JP2014099527A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012250945A JP6030416B2 (ja) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012250945A JP6030416B2 (ja) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099527A JP2014099527A (ja) | 2014-05-29 |
JP2014099527A5 true JP2014099527A5 (ko) | 2015-05-28 |
JP6030416B2 JP6030416B2 (ja) | 2016-11-24 |
Family
ID=50941297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012250945A Active JP6030416B2 (ja) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6030416B2 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101666400B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2016-10-14 | 한국과학기술연구원 | 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 |
JP2016213362A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 日本電信電話株式会社 | アバランシェフォトダイオード |
JP6696735B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2020-05-20 | 富士通株式会社 | Ge系光素子及びその製造方法 |
EP3680941B1 (en) * | 2017-09-06 | 2022-09-28 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Avalanche photodiode and method for manufacturing same |
CN107749424B (zh) * | 2017-10-24 | 2023-11-07 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种雪崩光电二极管及其制备方法 |
CN111312835B (zh) * | 2020-02-19 | 2023-04-11 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 单电子传输雪崩光电二极管结构及制作方法 |
CN114420783A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-04-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60148177A (ja) * | 1984-01-12 | 1985-08-05 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子 |
JPS61182272A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Toshiba Corp | 半導体受光素子 |
JPH02222580A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Nec Corp | 半導体―金属―半導体ヘテロ界面形成方法 |
US6583482B2 (en) * | 2000-12-06 | 2003-06-24 | Alexandre Pauchard | Hetero-interface avalance photodetector |
WO2008088018A1 (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Nec Corporation | 半導体受光素子 |
JP2010045417A (ja) * | 2009-11-27 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
-
2012
- 2012-11-15 JP JP2012250945A patent/JP6030416B2/ja active Active
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