JP2014099517A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の製造コストを削減する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、加熱処理により残留分極が固定された強誘電体膜を有するゲート絶縁膜を備えるトランジスタを具備する。
【選択図】図1A
【解決手段】本発明による半導体装置は、加熱処理により残留分極が固定された強誘電体膜を有するゲート絶縁膜を備えるトランジスタを具備する。
【選択図】図1A
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、特に、ゲート絶縁膜として強誘電体を使用したトランジスタの製造方法及びその方法で製造された半導体装置に関する。
半導体チップ上に搭載されるトランジスタは、その用途に応じた閾値電圧に制御されている。トランジスタの閾値電圧は、ゲート絶縁膜の膜厚やゲート幅(トランジスタサイズ)、あるいはチャネル領域やLDD領域の不純物濃度によって決まる。レイアウトの都合上トランジスタサイズが決まっている場合、チャネル領域又はLDD領域への不純物濃度を変更することで閾値電圧の異なるトランジスタを同一チップ上に形成することができる。
一方、強誘電体の残留分極を利用してトランジスタの閾値電圧を制御する技術が知られている。例えば、特許第2708194号には、ゲート絶縁膜として強誘電体を用いたトランジスタが記載されている(特許文献1参照)。特許文献1に記載のトランジスタでは、動作電圧よりも高いゲート電圧によって強誘電体(ゲート絶縁膜)に生じた残留分極により、閾値電圧が制御される。この閾値電圧は、ゲート電圧の向きによって異なる2つの値を示す。
現在の製造プロセスでは、異なる閾値電圧のトランジスタを形成する場合、半導体層への不純物注入量やエネルギーを変化させる必要がある。この場合、閾値電圧の種類に応じてフォトリソグラフィー工程数が増加し、製造コストが増大してしまう。このような製造コストの増加を防止するため、所望の閾値電圧を設定するための新たな製造技術の登場が要求されている。
本実施の形態における半導体装置の製造方法は、加熱処理によりゲート絶縁膜に含まれる強誘電体膜の残留分極を固定することで、所望の閾値電圧を設定するステップを具備する。
本実施の形態における半導体装置は、加熱処理により残留分極が固定された強誘電体膜を有するゲート絶縁膜を備えるトランジスタを具備する。
本発明によれば、半導体装置の製造コストを削減することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図面において同一、又は類似の参照符号は、同一、類似、又は等価な構成要素を示している。
図1A及び図1bを参照して、実施の形態における半導体装置の構成の一例を説明する。図1Aは、実施の形態における半導体装置(トランジスタ100)の構成の一例を示す断面図であり、図1Bは、その回路図の一例を示す。
図1A及び図1bに示すトランジスタ100(第1トランジスタとも称す)は、ゲート絶縁膜として強誘電体膜20(以下、強誘電体ゲート絶縁膜20と称す。第1強誘電体膜とも称す)を備えるMOSトランジスタである。図1Aに示す一例では、N型のトランジスタ100の構造が示される。
図1Aを参照して、本実施の形態におけるトランジスタ100は、P型の半導体基板10に形成されたn+拡散領域11(以下、ソース領域11と称す)及びn+拡散領域12(以下、ドレイン領域12と称す)を備える。又、ソース領域11とドレイン領域12とで挟まれたチャネル領域上に強誘電体ゲート絶縁膜20が形成され、その上層にゲート電極30(第1ゲート電極とも称す)が形成される。図1Aに示す一例では、半導体基板10上に直接、強誘電体ゲート絶縁膜20が成膜されている。この場合、強誘電体膜と半導体基板との接触部分における酸化膜が還元されるため、強誘電体ゲート絶縁膜20に効果的に電圧が印加され得る。
強誘電体ゲート絶縁膜20の材料としては、鉛−ジルコニウム−チタン系酸化物(PZT)、ビスマス−チタン系酸化物(BIT)、ビスマス−ランタン−チタン系酸化物(BLT)、あるいは、ストロンチウム−ビスマス−タンタル系酸化物(SBT)等が好適に利用される。例えば、強誘電体メモリに用いられているPb(Zr,Ti)O3、BaTiO3、SrBi2Ta2O9等のペロブスカイト結晶構造の強誘電体材料が強誘電体ゲート絶縁膜20として利用される。これ以外も、化学式ABO3で表される強誘電体を強誘電体ゲート絶縁膜20の主たる成分としても構わない。ここで、AはBa、Sr、Pb、Ca、La、Li、Kのうち少なくとも1種以上、BはZr、Ti、Ta、Nb、Mg、Mn、Fe、Zn、Wのうち少なくとも1種以上を含む。
ゲート電極30は、ポリシリコン、Cr、Al 、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pd、In、Ni、Nd、Co、Pt、Ru、Irのいずれかを含む金属又は金属酸化物が好適に用いられる。
又、強誘電体ゲート絶縁膜20は、室温、あるいはトランジスタ100の動作環境として設定された温度範囲内において固定された残留分極を有している。詳細は後述するが、抗電圧の絶対値よりも小さい電圧範囲の交流電圧によって生成された残留分極が、強誘電体ゲート絶縁膜20に固定されることが好ましい。更に、トランジスタ100の動作電圧(電源電圧)の絶対値よりも小さい電圧範囲の交流電圧によって生成された残留分極が、強誘電体ゲート絶縁膜20に固定されることが好ましい。強誘電体ゲート絶縁膜20における残留分極は、交流電圧の印加後の加熱処理によって固定される。
強誘電体ゲート絶縁膜20は、複数の強誘電体材料を積層させた構造でもよい。又、図1Aに示す強誘電体ゲート絶縁膜20は、半導体基板10の上に直接形成されているが、これに限らず、SiO2等の常誘電体と強誘電体を介して半導体基板10上に形成されてもよい。
例えば、図2に示すように強誘電体ゲート絶縁膜20は、半導体基板10におけるチャネル領域上に常誘電体(例示:SiO2)によるゲート絶縁膜21を介して設けられてもよい。ゲート絶縁膜21は強誘電体ゲート絶縁膜20に比べて誘電率が小さいため、ゲート電極30に印加される電圧の大部分が強誘電体ゲート絶縁膜20に分配される。これにより、ゲート電極30に印加する電圧による残留分極を効率的に発生させることが可能となる。
又、図3に示すように、強誘電体ゲート絶縁膜20は、半導体基板10におけるチャネル領域上に常誘電体(例示:SiO2)によるゲート絶縁膜21及びフローティングゲート22を介して設けられてもよい。例えば、3価元素がドーピングされた酸化鉛を含むフローティングゲート22上に強誘電体ゲート絶縁膜20を形成することで、強誘電体ゲート絶縁膜20の結晶性が良好となり強誘電特性が向上する。
次に、図4及び図5を参照して、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。以下では、図1Aに示すトランジスタ100を製造する方法を一例に説明する。図4は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図5は、実施の形態における半導体装置のゲート絶縁膜に印加する交流電圧と動作電圧との関係及び固定分極の一例を示すヒステリシス曲線図である。
図4を参照して、従来の製造プロセスと同様に、強誘電体ゲート絶縁膜20を備えるトランジスタを形成する(ステップS101)。まず、LOCOS(local oxidation of silicon)法又はSTI(shallow trench isolation)法により素子分離領域(図示なし)が形成され、その上がCMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化された後、ゲート絶縁膜が形成される。図1Aに示す一例では、平坦化された半導体基板10上に強誘電体膜(例えばPZT)が成膜される。強誘電体膜は、例えば、スパッタリング法、溶液塗布法(ゾル・ゲルやMOD)、有機金属化学気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)などにより成膜され、結晶化温度(例えば約600℃)以上で加熱されることで結晶化される。
続いて、強誘電体膜上にゲート電極層(例えばポリシリコン)が積層されるとともにフォトレジストによるマスクパターニングが施され、不純物の注入及び高温アニール処理により拡散領域が形成される。ここでは、P型の半導体基板10(あるいはP型ウェル)にn型不純物を注入してN+拡散領域(ソース領域11及びドレイン領域12)が形成される。この際、ソース領域11とドレイン領域12の間のチャネル領域となり得る半導体基板10上の強誘電体膜及びゲート電極層が、それぞれ強誘電体ゲート絶縁膜20及びゲート電極として形成される。尚、拡散領域の形成工程において、ソース領域11及びドレイン領域12のそれぞれには注入する不純物の量や種類を変化させることで、コンタクト側の深いN+拡散層と、チャネル領域側の浅いN+拡散層が形成されてもよい。
図1Aには図示されないが、ソース領域11及びドレイン領域12の表面がシリサイド化されるとともにコンタクトが設けられる。又、ゲート電極30の表面がシリサイド化されてもよい。更に、図2や図3に示すトランジスタ100を形成する場合、強誘電体ゲート絶縁膜20が形成される前に、例えばシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜21や、酸化鉛を含むフローティングゲート22が形成される。
上記のトランジスタの製造方法は、一例であり、結晶化された強誘電体ゲート絶縁膜20を備える構造であれば、これに限らずステップS101の工程として従来の製造プロセスを適用できる。
続いて、トランジスタの閾値電圧を制御するために、室温で、トランジスタのゲートと基板との間に電圧を印加する(ステップS102)。ここでは、所望の閾値電圧に応じた電圧が印加される。詳細には、印加電圧を0Vとしたときの強誘電体ゲート絶縁膜における残留分極によって決まるトランジスタの閾値電圧が、所望の値となるように当該印加電圧の大きさが制御される。残留分極の大きさを安定させるため、ゲートと基板間に印加される電圧は、所定の電圧範囲の交流電圧であることが好ましい。又、基板電圧を固定しゲートの所定の電圧を印加してもよいし、ゲート電圧を固定し、基板に所定の電圧を印加してもよい。例えば、SRAM(Static Random Access Memory)等に用いられるCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路において、Pチャネル型MOSトランジスタとNチャネル型MOSトランジスタのゲート電圧は共通となるため、それぞれの基板(Nチャネル型MOSトランジスタはPウェル、Pチャネル型MOSトランジスタはNウェル)に印加する電圧をそれぞれ定めることにより、ゲートと基板との間の電圧が所望の値になるようにする。
続いて、ゲートと基板との間に対する電圧印加を停止する(ステップS103)。例えば、ステップS102において交流電圧を印加した場合、所望の閾値電圧を得るための残留分極となるように、停止直前における印加電圧の正負が決められる。詳細には、正の残留分極とする場合、停止直前の印加電圧が正の値となるように制御され、負の残留分極とする場合、停止直前の印加電圧が負の値となるように制御される。残留分極が正の場合、トランジスタの閾値電圧は、残留分極がないときの閾値電圧に比べて低くなり、残留分極が負の場合、トランジスタの閾値電圧は、残留分極がないときの閾値電圧に比べて高くなる。
ステップS103において残留分極が生じている状態で、トランジスタ100に対して加熱処理を施す(ステップ104)。加熱処理は、オーブン等を用いてウェハー全体に対して行われることが好ましい。残留分極を有する強誘電体ゲート絶縁膜20をキュリー温度以下の温度で加熱することにより、当該残留分極を固定することができる。加熱する温度としては、トランジスタ100の動作環境として設定される動作温度の上限に対して所定の温度(例えば30℃から50℃程度)だけ上回る温度を下限とし、強誘電体ゲート絶縁膜20のキュリー温度を上限とすることが好ましい。加熱処理における温度の上限は、キュリー温度より約50℃以上低い温度にすることが、分極の固定を維持するうえで更に好ましい。キュリー温度は材料や膜質によって異なるが、例えばPZTでは350℃と言われている。又、加熱時間は、短すぎると分極を固定しきれなくなってしまうため、10分以上温度を保持することが好ましい。
ステップS102及びステップS103において強誘電体ゲート絶縁膜20に生じた残留分極は、加熱処理によって固定され、トランジスタ100の動作時においても残留分極の状態は変化せず一定値を維持する。上述のように、トランジスタ100の閾値電圧は、固定された残留分極の大きさにより決まるため、ステップS102においてゲート−基板間(強誘電体ゲート絶縁膜20)に印加する電圧を適切に設定することで、当該トランジスタ100の閾値電圧を任意に設定することが可能となる。
表1は、ゲート−基板間(強誘電体ゲート絶縁膜)に対する印加電圧と、電圧印加による強誘電体ゲート絶縁膜の残留分極及び閾値電圧の変動量の一例を示す表である。印加電圧と残留分極の関係は、強誘電体の材料や膜質によって異なるが、ここでは膜厚200nmのPZTを強誘電体ゲート絶縁膜として用い、抗電圧:1.8Vとして、電圧印加によって生じる分極の20%が、残留分極となる場合を想定している。抗電圧より低い電圧での残留分極値は、印加電圧に対して比較的リニアリティがあるので、表1のように変化する。
例えば、印加電圧の絶対値が0.2Vであり、電圧印加停止直前の印加電圧が正のとき、加熱処理により固定される残留分極値は2μC/cm2となり、閾値電圧の変動量は0.04Vとなる。あるいは、印加電圧の絶対値が0.6Vであり、電圧印加停止直前の印加電圧が正のとき、加熱処理により固定される残留分極値は6μC/cm2であり、閾値電圧の変動量は0.12Vとなる。更に、印加電圧の絶対値が1.0Vであり、電圧印加停止直前の印加電圧が正のとき、加熱処理により固定される残留分極値は10μC/cm2となり、閾値電圧の変動量は0.20Vとなる。例えば、表1に従う強誘電体ゲート絶縁膜20を用いたトランジスタの閾値電圧を設定する場合、残留分極がないときの閾値電圧が0.5Vであるとき、印加電圧の絶対値を0.2Vから1.0Vまで変化させることで、閾値電圧を0.3から−0.5Vまで変化させることが可能となる。又、同条件のトランジスタにおいて固定される残留分極が負の場合、印加電圧の絶対値を0.2Vから1.0Vまで変化させることで、閾値電圧を0.7から1.5Vまで変化させることが可能となる。
加熱処理により残留分極が固定され、トランジスタ100の閾値電圧が設定されると、トランジスタ100への閾値電圧設定処理は終了し、他の工程(例えば組立工程)に移行する。
以上のように、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、ゲート絶縁膜に含まれる強誘電体膜の残留分極を加熱処理により固定している。このため、ゲート絶縁膜への印加電圧を任意に変更することにより、所望の大きさの閾値電圧を設定することが可能となる。
図5を参照して、ステップS102においてゲート−基板間(強誘電体ゲート絶縁膜20)に印加する電圧の大きさと強誘電体ゲート絶縁膜20に発生する残留分極の関係について説明する。
以下では、ステップS102における印加電圧の絶対値の最大値を印加最大電圧“VA”、動作電圧の絶対値を動作電圧“VD”、抗電圧の絶対値を抗電圧“VC”として説明する。
図5を参照して、強誘電体ゲート絶縁膜20に抗電圧“VC”以上の正の電圧“VM”が印加され(特性点201)、印加電圧を減少させて0Vとすると、所定の大きさの分極が残留する(特性点202)。さらに印加電圧を抗電圧“VC”以上の負の電圧“−VM”(特性点203)まで減少させた後、印加電圧を増加させて0Vとすると、所定の大きさの分極が残留する(特性点204)。このようなヒステリシス特性を有する強誘電体ゲート絶縁膜20に対し、抗電圧“VC”より小さい印加最大電圧“VA”の交流電圧を印加すると、特性点301、302を通るヒステリシス特性を示す。ここで、特性点301における残留分極(印加電圧“0V”)は、特性点202における残留分極より小さく、特性点302における残留分極(印加電圧“0V”)は、特性点204における残留分極より大きいことが好ましい。
ステップS103において、印加電圧を停止する直前の電圧が正である場合、ステップS104における加熱処理により特性点301における残留分極が固定され、印加電圧を停止する直前の電圧が負である場合、加熱処理により特性点302における残留分極が固定される。
加熱処理によって固定された残留分極(例えば特性点301)を有する強誘電体ゲート絶縁膜20に、抗電圧“VC”以下の電圧が印加されても、固定された残留分極の大きさは変化しない。しかし、強誘電体ゲート絶縁膜20に対し抗電圧“VC”以上の高電圧が印加されると、固定された残留分極値が特性点202又は特性点204側に変化する場合がある。例えば、トランジスタの動作電圧“VD”が抗電圧“VC”より大きい場合、トランジスタの動作中に、残留分極が特性点202、204側に移動し閾値電圧が変化する恐れがある。このため、本実施の形態に係る強誘電体ゲート絶縁膜20は、抗電圧“VC”がトランジスタの動作電圧“VD”よりも大きい強誘電体材料で構成されていることが好ましい。換言すると、とランジスタの動作電圧“VD”は、強誘電体ゲート絶縁膜20に規定された動作電圧“VD”よりも小さいことが好ましい。これにより、トランジスタが所望の動作電圧で動作しても、強誘電体ゲート絶縁膜20における残留分極はその値を維持し、安定した閾値電圧で動作することが可能となる。
次に、図6を参照して、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。以下では、図1Aに示すトランジスタ100を製造する方法を一例に説明する。図6は、第2の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。第2の実施の形態では、第1の実施の形態における製造プロセスに、ステップS101の工程において形成されたトランジスタの閾値電圧に基づいてゲート絶縁膜への印加電圧の大きさを決定する処理(ステップS110)が追加される。
詳細には、ステップS110の工程では、ステップS101において形成されたトランジスタの閾値電圧が測定される。続いて所望の閾値電圧と測定値との差分から印加電圧が決定される。例えば、表1に示すような、ゲート−基板間への印加電圧と、残留分極値及び閾値の変動量との関係を、強誘電体ゲート酸化膜の種類や膜厚、あるいはゲート構造が異なる複数のトランジスタのそれぞれに対して用意する。この関係は、実測値から得られた対応表として用意してもよいし、シミュレーションによって得られた対応表や計算式として用意してもよい。ステップS110では、閾値電圧の測定値と所望の設定値との差分が、残留分極による閾値電圧の変動量に一致するように、ゲート−基板間(強誘電体ゲート絶縁膜)への印加電圧が決定される。
例えば、表1を参照して、閾値電圧の測定値と所望の設定値との差分が0.12vである場合、以降のステップS102においてゲート−基板間に印加される電圧の絶対値は0.6Vに設定される。
以降、ステップS102からS104の工程を経ることで、ステップS110において設定された印加電圧に応じた大きさの残留分極が固定され、トランジスタ100毎に所望の閾値電圧が精度よく設定されることとなる。
尚、ステップS110における閾値電圧の測定は、半導体チップ毎に行われることが好ましい。又、閾値電圧の測定は、チップ毎に用意されたチェックトランジスタ等を用いて行われることが好ましい。
トランジスタのゲート長やゲート絶縁膜厚等はウェハー面内で一定の範囲内の分布を持つため、閾値電圧がグローバルなばらつきを持つことは避けられない。しかし、本実施の形態では、チップごとに異なる電圧をトランジスタに印加することが可能となる。閾値電圧のグローバルなばらつきを予め測定・把握した上で、閾値電圧を調整するための電圧を加えているため、当該ばらつきを吸収し、チップ間の閾値電圧ばらつきを最小にすることができる。
次に、図7を参照して、第3の実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。以下では、図1Aに示すトランジスタ100を製造する方法を一例に説明する。図7は、第3の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。第3の実施の形態では、トランジスタの動作検証(ステップS105、S106)及び動作検証結果に応じた閾値電圧の再設定処理(ステップS107、S110)が第1の実施の形態に追加される。
詳細には、ステップS101〜S104の工程により、残留分極が固定されたトランジスタ100が形成されると、当該トランジスタ100に対して動作検証が行われる(ステップS105)。ここでは、例えば、トランジスタ100の動作速度やリーク電流が測定される。トランジスタ100の特性(例えば動作速度やリーク電流)が、チップの用途に応じて予め決められた基準内である場合(合格)、トランジスタ100への閾値電圧設定処理は終了し、他の工程(例えば組立工程)に移行する(ステップS106Yes)。
ステップS105の処理において、測定されたトランジスタ100の特性が、チップの用途に応じて予め決められた基準から外れる場合(不合格)、閾値電圧の再設定処理に移行する(ステップS106No)。
閾値の再設定が行われる場合、トランジスタ100に固定された残留分極は、脱分極処理により消去される(ステップS107)。例えば、不合格であったトランジスタ100をキュリー点以上の温度で加熱することで、分極を消去する。
分極が消去されたトランジスタに対し再びステップS102〜S104の処理を実行することにより、閾値電圧が再設定される。この際、ステップS105において測定された特性値(例えば動作速度)を利用してゲート−基板間に印加する電圧の大きさが調整されることが好ましい。
図7に示す一例では、脱分極処理の後に閾値電圧(固定分極)の再設定が行われているが、閾値電圧の再設定ができればこれに限らない。例えば、不合格であったトランジスタのゲート−基板間に対し、抗電圧の絶対値を超える電圧(例えば交流電圧)を印加し、残留分極の大きさを変更する。そして、印加電圧の絶対値を徐々に小さくすることで残留分極値を減少させ、所望の残留分極値(閾値電圧)となった時点で電圧印加を停止する。この際、ステップS105において測定された特性値(例えば動作速度)を利用して、閾値電圧再設定時におけるゲート−基板間への印加電圧の大きさを決定することが好ましい。
本実施の形態のおける半導体装置の製造方法では、トランジスタの動作検証後に閾値電圧を再調整することが可能である。このため、本実施の形態は、第1の実施の形態に比べて、規格外の特性をもつトランジスタを多く排除できることから、不良チップ数を削減することが可能となる。
以上のように、第1から第3の実施の形態における製造方法によれば、残留分極を加熱処理により固定することで、所望の閾値電圧のトランジスタ100を製造することが可能となる。上述の一例では、Nチャネル型のトランジスタ100について説明したが、これに限らず、固定された残留分極を有する強誘電体ゲート絶縁膜を備えれば、Pチャネル型MOSトランジスタにも適用できる。
図8A及び図8bを参照して、実施の形態における半導体装置の構成の一例を説明する。図8Aは、実施の形態におけるCMOSロジック回路を含む半導体装置(インバータ回路200)の構成の一例を示す断面図であり、図8Bは、その回路図の一例を示す。
図8A及び図8bに示すインバータ回路200は、それぞれのゲートが入力端子401に接続され、ドレインが出力端子402に接続されたNチャネル型MOSトランジスタ100とPチャネル型MOSトランジスタ101(第2トランジスタとも称す)を備える。Pチャネル型MOSトランジスタ101のソースは電源端子403を介して第1電源(例えば電源電圧VDD)に接続され、Nチャネル型MOSトランジスタ100のソースは電源端子404を介して第2電源(例えば接地電圧GND)に接続される。
図8Aを参照して、Nチャネル型MOSトランジスタ100は、シリコン基板80上のP型ウェル10に形成されたn+拡散領域11(以下、ソース領域11と称す)及びn+拡散領域12(以下、ドレイン領域12と称す)を備える。又、ソース領域11とドレイン領域12とで挟まれたチャネル領域上に強誘電体ゲート絶縁膜20が形成され、その上層にゲート電極30が形成される。図8Aに示す一例では、P型ウェル10上に直接、強誘電体ゲート絶縁膜20が成膜されている。ソース領域11の表面はシリサイド層13が形成され、図示しないコンタクトを介して電源端子404に接続される。ドレイン領域12の表面はシリサイド層14が形成され、図示しないコンタクトを介して出力端子402に接続される。ソース領域11及びドレイン領域12のそれぞれには注入する不純物の量や種類を変化させることで、コンタクト側の深いN+拡散層と、チャネル領域側の浅いN+拡散層が形成される。
Pチャネル型MOSトランジスタ101は、シリコン基板80上のN型ウェル40に形成されたp+拡散領域41(以下、ソース領域41と称す)及びp+拡散領域42(以下、ドレイン領域42と称す)を備える。又、ソース領域41とドレイン領域42とで挟まれたチャネル領域上に強誘電体ゲート絶縁膜50(第2強誘電体膜とも称す)が形成され、その上層にゲート電極60(第2ゲート電極とも称す)が形成される。図8Aに示す一例では、N型ウェル40上に直接、強誘電体ゲート絶縁膜50が成膜されている。ソース領域41の表面はシリサイド層43が形成され、図示しないコンタクトを介して電源端子403に接続される。ドレイン領域42の表面はシリサイド層44が形成され、図示しないコンタクトを介して出力端子402に接続される。ソース領域41及びドレイン領域42のそれぞれには注入する不純物の量や種類を変化させることで、コンタクト側の深いP+拡散層と、チャネル領域側の浅いP+拡散層が形成される。
ゲート電極30の表面にはシリサイド層31が形成され、ゲート電極60の表面にはシリサイド層61が形成され、それぞれの間は、図示しないコンタクト及び配線を介して入力端子401に接続される。Pチャネル型MOSトランジスタ101やNチャネル型トランジスタ100は、他の素子との間を素子分離領域81〜83によって分離される。ここでは、Pチャネル型MOSトランジスタ101とNチャネル型トランジスタ100の間(ドレイン領域12、42の間)は、素子分離領域82により分離される。尚、強誘電体ゲート絶縁膜20、50やゲート電極30、60の組成は、図1Aを参照して説明したトランジスタ100と同様である。
図8A、図8Bに示すインバータ回路200についても、上述の嫉視の形態と同様な方法により、強誘電体ゲート絶縁膜20、50には残留分極が固定される。この際、トランジスタ100、101の閾値電圧を異なる値に設定するため、上述のステップS102において強誘電体ゲート絶縁膜20、50には異なる大きさの電圧が印加される。ここでは、トランジスタ100、101のゲートが共通接続されているため、基板電圧、すなわちP型ウェル10及びN型ウェル40のそれぞれに対する電圧の大きさを変えることで、ステップS102において強誘電体ゲート絶縁膜20、50へ印加する電圧の値を変更する。これにより、トランジスタ100、101のそれぞれの閾値電圧を個別に設定することが可能となる。
以上のように、実施の形態における半導体装置、及びその製造方法によれば、残留分極の固定することによりトランジスタの閾値電圧を任意に設定することが可能となる。これにより、閾値電圧の種類に応じて増加するフォトリソグラフィー工程を省略でき、製造コストを削減することができる。
以上、本発明の実施の形態を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。第1〜第3の実施の形態における半導体装置の製造方法は、技術的な矛盾がない範囲ないで組み合わせて実現されることは言うまでもない。
10 :半導体基板(P型ウェル)
11、41 :拡散領域(ソース領域)
12、42 :拡散領域(ドレイン領域)
20、50 :強誘電体ゲート絶縁膜
30 :ゲート電極
40 :半導体基板(N型ウェル)
50 :強誘電体ゲート絶縁膜
60 :ゲート電極
80 :シリコン基板
100 :Nチャネル型MOSトランジスタ
101 :Pチャネル型MOSトランジスタ
200 :インバータ回路
11、41 :拡散領域(ソース領域)
12、42 :拡散領域(ドレイン領域)
20、50 :強誘電体ゲート絶縁膜
30 :ゲート電極
40 :半導体基板(N型ウェル)
50 :強誘電体ゲート絶縁膜
60 :ゲート電極
80 :シリコン基板
100 :Nチャネル型MOSトランジスタ
101 :Pチャネル型MOSトランジスタ
200 :インバータ回路
Claims (10)
- ゲート絶縁膜として強誘電体膜を有するトランジスタを生成するステップと、
前記強誘電体膜に対し、電圧の絶対値が前記強誘電体膜の抗電圧の絶対値よりも小さい交流電圧を供給するステップと、
前記交流電圧の供給を停止するステップと
前記強誘電体膜を加熱することで、前記交流電圧による残留分極を固定するステップと
を具備する
半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記残留分極を固定するステップは、
前記強誘電体膜を、前記トランジスタの動作温度の最大値として設定された温度よりも高く、前記強誘電体膜のキュリー温度よりも低い温度で加熱するステップを備える
半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記交流電圧を供給するステップは、
前記トランジスタの閾値電圧を測定するステップと、
測定された閾値電圧に基づいて前記強誘電体膜に供給する前記交流電圧の大きさを決定するステップと
を備える
半導体装置の製造方法。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記交流電圧を供給するステップにおいて、前記交流電圧は、前記強誘電体膜を介してゲート電極と基板間に供給される
半導体装置の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記トランジスタの閾値電圧を検証するステップと、
前記閾値電圧検証において不合格である前記トランジスタに対してキュリー温度以上の温度で加熱することで脱分極処理を行うステップと
を更に具備し、
前記交流電圧を供給するステップから前記残留分極を固定するステップは、前記脱分極処理されたトランジスタに対して行われる
半導体装置の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記トランジスタの閾値電圧を検証するステップと、
前記閾値電圧検証において不合格である前記トランジスタの前記強誘電体膜に対して、絶対値が抗電圧以上の交流電圧を印加するステップと、
前記強誘電体膜に対して印加する交流電圧の絶対値を所望の電圧まで減少するステップと
前記交流電圧を停止するステップと、
前記強誘電体膜を加熱することで、前記交流電圧による残留分極を固定するステップと
を更に具備する
半導体装置の製造方法。 - 第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極と基板との間に設けられた第1強誘電体膜を有する第1ゲート絶縁膜とを備える第1導電型の第1トランジスタを具備し、
前記第1強誘電体膜の残留分極は、予め設定された前記第1トランジスタの動作電圧の範囲内で前記第1ゲート電極に印加される電圧によらず固定される
半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記残留分極の絶対値は、前記残留分極の固定前における前記第1強誘電体膜に対して抗電圧以上を印加した場合の残留分極の絶対値よりも小さい
半導体装置。 - 請求項7又は8に記載の半導体装置において、
前記第1トランジスタの動作電圧の絶対値は、前記第1強誘電体膜の抗電圧の絶対値よりも小さい
半導体装置。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記第1ゲート電極に接続された第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極と前記基板との間に設けられた第2強誘電体膜を有する第2ゲート絶縁膜とを備え、第2導電型の第2トランジスタを更に具備し、
前記第2強誘電体膜の残留分極は、前記第2トランジスタの動作電圧の範囲内で前記第2ゲート電極に印加される電圧によらず固定され、
前記第1トランジスタと前記第2トランジスタは、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路を構成する
半導体装置。
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JP2012250719A JP2014099517A (ja) | 2012-11-14 | 2012-11-14 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6305596B1 (ja) * | 2016-12-15 | 2018-04-04 | 國立交通大學 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11670699B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-06-06 | National Yang Ming Chiao Tung University | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
2012
- 2012-11-14 JP JP2012250719A patent/JP2014099517A/ja active Pending
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