JP2014067963A - Iii族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】まず、c面を主面とするサファイア基板10を用意し、一方の表面をICPによるドライエッチングにて凹凸加工を施した(図1(a))。次に、凹凸加工が施されたサファイア基板10を、水素または窒素雰囲気下で、700℃未満で熱処理を行った。次に、凹凸加工が施されたサファイア基板10をマグネトロンスパッタ装置にセットし、サファイア基板10を200℃以上700℃未満に加熱した状態で、サファイア基板10の凹凸加工が施された側の表面上に、マグネトロンスパッタによってAlNからなるバッファ層20を形成した(図1(b))。次に、サファイア基板10をスパッタ装置から取り出してMOCVD装置にセットし、バッファ層20上にMOCVD法によってc面を主面とするIII 族窒化物半導体層30を1〜10μm成長させた(図1(c))。
【選択図】図1
Description
以下、実施例1、2を支持する各種実験例について説明する。
20:バッファ層
30:III 族窒化物半導体層
Claims (5)
- サファイア基板にスパッタによってAlNからなるバッファ層を形成した後、MOCVD法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記サファイア基板として、表面にドライエッチングによって凹凸加工が施されたc面サファイア基板を用い、
前記サファイア基板を窒素または水素雰囲気下、700℃未満で熱処理をした後に、前記バッファ層を形成する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記熱処理は、500℃以上700℃未満で行うことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記熱処理は、窒素雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記バッファ層は、前記サファイア基板を200℃以上700℃未満に加熱してスパッタにより形成する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- サファイア基板にスパッタによってAlNからなるバッファ層を形成した後、MOCVD法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記サファイア基板として、表面にドライエッチングによって凹凸加工が施されたc面サファイア基板を用い、
前記バッファ層は、前記サファイア基板を200℃以上700℃未満に加熱してスパッタにより形成し、
前記バッファ層の形成後、前記III 族窒化物半導体の形成前までの間、前記サファイア基板の温度を常温とする、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。
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JP2012074484A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
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- 2012-09-27 JP JP2012213990A patent/JP5838943B2/ja active Active
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