は各々6員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。6員環が縮環の一部であっても良い。芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環等が挙げられる。これらのうちでより好ましいものは、ベンゼン環である。
本発明においては、前記一般式(1)で表されるイリジウム錯体のmer体を光照射した後、弱酸で処理する。光照射により、8面型6配位錯体のイリジウム錯体をmer体からfac体へ異性化することができる。光の波長は、紫外線、可視光領域のものを用いることができる。好ましくは波長200〜500nmの範囲内の光であり、更に好ましくは波長250〜400nmの範囲内の紫外(UV)光である。この範囲の波長の光を用いることで、mer体からfac体への幾何異性化を効率的に行うことができる。
本発明で用いられる弱酸は光照射後に残存した未反応のmer体を選択的に分解する目的で用いられる。弱酸により、未反応のmer体が選択的に分解されるので、後の精製が容易になり、高収率で高純度のfac体を得ることができる。
《製造例1:例示化合物1−4〔fac体〕の製造(比較例)》
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−4〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ40時間、室温で照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−4〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ40時間室温で照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ=8.05(d,2H),7.96(dd,2H),7.98−7.76(m,4H),7.75−7.65(m,5H),7.38(d,1H),7.35−7.20(m,4H),7.15−6.93(m,4H),6.90−6.65(m,6H),6.60−6.40(m,3H),3.30−3.14(m,3H),2.80−2.63(m,3H),1.65−1.52(m,12H),1.48(d,3H),1.42(d,3H),1.40−1.26(m,15H),1.22(t,3H).
例示化合物1−4〔fac体〕
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ=8.05(d,2H),7.93(dd,2H),7.82(t,2H),7.77(t,2H),7.68(t,5H),7.32(d,3H),7.15−7.07(m,6H),6.83−6.75(m,3H),6.73−6.59(m,4H),6.46(d,2H),3.20−3.06(m,3H),2.80−2.63(m,3H),1.62(d,3H),1.55(d,6H),1.41(d,3H),1.38−1.26(m,18H),1.23(d,3H),1.21(d,3H).
実施例2
《例示化合物1−4〔mer体〕と例示化合物1−4〔fac体〕の酢酸に対する安定性》
例示化合物1−4〔mer体〕1g(0.848mmol)を酢酸エチル30mlに溶解し酢酸0.16g(イリジウム錯体に対して3倍mol量)を加え室温で撹拌した。同様に例示化合物1−4〔fac体〕1g(0.848mmol)を酢酸エチル30mlに溶解し酢酸0.16g(イリジウム錯体に対して3倍mol量)を加え室温で撹拌した。それぞれの残存率をHPLCで測定した結果を図1のグラフに示す。図1は、酢酸エチル溶液中における、例示化合物1−4のmer体とfac体の酢酸に対する安定性を表す。mer体は4時間で消失するのに対してfac体において全く分解が見られなかった。
《製造例3:例示化合物1−19〔fac体〕の製造(比較例)》
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−19〔mer体〕4.0g(3.35mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で43時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−19〔mer体〕4.0g(3.35mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で40時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
1H−NMR(400MHz,CDCl3):δ=8.47(d,1H),8.43(d,1H),7.98(dd,1H),7.90−7.80(m,4H),7.75−7.63(m,5H),7.38(t,1H),7.30−7.20(m,4H),7.18−6.96(m,2H),6.95−6.77(m,4H),6.75−6.40(m,6H),3.70−3.30(m,3H),2.60−2.30(m,3H),1.65−1.52(m,15H),1.50−1.24(m,21H).
例示化合物1−19〔fac体〕
1H NMR(400MHz,CDCl3):8.44(dd,1H),8.40(d,1H),7.98(dd,1H),7.90−7.80(m,3H),7.75−7.65(m,5H),7.39(d,1H),7.33(d,1H),7.16−7.05(m,7H),6.83−6.73(m,3H),6.66−6.50(m,3H),6.50−6.43(m,3H),3.50−3.20(m,3H),2.60−2.30(m,3H),1.67−1.52(m,15H),1.48−1.18(m,21H).
実施例4
《製造例5:例示化合物1−5〔fac体〕の製造(比較例)》
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−5〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で40時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−5〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で40時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
《製造例7:例示化合物1−10〔fac体〕の製造(比較例)》
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−10〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で40時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
セン特殊光源製光化学反応装置VG500(500ml、100W高圧水銀灯)に窒素導入管、温度計、ジムロートを装着した。例示化合物1−10〔mer体〕4.0g(3.39mmol)THF200ml、MeOH300mlを投入した後、窒素で30分間バブリングした。高圧水銀灯のスイッチを入れ室温で40時間照射した。反応液を減圧蒸留で濃縮した。
Claims (6)
- 前記一般式(1)において、B1〜B5で表される環が、イミダゾール環を表すことを特徴とする請求項1に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
- 前記一般式(1)において、B1〜B5で表される環及びB11〜B15で表される環が、共にイミダゾール環を表すことを特徴とする請求項1に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
- 前記一般式(1)において、m1が2を表すことを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
- 前記光照射の手段として波長250〜400nmの範囲内の紫外(UV)光を使用することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
- 前記弱酸として、カルボン酸を使用することを特徴とする請求項1から5までのいずれか一項に記載のイリジウム錯体のフェイシャル体の製造方法。
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