JP2014093268A - 静電容量の計測方法及び計測装置、並びに入力装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】入力装置に設けられる入力面の静電容量の計測に関し、個々の入力面の静電容量を高精度に計測可能な技術の提供。
【解決手段】空気よりも高い比誘電率を有し、且つ入力装置２０の入力面２２よりも変形容易な高誘電率体であるシリコンゴムシート５２が、導電性の材料によって形成された計測電極５１と入力面２２との間に挟まれた状態とされる。こうした状態下、入力装置２０の検出電極２３及び入力制御部２５によって、入力面２２の静電容量が、検出容量値として検出される。シリコンゴムシート５２は、計測電極５１の計測面５１ａ及び入力面２２のそれぞれに密着することにより、これら各面５１ａ，２２の間に空気の層が生じる事態を回避させる。故に、空気の層に起因する検出容量値のばらつきが低減されて、計測精度の向上が実現可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、入力装置の入力面の静電容量を計測する計測方法、当該計測に用いられる計測装置、上述の計測方法を用いて入力装置を製造する製造方法、及び当該入力装置の製造に用いられる製造装置に関する。

従来、操作者の指等が入力面に接することで生じる静電容量の変化を検出することにより、入力面への操作の有無を判定する入力装置が知られている。このような入力装置では、当該装置の構成に不可避的に生じる部品公差等に起因して、例えば指を所定の距離まで近づけた同一の状態下であっても、入力面の静電容量は、複数の入力装置間において一定となり難い。故に、計測する条件を揃えたうえで、当該条件下において入力面の静電容量を計測する必要が生じ得た。

こうした計測に係る技術の一種として、例えば特許文献１に従来として開示された検査方法では、指紋センサのオーバーコート層に導電性のゴム等を接触された状態で、金属電極によって検出された静電容量の値が半導体テスタによって取得されている。しかし、こうした計測方法では、導電性ゴムとオーバーコート層との間に隙間（以下、「対向隙間」という）が形成されてしまうおそれがある。すると、対向隙間に存在する空気の層によって、導電性ゴム及びオーバーコート層の間の静電容量は、変動してしまう。故に、計測の対象とされた指紋センサの静電容量が、正しく計測されなくなるおそれがあった。そこで、特許文献１に開示の検査方法では、揮発性の液体による導電膜が上述の導電性ゴムに替えて用いられることにより、対向隙間の消失が図られていた。

特開２００５−２９２０９０号公報

しかしながら、特許文献１の検査方法では、オーバーコート層等の入力面に液体による導電膜を形成するための装置が、大掛かりなものとなってしまっていた。故に、本願の発明者らは、液体による導電膜を採用することなく、入力面の静電容量を計測する計測方法についてさらに検討を重ねた。しかし、液体膜ではない計測電極面を採用した場合、上述したように、計測電極面及び入力面間における対向隙間の大きさは、不可避的にばらついてしまう。故に、検出される静電容量について、大きく変動してしまうという課題が依然として存在した。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、個々の入力面における静電容量を、精度良く計測可能な技術を提供することである。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、操作の入力される入力面（２２）と、入力面における静電容量を検出容量値（Ｃｏｎ_ｍ）として検出する検出手段（２３，２５）とを備える入力装置（２０）について、入力面の静電容量を計測する計測方法であって、空気よりも高い比誘電率を有し入力面よりも変形容易な高誘電率体（５２）を、導電性の材料により形成された計測電極面（５１ａ）と入力面との間に挟みつつ、計測電極面によって入力面を覆う被覆工程（Ｓ１０７，Ｓ２０７）と、計測電極面及び入力面間に高誘電率体を介在させた状態で、検出手段によって検出された入力面の検出容量値を取得する取得工程（Ｓ１０８，Ｓ２０８）と、を含む計測方法とする。

また請求項８に記載の発明は、操作の入力される入力面（２２）と、入力面における静電容量を検出容量値（Ｃｏｎ_ｍ）として検出する検出手段（２３，２５）とを備える入力装置（２０）について、入力面の静電容量を計測する計測装置であって、空気よりも高い比誘電率を備え入力面よりも変形容易な高誘電率体（５２）、及び導電性の材料により形成された計測電極面（５１ａ）を有し、計測電極面と入力面との間に高誘電率体を挟みつつ、計測電極面によって入力面を覆う被覆手段（５０，５７）と、計測電極面及び入力面間に高誘電率体を介在させた状態で、検出手段によって検出された入力面の検出容量値を取得する取得手段（６５，６７）と、を備える計測装置とする。

これらの発明によれば、入力面よりも変形容易な高誘電率体を計測電極面と入力面との間に挟むことにより、これら計測電極面及び入力面間に空気の層が生じ難くなる。加えて、検出容量値の検出に際して計測電極面及び入力面間の対向間隔が不可避的にばらついたとしても、これらの間に介在する高誘電率体が空気よりも高い比誘電率を有するので、対向間隔のばらつきに起因する検出容量値の変動は、低減される。したがって、個々の入力面における静電容量を、精度良く計測することが可能となる。

本発明の第一実施形態による入力装置及び静電容量補正装置の電気的な構成を示すブロック図である。 入力装置のうちで表示部を除いた部分の正面図である。 入力装置の構成を説明するための図であって、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線断面図である。 図２のＶ−Ｖ線断面図である。 入力面から操作者の指までの距離と、検出電極及び指間における静電容量との相関を示す図である。 計測用治具の構成及び作動を説明するための図である。 スイッチ部及び計測電極の近傍を拡大した拡大図である。 装置制御系統が認識している計測電極及び入力面間の間隔と、計測電極及び検出電極間に蓄えられる静電容量との相関を示す図である。 シリコンゴムシートの構成を示す平面図である。 治具筐体の構成を示す図である。 計測用治具の構成及び作動を説明するための図である。 シリコンゴムシートを挟んだ状態でのスイッチ部及び計測電極の近傍を拡大した拡大図である。 補正閾値書込処理が示されるフローチャートである。 補正閾値書込処理が示されるフローチャートである。 補正閾値書込処理が示されるフローチャートである。 装置制御系統が認識している計測電極及び入力面間の間隔と、シリコンゴムシートを介在させた状態にて計測電極及び検出電極間に蓄えられる静電容量との相関を示す図である。 補正値書込処理が示されるフローチャートである。 補正値書込処理が示されるフローチャートである。 補正値書込処理が示されるフローチャートである。 図１３の変形例を示す図である。 図１３の別の変形例を示す図である。

以下、本発明の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、各実施形態において対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明を省略する場合がある。各実施形態において構成の一部分のみを説明している場合、当該構成の他の部分については、先行して説明した他の実施形態の構成を適用することができる。また、各実施形態の説明において明示している構成の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても複数の実施形態の構成同士を部分的に組み合せることができる。さらに、こうした複数の実施形態に記述された構成同士の明示されていない組み合わせも、以下の説明によって開示されているものとする。

（第一実施形態）
以下、本発明の第一実施形態による入力装置２０の製造方法、及び入力装置２０に設けられた入力面２２における静電容量の計測方法を、図面に基づいて説明する。

図１に示されるのは、入力装置２０及び当該装置２０の製造に用いられる静電容量補正装置７０である。入力装置２０は、例えば車両に搭載された空調機器の作動状態を設定するための操作が操作者によって入力される装置である。入力装置２０は、例えば車両のセンタークラスタ等、操作者の手の届き易い範囲に、入力面２２を露出させた状態で設置されている。入力装置２０は、複数のスイッチ部２１、メモリ２６、インターフェース部２７、入力制御部２５、電源部２８、及び表示部２９を備えている。

スイッチ部２１は、図１〜３に示すように、上述の入力面２２及び検出電極２３を有している。入力面２２は、絶縁性の樹脂材料（例えばＡＢＳ樹脂）よりなる筐体３１によって形成されている。複数の入力面２２のうちの一部は、他の入力面２２との識別性を高めるために、基準となる面から突出する突起部２２ａを形成している（図５も参照）。検出電極２３は、入力面２２における静電容量を検出する構成である。検出電極２３は、板状を呈し、検出面２３ａを入力面２２側に向けた状態にて、筐体３１の内部において入力面２２の内側に配置されている。検出電極２３の面積は、入力面２２の面積よりも大きくされている。検出電極２３は、筐体３１の内側から入力面２２の全域を覆っている。検出電極２３は、フレキシブル基板３４に形成されている。フレキシブル基板３４は、コネクタ３３を介して回路基板３２と接続されており、筐体３１の内側に貼り付けられている。

メモリ２６は、図１に示すように、例えばＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体である。メモリ２６は、入力制御部２５によって用いられるパラメータ及び特性データ等の情報を格納している。メモリ２６は、特性データとして例えば検出電極２３によって検出された静電容量の値（以下、「検出容量値」という）を補正する補正値、及び入力面２２への入力の有無を判定するために予め規定された閾値（以下、「判定閾値」という）等を格納している。

インターフェース部２７は、入力装置２０の外部と情報をやり取りするための構成である。入力装置２０の車両への搭載により、インターフェース部２７は、車両に搭載された通信ネットワークと接続される。一方で、入力装置２０の製造時には、インターフェース部２７は、静電容量補正装置７０と接続される。

入力制御部２５は、各種の演算処理を行うプロセッサ、及び演算処理の作業領域として機能するＲＡＭ、各種制御を実行するためのプログラムを備えたＲＯＭ等によって構成されている。入力制御部２５は、各検出電極２３と接続されており、各入力面２２における検出容量値を個別に検出することができる。また、入力制御部２５は、後述する補正値による補正後の検出容量値に基づいて、各入力面２２への入力の有無を個別に判定する。入力制御部２５は、インターフェース部２７を通じて、入力装置２０の外部から情報を取得すると共に、当該外部に情報を出力する。入力制御部２５は、表示部２９の表示を制御する。

電源部２８は、入力装置２０の外部から供給される電力を、入力制御部２５及び表示部２９等に供給する。表示部２９は、例えば液晶ディスプレイ等の表示機器であって、操作者から目視されるように表示画面を筐体３１（図３参照）から露出させている。表示部２９は、入力制御部２５の制御に基づいて、例えば空調機器の作動状態を示す画像を表示画面に表示する。

以上の構成による入力装置２０が入力面２２への入力の有無を判定する作動を詳しく説明する。図４，５に示すように、接地状態とみなし得る操作者の指等が入力面２２に接近することにより、絶縁体である筐体３１を挟んで対向する指及び検出電極２３との間には、電荷が蓄えられる。これら指及び検出電極２３間に蓄えられる電荷の量、即ち静電容量は、予め基準として規定された標準容量値Ｃｓとして図６に示すように、入力面２２から指までの距離が短くなるに従って増加する。故に、図１，４，５に示すように、検出電極２３にて検出される検出容量値が予め設定されたが判定閾値を超えたことに基づいて、入力制御部２５は、指による入力面２２への操作が有ることを判定できる。

具体的に、入力面２２から指までの距離が０．５ミリメートル（ｍｍ）未満となった場合に、入力制御部２５によって入力の有り判定がなされる状態を低感度モードとする。この低感度モードにて用いられる判定閾値ＣｓｔＬは、図６の如く、指が入力面２２に接している場合の標準容量値Ｃｓ（０）の約０．５７１倍の値に設定される。また、図４に示す入力面２２から指までの距離が１．５ｍｍ未満となった場合に、入力制御部２５（図１参照）によって入力判定がなされる状態を高感度モードとする。この高感度モードにて用いられる判定閾値ＣｓｔＨは、図６の如く、指が入力面２２に接している場合の標準容量値Ｃｓ（０）の約０．３０８倍の値に設定される。尚、以下の説明では、標準容量値Ｃｓにおける各判定閾値を標準閾値ＣｓｔＬ，ＣｓｔＨとする。

図３に示す入力装置２０では、筐体３１において入力面２２を形成する部分の厚み及び材質に、装置２０毎のばらつきが生じる。加えて、筐体３１への検出電極２３の取り付け位置も、装置２０毎にばらつき得る。こうしたばらつきに起因して、操作者の指と検出電極２３との間の静電容量が変化する。故に、予め規定された標準閾値ＣｓｔＬ，ＣｓｔＨ（図６参照）に基づいて入力の有り判定がなされる検出感度は、入力装置２０毎にばらつくこととなる。

さらに、検出感度のばらつきは、製造される多数の入力装置２０の間だけではなく、一つの入力装置２０に設けられた複数のスイッチ部２１の間においても、生じ得る。そこで、検出感度のばらつきを補正するために、各スイッチ部２１に応じて上述の標準閾値を補正した判定閾値（以下、「補正閾値」という）ＣｔＬ，ＣｔＨ（図９参照）が、メモリ２６に格納されている。入力制御部２５は、検出容量値が補正閾値を超えたことに基づいて、入力面２２への入力の有り判定を行う。

以上の補正閾値をスイッチ部２１毎に算出してメモリ２６に格納させる図１の静電容量補正装置７０について、以下詳しく説明する。静電容量補正装置７０は、アクチュエータ５７、計測用治具５０、装置制御系統４０、及び補正値算出系統６０を備えている。アクチュエータ５７は、計測用治具５０と接続されており、図７に示すように、当該計測用治具５０を移動させることができる。

計測用治具５０は、計測電極５１によって入力面２２を覆うための構成である。計測用治具５０は、治具筐体５０ａ及び載置台５８等によって構成されている。

治具筐体５０ａは、入力装置２０への接近及び当該装置２０からの離間を、アクチュエータ５７によって制御される。治具筐体５０ａは、複数の計測電極５１を有している。計測電極５１は、入力装置２０に設けられるスイッチ部２１に対応した数及び配置にて、治具筐体５０ａに設けられている。各計測電極５１は、例えば金属材料又は導電性のゴム材料によって、矩形のシート状に形成されている。各計測電極５１は、それぞれ治具筐体５０ａに貼り付けられることにより、板状の形態を維持している。各計測電極５１は、実質的に接地状態とされている。各計測電極５１において各入力面２２と対向する各計測面５１ａは、当該各入力面２２に設けられた各検出電極２３よりも、面積を大きくされている。故に、治具筐体５０ａがその移動方向と交差する方向にずれた状態で各計測面５１ａを各入力面２２に接触させたとしても、各計測電極５１は、各検出面２３ａの全域と各計測面５１ａとを対向させた状態を維持し得る。

載置台５８には、入力装置２０が載置される。載置台５８は、載置された入力装置２０を下側から支持する。載置台５８は、樹脂等の絶縁材料によって形成されている。載置台５８は、作業のための固定台等に固定されている。載置台５８は、固定底壁５９ａ、及び固定底壁５９ａから上方に立設される規制側壁５９ｂを有している。これら固定底壁５９ａ及び規制側壁５９ｂによって囲まれた空間に収容される入力装置２０は、治具筐体５０ａの移動方向と交差する方向への移動を規制される。

図１に示す装置制御系統４０は、各種の演算処理を行うプロセッサ、及び演算処理の作業領域として機能するＲＡＭ、演算処理に用いられるプログラムを格納する記憶媒体等によって構成されている。装置制御系統４０は、補正値算出系統６０から受信する信号に基づいてアクチュエータ５７を制御することにより、スイッチ部２１に計測電極５１を近接させると共に、スイッチ部２１から計測電極５１を離間させる。

補正値算出系統６０は、個々の入力装置２０に対応した補正値を算出するための構成であって、インターフェース部６７、電力供給部６８、メモリ６６、及び補正制御部６５を有している。

インターフェース部６７は、インターフェース部２７と接続されており、補正値算出系統６０及び入力装置２０間の情報のやり取りを可能としている。電力供給部６８は、入力装置２０の電源部２８に電力を供給することにより、製造時における入力制御部２５及び表示部２９等の作動を可能としている。メモリ６６は、例えばＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体であって、補正制御部６５によって用いられる情報を格納している。具体的に、メモリ６６は、補正閾値を算出する際に用いられる各補正値（後述する）等の情報を格納している。

補正制御部６５は、各種の演算処理を行うプロセッサ、及び演算処理の作業領域として機能するＲＡＭ等によって構成されている。補正制御部６５は、検出電極２３によって検出された入力面２２の検出容量値を、入力装置２０からインターフェース部６７を通じて取得する。加えて補正制御部６５は、入力装置２０から取得した検出容量値から補正閾値を算出する。そして補正制御部６５は、算出された個々の入力装置２０に対応する補正閾値を、インターフェース部６７を通じて当該装置２０に出力する。

次に、ここまで説明した計測用治具５０の各計測電極５１を各スイッチ部２１に接触させる工程につき、本願の発明者らが直面した課題を説明する。上述したように、図７の入力装置２０の筐体３１において、入力面２２を形成する部分の形状が、不可避的にばらつくこととなる。故に、載置台５８に収容された入力装置２０の各入力面２２の位置は、装置２０毎に異なり得る。すると、図８の如く、計測電極５１は、入力面２２に密着できなくなる場合がある。

上述したように、計測電極５１が入力面２２に密着できない場合において、検出電極２３及び計測電極５１間に生じる静電容量Ｃにつき、以下説明する。まず、入力面２２を形成する樹脂部分の静電容量をＣ０とし、入力面２２及び計測電極５１間の隙間（以下、「間隔ｄ１」という）に存在する空気による静電容量をＣ１とする。すると、上述の検出電極２３及び計測電極５１間の静電容量Ｃは、静電容量Ｃ０，Ｃ１のコンデンサを直列に接続した場合の静電容量と等価となる。即ち、
Ｃ＝Ｃ０×Ｃ１／（Ｃ０＋Ｃ１） …（式１） となる。

次に、真空誘電率をε０、筐体３１の比誘電率をεｒ０、空気の比誘電率をεｒ１、スイッチ部２１の厚さをｄ０（例えば２ｍｍ）とすると、上記の式１は、
Ｃ＝Ｃ０／｛１＋（εｒ０×ｄ１）／（εｒ１×ｄ０）｝ …（式２） となる。
具体的に、間隔ｄ１＝０．２ｍｍである場合の静電容量Ｃ_０．２は、
Ｃ_０．２（０）＝０．７６９×Ｃ０ …（式３） となる。
同様に、間隔ｄ１＝０．４ｍｍである場合の静電容量Ｃ_０．４は、
Ｃ_０．４（０）＝０．６２５×Ｃ０ …（式４） となる。
尚、上記式３，４において左辺の括弧内に記載されたゼロの値は、装置制御系統４０（図１参照）によって認識されている入力面２２及び計測電極５１間の隙間の大きさを示す値であり、実際に生じている間隔ｄ１の値とは異なっている。

以上の計測誤差により、間隔ｄ１＝０．４ｍｍである場合には、０．６２５×Ｃ０の値が、指と入力面２２とが接触している場合の標準容量値Ｃｓ（０）として、各補正閾値の算出に用いられてしまう。故に、低感度モードにおける補正閾値ＣｔＬ（図９参照）は、
ＣｔＬ_０．４＝０．６２５×Ｃ０×０．５７１＝０．３５７×Ｃ０ …（式５）
となる。この値によれば、標準容量値Ｃｓであれば０．５ｍｍとなるはずの入力の有り判定がなされる距離は、０．４ｍｍの隙間に起因して約１．２ｍｍまで拡大されてしまうこととなる。

同様に、高感度モードにおける補正閾値ＣｔＨ（図９参照）は、
ＣｔＨ_０．４＝０．６２５×Ｃ０×０．３０８＝０．１９３×Ｃ０ …（式６）
となる。この値によれば、標準容量値Ｃｓであれば１．５ｍｍとなるはずの入力の有り判定がなされる距離は、０．４ｍｍの隙間に起因して約２．８ｍｍまで拡大されてしまうこととなる。

こうした計測精度の悪化を低減するための計測用治具５０の構成を、図７，１０〜１３に基づいて説明する。図７に示すように、計測用治具５０には、シリコンゴムシート５２、退避凹部５４、及び定寸保持ストッパ５５等が設けられている。

図７，１０に示すシリコンゴムシート５２は、例えば３〜３．５程度の比誘電率εｒ２を有するシリコンゴム等のシート材によって、矩形状に形成されている。シリコンゴムシート５２の厚さは、例えば０．８ｍｍ程度とされている。シリコンゴムシート５２の比誘電率は、空気の比誘電率εｒ１（≒１）よりも高い。シリコンゴムシート５２は、計測電極５１及び入力面２２よりも変形容易である。さらにシリコンゴムシート５２において各入力面２２を覆う領域の面積は、当該各入力面２２に設けられた検出面２３ａの面積よりも大きくされている。

シリコンゴムシート５２は、取付部５２ａを有している。加えてシリコンゴムシート５２には、スリット５３及びストッパ逃げ孔５２ｂが形成されている。取付部５２ａは、シリコンゴムシート５２を治具筐体５０ａに取り付けるための部位である。取付部５２ａは、シリコンゴムシート５２の長手方向における両縁部分に形成されており、シリコンゴムシート５２の変形容易な本体部分を支持する枠の機能を果たしている。取付部５２ａは、シリコンゴムよりも硬質な樹脂材料又は金属材料によって形成されている。

スリット５３は、シリコンゴムシート５２に形成された切れ目である。スリット５３は、シリコンゴムシート５２において入力面２２に接する一方の面から、計測電極５１に接する他方の面まで達している。スリット５３は、シリコンゴムシート５２の平面方向に沿って線状に延伸している。スリット５３の延伸方向における両端部の一方は、シリコンゴムシート５２において入力面２２と重なる範囲に位置している。また、スリット５３の延伸方向における両端部の他方は、シリコンゴムシート５２において、計測面５１ａの外周領域５４ａと重なる範囲に位置している。スリット５３は、各計測電極５１と接触する領域毎に、複数形成されている。

ストッパ逃げ孔５２ｂは、シリコンゴムシート５２を板厚方向に貫通している。ストッパ逃げ孔５２ｂは、シリコンゴムシート５２の長手方向の中央に形成されている。ストッパ逃げ孔５２ｂは、治具筐体５０ａの移動方向において定寸保持ストッパ５５と対向して位置している。ストッパ逃げ孔５２ｂの内法は、定寸保持ストッパ５５を板厚方向に通過させることが可能な大きさに規定されている。

図７，１１に示す退避凹部５４は、治具筐体５０ａにおいて、各計測電極５１を囲む外周領域５４ａに設けられている。退避凹部５４は、各計測電極５１の周囲にて、各計測面５１ａから窪むように形成されている。退避凹部５４には、圧縮によって計測電極５１及び入力面２２間から押し出されたシリコンゴムシート５２の部位が、退避することとなる。

定寸保持ストッパ５５は、治具筐体５０ａにおいて、長手方向の中央に設けられている。定寸保持ストッパ５５は、治具筐体５０ａから載置台５８に向かって突出する突起状の部位である。定寸保持ストッパ５５の突出方向における頂面５５ａは、平面状に形成されている。定寸保持ストッパ５５は、計測電極５１をスイッチ部２１に近接させる治具筐体５０ａの移動により、ストッパ逃げ孔５２ｂを貫通して、頂面５５ａを入力装置２０に接触させる。これにより、定寸保持ストッパ５５は、入力面２２から計測電極５１の間隔ｄ１（図１３参照）を、予め規定された値（例えば０．４ｍｍ）に保持する機能を発揮する。こうした定寸保持ストッパ５５の機能により、シリコンゴムシート５２は、計測電極５１及び入力面２２との間において、標準で例えば０．４ｍｍ程度潰された状態となる。尚、こうしたシリコンゴムシート５２を潰す量は、適宜変更可能である。

以上の構成によれば、図１２，１３に示す如く、治具筐体５０ａは、載置台５８に向けてアクチュエータ５７により移動させられる。そして、治具筐体５０ａの移動は、定寸保持ストッパ５５の頂面５５ａが筐体３１に接触する位置にて停止する。これにより、シリコンゴムシート５２は、入力面２２と計測電極５１の間に挟まれて、潰された状態となる。このとき、計測電極５１及び入力面２２間から押し出されたシリコンゴムシート５２の部位は、退避凹部５４に退避することとなる。さらに、各スリット５３（図１１参照）は、シリコンゴムシート５２に作用する圧縮力によって僅かに開き、入力面２２及びシリコンゴムシート５２間に挟まれた空気を、計測電極５１の外周領域５４ａ、即ち退避凹部５４に向けて通過させる。こうしてシリコンゴムシート５２は、入力面２２の全域に密着することができる。

上述した構成に設けられるシリコンゴムシート５２の作用効果を、以下図８，９に基づいて説明する。シリコンゴムシート５２の比誘電率が空気の比誘電率よりも大きいため、間隔ｄ１にシリコンゴムシート５２を介在させた場合の静電容量Ｃ１ｓｉｌ（図１３参照）は、間隔ｄ１に空気を介在させた場合の静電容量Ｃ１よりも大きくなる。よって、間隔ｄ１の大きさに起因する各電極２３，５１間の静電容量Ｃの変動は、シリコンゴムシート５２の介在によって抑制される。具体的には、入力面２２及び計測電極５１の間にシリコンゴムシート５２を介在させた状態で、間隔ｄ１が０．２ｍｍである場合の静電容量Ｃ_０．２は、上式２において、ｄ１＝０．２、εｒ１＝３として、
Ｃ_０．２＝０．９０９×Ｃ０ …（式７） となる。
同様に、間隔ｄ１＝０．４ｍｍである場合の静電容量Ｃ_０．４は、
Ｃ_０．４＝０．８３３×Ｃ０ …（式８） となる。

以上により、例えば間隔ｄ１＝０．４ｍｍである場合の０．８３３×Ｃ０という値が指と入力面２２とが接触している場合の標準容量値Ｃｓとされた場合、低感度モードにおける補正閾値ＣｔＬは、
ＣｔＬ_０．４ｓｉｌ＝０．８３３×Ｃ０×０．５７１＝０．４７６×Ｃ０…（式９）
となる。この値によれば標準容量値Ｃｓのときに０．５ｍｍとなるはずの入力の有り判定がなされる距離は、約０．７ｍｍ相当に変化するのみに留まり得る。

同様に、高感度モードにおける補正閾値ＣｔＨは、
ＣｔＨ_０．４ｓｉｌ＝０．８３３×Ｃ０×０．３０８＝０．２５８×Ｃ０…（式１０）
となる。この値によれば、標準容量値Ｃｓのときに１．５ｍｍとなるはずの入力の有り判定がなされる距離は、約１．９ｍｍ相当に変化するのみに留まり得る。

こうした原理を応用した静電容量補正装置７０により実施される入力装置２０の判定閾値書込処理を、図１４〜１６に基づいて詳細に説明する。静電容量補正装置７０は、作業者による載置台５８への入力装置２０の載置後に、当該装置７０を起動させるためのスイッチが操作されたことに基づいて、判定閾値書込処理を開始する。この判定閾値書込処理は、当該処理を開始する旨の指令信号を装置制御系統４０から取得した補正制御部６５によって開始される。尚、図１４〜１６において各容量値等に付属する符号「ｉ」は、各スイッチ部２１を区別するために、これらスイッチ部２１に便宜的に割り当てられた固有の数字を示すものである。また、各容量値に括弧書きにて示される値は、上述したように、装置制御系統４０によって認識されている入力面２２及び計測電極５１間の隙間の大きさを示す値である。

図１４に示すＳ１０１では、電力供給部６８から入力装置２０への電力の供給を開始し、Ｓ１０２に進む。Ｓ１０１による電源部２８への電力供給の開始により、入力装置２０は起動する。Ｓ１０２では、補正閾値をメモリ２６に書き込む補正モードを開始する旨の信号を、入力装置２０に送信して、Ｓ１０３に進む。入力装置２０の入力制御部２５は、Ｓ１０２にて補正値算出系統６０から送信された信号を受信することにより、補正モードを開始する。そして、入力装置２０は、補正モードの開始をした旨を入力装置２０に送信する。

Ｓ１０３では、補正モードを開始した旨の応答の有無を判定する。Ｓ１０３にて、予め設定された時間、入力装置２０からの応答がないとき、及び補正モードとは異なる動作モードを示す応答が有ったとき等、補正モードを開始した旨の応答が無いと判定した場合には、判定閾値書込処理を終了する。一方で、Ｓ１０３にて、補正モード開始した旨の応答が有ったと判定した場合には、Ｓ１０４に進む。

Ｓ１０４では、スイッチ部２１をオフ状態にする旨の信号を入力制御部２５に送信し、Ｓ１０５に進む。Ｓ１０４により、補正値算出系統６０から送信された信号を受信した装置制御系統４０は、アクチュエータ５７を制御して治具筐体５０ａを上昇させることにより、各入力面２２から各計測電極５１を離間させる。

Ｓ１０５では、シリコンゴムシート５２及び各計測電極５１を各入力面２２から離間させた状態で、各入力面２２における検出容量値を、検出電極２３及び入力制御部２５に検出させる。そして、インターフェース部６７を通じて、検出された各検出容量値を各離間容量値「Ｃｏｆｆ_ｍ_ｉ」として取得し、Ｓ１０６に進む。

Ｓ１０６では、全てのスイッチ部２１について離間容量値の取得が終了したか否かを判定する。Ｓ１０６にて、全てのスイッチ部２１について離間容量値の取得が終了していないと判定した場合、Ｓ１０５の処理を繰り返す。一方で、全てのスイッチ部２１について離間容量値の取得が終了していると判定した場合、Ｓ１０７に進む。

Ｓ１０７では、スイッチ部２１をオン状態にする旨の信号を、装置制御系統４０に送信し、Ｓ１０８（図１５参照）に進む。Ｓ１０７にて、補正値算出系統６０から送信された信号を受信した装置制御系統４０は、アクチュエータ５７を制御して治具筐体５０ａを下降させることにより、各計測面５１ａと各入力面２２との間にシリコンゴムシート５２を挟んで圧縮しつつ、各計測面５１ａによって各入力面２２を覆う。以上のＳ１０７にて静電容量補正装置７０の実施する工程が、特許請求の範囲に記載の「被覆工程」に相当する。

図１５に示すＳ１０８では、各計測面５１ａ及び入力面２２間にシリコンゴムシート５２を介在させた状態で、各入力面２２における検出容量値を、検出電極２３及び入力制御部２５に検出させる。そして、インターフェース部６７を通じて、検出された各検出容量値「Ｃｏｎ＿ｍ_ｉ」を取得し、Ｓ１０９に進む。以上のＳ１０８にて静電容量補正装置７０の実施する工程が、特許請求の範囲に記載の「取得工程」に相当する。

Ｓ１０９では、Ｓ１０８にて取得した検出容量値「Ｃｏｎ＿ｍ_ｉ」と、Ｓ１０５にて取得した離間容量値「Ｃｏｆｆ_ｍ_ｉ」との差分から、介在容量値「Ｃｍ_ｉ（０）」を算出し、Ｓ１１０に進む。Ｓ１０９にて算出される介在容量値は、入力面２２と計測電極５１との間に０．４ｍｍのシリコンゴムシート５２を介在させた状態で計測した値である。

Ｓ１１０では、Ｓ１０９にて算出された介在容量値を、実験等によって予め設定された補正値α１_ｉによって補正する。この補正値α１_ｉは、０．４ｍｍのシリコンゴムシート５２を挟んだ状態で計測された介在容量値から、入力面２２と計測電極５１とが接触した状態での検出容量値を推定するための値である。具体的には、上式８から、１／０．８３３＝１．２とされる。以上の演算により、間隔ｄ１＝０である場合の各スイッチ部２１の静電容量の値（Ｃ０に相当）が、接触容量値「Ｃ０ｍ_ｉ」として算出される。

Ｓ１１１及びＳ１１２では、Ｓ１１０にて算出された接触容量値から、基準として予め規定された各標準閾値ＣｓｔＬ，ＣｓｔＨ（図６参照）を補正した値であって、各入力面に対応する固有の各補正閾値ＣｔＬ，ＣｔＨを算出する。具体的に、Ｓ１１１では、Ｓ１１０にて算出された接触容量値から、低感度モードにおいて用いられる補正閾値「ＣｔＬ_ｉ」を算出し、Ｓ１１２に進む。Ｓ１１１では、接触容量値が補正値α２_ｉによって補正される。この補正値α２_ｉは、指が入力面２２に接触した状態での標準容量値Ｃｓ（０）と、低感度モードにおける標準閾値ＣｓｔＬとの比に基づき、実験及び計算等に基づいて予め設定された値である（例えば、上式９における「０．５７１」が補正値α２_ｉに相当する）。この補正値α２_ｉは、スイッチ部２１毎に異なる値とされていてもよい。

Ｓ１１２では、Ｓ１１０にて算出された接触容量値から、高感度モードにおいて用いられる補正閾値「ＣｔＨ_ｉ」を算出し、Ｓ１１３に進む。Ｓ１１２では、接触容量値が補正値α３_ｉによって補正される。この補正値α３_ｉは、指が入力面２２に接触した状態での標準容量値Ｃｓ（０）と、高感度モードにおいて入力の有り判定がなされる標準閾値ＣｓｔＨとの比に基づいて、実験及び計算等に基づいて予め設定された値である（例えば、上式１０における「０．３０８」が補正値α３_ｉに相当する）。この補正値α３_ｉは、上述の補正値α２_ｉと同様に、スイッチ部２１毎に異なる値とされていてもよい。以上のＳ１１１，Ｓ１１２にて静電容量補正装置７０の実施する工程が、特許請求の範囲に記載の「算出工程」に相当する。

Ｓ１１３では、全てのスイッチ部２１について補正閾値の算出が終了したか否かを判定する。Ｓ１１３にて、全てのスイッチ部２１について補正閾値の算出が終了していないと否定判定をした場合、Ｓ１０８〜Ｓ１１２の処理を入力面２２毎に順次繰り返す。一方で、Ｓ１１３にて、肯定判定をした場合には、図１６に示すＳ１１４に進む。

Ｓ１１４では、Ｓ１１３（図１５参照）までの処理により算出した各補正閾値を、入力装置２０のメモリ２６に向けて出力し、Ｓ１１５に進む。Ｓ１１５では、Ｓ１１４にて補正値算出系統６０から出力された各補正閾値のメモリ２６への書き込みを指令するコマンドを入力制御部２５に送信する。入力制御部２５は、受信したコマンドに基づいて、個々の入力面２２に対応する各補正閾値をメモリ２６の所定領域に書き込む処理を開始する。以上のＳ１１４及びＳ１１５の如く、静電容量補正装置７０の実施する各補正閾値をメモリ２６に格納させる工程が、特許請求の範囲に記載の「格納工程」に相当する。そして、入力制御部２５は、書き込みが終了したことに基づいて、当該終了を通知する信号を補正値算出系統６０に出力する。

Ｓ１１６では、書き込みが終了した旨の入力装置２０の応答について有無を判定する。Ｓ１１６にて書き込みを終了した旨の応答が無いと判定した場合、Ｓ１１６を繰り返すことによって当該応答を待つ。一方で、Ｓ１１６にて書き込みを終了した旨の応答が有ると判定した場合、Ｓ１１７に進む。

Ｓ１１７では、メモリ２６に書き込まれた補正閾値の送信を入力装置２０に要求し、Ｓ１１８に進む。入力装置２０は、受信した要求に基づいて、メモリ２６に格納されている補正閾値を読み出し、補正値算出系統６０に順次送信する。Ｓ１１８では、Ｓ１１７の要求に応じて入力装置２０から出力される補正閾値を受信し、Ｓ１１９に進む。

Ｓ１１９では、Ｓ１１８にて受信した補正閾値と、Ｓ１１１及びＳ１１２にて算出した補正閾値と照合し、Ｓ１２０に進む。Ｓ１２０では、Ｓ１１９での補正閾値の照合に基づいて、メモリ２６に補正閾値が正しく書き込まれたか否かを判定する。ＳＳ１２０にて、受信した補正閾値と算出した補正閾値とが実質的に一致した場合、補正閾値が正しく書き込まれたと判定し、Ｓ１２１に進む。

Ｓ１２１では、書き込みが正常に完了した旨の通知を入力装置２０に送信して、補正閾値書込処理を終了する。Ｓ１２１による通知を受信した入力装置２０は、書き込み処理の完了を作業者に通知する画像を表示部２９に表示する。以上により、静電容量補正装置７０は、停止する。

一方で、Ｓ１２１にて、受信した補正閾値と算出した補正閾値とが異なっていた場合、補正閾値が正しく書き込まれなかったと判定し、Ｓ１２２に進む。Ｓ１２２では、書き込みが正常に完了しなかった旨の通知を入力装置２０に送信して、判定閾値書込処理を終了する。Ｓ１２２による通知を受信した入力装置２０は、書き込み処理を完了できなかった旨を作業者に通知する画像を表示部２９に表示する。以上によっても、静電容量補正装置７０は、停止する。

ここまで説明した第一実施形態のように、高誘電率体であるシリコンゴムシート５２を計測電極５１と入力面２２との間に挟んで空気の層を消失させることによれば、間隔ｄ１のばらつきに起因する検出容量値の変動は、低減される。こうした作用効果を図１７及び下記の表１に基づいて詳しく説明する。

上述したように、Ｓ１０８（図１６参照）の計測時におけるシリコンゴムシート５２の実際の厚さ、即ち入力面２２及び計測電極５１間の間隔ｄ１は、標準で０．４ｍｍとされている。入力装置２０のばらつきによってこの間隔ｄ１が０．２ｍｍとなった場合に計測される静電容量の値は、上式７と同様に、
Ｃ_０．２ｓｉｌ_ｍ（０）＝０．９０９ × Ｃ０ｍ …（式１１）
となる。同様に、実際の間隔ｄ１が０．６ｍｍである場合には計測される値は、
Ｃ_０．６ｓｉｌ_ｍ（０）＝０．７６９ × Ｃ０ｍ …（式１２）
である。また、上式８から、実際の間隔ｄ１が０．４ｍｍである場合に計測される値は、
Ｃ_０．４ｓｉｌ_ｍ（０）＝０．８３３ × Ｃ０ｍ …（式１３）
である。以上の式１１〜１３を纏めると、以下の表１となる。

以上の表１から明らかなように、間隔ｄ１の±０．２ｍｍのばらつきに起因する計測誤差は、シリコンゴムシート５２を介在させる作用によって、±９程度に留まり得る。したがって、計測電極５１及び入力面２２間の間隔ｄ１が不可避的にばらついたとしても、個々の入力面２２に蓄えられる静電容量を、精度良く計測することが可能となる。

さらに、第一実施形態によれば、高精度に計測されたスイッチ部２１の静電容量に基づいて、各補正閾値ＣｔＬ，ＣｔＨが設定されている。故に、入力装置２０の各スイッチ部２１において、入力の有り判定がなされる検出感度のばらつきについても、低減が可能となるのである。

また第一実施形態によれば、計測電極５１と入力面２２との間におけるシリコンゴムシート５２の圧縮により、実質的に間隙を一定とされた計測電極５１及び入力面２２の間には、空気が残り難くなる。さらに、入力面２２とシリコンゴムシート５２との間に挟まれた空気は、スリット５３を通過して、外周領域５４ａに移動し得る。よって、計測電極５１及び入力面２２間には、空気はいっそう残り難くなる。したがって、計測される静電容量の精度は、さらに向上可能となる。

加えて第一実施形態によれば、圧縮変形したシリコンゴムシート５２の一部は、計測電極５１及び入力面２２間から押し出されて、退避凹部５４に退避できる。故に、圧縮に対するシリコンゴムシート５２の抗力が計測電極５１及び入力面２２間の隙間をばらつかせる事態は、回避され得る。したがって、計測される静電容量の精度は、いっそう向上可能となる。

さらに第一実施形態では、検出電極２３よりも面積の大きいシリコンゴムシート５２及び計測電極５１が用いられている。故に、シリコンゴムシート５２及び計測電極５１は、入力面２２に対する相対位置が僅かにずれたとしても、検出電極２３の全域と対向した状態を維持し得る。したがって、計測される静電容量の精度は、さらにばらつき難くなる。

尚、第一実施形態において、検出電極２３及び入力制御部２５が協働で特許請求の範囲に記載の「検出手段」に相当し、検出面２３ａが特許請求の範囲に記載の「検出電極面」に相当し、入力制御部２５が特許請求の範囲に記載の「判定手段」に相当し、メモリ２６が特許請求の範囲に記載の「格納手段」に相当し、計測用治具５０が特許請求の範囲に記載の「計測治具」に相当し、計測用治具５０及びアクチュエータ５７が協働で特許請求の範囲に記載の「被覆手段」に相当し、計測面５１ａが特許請求の範囲に記載の「計測電極面」に相当し、シリコンゴムシート５２が特許請求の範囲に記載の「高誘電率体」に相当し、スリット５３が特許請求の範囲に記載の「空気通過部」に相当し、補正制御部６５が特許請求の範囲に記載の「算出手段」に相当し、補正制御部６５及びインターフェース部６７が協働で特許請求の範囲に記載の「取得手段」及び「出力手段」に相当し、静電容量補正装置７０が特許請求の範囲に記載の「計測装置」及び「製造装置」に相当する。

（第二実施形態）
図１，１８〜２０に示す本発明の第二実施形態は、第一実施形態の変形例である。第二実施形態による入力装置２０では、スイッチ部２１毎の検出感度のばらつきを補正するために、入力装置２０から取得した検出容量値を標準容量値Ｃｓ（図６参照）に補正する補正値α４（図１９参照）が、標準閾値ＣｔＬ，ＣｔＨ（図６参照）と共にメモリ２６に格納されている。入力制御部２５は、各スイッチ部２１における検出容量値と補正値α４との積が標準閾値ＣｔＬ，ＣｔＨを超えたことに基づいて、入力面２２への入力の有り判定を行う。

以上の入力装置２０の製造工程を、図１８〜２０に基づいて詳細に説明する。図１８〜２０に示す補正値書込処理は、当該処理を開始する旨の指令信号を装置制御系統４０から取得した補正制御部６５によって開始される。尚、図１８のＳ２０１〜Ｓ２０７及び図１９のＳ２０８〜Ｓ２１０は、第一実施形態のＳ１０１〜Ｓ１１０（図１４，１５参照）と実質的に同一である。よって、Ｓ２０７にて静電容量補正装置７０の実施する工程が特許請求の範囲に記載の「被覆工程」に相当し、Ｓ２０８にて静電容量補正装置７０の実施する工程が、特許請求の範囲に記載の「取得工程」に相当する。

Ｓ２１１では、Ｓ２１０にて算出した接触容量値Ｃ０ｍ_ｉを、指が入力面２２に接触した状態を示す標準容量値Ｃｓ（０）（図６参照）に補正する値を、補正値として算出する。具体的には、メモリ６６に格納されているスイッチ部２１毎の標準容量値（図１９では「Ｃｓ_ｉ（０）」と記載する）を、Ｓ２１０にて算出した接触容量値Ｃ０ｍ_ｉによって割ることにより、各スイッチ部２１における補正値「α４_ｉ」を算出し、Ｓ２１２に進む。以上のＳ２１１にて静電容量補正装置７０の実施する工程が、特許請求の範囲に記載の「算出工程」に相当する。

Ｓ２１２では、全てのスイッチ部２１について補正値の算出が終了したか否かを判定する。Ｓ２１２にて、全てのスイッチ部２１について補正値α４_ｉの算出が終了していないと判定した場合、Ｓ２０８〜Ｓ２１１の処理を入力面２２毎に順次繰り返す。

Ｓ２１２の判定にて全ての補正値α４_ｉの算出を確認すると、図２０に示すＳ２１３にて各補正値を入力装置２０に出力し、Ｓ２１４にてメモリ２６への書き込みを指示する。以上により、入力装置２０は、補正値をメモリ２６に書き込む。これらＳ２１３，Ｓ２１４にて実施される工程が、特許請求の範囲に記載の「格納工程」に相当する。

そして、Ｓ２１５の判定により、入力装置２０における各補正値の書き込み処理の終了を確認すると、第一実施形態のＳ１１７〜Ｓ１２２（図１６参照）に相当するＳ２１６〜Ｓ２２１により、メモリ２６に補正値が正しく書き込まれたか否かを判定して、補正値書込処理を終了する。以上により、静電容量補正装置７０は、停止する。

ここまで説明した第二実施形態でも、計測電極５１と入力面２２との間に挟まれるシリコンゴムシート５２によって、計測誤差の低減が可能となる。こうして高精度に計測されたスイッチ部２１の静電容量に基づいて補正値α４_ｉが設定されていることによれば、入力の有り判定がなされる検出感度のばらつきは、低減可能となるのである。

（他の実施形態）
以上、本発明による複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定して解釈されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の実施形態に適用することができる。

上記実施形態の変形例では、シリコンゴムシートとは異なる材料によって「高誘電率体」が形成されている。例えば、天然ゴム及びウレタンゴム等の絶縁材料が、「高誘電率体」として採用可能である。また別の変形例では、「高誘電率体」は、計測電極毎に複数に分割された形態であって、例えば個々の計測電極に貼り付けられている。

上記実施形態の変形例では、スリットに替えて、シリコンゴムシートを厚さ方向に貫通する微小な貫通孔が、「空気通過部」として形成されている。こうした「空気通過部」に相当するスリット及び貫通孔の形状、配置、数等は、適宜変更されてよい。また、こうした「空気通過部」は、省略されていてもよい。

上記実施形態の変形例では、圧縮されたシリコンゴムシートにつき、入力面及び計測電極間からの逃げ量が、僅かとされている。こうした形態では、計測電極の周囲に設けられる退避凹部は、省略されていてもよい。また退避凹部は、計測電極の周囲の全周ではなく、一部計測電極の周囲の一部にのみ、形成されていてもよい。

上記実施形態の変形例では、スリットに替えて、シリコンゴムシートを厚さ方向に貫通する微小な貫通孔が、「空気通過部」として当該シートに形成されている。こうした「空気通過部」に相当するスリット及び貫通孔等の形状、配置、数等は、適宜変更されてよい。

上記実施形態の入力面及び計測電極間にシリコンゴムシートを介在させる計測方法は、例えば図５の如く、突起部２２ａの形成された入力面２２の静電容量を計測する際に、この入力面２２の全体にシリコンゴムシート５２を密着させることができる。故に、こうした計測方法は、突起部２２ａを有する入力面２２につき、その静電容量の計測精度の向上に顕著に寄与することができる。さらに、図２１の如く不可避的に凸部３２２ａの生じた入力面３２２や、図２２の如く不可避的に窪み４２２ａの生じた入力面４２２に対しても、圧縮されたシリコンゴムシート５２は、密着し得る。故に、シリコンゴムシート５２を介在させる計測方法は、凸部３２２ａや窪み４２２ａが生じてしまった入力面３２２，４２２であっても、その静電容量を高精度に計測することができるのである。

上記実施形態の各感度モードにて各判定閾値を設定する際に想定されていた指と入力面との各距離は、上述の０．５ｍｍ及び１．５ｍｍ等に限定されず、適宜変更されてよい。また、入力装置に設定される感度モードは、一つであってもよく、また三つ以上であってもよい。また、上述したように、判定閾値の設定時に想定される指と入力面との距離は、スイッチ部毎に変更されてもよい。

上記実施形態において、本発明による計測方法は、入力装置を製造する製造工程の一部として採用されていた。しかし、本発明による計測方法は、例えば上述の製造方法によって製造された入力装置について、メモリに格納された各補正閾値及び各補正値が正しく設定されているか否かを検査する検査工程に採用されていてもよい。

上記実施形態において、本発明による計測方法は、入力装置を製造する製造工程の一部として採用されていた。しかし、本発明による計測方法は、例えば上述の製造方法によって製造された入力装置について、メモリに格納された各補正閾値及び各補正値が正しく設定されているか否かを検査する検査工程に採用されていてもよい。

上記実施形態では、検出電極の面積は、入力面の面積よりも大きくされていた。しかし、検出電極の面積は、入力面の意匠によって適宜変更されてよい。例えば、検出電極の面積は、入力面と同等又は入力面よりも僅かに小さくてもよい。加えて、各入力面に押し当てられるシリコンゴムシートの面積も、検出電極の面積よりも大きく且つ当該電極を覆うことができれば、入力面より小さくてもよい。

上記実施形態では、所定のプログラムを実施する入力制御部２５によって、特許請求の範囲に記載の「検出手段」及び「判定手段」に相当する機能が提供されていた。また、所定のプログラムを実施する補正制御部６５によって、特許請求の範囲に記載の「取得手段」、「算出手段」、及び「出力手段」に相当する機能が提供されていた。しかし、入力制御部２５及び補正制御部６５によって提供されていた複数の機能は、上述の制御部と異なるハードウェア及びソフトウェア、或いはこれらの組み合わせによって提供されてよい。例えば、プログラムによらないで所定の機能を果たすアナログ回路によって、各機能が提供されていてもよい。

上記実施形態では、表示部２９とスイッチ部２１とが別々に設けられる形態の入力装置の製造及び計測に係る方法に本発明を適用した例を説明した。しかし、本発明の適用対象は、上述の計測方法及び製造方法に限られない。例えば、表示部の表示画面と静電容量方式の入力面とが一体的に形成される所謂タッチパネル方式の表示デバイスの製造及び計測に係る方法に、本発明は適用可能である。

２０ 入力装置、２２，３２２，４２２ 入力面、２３ 検出電極（検出手段）、２３ａ 検出面（検出電極面）、２５ 入力制御部（検出手段，判定手段）、２６ メモリ（格納手段）、５０ 計測用治具（計測治具，被覆手段）、５１ａ 計測面（計測電極面）、５２ シリコンゴムシート（高誘電率体）、５３ スリット（空気通過部）、５４ 退避凹部、５４ａ 外周領域、５７ アクチュエータ（被覆手段）、６５ 補正制御部（取得手段，算出手段，出力手段）、６７ インターフェース部（取得手段，出力手段）、７０ 静電容量補正装置（計測装置，製造装置）

Claims (10)

1. 操作の入力される入力面（２２）と、前記入力面における静電容量を検出容量値（Ｃｏｎ_ｍ）として検出する検出手段（２３，２５）とを備える入力装置（２０）について、前記入力面の静電容量を計測する計測方法であって、
   空気よりも高い比誘電率を有し前記入力面よりも変形容易な高誘電率体（５２）を、導電性の材料により形成された計測電極面（５１ａ）と前記入力面との間に挟みつつ、前記計測電極面によって前記入力面を覆う被覆工程（Ｓ１０７，Ｓ２０７）と、
   前記計測電極面及び前記入力面間に前記高誘電率体を介在させた状態で、前記検出手段によって検出された前記入力面の前記検出容量値を取得する取得工程（Ｓ１０８，Ｓ２０８）と、
   を含むことを特徴とする計測方法。
2. 前記被覆工程では、前記計測電極面と前記入力面との間で前記高誘電率体を圧縮することを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
3. 前記計測電極面と、前記計測電極面の周囲にて当該電極面から窪む退避凹部（５４）とを備える計測治具（５０）を用いて静電容量を計測する計測方法であって、
   前記被覆工程では、圧縮によって前記計測電極面及び前記入力面間から押し出された前記高誘電率体の部位を、前記退避凹部に退避させることを特徴とする請求項２に記載の計測方法。
4. 前記被覆工程では、前記入力面と前記高誘電率体との間に挟まれた空気を前記計測電極面の外周領域（５４ａ）に向けて通過させる空気通過部（５３）が設けられた前記高誘電率体を、前記計測電極面と前記入力面との間に挟むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の計測方法。
5. 前記検出手段は、前記入力装置の内部において前記入力面の全域を覆う検出電極面（２３ａ）を有し、
   前記被覆工程では、前記検出電極面よりも面積の大きい前記高誘電率体を、前記入力面と前記検出電極面よりも面積の大きい前記計測電極面との間に挟むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の計測方法。
6. 前記検出容量値が予め規定された判定閾値を超えたことに基づいて前記入力面への入力の有り判定をする判定手段（２５）と、前記判定閾値を格納する格納手段（２６）と、をさらに備える前記入力装置を製造する方法であって、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の計測方法によって取得された前記検出容量値を用いて、当該検出容量値が検出された前記入力面に対応した補正閾値（ＣｔＬ，ＣｔＨ）を算出する算出工程（Ｓ１１１，Ｓ１１２）と、
   前記算出工程によって算出した個々の前記入力装置に対応する前記補正閾値を、前記判定閾値として前記格納手段に格納する格納工程（Ｓ１１４，Ｓ１１５）と、
   を含むことを特徴とする入力装置の製造方法
7. 前記検出手段によって検出された前記検出容量値を補正する補正値（α４）を格納する格納手段（２６）と、前記補正値による補正後の前記検出容量値に基づいて前記入力面への入力の有無を判定する判定手段（２５）と、をさらに備える前記入力装置を製造する方法であって、
   請求項１〜５のいずれか一項に記載の計測方法によって取得された前記検出容量値を、基準として予め規定された標準容量値（Ｃｓ）に補正する値につき、前記補正値として算出する算出工程（Ｓ２１１）と、
   前記算出工程によって算出した個々の前記入力装置に対応する前記補正値を、前記格納手段に格納する格納工程（Ｓ２１３，Ｓ２１４）と、
   を含むことを特徴とする入力装置の製造方法。
8. 操作の入力される入力面（２２）と、前記入力面における静電容量を検出容量値（Ｃｏｎ_ｍ）として検出する検出手段（２３，２５）とを備える入力装置（２０）について、前記入力面の静電容量を計測する計測装置であって、
   空気よりも高い比誘電率を備え前記入力面よりも変形容易な高誘電率体（５２）、及び導電性の材料により形成された計測電極面（５１ａ）を有し、前記計測電極面と前記入力面との間に前記高誘電率体を挟みつつ、前記計測電極面によって前記入力面を覆う被覆手段（５０，５７）と、
   前記計測電極面及び前記入力面間に前記高誘電率体を介在させた状態で、前記検出手段によって検出された前記入力面の前記検出容量値を取得する取得手段（６５，６７）と、
   を備えることを特徴とする計測装置。
9. 前記検出容量値が予め規定された判定閾値を超えたことに基づいて前記入力面への入力の有り判定をする判定手段（２５）と、前記判定閾値を格納する格納手段（２６）と、をさらに備える前記入力装置を製造する装置であって、
   請求項８に記載の計測装置によって取得された前記検出容量値を用いて、当該検出容量値が検出された前記入力面に対応した補正閾値（ＣｔＬ，ＣｔＨ）を算出する算出手段（６５）と、
   前記算出手段によって算出された個々の前記入力装置に対応する前記補正閾値を、前記判定閾値として前記格納手段に出力する出力手段（６５，６７）と、
   を備えることを特徴とする入力装置の製造装置。
10. 前記検出手段によって検出された前記検出容量値を補正する補正値（α４）を格納する格納手段（２６）と、前記補正値による補正後の前記検出容量値に基づいて前記入力面への入力の有無を判定する判定手段（２５）と、をさらに備える前記入力装置を製造する装置であって、
    請求項８に記載の計測装置によって取得された前記検出容量値を、基準として予め規定された標準容量値（Ｃｓ）に補正する値につき、前記補正値として算出する算出手段（６５）と、
    前記算出手段によって算出された個々の前記入力装置に対応する前記補正値を、前記格納手段に出力する出力手段（６５，６７）と、
    を備えることを特徴とする入力装置の製造装置。

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