JP2014091854A - 記録層用の合金ターゲット、記録層、光記録媒体、およびそれを含むブルーレイディスク - Google Patents
記録層用の合金ターゲット、記録層、光記録媒体、およびそれを含むブルーレイディスク Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】
本発明は、(CuaSib)XM1−X合金を含む合金ターゲット、記録層、光記録媒体およびそれを含むブルーレイディスクを提供することにより、従来の二重記録層の相変化温度が高過ぎるために光記録媒体の焼き込み速度が制限されたり、その記録品質が劣化したりするなどの問題を解決する。前述した抗腐食性元素(M)は、銅金属の酸化作用が起こるのを防止することができる。さらに(CuaSib)XM1−X合金の相変化温度を150℃から425℃にすることにより、光記録媒体の記録層に適合する合金材料とされる。したがって、本発明は、(CuaSib)XM1−X合金のブルーレイディスクが高い安定性を有し、高倍速焼き込みが可能である利点を同時に兼ね備えることを含む。
【選択図】図4
Description
a.実施例1:(Cu0.65Si0.35)0.95Ni0.05合金ターゲット
848.5gの銅粉末、201.9gのケイ素粉末および63.5gのニッケル粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.65Si0.35)0.95Ni0.05合金ターゲットを作製した。
939.2gの銅粉末、177.9gのケイ素粉末および65.2gのニッケル粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加圧プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.95Ni0.05合金ターゲットを作製した。
1035gの銅粉末、152.5gのケイ素粉末および67.1gのニッケル粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加圧プレスを3時間行い、(Cu0.75Si0.25)0.95Ni0.05合金ターゲットを作製した。
962.1gの銅粉末、182.2gのケイ素粉末および25.9gのニッケル粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.98Ni0.02合金ターゲットを作製した。
845.4gの銅粉末、201.2gのケイ素粉末および56gのクロム粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.65Si0.35)0.95Cr0.05合金ターゲットを作製した。
960.6gの銅粉末、182gのケイ素粉末および22.9gのクロム粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.98Cr0.02合金ターゲットを作製した。
1031gの銅粉末、151.9gのケイ素粉末および59.2gのクロム粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.75Si0.25)0.95Cr0.05合金ターゲットを作製した。
955.8gの銅粉末、181gのケイ素粉末および42.1gのモリブデン粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.98Mo0.02合金ターゲットを作製した。
953.1gの銅粉末、180.5gのケイ素粉末および20.9gのチタン粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.98Ti0.02合金ターゲットを作製した。
892.4gの銅粉末、169.0gのケイ素粉末および145.6gのニッケル粉末を均等に混合し、温度が600〜800℃、圧力が約500barの条件下において、加熱プレスを3時間行い、(Cu0.7Si0.3)0.98Ti0.02合金ターゲットを作製した。
図3を参照されたい。まず、PC基板1を提供する。続いて、当該PC基板1上に、順番に純銀の反射層2およびZnS−SiO2の第1誘電体層3が形成される。ここで、PC基板1の厚さは約1.1mmであり、当該反射層2の厚さは100nmであり、当該第1誘電体層3の厚さは15から50nmである。
2 反射層
3 第1誘電体層
4 二重記録層
41 合金材料層
42 非晶質シリカ層
5 第2誘電体層
6 保護層
Claims (7)
- (CuaSib)XM1−X合金からなる記録層用の合金ターゲットであって、式中、Mはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Xは0.9から0.99であり、aは0.65から0.75であり、bは0.25から0.35である、記録層用の合金ターゲット。
- (CuaSib)XM1−X合金からなる光記録媒体用の記録層であって、式中、Mはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Xは0.9から0.99であり、aは0.65から0.75であり、bは0.25から0.35である、光記録媒体用の記録層。
- 基板と
当該基板上に設けられる反射層と、
当該反射層上に設けられる第1誘電体層と、
当該第1誘導体層上に設けられる二重記録層と、
当該二重記録層上に設けられる第2誘電体層と、
当該第2誘電体層上に設けられる保護層と、
を含み、このうち当該二重記録層が非晶質シリカ層および合金材料層を含み、当該合金材料層が(CuaSib)XM1−X合金からなり、式中、Mはニッケル、クロム、モリブデンまたはチタンであり、Xは0.9から0.99であり、aは0.65から0.75であり、bは0.25から0.35である、光記録媒体。 - 当該非晶質シリカ層が当該反射層上に設けられ、当該合金材料層が当該非晶質シリカ層および当該第2誘電体層の間に設けられる、請求項3に記載の光記録媒体。
- 当該合金材料層が当該反射層上に設けられ、当該非晶質シリカ層が当該合金材料層および当該第2誘電体層の間に設けられる、請求項3に記載の光記録媒体。
- 当該二重記録層の厚さが5nmから30nmである、請求項3に記載の光記録媒体。
- 請求項2に記載の光記録媒体用の記録層を含む、ブルーレイディスク。
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