JP2014067974A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】4層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の多層配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板と、この4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層とを有する多層配線基板において、前記4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアと、このスキップビアに接続され導体層bに形成されるダミーランドと、を有する多層配線基板及びその製造方法。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板と、この4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層とを有する多層配線基板において、前記4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアと、このスキップビアに接続され導体層bに形成されるダミーランドと、を有する多層配線基板及びその製造方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、4層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の多層配線基板に関する。
携帯部品をはじめとする多層配線基板では、電子部品の高機能化に伴い、ますます高密度化や低背化が進んでおり、それに伴って導体層と導体層を接続するビアをどの層にでもどの位置にでも、自由に設けることができる任意位置層間接続構造で、かつ総板厚の薄い配線基板が求められる。
この構造の配線基板を製造するには、全層同じ位置にビアが1列に並ぶフルスタック構造の実現と、コア層もビルドアップ材を使用することが必要であり、そのため製品となる多層配線基板自体を構成するコア材を用いず、ダミーのコア材(製造プロセスでのみ使用され、製品となる多層配線基板自体は構成しない支持基板をいう。以下、「ダミーコア」ということがある。)の上に、1層ずつ多層化するコアレス工法でかつビルドアップ工法が従来から用いられてきた(特許文献1)。なお、このような、製品となる多層配線基板自体を構成するコア材を有しない多層配線基板を、以下、「コアレスビルドアップ配線基板」といい、その工法を、以下、「コアレスビルドアップ工法」ということがある。
特許文献1のようなコアレスビルドアップ工法は、導体層間を接続するビアを、どの導体層間のどの位置にでも、自由に設けることができる任意位置層間接続構造で、かつ総板厚の薄い配線基板を製造するのに適していることから、従来より用いられているが、1層ずつ多層化、ビア形成、回路形成を行うため、工程がとても長く、リードタイムがかかり製造コストも高価となっている。
電子部品は高機能化し部品数が増える一方、携帯電話などの最終製品は低価格が求められるため、部品数が増えた分、1部品あたりのコストダウン要求は大きく、高密度かつ安価な配線基板が求められるため、高価なコアレスビルドアップ配線基板では市場のコスト要求に合わなくなってきているのが現状である。
一方で、4層シールド板を出発材料とする多層配線基板は、比較的安いコストで製造することができるが、任意位置にビアを形成するのが難しいという問題がある。
本発明は、4層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の配線基板及びその製造方法を提供する。
本発明は、以下に関する。
1. 絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板と、この4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層とを有する多層配線基板において、前記4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアと、このスキップビアに接続され導体層bに形成されるダミーランドと、を有する多層配線基板。
2. 項1において、4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアの導体層b−c間に形成されたダミービアを有する多層配線基板。
3. 項1又は2の多層配線基板の製造方法であって、絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置し、前記導体層bにダミーランドを有する4層コア基板を形成する工程(A)と、前記導体層bに形成したダミーランドに接続するように、前記4層コア基板のb−d層間にスキップビアを形成する工程(B)と、前記4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程(C)と、を有する多層配線基板の製造方法。
1. 絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板と、この4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層とを有する多層配線基板において、前記4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアと、このスキップビアに接続され導体層bに形成されるダミーランドと、を有する多層配線基板。
2. 項1において、4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアの導体層b−c間に形成されたダミービアを有する多層配線基板。
3. 項1又は2の多層配線基板の製造方法であって、絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置し、前記導体層bにダミーランドを有する4層コア基板を形成する工程(A)と、前記導体層bに形成したダミーランドに接続するように、前記4層コア基板のb−d層間にスキップビアを形成する工程(B)と、前記4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程(C)と、を有する多層配線基板の製造方法。
本発明によれば、4層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の配線基板及びその製造方法を提供することができる。
本発明の実施の形態に係る多層配線基板について、以下、図1を用いて説明する。
図1に示すように、本発明の実施の形態に係る多層配線基板は、絶縁層5を介して4層の導体層6b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板4と、この4層コア基板4上に絶縁層5を介して配置される導体層6とを有する多層配線基板において、前記4層コア基板4の導体層6b−d間に形成されたスキップビア3と、このスキップビア3に接続され導体層6bに形成されるダミーランド10と、を有する。なお、図1の右側に付した記号a〜fは、導体層6を区別するためのものである(以下の図面でも、同様。)。
4層コア基板とは、4層構造で内層に導体層のある銅張積層板のことを言い、どの導体層にも層間接続ビア(以下、単に「ビア」ということがある。)がないものをいう。表面銅箔は、後工程にて層間接続ビアを形成するための、エッチングによるコンフォーマルマスク径ばらつきを抑えるため、あまり厚い銅箔は望ましくなく、厚み3μm〜12μm程度が望ましい。また、銅ダイレクトレーザ法で銅箔表面から穴を開ける場合は、銅箔厚は3μm〜7μm程度がよい。また、直接表面傷防止などを考えてキャリア付き銅箔が望ましい。4層コア基板の1層の絶縁層厚みは、層間接続ビアのアスペクト比を考えて60μm以下が望ましいが、層間接続ビアとのアスペクト比を考慮し、なるべく薄い方が良い。絶縁材の回路埋め込み性を考慮すると、約35μm程度が最良である。
スキップビアとは、導体層3層以上の層にまたがって形成される電気的に接続するビアのことをいう。穴あけ加工方法は、CO2レーザやYAG(Yttrium Aluminum Garnetの略。)レーザ穴あけ機を使用して加工が主流であり、コンフォーマルマスク法や銅ダイレクトレーザ加工があるが、これに限るものではない。ビア径は、めっき付き性や接続信頼性を考慮するとビア径は大きい方が有利であるが、ビアとランドの位置ずれも考慮すると、直径60μm〜150μm程度が望ましい。
また、スキップビアの上にスタック構造としてビアを設けるために、スキップビアのビア内は導電物で充填してビア表面はフラットにする必要がある。導電物とはフィルドビアめっきのような銅めっきを充填するめっきを施しても良いし、導電ペーストを埋めても良いし、あるいは電気銅めっきをしてから穴埋め印刷で非導電インクを埋めても良い。但し、接続信頼性や配線の高密度化を考慮すると、そのまま銅でビアを埋めるフィルドめっきをするのが最良である。
ダミーランドとは、同一の導体層内においては、他の配線パターンとは接続しておらず、電気的に独立なランドのことをいう。ダミーランド10は、他の導体層とは、ビアによって接続してもよい。本実施の形態では、4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアの導体層b−c間に形成されたダミービアを有する。つまり、図1に示すように、導体層6bにダミーランド10が形成されると、ダミーランド10は、同じ導体層6bの他の配線パターンには接続しておらず、電気的に独立であるが、スキップビア3によって、導体層6c及びdとは接続している。これにより、導体層6b−dに亘ってスキップビア3を形成しても、実質的には、導体層6cとdのみが接続されるので、導体層6b、c、d、eを有する4層コア基板4を出発材料としても、最も内層のコア材15にビアを形成することが可能になる。したがって、任意位置に層間接続が形成できる。
また、スキップビアで接続する導体層数は3層以上で多いほど、製造コストは低減できるが、ビア深さが大きくなるとめっき付きや接続信頼性が悪くなるため、通常3層程度が望ましい。設ける層は6層板の表面の導体層aから導体層cでも良いし、あるいは内層の導体層bから導体層d、もしくは導体層cから導体層eなど、自由に設計して良い。また、例えば導体層bから導体層dにスキップビアを設ける際に接続する場合は、導体層cにランドを設ければ導体層bと導体層cと導体層dと3層分を全て電気的に接続することができる。その場合は中間層にあたる導体層cにはスキップビアを穴あけする前に、あらかじめ穴あけ位置にエッチングにより開口を設けておく必要がある。中間層である導体層cにランドを設ける場合のエッチングの開口径は、導体層bと導体層cの位置ずれを考慮し、スキップビア径と同じ、もしくはそれより小さい方が良い。
4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアが配置されてもよい。スタックビアとは、ビア内が導電物で充填されフラットであるビアの上あるいはビア底銅の上にさらにビアが同じ座標位置に設けられた構造をいう。但し、同じ座標位置に設計しても、製造上コンフォーマルマスクの位置ずれやレーザビア加工の位置ずれなどで、全く同じ座標にビアを形成するのは困難であり、通常ビア径の大きさ以下のずれであれば、スタックビアとして機能すると考えてよい。例えば50μmのビア径であれば、直上スタック構造であるビア同士の位置ずれは50μm以下が望ましいといえる。またスタックビア内の充填物はスキップビア同様に銅がのぞましく、フィルドビアめっきを行うのが最良であり、ビア凹みあるいは凸量は10μm以下がのぞましい。
4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアを挟んで、全ての導体層を通じて、ビアが直上に配置されたフルスタック構造を有してもよい。全層を通じたフルスタック構造とは、6層板であれば、前述したスタック構造が6層全て同じ座標位置にビアが設けられた構造であり、そのうちの一部分がスキップビアとなっているものをいう。スキップビアはフルスタック構造には1つだけあっても良いし、複数あっても良い。また電気的に接続したい層にはランドを設けてそのランドに配線つなげればよいし、接続したくない層は、ランドのみ設けてそのランドに配線をつながなければ良い。
本実施の形態の多層配線基板の製造方法について、以下、図2及び3を用いて説明する。
図2及び図3に示すように、本実施の形態1の多層配線基板の製造方法は、絶縁層5を介して4層の導体層6b、c、d、eをこの順番に配置し、前記導体層6bにダミーランド10を有する4層コア基板4を形成する工程(A)と、前記導体層6bに形成したダミーランド10に接続するように、前記4層コア基板4の導体層6b−d層間にスキップビア3を形成する工程(B)と、前記4層コア基板4上に絶縁層5を介して配置される導体層6を形成する工程(C)と、を有する。
本発明のような、4層コア基板を出発材料としスキップビアとダミービアを有する配線基板及びその製造方法は、全層ビルドアップ基板に比べ、1回分の層間接続ビア形成とめっき工程を省くことで、製造リードタイムを短縮し、製造コストを低減することが可能となる。また、配線基板の低背化を求められるものは、ビア形成やめっき工程での薄板のハンドリングの難しさや基板詰まりの発生などにより、30μm以下の厚みの2層コア基板を出発材料としたビルドアップ基板の製造は困難であり、製造リードタイム、コスト共に大きくなる片側にビルドアップしていく全層ビルドアップ基板のコアレス工法を用いることが多い。しかし、本発明の配線基板及びその製造方法であれば、4層コア基板が出発材料であるので、2層板状態でのビア形成、めっき作業を行う必要はなく、30μm以下の厚みの2層板(銅張積層板)を回路形成のみすることで、4層コア基板を作製することが容易にできる。
前述の様に、4層コア基板を出発材料としたスキップビアとダミービアを有し、フィルドビアでスタック構造の配線基板は、6層板で総板厚0.3mm以下の様な薄板で、設計自由度が高く、より安価な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
図2<A−1>に示すような、板厚0.03mm、ワークサイズ510mm×410mm、銅箔厚12μmの銅張り積層板13(日立化成工業株式会社製 MCL−E−679FG)を用意し、ドライフィルムSL−1329(日立化成工業株式会社、商品名)を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機(オルボテック社製 パラゴン8800)により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、内層材を形成した。スキップビア3の中間層となる部分(導体層6c)には、パターンニングと同時に開口径60μmのエッチング開口7を形成した。
次に、内層材の銅表面に凹凸をつけるため、CZ処理(メックエッチボンドCZ−8100、メック株式会社製 商品名、「メックエッチボンド」は登録商標。)を行い、表面粗さが3〜5μmの凹凸を設けた。その処理後の内層材に、厚み25μmのプリプレグ(日立化成工業株式会社製 GEA−679FG)とその上層に配線用の厚み5μmの銅箔(三井金属鉱業株式会社製 MT18S5DH)とを積層一体化して図2<A−2>に示すような、4層コア基板4を作製した。
作製した4層コア基板表裏面のスキップビアあるいは通常ビアを設ける箇所に、表面銅箔をエッチングにより除去することで開口し、レーザ穴あけ用のコンフォーマルマスクを形成した。開口径はスキップビアは直径90μmで通常ビアは直径50μmとした。その銅箔を除去し、樹脂が露出しているコンフォーマルマスクの部分へ、炭酸ガスレーザ(日立ビアメカニクス株式会社製 レーザ加工条件1000Hz、パルス幅15μm、サイクル数7回あるいは3回)を照射し、樹脂を熱分解して除去することにより、直径90μmのスキップビア及び直径50μmの通常ビアを同時に加工した。デスミア処理は、膨潤部にスウェリングディップセキュリガントP(アドテックジャパン株式会社製 商品名、「セキュリガント」は登録商標。)約500ml/lと苛性ソーダ(信越化学工業株式会社製)pH9.5〜11.8を使用、エッチング部にNaMnO4約60g/lを使用、還元部にリダクションセキュリガントP(アドテックジャパン株式会社製 商品名)約70ml/lと98%H2SO4(古河機械金属株式会社製)約50ml/lを使用したアトテック社製デスミア水平ラインをライン速度1.0m/min.で、2pass処理(ラインを2回通す処理)を行った。
次に、銅箔上及びブラインドビア用の穴内部に、パラジウムコロイド触媒であるHS201B(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用して触媒核を付与後、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名、「CUST」は登録商標。)を使用して厚さ0.5μmの下地無電解めっき層を穴内及び表面銅箔上に形成した。
次に、電解フィルドめっき(メルテックス株式会社製)により、厚み約30μmのめっきを下地無電解めっき層上に行った。その後、化学エッチング液(メック株式会社製 HE−7000Y)により、銅部分の厚さが20μmのハーフエッチングを行い、銅厚を薄くし、図2<B−1>に示すような、スキップビア3を有する4層コア基板4を作製した。
次に、フィルドビアめっき表面フラットな4層コア基板にドライフィルムSL−1329(日立化成工業株式会社、商品名)を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機(オルボテック社製 パラゴン8800)により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、図2<B−2>に示すような、4層コア基板4を形成した。2層の内層材と同様スキップビア3の中間層(導体層6e)となる部分には、パターンニングと同時に開口径60μmの窓穴7を形成した。また、スキップビア3の中間層となる導体層6の一部は、ダミーランド10とした。
2層の内層材と同様に4層内層材も銅表面に凹凸をつけるため、CZ処理(メックエッチボンドCZ−8100、メック株式会社製 商品名)を行い、表面粗さが3〜5μmの凹凸を設けた。その処理後の内層材に、厚み25μmのプリプレグ(日立化成工業株式会社製 GEA−679FG)とその上層に配線用の厚み5μmの銅箔(三井金属鉱業株式会社製 MT18S5DH)とを積層一体化して図3<C−1>に示すような、6層基板12を作製した。
作製した6層基板表裏面のスキップビアあるいは通常ビアを設ける箇所に、表面銅箔をエッチングにより除去することで開口し、レーザ穴あけ用のコンフォーマルマスクを形成した。開口径はスキップビアは直径90μmで通常ビアは直径50μmとした。その銅箔を除去し、樹脂が露出しているコンフォーマルマスクの部分へ、炭酸ガスレーザ(日立ビアメカニクス株式会社製 レーザ加工条件1000Hz、パルス幅15μm、サイクル数7回あるいは3回)を照射し、樹脂を熱分解して除去することにより、直径90μmのスキップビア及び直径50μmの通常ビアを同時に加工した。デスミア処理は、膨潤部にスウェリングディップセキュリガントP(アドテックジャパン株式会社製)約500ml/lと苛性ソーダ(信越化学工業株式会社製)pH9.5〜11.8を使用、エッチング部にNaMnO4約60g/lを使用、還元部にリダクションセキュリガントP(アトテックジャパン株式会社製)約70ml/lと98%H2SO4(古河機械金属株式会社製)約50ml/lを使用したアトテック社製デスミア水平ラインをライン速度1.0m/min.で、2pass処理を行った。
次に、銅箔上及びブラインドビア用の穴内部に、パラジウムコロイド触媒であるHS201B(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用して触媒核を付与後、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用して厚さ0.5μmの下地無電解めっき層を穴内及び表面銅箔上に形成した。
次に、電解フィルドめっき(メルテックス株式会社製)により、厚み約30μmのめっきを下地無電解めっき層上に行った。その後、化学エッチング液(メック株式会社製 HE−7000Y)により、銅部分の厚さが20μmのハーフエッチングを行い、銅厚を薄くし、図3<C−2>に示すような、スキップビア3とダミービア11を有する6層基板12を作製した。
次に、フィルドビアめっき表面フラットな6層基板に、ドライフィルムSL−1329(日立化成工業株式会社、商品名)を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機(オルボテック社製 パラゴン8800)により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、図3<C−3>に示すような、スキップビア3とダミービア11を有する6層スタック構造基板を作製した。
作製した6層スタック基板にCZ処理(メックエッチボンドCZ−8100)により、表面粗さが1μm〜2μmの凹凸を設けた。ロールコーターによりソルダレジスト(太陽インキPSR3000−AUS308RC、太陽インキ製造株式会社)を塗布し、80℃30分仮乾燥を行ったのち、自動露光機を使用して露光量550mJ/cm2で焼付けを行い、現像機により、厚さ約50μmのソルダレジスト形成を行った。次に、露出したランド表面に、5μm程度のニッケルめっき後、0.1μm程度の金めっき処理を行い、外形加工で各製品基板に切り分けた。
下記表1に、本発明の実施例と従来のコアレスビルドアップ工法との各項目の比較を示す。本発明によって、薄板対応可能な安価な任意位置層間接続構造の配線基板を提供することができた。
1…ビルドアップ層
2…スタックビア
3…スキップビア
4…4層コア又は4層コア基板
5…絶縁層
6…導体層
7…エッチング開口又は窓穴
8…銅箔
9…ノーマルビア又はビア
10…ダミーランド
11…ダミービア
12…多層配線基板又は6層基板
13…銅張り積層板
15…コア材又は内層材
2…スタックビア
3…スキップビア
4…4層コア又は4層コア基板
5…絶縁層
6…導体層
7…エッチング開口又は窓穴
8…銅箔
9…ノーマルビア又はビア
10…ダミーランド
11…ダミービア
12…多層配線基板又は6層基板
13…銅張り積層板
15…コア材又は内層材
Claims (3)
- 絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置した4層コア基板と、この4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層とを有する多層配線基板において、
前記4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアと、このスキップビアに接続され導体層bに形成されるダミーランドと、を有する多層配線基板。 - 請求項1において、4層コア基板の導体層b−d間に形成されたスキップビアの導体層b−c間に形成されたダミービアを有する多層配線基板。
- 請求項1又は2の多層配線基板の製造方法であって、
絶縁層を介して4層の導体層b、c、d、eをこの順番に配置し、前記導体層bにダミーランドを有する4層コア基板を形成する工程(A)と、
前記導体層bに形成したダミーランドに接続するように、前記4層コア基板のb−d層間にスキップビアを形成する工程(B)と、
前記4層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程(C)と、
を有する多層配線基板の製造方法。
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