JP2014089171A - 伝送装置及び伝送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
圧力・差圧伝送器の外部から侵入した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類が導圧路内部で気泡化することにより、指示値がドリフトを起こし、正確な数値が出力されない。

【解決手段】
圧力を伝達させるための封入液を導圧路内部に封入した圧力・差圧伝送器において、ダイアフラムと本体側壁面との間に空間を形成するものであって、本体側壁面に接続された導圧路を有しており、空間と導圧路に封入された封入液を介して、ダイアフラムで受けた圧力をセンサに伝送するものにおいて、少なくとも封入液、本体側壁面或いは本体側壁面からセンサまでの一部に封入液の水素原子を吸蔵する水素吸蔵材を設けるように構成した。

【選択図】 図１

Description

本発明は、伝送装置及び伝送方法に係り、特に、原子力プラント、石油精製プラント及び化学プラントなどの流体の圧力又は２点間の圧力差を測定し、その検出信号を伝送するのに好適な伝送装置及び伝送方法に関する。

圧力・差圧伝送器は、ダイアフラムで受けた流体の圧力を導圧路に内封した封入液によりセンサまで伝達し、センサで検出された電気信号を外部へ伝送するものであり、絶対圧力を測定するものと、差圧を測定するものがある。

これら圧力・差圧伝送器は、原子力プラントや石油精製プラントなどで使用されており、プラントの安全確保や製品の品質を確保する点から、例えば±１％の精度が要求されている。しかしながら、圧力・差圧伝送器外部からの透過した水素の影響により、長期間その精度を保つことが困難であった。

すなわち、測定流体に含まれる水素（水素分子、水素原子、水素イオン）の一部がダイアフラムを透過した後に、導圧路に充填された封入液中に気泡となって溜まるので、これらの影響により、導圧路内部の圧力が上昇し、ダイアフラムに加わる圧力の変化をセンサに正しく伝達できなくなってしまい測定精度が低下する。

そのため、従来、例えば特開平９−１１３３９４号公報に記載されているように、ダイアフラムの肉厚方向の内部に前記表面にほぼ平行に広がるアルミニウム、銅、白金及び金のいずれか又は複数からなる中間層を設けることにより、或いは、例えば特開２００２−７１４９４号公報に記載されているように、受圧部のダイアフラムを二重にしてその隙間に水素吸蔵合金を封入した気体トラップを設けることにより、或いは、例えば特開２００３−３２６５９２号公報及び特開２００５−１１４４５３号公報に記載されているように、受圧部のダイアフラムの封入液側に水素吸蔵膜を設けることにより、外部からダイアフラムを透過する水素を抑制していた。

特開平９−１１３３９４号公報 特開２００２−７１４９４号公報 特開２００３−３２６５９２号公報 特開２００５−１１４４５３号公報

上記従来技術では、外部からダイアフラムを透過する水素を抑えていたもので、単に外部からの水素透過について対策したのみであり、内部で発生した水素や炭化水素類、或いは、透過してしまった水素については考慮していなかった。
導圧路に充填された封入液は、放射線や熱により分解して水素や炭化水素類が発生した等の場合に、それらの気体が封入液中に溜まり、一定量を超えると気泡化する。そのために、伝送器の導圧路内部が圧力上昇してしまい、圧力・差圧伝送器の許容誤差の精度（例えば±１％の精度）を保てないという問題点が生じている。また、精度保持のため定期、不定期の検査を行わなければならず、保守作業を増大させる問題点が生じ、或いは、さらに、検査にて許容誤差±１％の精度を保つために交換が必要となり、その交換費用が膨大となる問題点が生じていた。

本発明は、上記した課題の少なくとも１つを解決するためになされたものであり、その目的は、特に、内部で発生した水素および炭化水素類、或いは、外部から透過した水素の影響を低減できる伝送装置及び伝送方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、ダイアフラムと、受圧室壁面を有し、前記ダイアフラムと前記受圧室壁面との間に空間を形成するものであって、前記受圧室壁面に接続された導圧路を有しており、前記空間と前記導圧路に封入された封入液を介して、前記ダイアフラムで受けた圧力をセンサに伝送するものにおいて、少なくとも前記封入液、前記受圧室壁面或いは前記受圧室壁面から前記センサまでの一部に前記封入液の水素原子を吸蔵する水素吸蔵材を設けるように構成した。

本発明によれば、特に、内部で発生した水素および炭化水素類の影響、或いは、外部から透過した水素を、水素吸蔵材で吸蔵することにより低減することができる。すなわち、圧力・差圧伝送器の許容誤差精度（例えば±１％の精度）を長期間保つことが可能になり、圧力・差圧伝送器の寿命を伸ばすことができる。

本発明の第１の実施形態に係る圧力・差圧伝送器における、差圧伝送器の説明図である。 圧力伝送器の説明図である。 水素吸蔵材による水素吸蔵方法を示す説明図である。 水素吸蔵材による放射線分解した封入液の水素を吸蔵する方法を示す説明図である。 水素吸蔵材による炭化水素類中の水素原子吸蔵方法を示す説明図である。 粉末状の水素吸蔵材を使用した差圧伝送器の説明図である。 固形の水素吸蔵材を使用した差圧伝送器の説明図である。 棒状の水素吸蔵材を使用した差圧伝送器の説明図である。 水素吸蔵材を導圧路壁面に取付けた差圧伝送器の説明図である。 導圧路壁面に水素吸蔵部屋を設置した差圧伝送器の説明図である。

以下に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。これより、第１の実施形態に係る圧力・差圧伝送器を図１から図１０を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧力・差圧伝送器における、差圧伝送器の説明図である。

図１において、差圧を測定するための差圧伝送器４０は、置換器部１０、キャピラリ部２０、本体部３０から構成される。測定流体１４０の圧力を二つの受圧ダイアフラム５０で受圧し、導圧路６０に封入された封入液８０によって、中間ダイアフラム７０、シールダイアフラム１００、センタダイアフラム１１０を介してセンサ１３０まで圧力が伝えられる。センサ１３０で受け取った圧力は、出力回路１２０に入力し、圧力値を出力する。

ここで、置換器部１０について説明すると、受圧室５２は受圧ダイアフラム５０と受圧室壁面５１に囲まれて形成されるところ、測定流体１４０の圧力は、まず、受圧ダイアフラム５０で受けられ、そして、受圧室５２に格納された封入液に伝達され、さらに、導圧路６０の封入液に伝達される。

また詳細説明は省略するが、この受圧ダイアフラム５０についてのダイアフラムと受圧室壁面により受圧室が形成されるとの考え方は、中間ダイアフラム７０及びシールダイアフラム１００にも適用される。

上記構成において、受圧ダイアフラム５０と中間ダイアフラム７０の間のみならず、中間ダイアフラム７０、シールダイアフラム１００、センタダイアフラム１１０、センサ１３０の各部位の間の封入液が封入される箇所はすべて導圧路６０である。

上記構成において、差圧伝送器４０外部から透過した水素が封入液中で気泡化することにより、導圧路６０の内圧が上昇し、受圧ダイアフラム５０に加わる圧力の変化をセンサ１３０に正しく伝達できなくなってしまい測定精度が低下してしまうことが知られている。具体的には、高圧側１５０と低圧側１６０の導圧路６０内部で気泡化した気体量が異なる場合に、圧力値が正常値から変動してしまう。

さらに、封入液の放射線分解や熱分解により、内部で水素および炭化水素類が発生して気泡化しても、導圧路６０内部の圧力が上昇し、センサ１３０の検出精度が低下してしまうことが新たな課題として分かった。なお、炭化水素類とは、メタン、エタン、プロパンなどである。

これら、外部から透過した水素もしくは、内部で発生した水素および炭化水素類は、導圧路６０内部の封入液８０の溶解量を超えた場合に気泡化する。さらに、伝送装置の測定対象の圧力が真空に近いほど、溶解量が少なくなるため顕著に現れる。

上記構成において、差圧伝送器４０は、差圧伝送器４０外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子の両方を、導圧路６０内部に封入もしくは導圧路６０内壁面に施した水素吸蔵材９０で吸蔵することにより、水素および炭化水素類が気泡として蓄積することによる導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐことができる。ここで、導圧路６０とは、二つの受圧ダイアフラム５０の間の封入液８０が封入されている部分のことを指し、図１において濃く示している。

図２に圧力伝送器の説明図を示す。図１において、絶対圧力を測定するための圧力伝送器２００は、測定流体１４０の圧力を受圧ダイアフラム５０で受圧し、導圧路６０に封入された封入液８０によって、センサ１３０まで圧力が伝えられる。センサ１３０で受け取った圧力は、出力回路１２０に入力し、圧力値として出力する。

上記構成において、圧力伝送器２００は、図１同様に、圧力伝送器２００外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類が気泡化すると、導圧路６０内部の圧力が正常値から変動してしまう。ここで図１同様に、水素および炭化水素類中の水素原子の両方を、導圧路６０内部に封入もしくは導圧路６０内壁面に施した水素吸蔵材９０で吸蔵することにより、水素および炭化水素類の気泡化による導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐことができる。

図３に、水素吸蔵材による水素吸蔵効果を示す。図３では、水素吸蔵材９０の一例としてパラジウムの水素吸蔵のイメージ図を示す。なお、水素吸蔵材９０はパラジウム以外に、マグネシウムやバナジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、ニオブ、コバルト、カルシウム、または、それらの合金などでもよい。

パラジウムは面心立方格子であり、水素分子３００は、パラジウム原子３２０の間に水素原子３１０として吸蔵される。なお、パラジウムは自身の体積の９３５倍の水素を吸蔵することが知られている。

図４に水素吸蔵材による放射線分解した封入液８０の水素を吸蔵する方法の説明図を示す。図４では、一例としてメタン３６２と水素３６３について説明する。封入液８０はガンマ線３４０などの放射線により、封入液の組成式３３０のＣとＨの結合や、ＳｉとＣの結合が切れる。それにより発生したメチル基３６０や水素原子３６１などは、水素吸蔵材を用いない場合３５０では、お互いが結合してメタン３６２や水素３６３となる。

一方で、水素吸蔵材を用いる場合には、切れた水素原子３６１が水素吸蔵材９０に吸蔵されるため、メチル基３６０が水素原子３６１と結合する量が減少するためメタン３６２の発生量を抑制することができる。水素原子３６１と結合しないメチル基３６０は、再び封入液に戻る。これにより、メタン３６２のような炭化水素類が気泡として蓄積することによる導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐことができる。

あるいは、炭化水素類中の水素原子を水素吸蔵材により吸蔵する手法として、図５に説明図を示す。図５では、一例としてメタン３６２について説明している。放射線分解によって発生したメチル基３６０と水素原子３６１の一部は、お互いが結合してメタン３６２となる。その後、メタン３６２は、水素吸蔵材９０の表面に接触すると、メチル基３６０と水素原子３６１に解離する。水素原子３６１は水素吸蔵材９０によって吸蔵され、メチル基３６０は最終的に炭素原子となって水素吸蔵材表面に吸着する。これにより、メタン３６２のような炭化水素類が気泡として蓄積することによる導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐことができる。

このような水素吸蔵材９０を圧力・差圧伝送器の導圧路６０内部もしくは同壁面に設置することにより、圧力・差圧伝送器外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を、自身の体積の９３５倍の量まで吸蔵できるため、導圧路内部での水素および炭化水素類の気泡化による内圧上昇を抑制することができる。

図６に、粉末状の水素吸蔵材を導圧路内部に封入した差圧伝送器を示す。粉末状水素吸蔵材４００の封入箇所は、置換器部１０とキャピラリ部２０と本体部３０の各導圧路６０に封入することが望ましいが、置換器部１０のみでもよいし、置換器部１０とキャピラリ部２０のみでもよい。圧力伝送器２００においても、差圧伝送器４０と同様に、導圧路６０内部に粉末状水素吸蔵材４００を封入する。

上記構成において、粉末状水素吸蔵材４００は、封入液８０と混合することでコロイド状の液体となる。このとき粉末状水素吸蔵材４００の粒子が大きければ沈殿してしまうが、粒子の径を０．１μｍ以下とすることで沈殿を防ぐことができる。また、粒子の径が小さくなるほど、粉末状水素吸蔵材４００が水素に触れる面積が広くなるため、水素の吸蔵速度を早くする事ができる。この粉末状水素吸蔵材４００によって、圧力・差圧伝送器外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を吸蔵し、導圧路内部での水素および炭化水素類の気泡化による内圧上昇を抑制することができる。

図７に、固形水素吸蔵材を使用した差圧伝送器を示す。固形水素吸蔵材４１０も、図６の粉末状水素吸蔵材４００と同様に、差圧伝送器４０の各導圧路６０内部のいずれか、もしくはそれらを組み合わせた箇所に封入する。圧力伝送器２００においても、差圧伝送器４０と同様に、導圧路６０内部に固形水素吸蔵材４１０を封入する。ここで、固形水素吸蔵材４１０は、ペレット状のものでもよいし、板状のものでもよいし、球状のものでもよい。

また、固形水素吸蔵材４１０を多孔質状のものにすることで、水素および炭化水素類に接触する面積を広くすることができるため、例えば、ペレット状水素吸蔵材よりも同体積で効率よく水素原子を吸蔵することができる。

上記構成において、固形水素吸蔵材４１０は、導圧路６０内部の封入液８０と混合させてもよいが、導圧路壁面４１１に溶接で固定することで、固形水素吸蔵材４１０が受圧ダイアフラム５０や中間ダイアフラム７０などの各ダイアフラムもしくは導圧路壁面４１１へ衝突して、それらを劣化させることを防ぐことができる。

これら固形水素吸蔵材４１０によって、圧力・差圧伝送器外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を吸蔵し、導圧路内部での水素および炭化水素類の気泡化による内圧上昇を抑制することができる。

図８に、棒状水素吸蔵材を使用した差圧伝送器を示す。棒状水素吸蔵材４２０も、図６の粉末状水素吸蔵材４００と同様に、差圧伝送器４０の各導圧路６０内部のいずれか、もしくはそれらを組み合わせた箇所に封入する。圧力伝送器２００においても、差圧伝送器４０と同様に、導圧路６０内部に棒状水素吸蔵材４２０を封入する。

上記構成において、棒状水素吸蔵材４２０の形状は、針金状でもよいし、それを押し広げて面積を広くとることで水素を吸蔵しやすくしてもよい。また、多孔質状にすることで、更に水素と接する面積を広くしてもよい。棒状水素吸蔵材４２０は、加工が容易であり、コストを抑えることができる。さらに、径が細いキャピラリ部２０などへも、容易に設置する事ができる。

上記構成において、棒状水素吸蔵材４２０は、導圧路６０内部に封入するだけでもよいが、導圧路壁面４１１に溶接（面溶接もしくは点溶接など）や接着などで固定することで、受圧ダイアフラム５０や中間ダイアフラム７０などの各ダイアフラムもしくは導圧路壁面４１１へ衝突してそれらを劣化させることを防ぐことができる。

実施例１では、導圧路６０内部に水素吸蔵材９０を封入する手法について説明したが、実施例２では、導圧路壁面４１１に水素吸蔵材９０を施す手法について説明する。

図９に、水素吸蔵材を導圧路壁面に施した差圧伝送器を示す。水素吸蔵材９０を導圧路壁面４１１にメッキもしくはスパッタリングすることで、導圧路壁面４１１に水素吸蔵材膜４３０を形成する手法である。

本実施例は、実施例１と同様に、差圧伝送器４０外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を、水素吸蔵材９０で吸蔵することにより、水素および炭化水素類の気泡化による導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐ方法である。圧力伝送器２００についても同様である。

本実施例は、従来の圧力・差圧伝送器と比較して、形状や封入液８０を変更しなくて済み、封入液の粘度や封入液量が変化する可能性が無く、圧力・差圧伝送器そのものの圧力計測性能が劣化する可能性が、実施例１と比較して非常に少なくできる。

上記構成において、水素吸蔵材膜４３０は、差圧伝送器４０の置換器部１０とキャピラリ部２０と本体部３０の各導圧路壁面４１１にメッキもしくはスパッタリングすることが望ましいが、置換器部１０のみでもよいし、置換器部１０とキャピラリ部２０のみでもよい。

上記メッキもしくはスパッタリング箇所は、上記以外に、受圧ダイアフラム本体側壁面４３１と中間ダイアフラム受圧側壁面４３２と中間ダイアフラム本体側壁面４３３もしくはそれらを組み合わせた箇所でもよいし、受圧ダイアフラム５０の封入液側と中間ダイアフラム７０の受圧側と本体側とシールダイアフラム１００の受圧側と本体側とセンタダイアフラム１１０の受圧側と本体側もしくはそれらを組み合わせた箇所でもよい。

本実施例は、圧力伝送器２００にも同様に適用できる。メッキもしくはスパッタリング箇所は、受圧ダイアフラム５０の封入液側と導圧路６０の壁面もしくはどちらか一方でもよい。

実施例３では、封入液内に侵入した水素もしくは封入液内で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を、導圧路壁面に設置した水素吸蔵材で吸蔵する手法について説明する。

図１０に、導圧路壁面に水素吸蔵部屋を設置した差圧伝送器を示す。導圧路壁面４１１に水素透過材４４１を設置し、その上部を覆うように水素吸蔵部屋４４０を設置する。水素吸蔵部屋４４０内部には、水素吸蔵材９０を設置する構造とする。導圧路６０内部で発生もしくは外部から侵入した水素は、封入液８０から水素透過材４４１を透過して水素吸蔵部屋４４０に移動する。移動してきた水素を、水素吸蔵部屋４４０内部に設置する水素吸蔵材９０で吸蔵することで、導圧路６０内部での水素の気泡化による内圧上昇を抑制することができる。さらに、水素吸蔵部屋４４０の上壁に開閉蓋４４２を設置することで、内部に設置した水素吸蔵材９０を取り替えることが可能となり、圧力・差圧伝送器の寿命を延ばすことができるほか、他の実施例では吸蔵しきれないような高濃度水素環境下でも、問題なく水素原子を吸蔵できる。

上記構成において、水素透過材４４１は、パラジウムやバナジウム、タンタル、ニオブ、ジルコニウムなどである。

上記構造において、水素吸蔵部屋４４０および水素透過材４４１、水素吸蔵材９０の設置個所は、導圧路壁面４１１上であれば、どこに設置してもよい。また、水素吸蔵材９０は、粉末状や固形状や棒状でもよいし、水素吸蔵部屋４４０の内壁にメッキもしくはスパッタリングしてもよい。

実施例４では、構成部材の一部もしくはすべてを水素吸蔵材で構成する方法について説明する。

本実施例では、置換器部１０やキャピラリ部２０などの構成部材の一部もしくはすべてを水素吸蔵材９０とすることで、通常の圧力・差圧伝送器に水素吸蔵用として別途組み込むパーツを不要にできる。

上記構成により、差圧伝送器４０外部から透過した水素もしくは内部で発生した水素および炭化水素類中の水素原子を、水素吸蔵材９０で吸蔵することにより、水素および炭化水素類の気泡化による導圧路６０内部の圧力上昇を防ぐことができる。圧力伝送器２００についても同様である。

１０ 置換器部
２０ キャピラリ部
３０ 本体部
４０ 差圧伝送器
５０ 受圧ダイアフラム
６０ 導圧路
７０ 中間ダイアフラム
８０ 封入液
９０ 水素吸蔵材
１００ シールダイアフラム
１１０ センタダイアフラム
１２０ 出力部
１３０ センサ
１４０ 測定流体
１５０ 高圧側
１６０ 低圧側
２００ 圧力伝送器
３００ 水素分子
３１０ 水素原子
３２０ パラジウム原子
３３０ 封入液の組成式
３４０ ガンマ線
３５０ 水素吸蔵材を用いない場合
３５１ 水素吸蔵材を用いる場合
３６０ メチル基
３６１ 水素原子
３６２ 炭化水素類
３６３ 水素
４００ 粉末状水素吸蔵材
４１０ 固形水素吸蔵材
４１１ 導圧路壁面
４２０ 棒状水素吸蔵材
４３０ 水素吸蔵材膜
４３１ 受圧ダイアフラム本体側壁面
４３２ 中間ダイアフラム受圧側壁面
４３３ 中間ダイアフラム本体側壁面
４４０ 水素吸蔵部屋
４４１ 水素透過材
４４２ 開閉蓋

Claims (17)

1. ダイアフラムと、受圧室壁面を有し、前記ダイアフラムと前記受圧室壁面との間に空間を形成するものであって、前記受圧室壁面に接続された導圧路を有しており、前記空間と前記導圧路に封入された封入液を介して、前記ダイアフラムで受けた圧力をセンサに伝送する圧力或いは差圧の伝送装置において、少なくとも前記封入液、前記受圧室壁面或いは前記受圧室壁面から前記センサまでの一部に前記封入液の水素原子を吸蔵する水素吸蔵材を設けたことを特徴とする伝送装置。
   
2. 請求項１において、伝送装置の外部から侵入した水素または内部で発生した水素原子を前記水素吸蔵材で吸蔵することを特徴とする伝送装置。
   
3. 請求項１において、前記水素吸蔵材は、パラジウム、マグネシウム、バナジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ニッケル、ニオブ、コバルト、カルシウム、または、それらの合金などであることを特徴とする伝送装置。
   
4. 請求項３において、前記水素吸蔵材は、粉末状、固形状、棒状又は膜状であることを特徴とする伝送装置。
   
5. 請求項３において、前記水素吸蔵材は粉末状の水素吸蔵合金として形成され、その粉末粒子の径を０．１μｍ以下とすることを特徴とする伝送装置。
   
6. 請求項1〜５のいずれかにおいて、高圧側と低圧側の圧力差を測定するように構成されており、前記ダイアフラムは、測定流体の圧力を受圧する二対の第一のダイアフラムと、前記第一のダイアフラムから圧力を受ける二対の第二のダイアフラムとして構成され、前記封入液は、前記第一のダイアフラムで受圧した圧力を伝達すると共に前記第二のダイアフラムで受圧した圧力を伝達するように構成され、前記伝達された前記第一のダイアフラムそれぞれの測定流体の圧力差を検出するセンサと、前記センサの信号を増幅する回路とを備え、前記水素吸蔵材は、前記導圧路内部、前記導圧路壁面、前記第一のダイアフラムの本体側壁面、前記第一のダイアフラムの封入液側、前記第二のダイアフラムのいずれか、又はそれらの組み合わせとして設けることを特徴とする伝送装置。
   
7. 請求項1〜６のいずれかにおいて、前記第一のダイアフラムと、前記第二のダイアフラムの中間に第三のダイアフラムと第四のダイアフラムを設け、前記水素吸蔵材を備える箇所を、前記第三のダイアフラムの受圧側、前記第三のダイアフラムの封入液側、前記第四のダイアフラムの受圧側又は前記第四のダイアフラムの封入液側のいずれか、又はそれらの組み合わせとすることを特徴とする伝送装置。
   
8. 請求項６または７において、前記導圧路の内部に、前記水素吸蔵材としての粉末状水素吸蔵材、固形水素吸蔵材又は棒状水素吸蔵材を封入、或いは取付け、或いはその両方とすることを特徴とする伝送装置。
   
9. 請求項６または７において、前記導圧路の壁面に、前記水素吸蔵材としての薄膜が取付けられていることを特徴とする伝送装置。
   
10. 請求項６または７において、前記第一ダイアフラムと前記第二のダイアフラムと前記第三のダイアフラムと前記第四のダイアフラムの壁面に、前記水素吸蔵材としての薄膜を取付けることを特徴とする伝送装置。
    
11. 請求項１において、前記封入液と接する箇所に設置される水素透過材と、前記水素透過材を覆うように設置される水素吸蔵部屋と、前記水素吸部屋の上部壁面に設置される開閉蓋とを有し、前記水素吸蔵材は前記水素吸蔵部屋内部に設けられることを特徴とする伝送装置。
    
12. 請求項１１において、前記水素透過材は、前記導圧路の壁面、前記ダイアフラムの本体側壁面、前記第二のダイアフラムの受圧側壁面、前記第二のダイアフラム本体側壁面のいずれか、又はそれらを組み合わせた箇所に取付けられることを特徴とする伝送装置。
    
13. 請求項１１において、前記水素吸蔵材は、前記水素吸蔵部屋の上部壁面の開閉蓋を開けることで取り出すことができ、交換を可能とすることを特徴とする伝送装置。
    
14. 請求項１において、前記導圧路の構成部材の一部もしくはすべてを前記水素吸蔵材で構成することを特徴とする伝送装置。
    
15. 請求項１において、前記水素吸蔵材は、前記封入液が放射線分解することによって発生する水素原子を吸蔵することを特徴とする伝送装置。
    
16. 請求項１５において、前記封入液に存在する正の電離物質と負の電離物質との結合を抑制するように前記水素吸蔵材を配置することを特徴とする伝送装置。
    
17. ダイアフラムで受けた圧力を前記ダイアフラムと受圧室壁面との間に形成した空間の封入液に伝達し、前記空間に伝達された圧力を前記受圧室壁面に接続された導圧路の封入液に伝達し、前記受圧室壁面或いは前記受圧室壁面からセンサまでの一部に水素吸蔵材を設けることで前記受圧室壁面から前記センサまでの封入液の少なくとも一部の水素の発生を抑制して圧力或いは差圧を検出する伝送方法。