JP2014096331A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】、第1の電極の周辺部において発光素子層が切れたり、第1の電極と第2の電極とが短絡したりすることを防止するために有利な技術を提供する。
【解決手段】基板2の上面110の上に配置された第1の電極12と、第1の電極12およびその外側の領域を覆うように配置された発光素子層14と、発光素子層14を覆うように配置された第2の電極15と、第1の電極12を駆動する駆動回路130とを有する表示装置において、基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積は、上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている。
【選択図】図5
【解決手段】基板2の上面110の上に配置された第1の電極12と、第1の電極12およびその外側の領域を覆うように配置された発光素子層14と、発光素子層14を覆うように配置された第2の電極15と、第1の電極12を駆動する駆動回路130とを有する表示装置において、基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積は、上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている。
【選択図】図5
Description
本願発明は、表示装置およびその製造方法に関する。
特許文献1には、平坦化絶縁膜の上に第1の電極、発光素子層および第2の電極を積層した構造を有する表示装置が記載されている。この表示装置は、第1の電極の端部および平坦化絶縁膜を覆う絶縁膜を有する。この絶縁膜は、第1の電極の端部より内側を露出させる開口部を有し、この開口部において発光素子層が第1の電極に接している。この絶縁膜は、開口部を規定する側面が傾斜していて、これによって発光素子層が切れることや、第1の電極と第2の電極とが短絡することが防止されている。
特許文献1に記載された構成では、開口部を規定する絶縁膜の側面を傾斜させるために、この側面と第1の電極の外縁との間に相応の距離を設ける必要があり、これによって、第1の電極の実効的な面積が減少するという問題がある。
本発明は、第1の電極の周辺部において発光素子層が切れたり、第1の電極と第2の電極とが短絡したりすることを防止するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、基板の上面の上に配置された第1の電極と、前記第1の電極およびその外側の領域を覆う発光素子層と、前記発光素子層を覆う第2の電極と、前記第1の電極を駆動する駆動回路とを有する表示装置において、前記基板の上面に平行な断面における前記第1の電極の面積が前記上面から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっていることを特徴とする。
本発明によれば、第1の電極の側面において発光素子層が切れたり、第1の電極と第2の電極とが短絡したりすることを防止するために有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその実施形態を通して例示的に説明する。
図5を参照しながら本発明の第1実施形態の表示装置の構成を説明する。ここで、図5には、複数の画素を有する表示装置1を構成する1つの画素の構成のみが模式的に示されている。表示装置1、より詳しくは、それを構成する各画素は、基板2と、第1の電極12と、発光素子層14と、第2の電極15と、駆動回路130とを含む。
基板2は、例えば、シリコン基板等の半導体基板、又は、ガラス基板、樹脂基板などの絶縁性基板でありうる。第1の電極12は、基板2の上面110の上に配置される。第1の電極12は、例えば、基板2の上面110の上に層間絶縁膜10を介して配置されうる。図5に示す例では、基板2の上面110の上に積層配線構造120が配置され、第1の電極12は、積層配線構造120の層間絶縁膜10の上に配置されている。
積層配線構造120は、例えば、第1の層間絶縁膜4と、コンタクトプラグ5と、第1の金属配線層6と、第2の層間絶縁膜7と、ビアプラグ8と、第2の金属配線層9と、第3の層間絶縁膜10と、ビアプラグ11とを含みうる。コンタクトプラグ5は、第1の層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールに導電材料を充填することによって形成される。第1の金属配線層6は、第1の層間絶縁膜4の上に配置され、コンタクトプラグ5を介してトランジスタ3のゲート電極、ソースまたはドレインに接続される。第2の層間絶縁膜7は、第1の層間絶縁膜4および第1の金属配線層6の上に配置される。ビアプラグ8は、第2の層間絶縁膜7に形成されたビアホールに導電材料を充填することに形成される。第2の金属配線層9は、第2の層間絶縁膜7の上に配置され、ビアプラグ8を介して第1の金属配線層6に接続される。第3の層間絶縁膜10は、第2の層間絶縁膜7および第2の金属配線層9の上に配置される。ビアプラグ11は、第3の層間絶縁膜10に形成されたビアホールに導電材料を充填することに形成される。
第1の電極12は、第3の層間絶縁膜10の上に配置され、ビアプラグ11を介して第2の金属配線層9に接続される。発光素子層14は、電荷が注入されることによって発光する層である。発光素子層14は、第1の電極12およびその外側の領域を覆うように配置されている。第2の電極15は、発光素子層14を覆うように配置されている。駆動回路130は、第1の電極12を駆動するように構成されている。
駆動回路130は、1又は複数のトランジスタ3を含みうる。トランジスタ3は、例えば、MOSトランジスタまたはTFT(Thin Film Transistor)でありうる。MOSトランジスタは、半導体基板を利用して形成される。ここで、MOSトランジスタの構成要素の一部(ソース、ドレインなど)は半導体基板の中に形成され、他の一部(ゲート電極など)は半導体基板の上に形成される。TFTは、絶縁性基板の上に形成される。
基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積は、上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている。すなわち、第1の電極12は、その周辺部がなだらかな形状を有する。図5に例示される第1実施形態では、基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積は、上面110から離れるにしたがって連続的に小さくなっている。後述する図9に例示される第2実施形態では、基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積は、上面110から離れるにしたがって段階的に小さくなっている。ここで、段階的に小さくなることは、少なくとも1つの段差(ステップ)を形成しながら小さくなることを意味する。また、図5では、一方向の断面を示しているが、別の方向における断面、例えば、奥行き方向の断面においても、同様に、第1の電極12は、周辺部がなだらかな形状を有しうる。第1の電極12の全外周における周辺部がなだらかであることが特に望ましい。また、第1の電極12は、基板の上面への投影図における中心部から周辺部に向かって、段階的または連続的に、その厚みが薄くなる構成を有しているとも言える。
第1の電極12における周辺部140は、エッチングされた面150を含む。該エッチングされた面150の存在によって、基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積が上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている。第1の電極12の上面160(上面160は、周辺部140におけるエッチングされた面150を含む面である)は、凸面を含む。
発光素子層14は、第1の電極12および積層配線構造120を覆っている。発光素子層14は、第1の電極12の上面、および、積層配線構造120のうち第1の電極12が存在しない領域の上面に沿って配置される。第2の電極15は、発光素子層14の上面に沿って配置される。基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積が上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっていることによって、発光素子層14による第1の電極12の周辺部140の被覆性が向上する。これにより、第1の電極12の周辺部140において発光素子層14が切れたり、第1の電極12と第2の電極15とが短絡したりすることを防止することができる。
駆動回路130の少なくとも一部(例えば、1つのトランジスタ3の全部または一部)は、基板2の上面110の法線方向からの透視において、第1の電極12が配置された領域の中に配置されうる。換言すると、駆動回路130の少なくとも一部(例えば、1つのトランジスタ3の全部または一部)を覆うように第1の電極12が配置されうる。これにより、1つの画素の第1の電極12とそれに隣接する画素の第1の電極12との間隔を小さくすることができる。一例において、第1の電極12は、発光素子層14で発生し第1の電極12に入射する光を反射する反射面を有する電極として構成され、第2の電極15は、光を透過する電極として構成される。
以下、図1〜図5を参照しながら本発明の第1実施形態の表示装置1の製造方法を例示的に説明する。まず、図1に示される成膜工程では、基板2の上面110の上に、第1の電極12を形成するための第1の電極層12’を形成する。ここで、第1の電極層12’は、例えば、駆動回路130が形成された基板2の上に形成された積層配線構造120の上に形成されうる。第1の電極層12’は、例えば、Ti、TiN、AlCuおよびAlSiからなるグループから選択される材料で構成されうる。
図2〜図5に示される処理工程では、第1の電極層12’を処理することによって第1の電極12が形成される。該処理工程は、第1の電極層12’のうち第1の電極12における周辺部140となるべき領域がなだらかになるように第1の電極層12’を成形する処理を含む。
以下、図2〜図5に示される処理工程をより具体的に説明する。図2に示される工程では、第1の電極層12’の上にフォトレジストパターン(パターン)13を形成する。フォトレジストパターン13は、第1の電極層12’の上にフォトレジスト膜を形成し、これを露光し現像することによって形成されうる。図3に示される工程では、フォトレジストパターン13を加熱することによって凸面が形成されるようにフォトレジストパターン13を変形させ、これによってマスク13’を得る。以上のように、図2、図3に示される工程では、凸面を有するマスク13’が第1の電極層12’の上に形成される。マスク13’は、基板の上面に平行な断面における面積が上面110から離れるにしたがって連続的に小さくなる形状を有する。なお、このマスク13’は、加熱によって形成したが、ハーフトーンマスク等を使用する露光によって形成することも出来る。
図4に示された工程では、マスク13’および第1の電極層12’をエッチングすることによって、マスク13’の凸面の形状に応じた凸面を有する第1の電極12を形成する。つまり、凸面を有するマスク13’をエッチングマスクとして第1の電極層12’をエッチングすることによって、マスク13’の凸面の形状が転写された第1の電極12を得ることができる。マスク13’および第1の電極層12’のエッチングは、典型的には、ドライエッチングによってなされうる。ドライエッチング用のガスとしては、例えば、Cl2、BCl3、CHF3またはC2H4を用いることができる。
図5に示される工程では、第1の電極12およびその外側の領域(積層配線構造120)を覆うように発光素子層14を形成し、その上に第2の電極15を形成する。発光素子層14は、例えば、第1ホール輸送層、第2ホール輸送層、発光層および電子輸送層を含みうる。第1ホール輸送層は、例えば、MTDATA(4,4−bis(3−methylphenylphenylamino)biphenyl)で形成されうる。第2ホール輸送層は、例えば、TPD(4,4,4−tris(3−methylphenylphenylamino)triphenylanine)で構成されうる。発光層は、例えば、キナクリドン(Quinacridone)誘導体を含むBebq2(10−ベンゾ〔h〕キノリノール−ベリリウム錯体)で構成されうる。電子輸送層は、例えば、Bebq2で構成されうる。第2の電極15は、例えば、透明電極材料IZO(Indium Zinc Oxide)で構成されうる。
図9を参照しながら本発明の第2実施形態の表示装置19の構成を説明する。第2実施形態の表示装置は、第1実施形態の表示装置における第1の電極12、発光素子層14、第2の電極15を第1の電極12b、発光素子層22、第2の電極23で置き換えた構成を有する。第1の電極12bは、基板2の上面110に平行な断面における面積が上面110から離れるにしたがって段階的に小さくなる形状を有する。
発光素子層22は、第1の電極12bおよび積層配線構造120を覆っている。発光素子層22は、第1の電極12bの上面、および、積層配線構造120のうち第1の電極12bが存在しない領域の上面に沿って配置される。第2の電極23は、発光素子層22の上面に沿って配置される。基板2の上面110に平行な断面における第1の電極12の面積が上面110から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっていることによって、発光素子層22による第1の電極12bの周辺部の被覆性が向上する。これにより、第1の電極12bの周辺部において発光素子層22が切れたり、第1の電極12bと第2の電極23とが短絡したりすることを防止することができる。
以下、図6−9を参照しながら本発明の第2実施形態の表示装置19の製造方法を例示的に説明する。第2実施形態の製造方法は、積層配線構造120の上に第1の電極層12’を形成するまでは第1実施形態の製造方法と同様である。
図6に示された工程では、第1の電極層12’のうち第1の電極12bにおける中央部となるべき中央領域250を覆う一方で中央領域250の外側の外側領域240を露出させるマスク20を形成する。そして、マスク20を使って第1の電極層12’の外側領域240をエッチングする。このとき、第1の電極層12’の外側領域240の全てをエッチングするのではなく、外側領域240に所定の厚さが残るように第1の電極層12’の外側領域240を薄化する。この処理によって第1の電極層12’が成形されて、第1の電極層12aが得られる。外側領域240のエッチングの後に、マスク20がプラズマアッシングおよび有機剥離液浸漬などによって除去される。このような成形の工程を複数回にわたって実施することによって複数の段差を第1の電極層12aに形成してもよい。
図7に示された工程では、第1の電極層12’をパターニングする。具体的には、第1の電極層12’の上にマスク21を形成し、マスク21を使って第1の電極層12aをエッチングする。これによって第1の電極層12aがパターニングされて、第1の電極12bが得られる。
一例において、第1の電極層12’は、厚さ2000ÅのTiで構成され、図6に示される工程によって外側領域240の厚さが1000Åにされ、その後、図7に示される工程によって第1の電極層12aがパターニングされる。これによって第1の電極12bが得られる。図8には、第1の電極層12aが例示されている。段差Aおよび段差Bは、ともに約1000Å程度である。すなわち、図6に例示された工程において第1の電極層の外側領域240を薄化することによって、第1の電極12bの周辺部をなだらかにすることができる。これによって、第1の電極12bの周辺部において発光素子層22が切れたり、第1の電極12bと第2の電極23とが短絡したりすることを防止することができる。
図9に示された工程では、第1の電極12bおよびその外側の領域(積層配線構造120)を覆うように発光素子層22を形成し、その上に第2の電極23を形成する。発光素子層22は、第1実施形態の発光素子層14と同様の構成を有しうる。第2の電極23は、例えば、透明電極材料IZO(Indium Zinc Oxide)で構成されうる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、各実施形態は適宜変更、組み合わせ可能である。
Claims (10)
- 基板の上面の上に配置された第1の電極と、前記第1の電極およびその外側の領域を覆う発光素子層と、前記発光素子層を覆う第2の電極と、前記第1の電極を駆動する駆動回路とを有する表示装置であって、
前記基板の上面に平行な断面における前記第1の電極の面積は、前記上面から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記第1の電極における周辺部は、エッチングされた面を含み、前記エッチングされた面の存在によって、前記上面に平行な断面における前記第1の電極の面積が前記上面から離れるにしたがって連続的または段階的に小さくなっている、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1の電極の上面は、凸面を含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。 - 前記第1の電極は、前記駆動回路の少なくとも一部を覆うように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1の電極は、前記上面の上に層間絶縁膜を介して配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の表示装置。 - 基板の上面の上に配置された第1の電極と、前記第1の電極およびその外側の領域を覆うように配置された発光素子層と、前記発光素子層を覆うように配置された第2の電極と、前記第1の電極を駆動する駆動回路とを有する表示装置の製造方法であって、
前記上面の上に前記第1の電極を形成するための第1の電極層を形成する成膜工程と、
前記第1の電極層を処理して前記第1の電極を得る処理工程と、を含み、
前記処理工程は、前記第1の電極層のうち前記第1の電極における周辺部となるべき領域がなだらかになるように前記第1の電極層を成形する処理を含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記処理は、
凸面を有するマスクを前記第1の電極層の上に形成する工程と、
前記マスクおよび前記第1の電極層をエッチングすることにより、前記マスクの前記凸面の形状に応じた凸面を有する前記第1の電極を形成する、
ことを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記マスクを前記第1の電極層の上に形成する工程は、
前記第1の電極層の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンを加熱することによって前記パターンを変形させる工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の表示装置の製造方法。 - 前記処理は、
前記第1の電極層のうち前記第1の電極における中央部となるべき中央領域を覆う一方で前記中央領域の外側の外側領域を露出させるマスクを形成する工程と、
前記マスクを使って前記第1の電極層の前記外側領域をエッチングすることにより前記外側領域を薄化する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。 - 前記処理工程は、前記第1の電極層をパターニングする処理を更に含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の表示装置の製造方法。
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