JP2014078572A - 光学素子調整装置、光学装置、並びに露光方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】例えば光の照射に伴って生じる複数の光学素子間の温度変化特性の差、又は一つの光学素子内での温度差を抑制する。
【解決手段】レンズL3の温度変化特性の調整装置28であって、レンズL3を保持するレンズホルダ36Aと、温度制御された液体Coが流れる配管部18Bを収容する温度制御ブロック38A1〜38A4と、レンズホルダ36Aと、温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱伝導の時定数又は熱抵抗を調整するブロック制御装置50A〜50Dと、を備える。
【選択図】図3
【解決手段】レンズL3の温度変化特性の調整装置28であって、レンズL3を保持するレンズホルダ36Aと、温度制御された液体Coが流れる配管部18Bを収容する温度制御ブロック38A1〜38A4と、レンズホルダ36Aと、温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱伝導の時定数又は熱抵抗を調整するブロック制御装置50A〜50Dと、を備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、光学素子の調整技術、この調整技術を用いる光学装置、その調整技術を用いる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
半導体デバイス等の電子デバイス(マイクロデバイス)を生産するためのフォトリソグラフィ工程で用いられる、いわゆるステッパー又はスキャニングステッパーなどの露光装置においては、常に一定の条件下で例えばウエハ(基板又は感応基板)の露光を行うために、露光を行う本体部は、温度制御された清浄な気体が供給される環境チャンバ内に収容されている。さらに、露光光の照射によって投影光学系の光学素子の温度が上昇し、これによって投影光学系の光学性能(収差及び解像度等)が変動するのを抑制するため、投影光学系の鏡筒部には温度制御された液体を循環させる機構が設けられている(例えば特許文献1参照)。
これらの露光装置においては、投影光学系の光学性能を高く維持するとともに、単位時間当たりに処理できるウエハの枚数(スループット)を増加させることも求められている。スループットを向上させる方法の1つに露光光の強度(露光強度)を上昇させる方法がある。この方法を用いることにより、1枚のウエハ当たりの照射時間を短縮することができ、処理速度を向上できる。
しかしながら、1枚のウエハの処理に必要な露光光のエネルギー量及びこれに付随して投影光学系の光学素子に吸収されるエネルギー量は、露光強度に依らずほとんど一定であるため、露光強度を上昇させて単位時間当たりに処理するウエハの枚数を増やすことは、単位時間当たりにその光学素子に吸収されるエネルギー量も増加するという問題をもたらす。
このように光学素子に吸収されるエネルギー量が増加すると、例えば投影光学系の構成や照明条件等に応じて、単に投影光学系の全体を温度制御するのみでは除去できない、複数の光学素子間の温度変化特性の差及び/又は一つの光学素子内での温度分布(最高及び最低温度の差)が所定の許容範囲を超えて大きくなる恐れがある。このような温度変化特性の差及び/又は温度分布は、投影光学系の光学性能(収差等)を理想的な状態から変動させて、露光精度が低下する恐れがある。
本発明の態様は、このような課題に鑑み、例えば光の照射に伴って生じる複数の光学素子間の温度変化特性の差、又は一つの光学素子内での温度差を抑制することを目的とする。
本発明の第1の態様によれば、光学素子の調整装置であって、その光学素子を保持する保持部と、温度制御された被温度制御部と、その保持部の少なくとも一部と、その被温度制御部の少なくとも一部との間の熱伝導の時定数を調整する温度制御部と、を備える光学素子調整装置が提供される。
また、第2の態様によれば、光学素子の調整装置であって、その光学素子を保持する保持部と、温度制御された被温度制御部と、その保持部の少なくとも一部と、その被温度制御部の少なくとも一部との間の熱抵抗を調整する温度制御部と、を備える光学素子調整装置が提供される。
また、第2の態様によれば、光学素子の調整装置であって、その光学素子を保持する保持部と、温度制御された被温度制御部と、その保持部の少なくとも一部と、その被温度制御部の少なくとも一部との間の熱抵抗を調整する温度制御部と、を備える光学素子調整装置が提供される。
また、第3の態様によれば、複数の光学素子を鏡筒で保持する光学装置において、その複数の光学素子のうち少なくとも一つの光学素子を調整するために、第1又は第2の態様の光学素子調整装置を備える光学装置が提供される。
また、第4の様態によれば、照明系からの露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、その照明系及びその投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を調整するために、第1又は第2の態様の光学素子調整装置を備える露光装置が提供される。
また、第4の様態によれば、照明系からの露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、その照明系及びその投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を調整するために、第1又は第2の態様の光学素子調整装置を備える露光装置が提供される。
また、第5の様態によれば、照明系からの露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、その照明系の照明条件を設定し、その設定された照明条件に応じて、その照明系及びその投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を保持する保持部と、該保持部に対応して配置されて温度制御された被温度制御部との間の熱伝導の時定数の分布を調整する露光方法が提供される。
また、第6の態様によれば、照明系からの露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、その照明系及びその投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を通過する光の状態を示す情報に基づいて、その光学素子を保持する保持部の少なくとも一部と、該保持部に対応して配置されて温度制御された被温度制御部の少なくとも一部との間の熱抵抗を調整する露光方法が提供される。
また、第7の態様によれば、第4の態様の露光装置、又は第5若しくは第6の態様の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含む製造方法が提供される。
本発明の態様によれば、光学素子の保持部の少なくとも一部と、被温度制御部の少なくとも一部との間の熱伝導の時定数、又は熱抵抗を調整することによって、例えば光の照射に伴って生じる当該光学素子と他の光学素子との間の温度変化特性の差、又は当該光学素子内での温度差を抑制することができる。
本発明の好ましい実施形態の一例につき図1〜図5(A)を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成を示す。露光装置EXは、スキャニングステッパー(スキャナー)よりなる走査露光型の投影露光装置である。露光装置EXは、投影光学系PLを備えており、以下、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに直交する面(本実施形態ではほぼ水平面に平行な面)内でレチクルRとウエハWとが相対走査される方向にY軸を、Z軸及びY軸に直交する方向にX軸を取って説明する。また、X軸、Y軸、及びZ軸の回りの回転方向をそれぞれθx方向、θy方向、及びθz方向として説明する。
露光装置EXは、露光光(露光用の照明光)ILを発生する光源(不図示)と、その露光光ILでレチクルR(マスク)を照明する照明光学系ILSと、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRSTと、レチクルRから射出された露光光ILにより半導体ウエハ(以下、単にウエハという。)Wの表面にレチクルRのパターンの一部の像を形成する投影光学系PLと、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTと、装置全体の動作を制御するコンピュータよりなる主制御系10と、を備えている。露光装置EXの本体部(露光光ILでレチクルR及び投影光学系PLを介してウエハWを露光する部分)は、温度制御された清浄な気体が供給されている環境チャンバ(不図示)の内部に収容されている。露光光ILとしては一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が使用されているが、露光光ILとしては、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)、固体レーザ(半導体レーザなど)の高調波、又は水銀ランプの輝線なども使用できる。
照明光学系ILSは、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されているように、照明光学系ILSの瞳面における露光光ILの光量分布を円形領域、輪帯状の領域、2極領域、4極領域、又は他の種々の領域で光量(光強度)が大きくなる分布に設定可能な光量分布設定部、露光光ILの光量分布を均一化するオプティカルインテグレータ、視野絞り、及びコンデンサ光学系等を備えている。照明光学系ILSは、その視野絞りで規定されるレチクルRの回路パターンが形成されたパターン面(下面)の例えばX方向に細長い照明領域を均一な照度分布の露光光ILで照明する。
レチクルRはレチクルステージRSTのXY面に平行な上面に真空吸着等により保持され、レチクルステージRSTは、レチクルベース(不図示)の上面で例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系12によって、XY平面内で微少駆動可能であると共に、走査方向(Y方向)に指定された走査速度で駆動可能である。
レチクルステージRSTの移動面内の位置情報(X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含む)は、レチクルステージ駆動系12内のレーザ干渉計によって例えば0.5〜0.1nm程度の分解能で常時検出される。そのレーザ干渉計の計測値は、主制御系10に送られる。主制御系10は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系12を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。
レチクルステージRSTの移動面内の位置情報(X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含む)は、レチクルステージ駆動系12内のレーザ干渉計によって例えば0.5〜0.1nm程度の分解能で常時検出される。そのレーザ干渉計の計測値は、主制御系10に送られる。主制御系10は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系12を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。
また、レチクルステージRSTの下方に配置された投影光学系PLは、鏡筒部30と、鏡筒部30内に所定の位置関係で保持された前群光学系PLA及び後群光学系PLBとを含み、一例として前群光学系PLAと後群光学系PLBとの間に投影光学系PLの瞳面が形成され、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞り(不図示)が配置されている。投影光学系PLは、一例として両側テレセントリックで所定の縮小の投影倍率β(βは例えば1/4、又は1/5倍など)を有する屈折光学系である。照明光学系ILSからの露光光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、レチクルRを通過した露光光ILにより、投影光学系PLを介して照明領域内のレチクルRの回路パターンの縮小像が、ウエハWの一つのショット領域の露光領域(照明領域と共役な領域)に形成される。ウエハWは、シリコン等の半導体からなる直径が200〜450mm程度の円板状の基材の表面にフォトレジスト(感光剤)を所定厚さで塗布した基板を含む。
また、投影光学系PLの前群光学系PLA中の一部のレンズを例えばレンズL1,L2として、後群光学系PLB中の一部のレンズを例えばレンズL3,L4とする。本実施形態のように縮小投影の投影光学系PLにおいては、一般に前群光学系PLA中のレンズL1,L2に比べて、後群光学系PLB中のレンズL3,L4は小型で軽量になる。言い換えると、レンズL1〜L4の硝材の比熱がほぼ同じとすると、レンズL1,L2に比べて、レンズL3,L4は、単位温度(1K)だけ温度を上昇させるのに必要な熱エネルギーである熱容量[J/K]が小さいことになる。
また、レンズL1,L2はリング状のレンズホルダ32A,32Bに保持され、レンズL3,L4はリング状のレンズホルダ36A,36Bに保持され、一例として、レンズホルダ32A,32B,36A,36Bはそれぞれ例えば熱膨張率が小さい金属製の鏡筒部30の内側に固定されている。レンズホルダ32A〜36Bは、例えばチタン、ステンレス、又はアルミニウム系セラミックスのような熱膨張率が小さく熱伝導率の高い材料から形成されている。
さらに、露光光ILの照射エネルギーによる投影光学系PL内の光学素子(レンズL1〜L4等)の温度の上昇を抑制するため、鏡筒部30の内面に、可撓性及びある程度の伸縮性を持ち、熱伝導率の高い例えば合成樹脂製の配管部18Bがほぼ螺旋状に設置され、配管部18Bの上端部及び下端部がそれぞれ供給配管18A及び回収配管18Cを介して液体の循環装置16に連結されている。供給配管18A、配管部18B、及び回収配管18Cから冷却用の液体Coの流路18が形成されている。露光装置EXの稼働時に、主制御系10の制御のもとで、循環装置16は、所定温度に制御された液体Coを所定流量で供給配管18Aを介して配管部18Bに供給し、配管部18B内を流れた液体Coを回収配管18Cを介して回収するという動作を継続して行う。液体Coとしては、純水、フッ素系液体、又は冷媒等が使用可能である。
一例として、レンズL1,L2に関しては、鏡筒部30の内面にレンズホルダ32A,32Bに密着するように、それぞれ配管部18B(液体Co)を収納しているリング状の温度制御ブロック34A,34Bが固定されている。そして、レンズL3,L4に関しては、レンズホルダ36A,36Bと鏡筒部30との間に、それぞれ配管部18B(液体Co)を収納している全体としてほぼリング状の温度制御ブロック38A,38Bが配置されている(詳細後述)。温度制御ブロック34A,34B,38A,38Bも、レンズホルダ32A等と同様の熱膨張率が小さく熱伝導率の高い材料から形成されている。温度制御ブロック34A,34B,38A,38Bとこれらの中の配管部18B(液体Co)との境界部は、熱浴部又は温度一定とみなせる境界ともみなすことができる。
このため、循環装置16から配管部18Bに冷却用の液体Coが供給されている期間では、温度制御ブロック34A,34B及び38A,38Bの温度はほぼその液体Coと同じ温度に維持される。また、露光光ILが照射されていない場合には、レンズL1,L2(レンズホルダ34A,34B)及びレンズL3,L4(レンズホルダ36A,36B)の温度も、それぞれ温度制御ブロック34A,34B,38A,38Bを介してほぼその液体Coと同じ温度に維持される。その後、露光光ILの照射が開始されると、レンズL1,L2の温度は次第にその液体Coの温度(Tiとする)よりも高いある飽和温度Taまで上昇し、同様にレンズL3,L4の温度も次第にその温度Tiよりも高いある飽和温度Tbまで上昇する。なお、レンズL1,L2において露光光ILがある割合で吸収されているため、例えば投影倍率があまり小さくないような条件では、レンズL3,L4に入射する際の露光光ILの単位体積当たりの照射エネルギーはレンズL1,L2に入射する際に比べて必ずしも高いとは限らない。そして、投影光学系PLは、例えば露光光ILの照射エネルギーによる変形(熱変形)によって前群光学系PLAで生じる収差(熱収差)を、同様に熱変形した後群光学系PLBで補償できるように設計及び製造されている。
しかしながら、上述のように本実施形態のレンズL3,L4は、レンズL1,L2に比べて熱容量が小さいため、単に一定の温度に制御された度制御ブロック38A,38B,34A,34Bを介して温度制御を行っていても、レンズL1,L2の温度変化特性(ひいては熱変形の状態)とレンズL3,L4の温度変化特性とが異なっている恐れがある。温度変化特性とは、一例としてレンズ(又はレンズ及びレンズホルダ)の熱伝導に伴う温度変化の時定数である。この温度変化の時定数をτ[sec]、そのレンズの熱容量をCH[J/K]、そのレンズと熱の出入りがある部材との間の熱抵抗をRH[K・sec/J]とすると、所定の比例係数(例えば2π)を除いて次の関係がある。
τ=CH・RH …(1)
従って、仮にそのレンズの熱容量が分かっているときには、温度変化の時定数τと式(1)から熱抵抗RHを算出することができる。
また、レンズL1,L2とレンズL3,L4とで温度変化の時定数が互いに異なっていると、これらのレンズL1〜L4の温度がそれぞれの飽和温度に達するまでの間で、前群光学系PLAで生じる収差を、後群光学系PLBで補償しきれなくなって、投影光学系PLの収差(熱収差)が目標とする範囲から外れる恐れがある。これを防止するためには、投影光学系PLの設計及び製造時に、レンズL1,L2とレンズL3,L4とで温度変化の時定数が一致するようにしておけばよいが、レンズの熱容量や熱抵抗の計算誤差があるとともに、使用するレチクルのパターン(透過率分布)によっても時定数が微妙に変化する恐れもある。
従って、仮にそのレンズの熱容量が分かっているときには、温度変化の時定数τと式(1)から熱抵抗RHを算出することができる。
また、レンズL1,L2とレンズL3,L4とで温度変化の時定数が互いに異なっていると、これらのレンズL1〜L4の温度がそれぞれの飽和温度に達するまでの間で、前群光学系PLAで生じる収差を、後群光学系PLBで補償しきれなくなって、投影光学系PLの収差(熱収差)が目標とする範囲から外れる恐れがある。これを防止するためには、投影光学系PLの設計及び製造時に、レンズL1,L2とレンズL3,L4とで温度変化の時定数が一致するようにしておけばよいが、レンズの熱容量や熱抵抗の計算誤差があるとともに、使用するレチクルのパターン(透過率分布)によっても時定数が微妙に変化する恐れもある。
そこで、本実施形態の投影光学系PLは、レンズL4,L3の温度変化の時定数をレンズL1,L2の温度変化の時定数に所定の許容範囲内で一致させるための調整装置28を備え、露光装置EXは調整装置28の制御等を行う制御部44を備えている。なお、制御部44は、調整装置28の一部とみなすことも可能である。また、説明の便宜上、以下では調整装置28はレンズL3の時定数をレンズL2の時定数(ほぼレンズ1の時定数に等しい)に合わせるものとして説明するが、レンズL4の時定数をレンズL2の時定数に合わせる装置(不図示)も設けられている。調整装置28は、レンズL3を保持するレンズホルダ36A、温度制御ブロック38A、レンズL2のレンズホルダ34B及びレンズホルダ36Aの温度を計測する温度センサ40U,40A、及びレンズホルダ36Aと温度制御ブロック38Aとの間の熱伝導の時定数を調整する調整部42(図1では不図示)を備えている。温度センサ40A,40Uとしては、白金抵抗測温体、サーミスタ、又は熱電対等を使用できる。温度センサ40A,40Uの計測値は制御部44に供給され、制御部44は、主制御系10の制御のもとで、それらの温度の計測値に基づいて調整部42を駆動してレンズL3の時定数又は熱抵抗を制御する(詳細後述)。
また、露光装置EXが、液浸法を適用した露光を行う場合には、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書等に開示されているように、局所液浸機構(不図示)から投影光学系PLの最も像面側(ウエハW側)の光学素子とウエハWとの間に露光光ILを透過する液体が供給される。なお、液浸タイプの露光装置としない場合には、上記の局所液浸機構は設けなくともよい。
また、ウエハステージWSTは、ベース盤WBのXY面に平行な上面に載置され、例えば平面モータ、又は直交する2組のリニアモータを含むウエハステージ駆動系14によってX方向及びY方向等に駆動可能である。ウエハステージWSTの移動面内の位置情報(X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含む)は、ウエハステージ駆動系14内のレーザ干渉計及び/又は回折格子を用いるエンコーダ装置によって例えば0.5〜0.1nm程度の分解能で常時検出される。さらにウエハWの表面のZ位置の分布はオートフォーカスセンサ(不図示)によって計測されている。主制御系10は、それらの計測値に基づいてウエハステージ駆動系14を制御することで、ウエハステージWSTの位置、速度、及びウエハWの高さ等を制御する。さらに、露光装置EXは、レチクルR及びウエハWのアライメントを行うための計測機構及びセンサ(不図示)も備えている。
露光装置EXの露光時には、先ずレチクルR及びウエハWのアライメントが行われる。その後、レチクルRへの露光光ILの照射を開始して、投影光学系PLを介してレチクルRのパターンの一部の像をウエハWの表面の一つのショット領域に投影しつつ、レチクルステージRSTとウエハステージWSTとを投影光学系PLの投影倍率βを速度比としてY方向に同期して移動(同期走査)する走査露光動作によって、そのショット領域にレチクルRのパターン像が転写される。その後、ウエハステージWSTを介してウエハWをX方向、Y方向にステップ移動する動作と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハWの全部のショット領域にレチクルRのパターン像が転写される。
次に、本実施形態の投影光学系PL中のレンズL3の時定数の調整装置28につき詳細に説明する。
図2(A)は図1中のレンズL3及び調整装置28を示す断面図である。図2(A)において、図1の温度制御ブロック38Aは、90°よりも僅かに小さい開き角の円弧状で互いにほぼ等しい形状の4個の温度制御ブロック38A1,38A2,38A3,38A4に分割されている。図2(A)のAA線に沿う断面図である図2(B)に示すように、各温度制御ブロック38A1,38A3はそれぞれ液体Coが流れる配管部18Bを収容する断面形状がコの字型の第1部材46A,46Cと、その配管部18Bを固定するように第1部材46A,46Cに連結された第2部材48A,48Cとを有する。他の温度制御ブロック38A2,38A4も同様に構成されている。また、レンズL3は、レンズホルダ36Aの円筒部36Aa内で例えば周囲の3箇所で支持され、固定リング37Aで固定されている。レンズホルダ36Aの外周部は投影光学系PLの鏡筒部30の内面に固定されている。レンズホルダ36AのレンズL3に近い位置に温度センサ40Aが固定され、温度センサ40Aの計測値が制御部44に供給されている。
図2(A)は図1中のレンズL3及び調整装置28を示す断面図である。図2(A)において、図1の温度制御ブロック38Aは、90°よりも僅かに小さい開き角の円弧状で互いにほぼ等しい形状の4個の温度制御ブロック38A1,38A2,38A3,38A4に分割されている。図2(A)のAA線に沿う断面図である図2(B)に示すように、各温度制御ブロック38A1,38A3はそれぞれ液体Coが流れる配管部18Bを収容する断面形状がコの字型の第1部材46A,46Cと、その配管部18Bを固定するように第1部材46A,46Cに連結された第2部材48A,48Cとを有する。他の温度制御ブロック38A2,38A4も同様に構成されている。また、レンズL3は、レンズホルダ36Aの円筒部36Aa内で例えば周囲の3箇所で支持され、固定リング37Aで固定されている。レンズホルダ36Aの外周部は投影光学系PLの鏡筒部30の内面に固定されている。レンズホルダ36AのレンズL3に近い位置に温度センサ40Aが固定され、温度センサ40Aの計測値が制御部44に供給されている。
そして、4個の温度制御ブロック38A1〜38A4は、レンズホルダ36Aの円筒部36Aaを囲むように、ほぼ等間隔で可撓性及びある程度の伸縮性を持つ配管部18Bによって連結されている。すなわち、配管部18Bは、図1のレンズL2に対応する温度制御ブロック34Bの内部を通り、図2(A)の温度制御ブロック38A1の上端部の開口部19Aから順次、温度制御ブロック38A1,38A4,38A3,38A2の内部を通り、温度制御ブロック38A2の下端部の開口部19Bを通って図1のレンズL4に対応する温度制御ブロック38B側に引き回されている。
また、図2(A)に示すように、一例として、鏡筒部30の外面に固定された本体部51Aと、本体部51Aに対して出し入れされるように駆動される直動型のスピンドル51Bとから、例えば電動式のデジタルマイクロメータのようなブロック制御装置50Aが構成されている。スピンドル51Bの先端部は温度制御ブロック38A1の外面に固定され、ブロック制御装置50Aで温度制御ブロック38A1のレンズL3の半径方向の位置を制御することで、温度制御ブロック38A1とレンズホルダ36Aの円筒部36Aaとのギャップg1を調整することができる。そして、ギャップg1を調整することで、レンズL3と温度制御ブロック38A1との間の熱抵抗を調整でき、ひいてはレンズL3の温度変化の時定数を調整できる。例えばギャップg1を大きくすると、熱抵抗が大きくなるため、式(1)から温度変化の時定数も大きくなる。これに対して、ギャップg1を小さくすると、熱抵抗が小さくなるため、温度変化の時定数も小さくなる。なお、以下では温度制御ブロック38A1等と円筒部36Aaとのギャップを単に温度制御ブロック38A1等とレンズホルダ36Aとのギャップ(間隙又は間隔)という。
図2(A)において、他の温度制御ブロック38A2,38A3,38A4に対してもそれぞれブロック制御装置50Aと同様に、温度制御ブロック38A2〜38A4とレンズホルダ36Aとのギャップg2,g3,g4を調整し、ひいてはレンズL3の温度変化の時定数(熱抵抗)を調整するブロック制御装置50B,50C,50Dが設けられている。ブロック制御装置50A〜50Dから図1の調整部42が構成されている。ブロック制御装置50A〜50Dにはそれぞれ温度制御ブロック38A1〜38A4の駆動量(ひいてはギャップg1〜g4)を計測可能な例えばアブソリュート型のエンコーダが内蔵され、その駆動量の計測値が図1の制御部44に供給されている。制御部44は、その計測値に基づいてブロック制御装置50A〜50Dの駆動量を制御する。本実施形態の調整装置28は、一例として温度制御ブロック38A1〜38A4を、レンズホルダ36Aとのギャップg1〜g4が同じ状態で(g1=g2=g3=g4)ほぼ一体的に駆動する。これによって、レンズL3の温度変化の時定数(ひいては熱抵抗)はレンズL3全体としてほぼ均一に調整される。
次に、本実施形態の露光装置EXにおいて、調整装置28を用いてレンズL3の温度変化特性(時定数)を調整する動作の一例につき図5(A)のフローチャートを参照して説明する。この動作は主制御系10によって制御される。
まず、図5(A)のステップ102において、図1の露光装置EXの循環装置16によって投影光学系PL内の配管部18Bに対する温度制御された液体Coの循環を開始する。そして、露光対象の実デバイス用の回路パターンが形成されたレチクルRをレチクルステージRSTにロードする(ステップ104)。さらに、温度センサ40UによるレンズL2のレンズホルダ32B(第1のレンズホルダ)の温度T1の計測、及び温度センサ40AによるレンズL3のレンズホルダ36A(第2のレンズホルダ)の温度T2の計測を開始し、計測値を所定のサンプリングレートで制御部44に取り込む(ステップ106)。そして、照明光学系ILSからレチクルRに対する露光光ILの照射を開始する(ステップ108)。これにより、レチクルRを通過した露光光ILが投影光学系PLを通過する。
まず、図5(A)のステップ102において、図1の露光装置EXの循環装置16によって投影光学系PL内の配管部18Bに対する温度制御された液体Coの循環を開始する。そして、露光対象の実デバイス用の回路パターンが形成されたレチクルRをレチクルステージRSTにロードする(ステップ104)。さらに、温度センサ40UによるレンズL2のレンズホルダ32B(第1のレンズホルダ)の温度T1の計測、及び温度センサ40AによるレンズL3のレンズホルダ36A(第2のレンズホルダ)の温度T2の計測を開始し、計測値を所定のサンプリングレートで制御部44に取り込む(ステップ106)。そして、照明光学系ILSからレチクルRに対する露光光ILの照射を開始する(ステップ108)。これにより、レチクルRを通過した露光光ILが投影光学系PLを通過する。
その後、制御部44では、例えば2つの時点での温度T1,T2の計測値からレンズL2及びL3の温度変化の時定数τ1,τ2を算出する(ステップ110)。なお、例えば3つ以上の時点での温度の計測値からその時定数を算出してもよい。
例えば、レンズL2の温度T1が初期値Tiから飽和温度Taに向かって図3(B)の曲線A1のように変化し、レンズL3の温度T2が初期値Tiから飽和温度Tbに向かって曲線A3のように変化するものとする。なお、曲線A2は、レンズL3の温度T2の時定数が温度T1の時定数と同じ場合の温度T2の変化を表している。図3(B)の横軸は露光光ILの照射開始からの経過時間tであり、縦軸は温度Tである。この場合、曲線A1,A2の温度T1,T2は時定数τ1,τ2を用いて次のように表すことができる。
例えば、レンズL2の温度T1が初期値Tiから飽和温度Taに向かって図3(B)の曲線A1のように変化し、レンズL3の温度T2が初期値Tiから飽和温度Tbに向かって曲線A3のように変化するものとする。なお、曲線A2は、レンズL3の温度T2の時定数が温度T1の時定数と同じ場合の温度T2の変化を表している。図3(B)の横軸は露光光ILの照射開始からの経過時間tであり、縦軸は温度Tである。この場合、曲線A1,A2の温度T1,T2は時定数τ1,τ2を用いて次のように表すことができる。
T1=Ti+(Ta−Ti){1−exp(−t/τ1)} …(2)
T2=Ti+(Tb−Ti){1−exp(−t/τ2)} …(3)
このとき、温度の初期値Tiは既知の値であり、例えば時間tが0及びt1のときの温度T1,T2の計測値から、制御部44は、式(2)中のレンズL2の時定数τ1及び飽和温度Taと、式(3)中のレンズL3の時定数τ2及び飽和温度Tbとを算出できる。
T2=Ti+(Tb−Ti){1−exp(−t/τ2)} …(3)
このとき、温度の初期値Tiは既知の値であり、例えば時間tが0及びt1のときの温度T1,T2の計測値から、制御部44は、式(2)中のレンズL2の時定数τ1及び飽和温度Taと、式(3)中のレンズL3の時定数τ2及び飽和温度Tbとを算出できる。
そして、制御部44は、レンズL3の時定数τ2がレンズL2の時定数τ1に対して予め定められている許容範囲内で一致するかどうかを判定する(ステップ112)。ここでは時定数τ2が時定数τ1に対してその許容範囲内で一致していないとすると、動作はステップ114に移行して、制御部44は、時定数τ2を時定数τ1に近づけるように、図3(A)に示すように、ブロック制御装置50A〜50Dを同時に駆動して、レンズL3のレンズホルダ36Aと温度制御ブロック38A1〜38A4とのギャップを調整する。その後、動作はステップ110に戻り、制御部44は、例えば時間tがt1及びt2(>t1)のときの温度T2の計測値から、式(3)中のレンズL3の時定数τ2及び飽和温度Tbを算出する。なお、レンズL2の時定数τ1及び飽和温度Taは変化しないため、再度計測する必要はない。
その後、制御部44は、再びレンズL3の時定数τ2がレンズL2の時定数τ1にその許容範囲内で一致するかどうかを判定する(ステップ112)。このようにステップ114及び110の動作を繰り返すことで、図3(B)の曲線A3で示すように、レンズL3の時定数τ2がレンズL2の時定数τ1にその許容範囲内で一致するようになる。このときに、動作はステップ112からステップ116に移行して、照明光学系ILSからの露光光ILの照射が停止され、制御部44は、このときのレンズホルダ36Aと温度制御ブロック38A1〜38A4とのギャップ(gR1とする。)を内部の記憶装置に記憶し、時定数(ひいては熱抵抗)の調整が終了したことを主制御系10に知らせる。この後、露光装置EXでは、主制御系10の制御のもとで、所定ロット数のウエハに対して順次、レチクルRのパターンの像の走査露光が行われる(ステップ118)。
この露光中に、露光光ILの照射エネルギーによって、投影光学系PLの前群光学系PLAのレンズL1,L2が図4(A)の点線の曲線L2Aのように変形すると、ほぼ同じ時定数で前群光学系PLAのレンズL3,L4が曲線L3Aのように変形する。また、レンズL1,L2の温度が上昇してレンズL1,L2の屈折率が大きくなり、前群光学系PLAで露光光ILが大きく曲げられるようになったとしても、レンズL3,L4の温度も上昇してレンズL3,L4の屈折率も大きくなり、後群光学系PLBでも露光光ILが大きく曲げられるため、投影光学系PL全体としての収差は良好な状態に維持される。すなわち、露光開始後の経過時間tに応じて、前群光学系PLAの収差Disが図4(C)の曲線A11のように次第にある飽和値に近づいても、後群光学系PLBの収差Disは曲線A12のように曲線A11とほぼ逆の特性で変化するため、投影光学系PL全体としての収差Dis(曲線A13で表される曲線A11,A12間の残差)はほぼ0である。従って、露光開始直後からレンズL2,L3の温度がそれぞれの飽和温度になるまでの期間でも、投影光学系PLの収差がほぼ0であり、レチクルRのパターンの像を高精度にウエハWに露光できる。
これに対して、例えばレンズL3の時定数がレンズL2の時定数より許容範囲を超えて小さい場合、露光光ILの照射エネルギーによって、図4(B)の点線の曲線L3Bで示すように、レンズL1,L2に比べてレンズL3,L4の温度が高くなり変形量も大きくなる。そして、レンズL3,L4の屈折率が大きくなり、後群光学系PLBで露光光ILが大きく曲げられるため、投影光学系PL全体としての収差が大きくなる。すなわち、経過時間tに応じて、前群光学系PLAの収差Disが図4(D)の曲線B1のように変化すると、後群光学系PLBの収差Disは曲線B2のように急激に変化するため、投影光学系PL全体としての収差Dis(曲線B3で表される残差)は大きくなる。従って、露光開始直後からレンズL2,L3の温度がそれぞれの飽和温度になるまでの期間で、投影光学系PLの収差が許容範囲から外れる恐れがある。
その後、別のレチクルのパターンを露光する場合には、例えばステップ102〜114の動作を実行することで、そのレチクルに応じて投影光学系PL内のレンズL3の時定数をレンズL2に合わせるようにしてもよい。そして、再びレチクルRのパターンを露光する場合には、調整装置28の温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Aとのギャップを制御部44に記憶されているギャップgR1に設定することによって、調整工程を行うことなく、投影光学系PLの収差を抑制してレチクルRのパターンを露光できる。
本実施形態の効果等は以下の通りである。
本実施形態の露光装置EXは投影光学系PLを備え、投影光学系PLは、レンズL3(光学素子)の温度変化特性としての熱伝導の時定数の調整を行う調整装置28を備えている。そして、調整装置28は、レンズL3を保持するレンズホルダ36A(保持部)と、温度制御された液体Coが流れる配管部18Bを収容する温度制御ブロック38A1〜38A4(被温度制御部)と、レンズホルダ36Aと温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱伝導の時定数を調整するブロック制御装置50A〜50D(温度制御部)と、を備えている。
本実施形態の露光装置EXは投影光学系PLを備え、投影光学系PLは、レンズL3(光学素子)の温度変化特性としての熱伝導の時定数の調整を行う調整装置28を備えている。そして、調整装置28は、レンズL3を保持するレンズホルダ36A(保持部)と、温度制御された液体Coが流れる配管部18Bを収容する温度制御ブロック38A1〜38A4(被温度制御部)と、レンズホルダ36Aと温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱伝導の時定数を調整するブロック制御装置50A〜50D(温度制御部)と、を備えている。
また、式(1)から熱伝導の時定数τは熱抵抗RHの関数であるため、ブロック制御装置50A〜50Dは、レンズホルダ36Aと、温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱抵抗を調整する温度制御部とみなすこともできる。
本実施形態によれば、レンズL3の時定数を例えば投影光学系PL内の別のレンズL2の時定数に対して許容範囲内で一致させることによって、露光光ILの照射エネルギーによって生じる2つのレンズL2,L3間の温度変化特性の差(ここでは時定数の差)を小さくすることができ、投影光学系PLの収差を小さくでき、解像度を向上できる。
本実施形態によれば、レンズL3の時定数を例えば投影光学系PL内の別のレンズL2の時定数に対して許容範囲内で一致させることによって、露光光ILの照射エネルギーによって生じる2つのレンズL2,L3間の温度変化特性の差(ここでは時定数の差)を小さくすることができ、投影光学系PLの収差を小さくでき、解像度を向上できる。
また、本実施形態の投影光学系PLは、複数のレンズL1〜L4を鏡筒部30で保持する光学装置であって、その複数のレンズのうちレンズL3の時定数(ひいては熱抵抗)を調整するために、その調整装置28を備えている。本実施形態の投影光学系PL及び露光装置EXによれば、調整装置28によって投影光学系PLの収差を小さくできるため、レチクルRのパターンの像を高精度にウエハWに露光できる。
また、本実施形態の露光装置EXによる露光方法は、投影光学系PL中のレンズL3を通過する露光光ILの状態を示す情報であるレンズホルダ36Aの温度を温度センサ40Aで計測し(ステップ106)、この計測結果から算出される時定数に基づいて、レンズL3のレンズホルダ36Aとこれに対応して配置された温度制御ブロック38A1〜38A4との間の時定数(ひいては熱抵抗)を調整している(ステップ114)。この露光方法によれば、実際の露光光ILの情報に基づいてレンズL3と温度制御ブロック38A1〜38A4との間の熱抵抗を高精度に調整できる。
また、上記の調整動作では、レンズL3の温度変化の時定数(熱抵抗)を調整しているが、レンズL3の飽和温度Tbを調整したい場合には、調整装置28の製造段階で、図2(A)の温度制御ブロック38A1〜38A4のレンズホルダ36Aの円筒部36Aaに対向する部分のコーティング膜の材料や厚さを調整しておいてもよい。
なお、上記の実施形態では以下のような変形が可能である。上記の実施形態では、温度制御ブロック38Aを4つのブロック38A1〜38A4に分割しているが、分割数は任意であり、例えば温度制御ブロック38Aを2分割して、2分割された部分とレンズホルダ36Aとのギャップを調整するようにしてもよい。
なお、上記の実施形態では以下のような変形が可能である。上記の実施形態では、温度制御ブロック38Aを4つのブロック38A1〜38A4に分割しているが、分割数は任意であり、例えば温度制御ブロック38Aを2分割して、2分割された部分とレンズホルダ36Aとのギャップを調整するようにしてもよい。
また、液体Coが流れる配管部18Bは鏡筒部30内に螺旋状に配置されているが、液体Coが流れる複数の配管部を鏡筒部30内に光軸AXに沿ってほぼ平行に配置するようにしてもよい。
また、上記の実施形態では、レンズL3の時定数(熱抵抗)を調整するために、温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Aとのギャップを調整しているが、図6(A)の変形例の調整装置28Aで示すように、温度制御ブロック38A1,38A3等とレンズホルダ36Aとの光軸AX方向の相対的な位置ずれ量(ひいては対向している部分の面積)を調整してもよい。
また、上記の実施形態では、レンズL3の時定数(熱抵抗)を調整するために、温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Aとのギャップを調整しているが、図6(A)の変形例の調整装置28Aで示すように、温度制御ブロック38A1,38A3等とレンズホルダ36Aとの光軸AX方向の相対的な位置ずれ量(ひいては対向している部分の面積)を調整してもよい。
図6(A)において、鏡筒部30の内面に固定されたベース部53Aと、ベース部53Aに対してZ方向にスライドするように駆動される可動部53Bとから、例えば超音波モータ方式のブロック制御装置52Aが構成されている。可動部53Bは温度制御ブロック38A1に連結されており、可動部53Bを介して温度制御ブロック38A1をZ方向に変位させることによって、温度制御ブロック38A1とレンズL3のレンズホルダ36Aの円筒部との対向部の面積を変化させて、レンズL3の温度変化の時定数、ひいては熱抵抗を制御できる。同様に、温度制御ブロック38A3及び他の温度制御ブロック(不図示)もブロック制御装置52Aと同様のブロック制御装置52C等によって、Z方向に変位させることができる。調整装置28Aを用いても、レンズL3の時定数(熱抵抗)を容易に調整できる。さらに、調整装置28Aは、ブロック制御装置52A等をコンパクトにまとめることができ、調整装置28Aを小型化できる。
なお、図2(A)の実施形態のブロック制御装置50A〜50Dの駆動による温度制御ブロック38A1〜38A4の半径方向(レンズL3の半径方向)の位置調整と、この変形例のブロック制御装置52A,52C等による温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Aの円筒部との対向部の面積変化とを組み合わせて、レンズL3の時定数(熱抵抗)を調整することもできる。このように温度制御ブロック38A1〜38A4を2次元的に移動することで、調整装置の設計の自由度を向上させながら、より詳細に(高精度に)時定数又は熱抵抗を制御することができる。
次に、実施形態の他の例につき図6(B)を参照して説明する。本実施形態は、反射屈折光学系よりなる投影光学系(PLAとする)を備えた露光装置において、投影光学系PLA中の凹面鏡(不図示)の上流又は下流にあるレンズL5の時定数(熱抵抗)を調整するものである。以下、図6(B)において、図2(A)に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図6(B)は、本実施形態のレンズL5の時定数(熱抵抗)の調整装置28Bを示す。図6(B)において、レンズL5は、凹面鏡(不図示)の上流又は下流にあり、レンズL5を通過する露光光ILの照射領域56は、光軸AXに対して偏心した領域(回転非対称な領域)となることがある。このため、露光を継続すると、露光光ILの照射エネルギーの分布によってレンズL5が回転非対称な形状に変形し、その後の光学系では補償ができにくい収差が発生する恐れがある。そこで、本実施形態の調整装置28Bは、レンズL5の温度分布を調整するために、レンズL5の時定数(熱抵抗)の分布を調整する。
調整装置28Bは、レンズL5を保持するリング状のレンズホルダ36Cと、レンズホルダ36Cを囲むように配置されて内部に液体Coが流れる配管部18Bを収納する温度制御ブロック38A1〜38A4と、投影光学系PLAの鏡筒部30Aに固定されて、温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Cとのギャップを互いに独立に調整するブロック制御装置50A〜50Dと、ブロック制御装置50A〜50Dに対応してレンズホルダ36Cの裏面に固定された温度センサ40A〜40Dとを備えている。レンズホルダ36Cは鏡筒部30Aに固定されている。温度センサ40A〜40Dの計測値が制御部(不図示)に供給され、この制御部は一例としてそれらの計測値に基づいてブロック制御装置50A〜50Dを介して温度制御ブロック38A1〜38A4とレンズホルダ36Cとのギャップを調整する。
また、図6(B)のレンズL5の照射領域56は、一例として温度制御ブロック38A2,38A3の境界部に近接した領域であるとする。この場合、露光を継続すると、温度センサ40B,40Cで計測されるレンズホルダ36Cの温度が温度センサ40A,40Dの計測値よりも高くなる。そこで、その制御部は、温度センサ40B,40Cで計測される温度が低くなるように、すなわち温度制御ブロック38A2,38A3とレンズホルダ36C(レンズL5)との間の熱抵抗を小さくして、温度変化の時定数が部分的に小さくなるように、ブロック制御装置50B,50Cを介して温度制御ブロック38A2,38A3とレンズホルダ36Cとのギャップを温度制御ブロック38A1,38A4とレンズホルダ36Cとのギャップよりも小さくする。そして、この動作を温度センサ40B,40Cで計測される温度が温度センサ40A,40Dの計測値にほぼ一致するまで続けることによって、レンズL5の温度分布はほぼ回転対称になり、発生する収差も後の光学系で容易に補償することができる。従って、反射屈折光学系よりなる投影光学系PLAを使用する場合でも、投影光学系PLAの光学性能を高く維持できる。
なお、本実施形態でもブロック制御装置50A等の代わりに図6(A)のスライド式のブロック制御装置52A等を使用してもよい。また、レンズL5の代わりに、又はレンズL5の時定数(熱抵抗)の調整とともに、凹面鏡(不図示の反射部材)の時定数(熱抵抗)を調整するために調整装置28Bと同様の調整装置を使用してもよい。
次に、実施形態のさらに別の例につき図7を参照して説明する。本実施形態は、屈折光学系又は反射屈折光学系よりなる投影光学系(PLAとする)を備えた露光装置において、投影光学系PLAの瞳面、この面と共役な面、又はこれらの面(以下、瞳面等という。)の近傍に配置されたレンズL6の時定数(熱抵抗)の分布を調整するものである。以下、図7において、図2(A)に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
次に、実施形態のさらに別の例につき図7を参照して説明する。本実施形態は、屈折光学系又は反射屈折光学系よりなる投影光学系(PLAとする)を備えた露光装置において、投影光学系PLAの瞳面、この面と共役な面、又はこれらの面(以下、瞳面等という。)の近傍に配置されたレンズL6の時定数(熱抵抗)の分布を調整するものである。以下、図7において、図2(A)に対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
図7は、本実施形態のレンズL6の時定数(熱抵抗)の調整装置28Cを示す。図7において、レンズL6は、投影光学系PLAの瞳面等に配置されているため、例えば照明条件が4極照明である場合には、レンズL6を通過する露光光ILの照射領域は、例えば光軸AXを挟むようにX方向及びY方向に配置された4つの偏心した領域58A〜58Dとなる。このため、露光を継続すると、露光光ILの照射エネルギーの分布によってレンズL6のX方向及びY方向の両端部の温度が高くなり、それらの間の温度が低くなり、レンズL6が複雑な形状に変形し、その後の光学系では補償ができにくい高次の収差が発生する恐れがある。そこで、本実施形態の調整装置28Cは、レンズL6の温度分布を調整するために、レンズL6の時定数(熱抵抗)の分布を調整する。
調整装置28Cは、レンズL6を保持するリング状のレンズホルダ36Dと、レンズホルダ36Dを囲むように配置されて内部に液体Coが流れる配管部18Bを収納する例えば8個のほぼ同一形状の温度制御ブロック54A〜54Hと、投影光学系PLAの鏡筒部30Aに固定されて、温度制御ブロック54A〜54Hとレンズホルダ36Dとのギャップを互いに独立に調整するブロック制御装置50A〜50Hと、ブロック制御装置50A〜50Hに対応してレンズホルダ36Dの裏面に固定された温度センサ40A〜40Hとを備えている。レンズホルダ36Dは鏡筒部30Aに固定されている。温度制御ブロック54A〜54Hは、それぞれ図2(A)の温度制御ブロック38A1等を円周方向に2分割したものであり、温度制御ブロック54B,54Cに配管部18Bを通す開口部19A,19Bが設けられている。温度センサ40A〜40Hの計測値が制御部(不図示)に供給され、この制御部は一例としてそれらの計測値に基づいてブロック制御装置50A〜50Gを介して温度制御ブロック54A〜54Hとレンズホルダ36Cとのギャップを調整する。
本実施形態の調整動作の一例につき図5(B)のフローチャートを参照して説明する。まず、露光装置(不図示)のレチクルステージに露光対象のレチクル(不図示)がロードされ(ステップ122)、照明光学系の照明条件が、レンズL6上で例えば図7の領域58A〜58Dで光強度が高くなる4極照明に設定される(ステップ124)。このとき、調整装置28Cの制御部(不図示)は、予め領域58A〜58DでのレンズL6の温度を低くするように、ブロック制御装置50D,50B,50H,50Fを介して領域58A〜58Dに近い位置にある温度制御ブロック54D,54B,54H,54Dとレンズホルダ36Dとのギャップを小さく設定し、時定数(熱抵抗)を小さくする。
この状態で露光光ILの照射を開始してレチクルのパターンの像を投影光学系PLAを介してウエハに露光する(ステップ128)。この際に、レンズL6の熱変形が少ないため、投影光学系PLの収差変動が小さく、レチクルのパターンを高精度にウエハに露光できる。
また、本実施形態において、露光中に温度センサ40A〜40Hを介して調整装置28Cの制御部でレンズホルダ36Dの温度分布をモニタしていてもよい。そして、その温度分布が許容範囲を超えて変動している場合には、温度が高い部分の温度制御ブロック54A〜54Hとレンズホルダ36Dとのギャップを小さくしてもよい。これによって、レンズL6の温度分布をより均一にして、より高精度に露光を行うことができる。
また、本実施形態において、露光中に温度センサ40A〜40Hを介して調整装置28Cの制御部でレンズホルダ36Dの温度分布をモニタしていてもよい。そして、その温度分布が許容範囲を超えて変動している場合には、温度が高い部分の温度制御ブロック54A〜54Hとレンズホルダ36Dとのギャップを小さくしてもよい。これによって、レンズL6の温度分布をより均一にして、より高精度に露光を行うことができる。
なお、上記の各実施形態では、光学素子(レンズL3等)の温度変化又は熱伝導の時定数τを調整するために、実質的に熱抵抗RHを調整している。
これに関して、式(1)によれば、時定数τを調整するには、光学素子の熱容量CHを制御してもよい。そこで、光学素子が例えばレンズである場合、レンズの大きさを実際に使うレンズ領域よりも大きめに作っておくことで、レンズの熱容量を調整してもよい。さらに、レンズの周りに別素材の材料を付けて、レンズの熱容量を調整してもよい。
これに関して、式(1)によれば、時定数τを調整するには、光学素子の熱容量CHを制御してもよい。そこで、光学素子が例えばレンズである場合、レンズの大きさを実際に使うレンズ領域よりも大きめに作っておくことで、レンズの熱容量を調整してもよい。さらに、レンズの周りに別素材の材料を付けて、レンズの熱容量を調整してもよい。
なお、上記の各実施形態では、温度センサ40A〜40Hによるレンズホルダ36A,36C,36Dの温度の計測値に基づいて、ブロック制御装置50A〜50H(及び/又は52A,52C)を介して温度制御ブロック38A1〜38A4,54A〜54Hと、レンズホルダ36A,36C,36Dとのギャップ(及び/又は対向部の面積)を調整している。この他の例として、例えば投影光学系PL内の配管部18B内の液体Co(例えば冷媒)の温度を複数の位置で計測する温度センサを設け、これによって計測される液体Coの温度に基づいてそのギャップ(及び/又は対向部の面積)を調整することもできる。また、例えば図7の例では、時定数(熱抵抗)の調整対象のレンズL6自体の温度又は温度分布を計測する一つ又は複数の温度センサ(又は非接触で温度分布を計測する赤外線センサ等の放射温度計)を設け、この温度センサによって計測されるレンズL6自体の温度又は温度分布に基づいてそのギャップ(及び/又は対向部の面積)を調整することもできる。
また、上記の実施形態の露光装置EX又は露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図8に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたレチクル(マスク)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光装置(露光方法)によりレチクルのパターンを基板(感光基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施例の露光装置EX(露光方法)を用いてレチクルのパターンの像を基板(ウエハ)に転写し、その基板を現像するリソグラフィ工程と、そのパターンの像が転写されたその基板をそのパターンの像に基づいて加工する工程(ステップ224のエッチング等)とを含んでいる。この際に、上記の実施形態によれば、投影光学系PL等の収差(熱収差)を抑制できるため、電子デバイスを高精度に製造できる。
なお、上記の実施形態の調整装置28〜28Cは、投影光学系中の光学素子の調整を行う場合だけではなく、例えば照明光学系ILS中の光学素子の温度変化の時定数又は熱抵抗を調整する場合にも適用することができる。
また、本発明は、上述の走査露光型の投影露光装置(スキャナ)の他に、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ等)にも適用できる。
また、本発明は、上述の走査露光型の投影露光装置(スキャナ)の他に、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ等)にも適用できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグフィ工程を用いて製造する際の、露光装置にも適用することができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
EX…露光装置、R…レチクル、W…ウエハ、ILS…照明系、PL…投影光学系、Co…冷却用の液体、L3…レンズ、16…液体の循環装置、18B…配管部、28…レンズの調整装置、30…鏡筒部、36A…レンズホルダ、38A1〜38A4…温度制御ブロック、40A…温度センサ、44…調整装置の制御部、50A〜50D…ブロック制御装置
Claims (16)
- 光学素子の調整装置であって、
前記光学素子を保持する保持部と、
温度制御された被温度制御部と、
前記保持部の少なくとも一部と、前記被温度制御部の少なくとも一部との間の熱伝導の時定数を調整する温度制御部と、
を備えることを特徴とする光学素子調整装置。 - 光学素子の調整装置であって、
前記光学素子を保持する保持部と、
温度制御された被温度制御部と、
前記保持部の少なくとも一部と、前記被温度制御部の少なくとも一部との間の熱抵抗を調整する温度制御部と、
を備えることを特徴とする光学素子調整装置。 - 前記温度制御部は、前記保持部の少なくとも一部と前記被温度制御部の少なくとも一部との間の位置関係を調整することを特徴とする請求項2に記載の光学素子調整装置。
- 前記温度制御部は、前記保持部の少なくとも一部と前記被温度制御部の少なくとも一部との前記光学素子の光軸を横切る面内における間隔を調整することを特徴とする請求項2又は3に記載の光学素子調整装置。
- 前記温度制御部は、前記保持部の少なくとも一部と前記被温度制御部の少なくとも一部との前記光学素子の光軸方向における相対的な位置ずれ量を調整することを特徴とする請求項2又は3に記載の光学素子調整装置。
- 複数の光学素子を鏡筒で保持する光学装置において、
前記複数の光学素子のうち少なくとも一つの光学素子を調整するために、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学素子調整装置を備えることを特徴とする光学装置。 - 前記光学素子調整装置で調整される光学素子は、前記光学装置の瞳面又はこの近傍に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の光学装置。
- 前記複数の光学素子は、凹面反射鏡を含み、
前記光学素子調整装置で調整される光学素子は、前記凹面反射鏡の上流又は下流に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の光学装置。 - 照明系からの露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記照明系及び前記投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を調整するために、請求項1〜5のいずれか一項に記載の光学素子調整装置を備えることを特徴とする露光装置。 - 照明系からの露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
前記照明系の照明条件を設定し、
前記設定された照明条件に応じて、前記照明系及び前記投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を保持する保持部と、該保持部に対応して配置されて温度制御された被温度制御部との間の熱伝導の時定数の分布を調整する、ことを特徴とする露光方法。 - 前記照明系で設定される照明条件は、前記照明系の瞳面における光量分布が回転非対称な分布となる条件であることを特徴とする請求項10に記載の露光方法。
- 照明系からの露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
前記照明系及び前記投影光学系中の少なくとも一つの光学素子を通過する光の状態を示す情報に基づいて、
前記光学素子を保持する保持部の少なくとも一部と、該保持部に対応して配置されて温度制御された被温度制御部の少なくとも一部との間の熱抵抗を調整することを特徴とする露光方法。 - 前記光学素子を通過する光の状態を示す情報は、前記露光光による前記パターンの照明条件及び前記パターンの回折光の分布情報の少なくとも一方に基づいて決定されることを特徴とする請求項12に記載の露光方法。
- 前記光学素子を通過する光の状態を示す情報は、前記露光光を計測する計測器によって計測された情報に基づいて決定されることを特徴とする請求項12に記載の露光方法。
- 請求項9に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。 - 請求項10〜14のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、
を含むデバイス製造方法。
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2012
- 2012-10-09 JP JP2012224626A patent/JP2014078572A/ja active Pending
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