JP2014082288A - 露光方法、露光装置および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】予備露光や光洗浄を行う際において、基板ステージの温度上昇を抑制する上で有利な技術を提供する。
【解決手段】
基板を保持する保持面を有するチャックと、前記チャックを貫通し、前記保持面の上方で前記基板を支持可能なピンとを有する基板ステージを備える露光装置において前記基板を露光する露光方法であって、反射部材を前記ピンにより前記保持面の上方で支持し、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態になるように前記基板ステージを制御する制御工程と、前記状態で前記反射部材に光を照射する照射工程と、前記照射工程の後に前記基板を露光する露光工程と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】
基板を保持する保持面を有するチャックと、前記チャックを貫通し、前記保持面の上方で前記基板を支持可能なピンとを有する基板ステージを備える露光装置において前記基板を露光する露光方法であって、反射部材を前記ピンにより前記保持面の上方で支持し、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態になるように前記基板ステージを制御する制御工程と、前記状態で前記反射部材に光を照射する照射工程と、前記照射工程の後に前記基板を露光する露光工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光方法、露光装置および物品の製造方法に関する。
半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、短波長のレーザー光を出射するKrFレーザーやArFレーザーなどのエキシマレーザを光源として用いた露光装置が注目されている。このような露光装置においては、照射光学系や投影光学系に含まれる光学素子の透過率が変化することを抑制するため、基板を露光する前の準備工程として予備露光や光洗浄などが行われる。予備露光とは、レーザー光の照射を開始した直後における透過率の急激な変化を抑制するため、基板の露光を開始する前に、数万パルス程度のレーザー光を照射することである。また、光洗浄とは、光学素子の表面に付着した不純物を除去するため、窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザー光を照射し、それにより光学素子から離脱した不純物を不活性ガスとともに排気することである。
このような予備露光や光洗浄を行う際、基板ステージに保持された基板にレーザー光を照射した場合、レーザー光の照射により基板の温度が上昇するとともに基板ステージの温度も上昇してしまう。その結果、基板ステージを位置決めするために配置されたミラーやセンサ、基準マークなどに熱変形や位置変動が生じ、基板ステージを高精度に制御することが困難となってしまいうる。そこで、特許文献1に記載された構成では、投影光学系と基板との間に遮光用のシャッタ板を挿入することにより、基板ステージにレーザー光が照射されることを防止している。特許文献2に記載された構成では、反射ミラーを基板ステージ上に配置し、予備露光や光洗浄を行う際に投影光学系から出射したレーザー光を反射ミラーに照射して、基板ステージの温度上昇を抑制している。また、特許文献3に記載された構成では、光洗浄を行う際に投影光学系から出射したレーザー光を再度投影光学系に入射させる反射部材を基板の代わりに用いることで、光学部材に照射される光量を増加させるとともに、基板ステージの温度上昇を抑制している。
近年、半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、レーザー光の短波長化とともに、開口数NAの増大が要求されている。開口数NAが増大すると、投影光学系と基板との間の隙間は必然的に狭くなってしまう。そのため、特許文献1に記載された構成では、投影光学系と基板との間にシャッター板を挿入することがスペース的に困難となってしまいうる。また、特許文献2に記載された構成では、基板ステージ上において、基板が保持される部分以外の部分に反射ミラーが配置されているため、基板ステージの駆動範囲を広げることに繋がり、露光装置のフットプリントの拡大を招いてしまいうる。
特許文献3に記載された構成では、投影光学系から出射したレーザー光を反射する反射部材を基板の代わりに用いているものの、当該レーザー光の一部は反射されずに反射部材に吸収され、反射部材を温度上昇させてしまう。そして、特許文献3では、反射部材が基板ステージに密着して保持されているため、反射部材の温度上昇に伴って、基板ステージの温度も上昇してしまう。即ち、特許文献3では、基板ステージの温度上昇を抑制する効果が不十分になってしまいうる。
そこで、本発明は、基板を露光する前において光を照射する際に、基板ステージの温度上昇を抑制する上で有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光方法は、基板を保持する保持面を有するチャックと、前記チャックを貫通し、前記保持面の上方で前記基板を支持可能なピンとを有する基板ステージを備える露光装置において前記基板を露光する露光方法であって、反射部材を前記ピンにより前記保持面の上方で支持し、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態になるように前記基板ステージを制御する制御工程と、前記状態で前記反射部材に光を照射する照射工程と、前記照射工程の後に前記基板を露光する露光工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、基板を露光する前において光を照射する際に、基板ステージの温度上昇を抑制する上で有利な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、基板面上で互いに直交する方向をそれぞれx方向およびy方向とし、基板面に垂直な方向をz方向とする。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態における露光装置100について、図1を参照して説明する。第1実施形態の露光装置100は、光源1と、光路調整光学系2と、照明形状調整光学系3と、照明光学系30と、レチクルステージ5と、投影光学系6と、基板ステージ7とを含んでいる。第1実施形態の露光装置100では、レチクル4および基板10は、基板面と平行な方向(xy方向)に移動可能なレチクルステージ5および基板ステージ7にそれぞれ保持されている。そして、露光装置100は、レチクルステージ5と基板ステージ7とを同期して、例えばy方向に走査することにより、レチクル4に形成されたパターンを投影光学系6を介して基板10に転写することができる。ここで、第1実施形態では、レチクルステージ5と基板ステージ7とを同期して走査する走査型の露光装置について説明するが、一括露光型の露光装置についても本発明を適用することができる。
本発明の第1実施形態における露光装置100について、図1を参照して説明する。第1実施形態の露光装置100は、光源1と、光路調整光学系2と、照明形状調整光学系3と、照明光学系30と、レチクルステージ5と、投影光学系6と、基板ステージ7とを含んでいる。第1実施形態の露光装置100では、レチクル4および基板10は、基板面と平行な方向(xy方向)に移動可能なレチクルステージ5および基板ステージ7にそれぞれ保持されている。そして、露光装置100は、レチクルステージ5と基板ステージ7とを同期して、例えばy方向に走査することにより、レチクル4に形成されたパターンを投影光学系6を介して基板10に転写することができる。ここで、第1実施形態では、レチクルステージ5と基板ステージ7とを同期して走査する走査型の露光装置について説明するが、一括露光型の露光装置についても本発明を適用することができる。
光源1は、半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、KrFレーザー(波長248nm)やArFレーザー(波長193nm)など、短波長のレーザー光を照明光として出射するエキシマレーザが用いられる。光源1から出射した照明光(レーザー光)は、複数の折り曲げミラーを有する光路調整光学系2によって、照明形状調整光学系3に入射する。照明形状調整光学系3に入射した照明光は、照明形状調整光学系3に含まれる光束調整部(不図示)により、その形状が成形される。光束調整部は、例えば、円錐や角錐、屋根型などのプリズム形状が凸状に形成された面を有する光学素子と、その形状が凹状に形成された面を有する光学素子とを含む。そして、これら2枚の光学素子を凸状の面と凹状の面とが対面するように配置し、それらを相対的にずらすことによって照明光の形状を、輪帯形状や複数の光束に分割した形状に成形することができる。また、光束調整部は、シリンドリカル形状やトーリック形状が凸状に形成された面を有する光学素子と、その形状が凹状に形成された面を有する光学素子とを含んでもよい。この場合、2枚の光学素子を凸状の面と凹状の面とが対面するように配置し、それらを相対的にずらすことにより照明光の形状を、光軸に直交する面方向において縦横比率を調整した形状に成形することができる。ここで、光束調整部では、分割された各光束は照明光学系30におけるオプティカルインテグレータ8の入射面で結像するように、および光束調整部における照明光の出射側(像面側)においてテレセントリックになるように、照明光が形成されている。
照明光学系30は、オプティカルインテグレータ8と、開口絞り9と、ハーフミラー11と、センサ12と、レンズ13と、可動ブラインド14と、結像光学系15とを含む。オプティカルインテグレータ8は、例えば、光軸と直交する面方向に二次元的に配列した複数の微小レンズを含む。また、開口絞り9は、開口絞り9を通過した後の光束の形状が所望の形状となるように、オプティカルインテグレータ8から出射した照明光の形状を成形する。ここで、照明光学系30における開口絞り9による照明光の形状の成形について説明する。
オプティカルインテグレータ8により出射された照明光は、後述する投影光学系6によりレチクル4に形成されたパターンを基板10上に投影する。このとき、解像度Rは式(1)によって表される。ここで、λは露光に用いられる照明光の波長であり、NAは開口数である。また、k1は、レジストの解像性能やλとNA以外の光学系の特性に依存する定数である。
解像度R=k1×λ/NA ・・・(1)
通常、0.7〜0.9が実用領域とされるNAに対し、k1は、位相シフト法を用いた場合、0.35程度の値にすることができる。さらに高い解像度を得る(解像度Rを小さくする)ためにNAを大きく設定すると、基板10上における焦点深度は、NAの二乗に反比例するため浅くなってしまう。このように焦点深度が浅くなった場合、基板10を保持する基板ステージ7においてz方向の位置を高精度に調整することや、基板10の平坦度を高めることが要求されるが、コスト面および技術面で限界がある。そこで、例えば、輪帯照明法や多重極照明法を用いることにより、高い解像度と深い焦点深度の両立が実現している。例えば、輪帯照明法では、開口絞り9として、輪帯状の開口(即ち、有効光源)を有する絞り板を挿入し、レチクル4に照射される照明光の形状を輪帯状に調整する。輪帯状に調整された照明(輪帯照明)は、一般的に、内輪側の開口数NA1が0.45以下、外輪側の開口数NA2が0.85以下、およびNA1とNA2との比率が1/2〜3/4程度である。ここで、開口絞り9に照射される照明光の形状を、開口絞り9の開口形状と等しい形状になるように、照明形状調整光学系3の光束調整部で前もって成形することにより、照明光の利用効率を向上させることが可能である。
通常、0.7〜0.9が実用領域とされるNAに対し、k1は、位相シフト法を用いた場合、0.35程度の値にすることができる。さらに高い解像度を得る(解像度Rを小さくする)ためにNAを大きく設定すると、基板10上における焦点深度は、NAの二乗に反比例するため浅くなってしまう。このように焦点深度が浅くなった場合、基板10を保持する基板ステージ7においてz方向の位置を高精度に調整することや、基板10の平坦度を高めることが要求されるが、コスト面および技術面で限界がある。そこで、例えば、輪帯照明法や多重極照明法を用いることにより、高い解像度と深い焦点深度の両立が実現している。例えば、輪帯照明法では、開口絞り9として、輪帯状の開口(即ち、有効光源)を有する絞り板を挿入し、レチクル4に照射される照明光の形状を輪帯状に調整する。輪帯状に調整された照明(輪帯照明)は、一般的に、内輪側の開口数NA1が0.45以下、外輪側の開口数NA2が0.85以下、およびNA1とNA2との比率が1/2〜3/4程度である。ここで、開口絞り9に照射される照明光の形状を、開口絞り9の開口形状と等しい形状になるように、照明形状調整光学系3の光束調整部で前もって成形することにより、照明光の利用効率を向上させることが可能である。
開口絞り9から出射した照明光は、ハーフミラー11により光路が分岐される。ハーフミラー11には、95%以上の透過率を有する半透過膜がコーティングされており、照明光のほとんどは通過するが、一部はそれにより反射され、照度を検出するセンサ12に集光する。そして、センサ12は、それに集光した光の照度を検出する。これにより、光源1を制御する制御部(不図示)は、センサ12で検出した照度に基づいて、例えば光源1から出射される照明光の出力またはパルス数を調整することにより、基板に照射される照明光の強度を目標値に近づけることができる。ここで、センサ12は、例えば、センサ12に入射する光の光軸と直交する面方向に配列した二次元センサを用い、照明形状調整光学系3および開口絞り9により成形された照明光の形状を検知することもできる。
一方、ハーフミラー11を透過した照明光は、レンズ13により可動ブラインド14の位置に結像し、可動ブラインド14における開口部分を通過した照明光が結像光学系15に入射する。可動ブラインド14の位置は、オプティカルインテグレータ8のフーリエ変換面となっており、レチクル4と光学的に共役な位置となっている。結像光学系15は、可動ブラインド14上に結像した像をレチクル4上に結像させるための光学系である。また、レチクル4上に結像し、レチクル4を透過した照明光は、複数の光学素子で構成された投影光学系6によって基板10上に投影され、レチクル4に形成されたパターンが基板10上に転写される。
レチクルステージ5は、例えば静圧ガイドを介して構造体(不図示)に固定されており、リニアモータ等のアクチュエータによって走査方向(例えばy方向)に移動可能である。レチクルステージ5は、x方向、y方向およびωz方向(z軸周りの回転方向)の位置がそれぞれ目標位置になるように、ステージ制御部31により制御されている。例えば、レチクルステージ5は、その近傍に配置されたレーザー干渉計によりレチクルステージ5の現在位置が計測され、レチクルステージ5の現在位置と目標位置との偏差が小さくなるように、ステージ制御部31により制御されている。レチクルステージ5は、y方向に関しては、基板ステージ7と同期して移動しながら走査露光を行うため、長ストロークにわたって移動可能である。一方で、x方向およびωz方向に関しては、レチクルステージ5の変動を解消できれば十分であるため、微小範囲内で移動可能であればよい。
基板ステージ7は、レチクルステージ5と同様に、例えば静圧ガイドを介して構造体に固定されており、リニアモータ等のアクチュエータによって走査方向(例えばy方向)および走査方向と直交する方向(例えばx方向)に移動可能である。基板ステージ7は、x方向、y方向、z方向、ωx方向(x軸周りの回転方向)、ωy方向(y軸周りの回転方向)およびωz方向の位置がそれぞれ目標位置になるように、ステージ制御部31により制御されている。第1実施形態の露光装置100における基板ステージには、粗い位置決めを行うための第1ステージ(粗動ステージ16)と、第1ステージ上に配置され、細かい位置決めを行うための第2ステージ(微動ステージ17)とが含まれている。粗動ステージ16および微動ステージ17には、それらの現在位置をそれぞれ計測するためのレーザー干渉計がそれぞれ配置されている。そして、粗動ステージ16は、その現在位置と目標位置との偏差が小さくなるように、微動ステージ17は、その現在位置と目標位置との偏差が小さくなるようにステージ制御部31により制御されている。
粗動ステージ16は、基板面と直交する方向(z方向)に延びた複数のピン19(第1実施形態では3本)を支持している。微動ステージ17は、基板10を保持する保持面を有するチャック18を支持している。また、微動ステージ17は、6軸方向に沿って移動可能に構成されており、特にz方向に関しては、焦点深度を調整する際に移動可能な距離より長い距離を移動できるように構成されている。また、複数のピン19は、微動ステージ17およびチャック18を貫通し、チャック18の保持面の上方で基板を支持可能に構成されている。そして、微動ステージ17およびチャック18には複数のピン19が貫通するための複数の穴が形成されており、微動ステージ17をz方向に移動することにより、複数のピン19をチャック18の保持面から出し入れすることができる。例えば、微動ステージ17を−z方向に移動させて、粗動ステージ16と微動ステージ17との距離を小さくすると、複数のピン19をチャック18の保持面から突出させた状態にすることができる。逆に、微動ステージ17をz方向に移動させて、粗動ステージ16と微動ステージ17との距離を大きくすると、複数のピン19をチャック18の保持面から突出しない状態にすることができる。複数のピン19は、通常、基板10をチャック18の保持面上に搬入または保持面上から搬出する際、チャック18と基板10との間に搬送アームが挿入可能な隙間を空けるために用いられる。そして、ピン19の先端には、基板10を吸着するための穴が開いており、バキューム装置(不図示)により当該穴を介して基板10を吸着することで、基板10をピン19に固定することができる。吸着圧力は、バキューム装置におけるバキューム圧力検出部により計測される。ここで、ピン19が貫通するために形成された微動ステージ17およびチャック18における穴は、微動ステージ17が粗動ステージ16に対してxy方向に移動する際にピン19にぶつからないように、ピン19の径より大きく形成されている。
第1実施形態の露光装置100は、上述したように、短波長のレーザー光を出射するKrFレーザーやArFレーザーなどのエキシマレーザを光源として用い、照明光学系30や投影光学系6において複数の光学素子が用いられている。このような露光装置においては、照明光学系30や投影光学系6などに含まれる光学素子の透過率が変化することを抑制するため、基板を露光する前の準備工程として予備露光や光洗浄などが行われる。ここで、予備露光および光洗浄について説明する。
まず、予備露光について説明する。光学素子の材料としては石英または蛍石が一般的に用いられており、例えば石英を使用した光学素子では、レーザー光の照射時間に応じて透過率が変化することが知られている。特に、レーザー光を照射開始した直後(露光開始直後)では透過率が急激に変化してしまう。そのため、基板10の露光を開始する前に、数万パルス程度のレーザー光を空打ち照射し、露光開始直後の透過率の急激な変化を抑制している。このように、基板10の露光を開始する前にレーザー光を空打ち照射することを「予備露光」という。
次に、光洗浄について説明する。例えば光源としてArFレーザーを用いた場合、レーザー光のスペクトル線は酸素の吸収スペクトル領域に含まれるため、酸素がレーザー光を吸収してオゾンが発生してしまう。このオゾンが光路中に存在する水分や有機物などと化学反応を誘発し、それにより生成される不純物が光学素子に付着することで、光学素子の透過率が低下してしまう。このように光学素子に付着した不純物は、レーザー光を再度照射すると、光学素子から剥離されて一時的に浮遊状態となる。そのため、窒素などの不活性ガスの雰囲気中において光学素子にレーザー光を照射するとともに、光学素子から剥離されて浮遊状態となった不純物を不活性ガスとともに排気し、光学素子の透過率を回復させている。このように、レーザー光を照射して光学素子をクリーニングすることを「光洗浄」という。
しかしながら、露光装置100において、基板10をチャック18に保持させた状態で、当該基板10にレーザー光を照射して予備露光や光洗浄を行った場合、基板10の温度の上昇に伴って、基板ステージ7(特に微動ステージ17)の温度も上昇してしまう。その結果、微動ステージ17の位置決めを制御するために配置されたミラーやセンサ、基準マークなどに熱変形や位置変動が生じてしまい、微動ステージ17を高精度に制御することが困難となってしまいうる。このような微動ステージ17の温度上昇を抑制するため、例えば、特許文献1のように、投影光学系6と基板10との間に遮光用のシャッター板を挿入することにより、基板10にレーザー光を照射させない方法がある。しかし、近年、半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴い、照明光の短波長化と開口数NAの増大が求められており、開口数NAを大きくすると、投影光学系6の最終レンズと基板10との隙間は必然的に狭くなってしまう。そのため、投影光学系6と基板10との間にシャッター板を挿入することがスペース的に困難となってしまいうる。そこで、第1実施形態の露光装置100は、予備露光や光洗浄の際に、シャッター板を用いずに、レーザー光を反射する反射部材20(プレート)を基板10の代わりに用いている。そして、露光装置100は、ピン19により反射部材20をチャック18の保持面の上方で支持し、チャック18の保持面と反射部材20とが非接触の状態で予備露光や光洗浄を行っている。
このように、露光装置100では、予備露光や光洗浄の際に反射部材20を用いるため、反射部材20によりレーザー光を遮蔽(反射)し、微動ステージ17にレーザー光が照射されることを防ぎ、微動ステージ17の温度上昇を抑制することができる。そして、反射部材20により反射したレーザー光は、再度、投影光学系6に入射するため、予備露光や光洗浄を効率良く行うこともできる。一方で、予備露光や光洗浄を行う際に、レーザー光を反射する反射部材20を用いているものの、反射部材20に照射されたレーザー光の一部は反射せずに吸収されて反射部材20の温度が上昇してしまう。そのため、反射部材20を、特許文献3のようにチャック18(微動ステージ17)に密着させて保持すると、反射部材20の温度上昇に伴って、微動ステージ17の温度も上昇してしまう。そこで、第1実施形態の露光装置100では、チャック18と反射部材20とが非接触の状態で予備露光や光照射を行い、レーザー光の照射による反射部材20の熱をピン19を介して粗動ステージ16に伝導させている。即ち、反射部材20の熱は、微動ステージ17にほとんど伝導せず、微動ステージ17の温度上昇を抑制することができる。
ここで、第1実施形態における反射部材20(プレート)について説明する。反射部材20の厚みは、基板10と同等レベルに十分薄い。そのため、開口数NAが増大し、チャック18の保持面と投影光学系6との間の距離が縮小しても、その間に配置することが十分可能である。また、反射部材20は、例えば、SiCやアルミナといったセラミック、またはAl板などが用いられており、反射部材20に照射されたレーザー光が表面で乱反射しないように、反射部材の表面は研磨によって鏡面に加工される。そして、反射部材20は、セラミックなどを用いた場合その表面に所定の反射率の被膜、例えば金属などの蒸着膜や多層膜をコーティングするなどにより、レーザー光を反射する面において反射率が一定になるように形成されている。ここで、反射部材20の反射率は、予備露光や光洗浄の条件に合わせて設定することができる。また、反射部材20は、チャックや微動ステージ天板の上面をクリーニングするためのクリーニングプレートを用いてもよい。
次に、第1実施形態の露光装置100における予備露光や光洗浄の方法について、図3を参照して説明する。図3は、第1実施形態の露光装置100における予備露光や光洗浄の方法を示すフローチャートである。S301では、搬送系200により、反射部材20を、チャック18の保持面から突出した状態のピン19の上に搬入する。ここで、反射部材20をピン19上に搬送する方法について、図2を参照して説明する。反射部材20は、オープンカセットエレベータ21またはキャリア22からプリアライメントユニット24に搬送アーム23により搬送される。プリアライメントユニット24は、反射部材20が載置されるメカプリアライメントステージと、反射部材20の位置を計測するセンサとを含む。搬送アーム23によりメカプリアライメントステージに載置された反射部材20は、センサにより位置計測が行われ、その計測結果に基づいて、反射部材20のz方向およびωz方向の位置合わせが行われる。位置合わせが行われた反射部材20は、搬送アーム25により、チャック18の保持面より突出した状態にあるピン上に搬送される。
S302では、バキューム装置を作動させ、ピン19の先端に形成された穴を介して反射部材20を吸着する。また、S303では、チャック18の保持面からピンが突出した状態、即ち、チャック18の保持面と反射部材20とが非接触の状態で反射部材20にレーザー光を照射する。これにより、予備露光または光洗浄が行われる。このとき、反射部材20は、投影光学系6から出射した光のほとんどを反射するため、微動ステージ17に光が照射されることを抑制することができる。また、上述したように、反射部材20は、投影光学系6から出射したレーザー光のほとんどを反射するものの、その一部は反射部材20に吸収されてしまう。そのため、第1実施形態では、ピン19をチャック18の保持面から突出させ、反射部材20とチャック18(微動ステージ17)とが非接触の状態で予備露光または光洗浄が行われている。これにより、レーザー光の照射による反射部材20の熱は、反射部材20からピン19を介して粗動ステージ16に伝導するため、微動ステージ17にほとんど伝導しない。即ち、微動ステージ17の温度上昇を抑制することができる。そのため、微動ステージを位置決めするために配置されたミラーやセンサ、基準マークなどにおける熱変形や位置変動を抑制し、実際に基板10を露光する際において高精度に微動ステージ17を制御することができる。
S304では、予備露光または光洗浄の終了後、バキューム装置を停止し、ピン19による反射部材20の吸着を解除する。またS305では、搬送系200により、反射部材20をピン19の上から搬出する。ここで、反射部材20をピン19上から搬出する方法について、図2を参照して説明する。予備露光または光洗浄の終了後、反射部材20は、搬送アーム26により、チャック18の保持面より突出した状態のピン19上から基板回収ステーション27に搬送される。基板回収ステーション27に搬送された反射部材20は、搬送アーム23により、オープンカセットエレベータ21またはキャリア22に搬送される。
上述したように、第1実施形態の露光装置100では、レーザー光を反射する反射部材20を用い、ピン19により反射部材20をチャック18の保持面の上方で支持し、チャック18の保持面と反射部材20とが非接触の状態で予備露光や光洗浄を行っている。これにより、反射部材20でレーザー光を遮蔽(反射)するため、微動ステージ17にレーザー光が照射されることを防ぐことができる。また、レーザー光の照射による反射部材20の熱は、反射部材20からピン19を介して粗動ステージ16に伝導するため、微動ステージ17にほとんど伝導しない。即ち、微動ステージ17の温度上昇を抑制することができるため、微動ステージ17に配置されたミラーやセンサ、基準マークなどにおける熱変形や位置変動を抑制し、実際に基板10を露光する際において高精度に微動ステージを制御することができる。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態の露光装置において、予備露光や光洗浄を行う方法について説明する。第2実施形態では、第1実施形態と比較して、反射部材20において光を反射する面の構成が異なっている。第1実施形態の反射部材20では、レーザー光を反射する面は反射率が一定であるのに対して、第2実施形態の反射部材20では、レーザー光を反射する面は反射率が互いに異なる領域28を複数含んでいる。
本発明の第2実施形態の露光装置において、予備露光や光洗浄を行う方法について説明する。第2実施形態では、第1実施形態と比較して、反射部材20において光を反射する面の構成が異なっている。第1実施形態の反射部材20では、レーザー光を反射する面は反射率が一定であるのに対して、第2実施形態の反射部材20では、レーザー光を反射する面は反射率が互いに異なる領域28を複数含んでいる。
図4は、第2実施形態の反射部材20を示す図である。第2実施形態の反射部材20において、レーザー光を反射する面は、反射率が互いに異なる領域28を複数含んでいる。このように反射率が互いに異なる領域28を複数含むことにより、例えば、反射部材20に照射されるレーザー光の照度が変化した場合に、複数の領域28のうちレーザー光を照射する領域を当該変化に応じて変更することができる。また、例えば、予備露光において露光量や照明モードが異なる場合、予備露光における露光量や照明モードに応じて反射部材20の反射率を切り換えることができる。これにより、例えば、予備露光や光洗浄の際、光源1側から照明光学系30や投影光学系6の光学素子に照射されるレーザー光の照度が変化しても、反射部材20により照明光学系や投影光学系に再入射するレーザー光の照度を調整することができる。そのため、光学素子における露光量の変化を少なくすることができる。
<第3実施形態>
本発明の第3実施形態の露光装置において、予備露光や光洗浄を行う方法について説明する。第3実施形態では、第1実施形態や第2実施形態と比較して、反射部材20において光を反射する面に、レーザー光の照度を検出する照度センサ29が含まれている。図5は、第3実施形態の反射部材20を示す図である。第3実施形態の反射部材20において、レーザー光を反射する面には、反射率が互い異なる領域28に加えて、レーザー光の照度を検出する照度センサ(検出部)29が含まれている。
本発明の第3実施形態の露光装置において、予備露光や光洗浄を行う方法について説明する。第3実施形態では、第1実施形態や第2実施形態と比較して、反射部材20において光を反射する面に、レーザー光の照度を検出する照度センサ29が含まれている。図5は、第3実施形態の反射部材20を示す図である。第3実施形態の反射部材20において、レーザー光を反射する面には、反射率が互い異なる領域28に加えて、レーザー光の照度を検出する照度センサ(検出部)29が含まれている。
例えば、予備露光や光洗浄の工程では、数百パルスから数千パルスのレーザーが反射部材20に照射される。この工程において、反射部材に照射されるパルスのほとんどを、光を反射する領域28に照射した後、最後の数パルスを照射する直前に、基板ステージ7を駆動し、照度センサ29に当該数パルスを照射する。このように最後の数パルスを照度センサ29に照射することにより、反射部材20に照射されるレーザー光の照度の変化を確認することができる。また、ハーフミラー11で分岐された光路に配置されたセンサ12により検出されたレーザー光の強度と、照度センサ29により検出されたレーザー光の強度との差を算出することができる。この算出された差に基づいて、露光装置の照明光学系30および投影光学系6における透過率の劣化具合または回復具合を確認し、予備露光や光洗浄が適切に行われたか否かの判定を行うことができる。そして、光源1から出射されるレーザー光の強度を、センサ12により検出されたレーザー光の強度だけではなく、当該差を用いることにより高精度に補正することもできる。ここで、反射部材20における照度センサ29は、例えば、検出した照度のデータを露光装置の外部に無線で送信する送信部を含み、リアルタイムで反射部材20における照度を確認できるように構成してもよい。この場合、照度センサ29の出力に応じたタイミングで反射部材20に光を照射する工程を終了し、反射部材20をピン上から搬出するとともに基板をピン上に搬入し、その基板を露光する工程を開始する。また、照度センサ29は、照度の検出により濃度が変化するフィルムを用い、反射部材20を露光装置の外へ搬出した後に、反射部材20における照度を確認できるように構成してもよい。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
Claims (10)
- 基板を保持する保持面を有するチャックと、前記チャックを貫通し、前記保持面の上方で前記基板を支持可能なピンとを有する基板ステージを備える露光装置において前記基板を露光する露光方法であって、
反射部材を前記ピンにより前記保持面の上方で支持し、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態になるように前記基板ステージを制御する制御工程と、
前記状態で前記反射部材に光を照射する照射工程と、
前記照射工程の後に前記基板を露光する露光工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記ピンは、その先端に前記反射部材を吸着するための穴が形成されており、
前記制御工程では、前記反射部材が前記ピン上に配置された後、前記ピンに形成された穴を介して前記反射部材を吸着することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記基板ステージは、前記ピンを支持する第1ステージと、前記第1ステージ上に配置され、前記チャックを支持する第2ステージとを含み、
前記ピンは、前記第2ステージおよび前記チャックを貫通し、
前記制御工程では、前記第1ステージと前記第2ステージとの間の距離を制御して、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態にすることを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。 - 前記第2ステージは、前記保持面と直交する方向に移動可能であり、
前記制御工程では、前記第2ステージを前記保持面と直交する方向に移動させることにより、前記第1ステージと前記第2ステージとの間の距離を制御することを特徴とする請求項3に記載の露光方法。 - 前記第1ステージは、粗動ステージであり、
前記第2ステージは、微動ステージであることを特徴とする請求項3又は4に記載の露光方法。 - 前記反射部材は、反射率が互いに異なる領域を複数含み、
前記照射工程では、前記反射部材に照射される光の照度が変化した場合に、前記複数の領域のうち前記光が照射される領域を当該変化に応じて変更することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の露光方法。 - 前記露光装置は、前記反射部材に照射された光の照度を検出する検出部を含み、
前記照射工程では、前記検出部の出力に基づいて前記変化を確認することを特徴とする請求項6に記載の露光方法。 - 前記露光装置は、前記反射部材に照射される光の照度の変化を検出する検出部を備え、
前記検出部の出力に応じたタイミングで前記照射工程を終了し、前記反射部材を前記ピン上から搬出するとともに前記基板を前記ピン上に搬入し、前記露光工程を開始することを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の露光方法。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する保持面を有するチャックと、前記チャックを貫通し、前記保持面の上方で前記基板を支持可能なピンとを有する基板ステージと、
前記基板ステージを制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記基板を露光する前の準備工程において用いられる反射部材に光を照射する際、前記反射部材を前記ピンにより前記保持面の上方で支持し、前記反射部材と前記保持面とが非接触の状態になるように前記基板ステージを制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項9に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012228445A JP2014082288A (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014082288A true JP2014082288A (ja) | 2014-05-08 |
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ID=50786237
Family Applications (1)
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JP2012228445A Pending JP2014082288A (ja) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111009460A (zh) * | 2018-10-05 | 2020-04-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和检查方法 |
CN111009478A (zh) * | 2018-10-05 | 2020-04-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和检查方法 |
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2012
- 2012-10-15 JP JP2012228445A patent/JP2014082288A/ja active Pending
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