JP2014066968A - 光モジュール、光システム、及び制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力する光信号が異常変調状態となる期間が軽減される位相変調方式の光モジュール、光システム及びそれらの制御方法の提供。
【解決手段】第1の光を出力する光源と、前記第1の光を変調して第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、バイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、を備える、光モジュールであって、前記制御回路は、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減する、第3の光出力低減手段と、前記第3の光出力低減手段により前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合において、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御手段と、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】第1の光を出力する光源と、前記第1の光を変調して第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、バイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、を備える、光モジュールであって、前記制御回路は、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減する、第3の光出力低減手段と、前記第3の光出力低減手段により前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合において、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御手段と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、位相変調方式を採用する光モジュールに関し、特に、パルスカーバー(Pulse Carver)用変調器、を備える光モジュールに関する。
近年、光通信系の光システムに備えられる送信用の光モジュールには、位相変調方式が採用されている。かかる光モジュールでは、半導体レーザなどの光源が発振する連続光(CW光)を、位相変調方式の変調器(後述するパルスカーバー用変調器と区別するために、以下、光信号変調用変調器と記す)が、外部より入力されるデータ信号に基づいて光信号に変調することにより、光信号が外部へ出力される。光信号変調用変調器が所望の特性となるバイアス電圧(以下、簡単のため、最適バイアス電圧と記す)が変動する場合、光信号変調用変調器を制御する制御回路に自動バイアス制御(Automatic Bias Control:以下、ABCと記す)回路を設けることにより、最適バイアス電圧の変動に追従して現行のバイアス電圧を変化させるようにフィードバックを行うことによって現行のバイアス電圧を最適バイアス電圧に安定化させることが出来る。ABCに係る技術が、例えば特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に開示されている。また、位相変調方式が採用される光モジュールに、光信号変調用変調器が出力する光信号を波形調整する、パルスカーバー用変調器をさらに備えられる場合がある。パルスカーバー用変調器の最適バイアス電圧が変動する場合、光信号変調用変調器と同様に、パルスカーバー用変調器を制御する回路にABC回路を設けることにより最適バイアス電圧に現行のバイアス電圧を安定化させることが出来る。
光システムが、送信用の光モジュール(光送信部)と、受信用の光モジュール(光受信部)と、を備える場合について考察する。ここで、光送信部は光信号変調用変調器及びパルスカーバー用変調器を備え、各変調器がABC回路を用いて制御されている。例えば、光送信部の電源起動時や、光送信部に備えられる光源が出射する連続光の発振波長を変更する時など、光送信部は、光源を安定状態に遷移させ、さらに、ABC回路により制御することにより光信号変調用変調器及びパルスカーバー用変調器を新たな安定状態に収束させる。このとき、光送信部が設定を変更してから新たな安定状態に遷移するまでの期間、すなわち、設定を変更しABCを開始してから変調器がともに安定状態に遷移するまでの期間において、光送信部が出力する光信号は不安定な変調状態にある。本明細書において、変調器における最適バイアス電圧が不連続に変化し、現行のバイアス電圧がABCにより変化し、新たな最適バイアス電圧に安定化するまで期間の光信号の状態を異常変調状態とし、ABCにより現行のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化される場合の光信号の状態を正常変調状態とする。前述の通り、光送信部の電源起動時や、光送信部に備えられる光源が出射する連続光の発振波長を変更する時などに、変調器における最適バイアス電圧が不連続に変化する。すなわち、光送信部がある安定状態(電源オフや波長λ1の発振)から異なる次の安定状態(電源オンや波長λ2の発振)に遷移する間、光送信部は不安定状態にあり、光送信部が出力する光信号は異常変調状態となっている。電源起動時や発振波長変更時には、最初に、光源の発振状態が安定化され、光信号変調用変調器において光源からの光に対してABCがなされ、光信号変調用変調器が出力する光信号が異常変調状態から正常変調状態に遷移し、パルスカーバー用変調器において光変調用変調器が出力する光信号に対してABCがなされ、パルスカーバー用変調器が出力する光信号が異常変調状態から正常変調状態に遷移して、光送信部は安定状態となる。安定状態となるまでの期間において、当該光システムでは、光送信部が出力する異常変調状態の光信号を、光受信部が受信することとなる。
位相変調方式とは異なり、オンオフ変調(On-Off Keying)方式を採用する光システムにおいては、光受信部は、光信号の光強度が閾値以上か否かで、光送信部が出力する光信号が正常変調状態か異常変調状態かを識別することが出来る。それゆえ、光送信部が異常変調状態の光信号を出力している場合には、光受信部は、光信号の異常変調状態を光強度により識別し、受信を行わない(すなわち、通信をしない)との制御をすることが出来る。そして、光送信部が出力する光信号が正常変調状態に変化するタイミングを光受信部は光強度により識別し、光信号の受信を(すなわち、通信を)再開することが出来る。
これに対して、位相変調方式を採用する光システムにおいて伝送される光信号は、光強度ではなく光の位相状態に情報が重畳されているため、光受信部は光信号の光強度によって、光信号が正常変調状態か異常変調状態かを識別することが出来ない。それゆえ、光送信部が異常変調状態の光信号を出力している期間、光受信部は正常な制御を行うことが出来ず問題となる。光送信部と光受信部とを同期する同期手段を光システムに設けて、光送信部が出力する光信号が異常変調状態となるタイミングに応じて、光受信部において受信を行わなくする制御することも可能であるが、かかる場合、装置規模が増大することに加え、光送信部と光受信部それぞれの選択の自由度を制限することが問題となる。それゆえ、光送信部において、異常変調状態となる光信号を出力する期間を低減し、光受信部における制御に与える影響が軽減されることが望ましい。
本発明は、かかる課題を鑑みてなされてものであり、本発明の目的は、位相変調方式を採用する光モジュールであって、光モジュールが不安定状態にある場合に、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態となる期間が軽減される光モジュール、光システム及びそれらの制御方法の提供とする。
(1)上記課題を解決するために、本発明に係る光モジュールは、所望の発振波長を有する連続光である第1の光を出力する光源と、前記光源が出力する前記第1の光が入力され、前記第1の光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、を備える、光モジュールであって、前記制御回路は、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減する、第3の光出力低減手段と、前記第3の光出力低減手段により前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合において、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御手段と、を含む、ことを特徴とする。
(2)上記(1)に記載の光モジュールであって、前記第3の光出力低減手段は、前記周期的信号の出力振幅を所定値以下に低減する周期的信号低減手段と、前記周期的信号低減手段により前記周期的信号の出力振幅が前記所定値以下である場合に、前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して、前記第3の光の光出力が最も消光する動作電圧近傍に前記第2のバイアス電圧を安定化させる、第2の変調器消光制御手段と、を含んでいてもよい。
(3)上記(2)に記載の光モジュールであって、前記制御回路は、前記第1の変調器自動バイアス制御手段により前記第1のバイアス電圧が安定化される場合に、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御手段を、さらに含んでいてもよい。
(4)上記(3)に記載の光モジュールであって、前記第2の変調器消光制御手段により安定化される前記第2のバイアス電圧と、前記第2の変調器自動バイアス制御手段により安定化される前記第2のバイアス電圧と、の差分電圧情報を保持する、記憶部を、さらに備え、前記制御回路は、前記第2の変調器自動バイアス制御手段が自動バイアス制御を開始するタイミングに先立って、前記第3の光出力低減手段により安定化される前記第2のバイアス電圧に、前記差分電圧情報の電圧をさらに付加した電圧に、前記第2のバイアス電圧を設定する、第2の変調器自動バイアス制御初期設定手段、を、さらに含んでいてもよい。
(5)上記(1)に記載の光モジュールであって、光導波路と、前記光源と前記第1の変調器との間に配置され、前記光源が出力する第1の光を一方の光と他方の光に分岐し、前記一方の光を前記第1の変調器へ入力させるとともに、前記他方の光である第4の光を前記光導波路へ入力させる、光分岐部と、前記第1の変調器と前記第2の変調器との間に配置され、前記第1の変調器が出力する前記第2の光又は前記光導波路より伝搬する前記第4の光のいずれかを選択して、前記第2の変調器へ入力させる、光スイッチと、をさらに備え、前記第3の光出力低減手段は、前記光スイッチに前記第4の光を選択させる第4の光選択手段を含み、前記制御回路は、前記第1の変調器自動バイアス制御手段の制御に並行して、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御手段と、前記第1の変調器自動バイアス制御手段により前記第1のバイアス電圧が安定化され、かつ、前記第2の変調器自動バイアス制御手段により前記第2のバイアス電圧が安定化される場合において、前記光スイッチに前記第2の光を選択させる、第2の光選択手段と、をさらに含んでいてもよい。
(6)本発明に係る光モジュールは、第1の波長を有する連続光である第1の光を出力する第1の光源と、前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する連続光であるダミー光を出力する第2の光源と、前記第1の光源が出力する前記第1の光と、前記第2の光源が出力する前記ダミー光と、を結合して出力する、光結合部と、前記光結合部が出力する光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の光源の出力、前記第2の光源の出力、前記第1の変調器の変調、及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、を備える光モジュールであって、前記制御回路は、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第1の光源をオフ状態とし、前記第2の光源をオン状態とし、前記第2の光源が出力するダミー光を用いて、前記第1のバイアス電圧及び前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施し安定化させてもよい。
(7)上記(6)に記載の光モジュールであって、前記第2の波長は、前記第1の波長を有する光信号を増幅するための光アンプが増幅する増幅帯域外の波長であってもよい。
(8)上記(6)に記載の光モジュールと、前記光モジュールが出力する光信号を受信する受信用モジュールと、前記光モジュールと、前記受信用モジュールとの間に配置され、前記光モジュールが出力する第3の光を増幅する光アンプと、を備え、前記光アンプの増幅帯域は、前記第1の波長を含み、前記第2の波長を含まなくてもよい。
(9)本発明に係る光モジュールの制御方法は、所望の発振波長を有する連続光である第1の光を出力する光源と、前記光源が出力する前記第1の光が入力され、前記第1の光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、 前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、を備える、光モジュールの制御方法であって、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減させる第3の光出力低減ステップと、前記第3の光出力低減ステップにより前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合に、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御ステップと、を含んでいてもよい。
(10)上記(9)に記載の光モジュールの制御方法であって、前記第3の光出力低減ステップは、前記周期的信号の出力振幅を所定値以下に低減する周期的信号低減ステップと、前記周期的信号低減ステップにより前記周期的信号の出力振幅が前記所定値以下である場合に、前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して、前記第3の光の光出力が最も消光する動作電圧近傍に前記第2のバイアス電圧を安定化させる、第2の変調器消光ステップと、を含んでいてもよい。
(11)上記(10)に記載の光モジュールの制御方法であって、前記第1の変調器自動バイアス制御ステップにより前記第1のバイアス電圧が安定化される場合に、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御ステップと、をさらに含んでいてもよい。
(12)上記(11)に記載の光モジュールの制御方法であって、前記光モジュールは、前記第2の変調器消光制御ステップにより安定化される前記第2のバイアス電圧と、前記第2の変調器自動バイアス制御ステップにより安定化される前記第2のバイアス電圧と、の差分電圧情報を保持する、記憶部を、さらに備え、前記第2の変調器自動バイアス制御ステップで自動バイアス制御を開始するタイミングに先立って、前記第3の光出力低減ステップにおいて安定化される前記第2のバイアス電圧に、前記差分電圧情報の電圧をさらに付加した電圧に、前記第2のバイアス電圧を設定する、第2の変調器自動バイアス制御初期設定手段を、さらに含んでいてもよい。
本発明により、位相変調方式を採用する光モジュールであって、光モジュールが不安定状態にある場合に、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態となる期間が軽減される光モジュール、光システム、及びそれらの制御方法が提供される。
以下に、図面に基づき、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下に示す図は、あくまで、実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態に係る光モジュールは、光システムへ備えるための光送信部であり、当該光送信部は、位相変調方式のひとつであるRZ−DQPSK(Return to Zero Differential Quadrature Phase Shift Keying)変調方式を採用している。
本発明の第1の実施形態に係る光モジュールは、光システムへ備えるための光送信部であり、当該光送信部は、位相変調方式のひとつであるRZ−DQPSK(Return to Zero Differential Quadrature Phase Shift Keying)変調方式を採用している。
図1は、当該実施形態に係る光モジュールのブロック図である。当該実施形態に係る光モジュールは、レーザダイオード(以下、LDと記す)1と、DQPSK用LN変調器2(第1の変調器:光信号変調用LN変調器)と、パルスカーバー用LN変調器6(第2の変調器)と、制御回路と、を備えている。なお、ここで、LN変調器とは、ニオブ酸リチウム(Lithium Niobate:以下、LNと記す)基板の表面に光導波路が形成され、マッハツェンダー(以下、MZと記す)干渉計を用いるなど光導波路を伝搬する光の干渉により変調される変調器を言う。位相変調方式の変調器は、LN変調器に限定される必要はなく、電気光学効果を有する基板を用いる変調器に広く適用することができる。電気光学効果を有する基板の材料には、高い電気光学効果が得られる結晶(電気光学結晶)が用いられ、電気光学結晶の材料として、LNの他には、例えば、タンタル酸リチウム(Lithium Tantalate:以下、LTと記す)、又は、ニオブ酸タンタル酸リチウム(Lithium Niobate-Tantalate:以下、LNTと記す)などが適している。すなわち、位相変調方式の変調器は、LN基板の表面に光導波路が形成される変調器に限定されることはなく、LT基板やLNT基板など電気光学結晶が用いられる基板を用いる変調器を広く含むものとする。また、通常のLNはLiNbO3を指すが、これに限定されることはなく、LiNbOxやLiNbyOxといった化学量論的(stoichiometric)なLNであってもよい。すなわち、本明細書においてLNは化学量論的なものも含んでいるし、LTやLNTなどの他の物質についても同様である。電気光学結晶の材料として適しているLN、LT、LNTなどは、これらは、焦電性(Pyroelectric)物質であり、焦電効果を有している。LN変調器は焦電効果により温度や時間に伴ってバイアス電圧が変動するドリフト特性を有している。LN変調器はかかるドリフト特性に対応するために、ABCによってバイアス電圧が制御される。
LD1は、所望の発振波長を有する連続光(CW光)である第1の光をDQPSK用LN変調器2へ出力する光源である。LD制御回路5が、LD1の出力を制御する回路である。DQPSK用LN変調器2(第1の変調器)は、I変調器部2Aと、Q変調器部2Bと、位相シフト部2Cと、DQPSK用LN変調器光電変換素子3と、を備えるMZ型変調器である。DQPSK用LN変調器2は、外部より入力されるデータ信号(図示せず)に基づいてLD1より入力される第1の光を変調し、変調光信号である第2の光をパルスカーバー用LN変調器6へ出力する。DQPSK用LN変調器光電変換素子3は、DQPSK用LN変調器2が出力する第2の光の出力状態を検出するための素子であり、DQPSK用LN変調器2の内部に配置される。DQPSK用LN変調器光電変換素子3は、DQPSK用LN変調器2の内部に発生する漏れ光を光電変換し、帯域制限することによって低周波信号を電気信号に変換して出力するための光電交換素子である。DQPSK用LN変調器2を制御する回路は、I変調器部2Aを駆動するためのI変調用駆動信号発生回路4Aと、Q変調器部2Bを駆動するためのQ変調用駆動信号発生回路4Bと、位相シフト部2Cにおける位相シフト量を制御するための位相シフト制御回路4Cと、を含んでおり、I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは、DQPSK用LN変調器光電変換素子3が検出する第2の光の出力状態をフィードバックすることにより、I変調器部2Aと、Q変調器部2Bと、位相シフト部2Cに印加するバイアス電圧(第1のバイアス電圧)それぞれにABCを施してバイアス電圧を安定化させる。
パルスカーバー用LN変調器6(第2の変調器)は、パルスカーバー用変調器部6Aと、パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7と、を備えるMZ型変調器である。パルスカーバー用LN変調器6は、DQPSK用LN変調器2より入力される第2の光を、正弦波信号(周期的信号)によって変調することにより波形調整し、出力光信号である第3の光を外部へ出力する。パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7は、パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光の出力状態を検出するための素子であり、パルスカーバー用LN変調器6の内部に配置される。パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7は、パルスカーバー用LN変調器6の内部に発生する漏れ光を光電変換し、帯域制限することによって低周波信号を電気信号に変換して出力するための光電変換素子である。パルスカーバー用LN変調器6を制御する回路は、電流電圧変換回路8と、パルスカーバー用駆動信号発生回路9と、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10と、パルスカーバー用復調回路11と、パルスカーバー用バイアス制御回路12と、を含んでいる。よって、当該実施形態にかかる光モジュールに備えられる制御回路は、LD1の出力を制御する回路と、DQPSK用LN変調器2を制御する回路と、パルスカーバー用LN変調器6を制御する回路と、を含んでいる。
電流電圧変換回路8は、パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7が出力する電気信号(電流)を電圧に変換し、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10及びパルスカーバー用復調回路11へ出力する。パルスカーバー用駆動信号発生回路9は、パルスカーバー用LN変調器6のパルスカーバー用変調器部6Aへ供給するための正弦波信号(駆動信号)を生成し、正弦波信号をパルスカーバー用駆動信号位相制御部10へ出力する。パルスカーバー用駆動信号位相制御部10は、電流電圧変換回路8より入力される電圧に応じて、パルスカーバー用駆動信号発生回路9、I変調用駆動信号発生回路4A、及びQ変調用駆動信号発生回路4Bのタイミングを制御する。パルスカーバー用復調回路11は、電流電圧変換回路8より入力される電圧を直流検波から交流検波(低周波信号)へ変換する。パルスカーバー用バイアス制御回路12は、パルスカーバー用復調回路11によって再生される低周波信号を検出し、パルスカーバー用変調器部6Aに印加するバイアス電圧(第2のバイアス電圧)を最適バイアス電圧に安定化するように制御する。すなわち、パルスカーバー用バイアス制御回路12は、パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7が検出する第3の光の出力状態をフィードバックすることによりABCを施して安定化させる。
なお、パルスカーバー用LN変調器光電変換素子7は、パルスカーバー用LN変調器6の内部に発生する漏れ光を検出しており、電流電圧変換回路8からの出力の強度は、パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光の光強度と反転関係になっている。すなわち、電流電圧変換回路8からの出力が最大のとき、パルスカーバー用LN変調器6から出力される第3の光の光強度は最小となっており、最も消光される状態にある。電流電圧変換回路8からの出力が最小のとき、第3の光の強度は最大となっており、第3の光は最も発光する状態にある。同様に、DQPSK用LN変調器光電変換素子3が検出する漏れ光の強度は、DQPSK用LN変調器2が出力する第2の光の強度と反転関係になっている。当該実施形態では、LN変調器の内部に発生する漏れ光を検出する光電変換素子を、LN変調器の出力状態の検出に用いている。光電変換素子は、光学系に影響を与えずに出力状態の検出が出来るので最適ではあるが、これに限定されることはなく、LN変調器の出力を分岐させて直接検出する検出素子であってもよい。
次に、当該実施形態に係る光モジュールを制御する動作原理を説明する。DQPSK用LN変調器2の制御において、I変調用駆動信号発生回路4A及びQ変調用駆動信号発生回路4Bは、I変調器部2A及びQ変調器部2Bを、隣り合う2つの最も発光する動作電圧の間を振幅2Vπで駆動しており、該2つの最も発光する動作電圧の間に位置する、最も消光する動作電圧に現行のバイアス電圧が安定化するよう制御する。すなわち、最も消光する動作電圧が最適バイアス電圧である。ここで、隣り合う最も消光する動作電圧と最も発光する動作電圧との間の電圧をVπと定義している。また、振幅を動作電圧の最大値と最小値の差と定義している。さらに、I変調器部2Aから出力される出力信号と、Q変調器部2Bから位相シフト部2Cを介して出力される出力信号とが直交状態となるように、位相シフト部2Cにバイアス電圧が印加される。かかる2つの出力信号が合波されて、変調光信号である第2の光が生成され、DQPSK用LN変調器2より出力される。なお、第1のバイアス電圧は、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2B、及び位相シフト部2Cにそれぞれ印加するバイアス電圧を含んでいる。同様に、第2のバイアス電圧は、パルスカーバー用LN変調器6のパルスカーバー用変調器部6Aに印加するバイアス電圧(パルスカーバー用バイアス電圧)を含んでいる。
図2乃至図7は、当該実施形態に係るDQPSK用LN変調器2が出力する変調光信号を示す図である。図2は、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2Bと、及び位相シフト部2Cそれぞれにおけるバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合が示されており、かかる状態(又は、それに近い状態)である場合に、DQPSK用LN変調器2が出力する変調光信号は、正常変調状態である。言い換えれば、DQPSK用LN変調器2が出力する変調光信号がかかる状態に近づけるよう、ABCにより、DQPSK用LN変調器2は制御される。
これに対して、図3乃至図7は、DQPSK用LN変調器2が出力する変調光信号が異常変調状態にある場合が、それぞれ例示されている。図3はI変調器部2Aのバイアス電圧が最適バイアス電圧とはVπ/2異なっているがそれ以外のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合であり、図4はI変調器部2Aのバイアス電圧が最適バイアス電圧とはVπ異なっているがそれ以外のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合であり、図5は位相シフト部2Cにおける位相シフトが直交状態とは30°異なっているがそれ以外のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合であり、図6は位相シフト部2Cにおける位相シフトが直交状態とは60°異なっているがそれ以外のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合であり、図7は位相シフト部2Cにおける位相シフトが直交状態とは90°異なっているがそれ以外のバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている場合である。図3乃至図7に示す状態は、当該実施形態にかかる光モジュールの電源起動時や、LD1の発振波長を変更する時に、DQPSK用LN変調器2が出力する変調光信号が正常変調状態に遷移するまでに十分に起こり得る状態である。
図8は、当該実施形態に係るパルスカーバー用LN変調器6の消光特性を示す図であり、図の横軸は駆動電圧V、縦軸は出力する光強度Iであり、曲線21はパルスカーバー用LN変調器6の消光特性である。図8に示す通り、パルスカーバー用LN変調器6から出力する光が最も消光する動作電圧がVoであり、最も発光する動作電圧がVo±Vπである。パルスカーバー用バイアス電圧が、最も消光する動作電圧Voと最も発光する動作電圧Vo+Vπの中間となる電圧Vo+Vπ/2に安定化され(すなわち、最適バイアス電圧がVo+Vπ/2)、振幅Vπの正弦波信号が印加されるとき、パルスカーバー用LN変調器6が出力する光信号が正常変調状態となる。なお、前述の通り、振幅Vπとは、正弦波信号の最大電圧(Vo+Vπ)と最小電圧(Vo)の差の電圧である。ここで、パルスカーバー用LN変調器6へ供給される駆動信号は正弦波信号であるが、これに限定されることはなく、周期的信号であって制御に適合するものであればよい。
本発明に係る光モジュールの特徴は、光モジュールが不安定状態から安定状態に遷移する期間における光モジュールの制御方法にある。本発明は、制御回路が、光モジュールが不安定状態にある場合に、第3の光の光出力を所定値以下に低減させる第3の光出力低減手段と、第3の光出力低減手段により第3の光の光出力が当該所定値以下となる場合に、第1のバイアス電圧に対して、ABCを施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御手段と、を含むことを特徴としている。
図9は、当該実施形態に係る光モジュールの制御方法を示す図である。図9は、光モジュールを電源起動し、オフ状態にあり光を発振していないLD1をオン状態とし、LD1が第1の光を出力する場合における光モジュールの制御方法を示している。図9の横軸は時間tである。また、図の縦方向は上から順に、LD1の発振状態(LD)、DQPSK用LN変調器2の各部をABCするDQPSK用バイアス電圧制御Bias1、パルスカーバー用駆動信号発生回路9が出力する駆動信号の状態(パルスカーバー用駆動状態d2)、パルスカーバー用LN変調器6をABCするパルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2、パルスカーバー用LN変調器6が出力する出力光信号(第3の光)の状態S3及び光強度I3が、順に示されている。
図9にLDと示す通り、LD1は最初、非発光状態31にあって、電源起動され、LD1がオンされ、LD1は発光状態32へと変化する。LD1がオンされるタイミングに先立って、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1を、前値保持して固定する状態33にする。すなわち、制御回路は、第1のバイアス電圧をそれぞれ前値保持して固定する。パルスカーバー用駆動信号発生回路9(周期的信号低減手段)は、出力する駆動信号の出力振幅を通常設定値である振幅Vπから所定値以下の微小振幅に低減する。このとき、パルスカーバー用駆動状態d2は無変調状態36にある。パルスカーバー用駆動状態d2が無変調状態36となることにより、パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光の状態S3は異常変調状態41となるとともに、第3の光の光強度I3は弱い状態(状態43)である。パルスカーバー用駆動信号発生回路9が出力する駆動信号の出力振幅は完全に0とはしないものの出来る限り小さくするのが望ましく、所定値とは通常設定値の1%以下が望ましい。
この条件下において、LD1がオンされ、LD1は発光状態32となる。LD1をオンするタイミングに応じて、電流電圧変換回路8からの出力がより大きくなるように、すなわち、パルスカーバー用LN変調器6からの出力がより小さくなるように、パルスカーバー用バイアス制御回路12がパルスカーバー用バイアス電圧(第2のバイアス電圧)に対してABCを施す。すなわち、パルスカーバー用バイアス制御回路12は、パルスカーバー用の最適バイアス電圧を、図8に示す最も消光する動作電圧Vo近傍の電圧とし、第2のバイアス電圧に対してABCを施して、パルスカーバー用バイアス電圧を最も消光する動作電圧Vo近傍に安定化させる、第2の変調器消光制御手段である。ここで、最も消光する動作電圧Vo近傍の電圧は、Voとの差が振幅Vπの1%以内であるのが望ましく、最適バイアス電圧をVoとするのがさらに望ましい。また、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2は消光制御する状態38にある。第3の光の光強度I3は、LD1の発光に伴い一時的に増大した後弱くなる(状態44)。当該実施形態に係る第3の光出力低減手段は、周期的信号低減手段と、第2の変調器消光制御手段と、を含んでおり、周期的信号低減手段は、駆動信号の振幅を低減することにより第3の光の光強度を低減し、第2の変調器消光制御手段は、消光制御によりさらに第3の光の光強度を低減している。よって、当該実施形態に係る第3の光出力低減手段により、パルスカーバー用LN変調器6が出力する出力光信号(第3の光)の光強度を所定値以下に低減することが出来ており、外部に対して出力される異常変調状態の光信号を外部へ影響を与えない程度の光強度とすることが出来ている。なお、光強度の所定値とは、出力光信号の最大値の1%以下が望ましい。なお、図9に示す通り、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1は前値保持して固定される状態33に、パルスカーバー用駆動状態d2は無変調状態36に、第3の光の状態S3は異常変調状態41に、それぞれ維持される。
パルスカーバー用バイアス電圧が最適バイアス電圧Vo近傍に安定化され、パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光が十分に抑制されている状態において、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1をABCする状態34にする。すなわち、I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは、第1のバイアス電圧それぞれに対してABCを施して安定化させる第1の変調器自動バイアス制御手段である。この期間、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を、前値保持して固定する状態39にする。すなわち、パルスカーバー用バイアス電圧(第2のバイアス電圧)を前値保持して固定する。このとき、パルスカーバー用駆動状態d2は無変調状態36に、第3の光の状態S3は異常変調状態41にそれぞれ維持されるが、第3の光の強度I3は弱い状態(状態45)で維持される。
第1のバイアス電圧がそれぞれ最適バイアス電圧に安定化される正常ABC状態35となると、パルスカーバー用駆動信号発生回路9は、出力する駆動信号の出力振幅を通常設定値である振幅Vπに設定する。すなわち、パルスカーバー用駆動状態d2を変調状態37とする(図11A、図11B参照)。そして、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を通常のABCする状態40にする。ここで、パルスカーバー用バイアス制御回路12は、第2のバイアス電圧に対して、ABCを施して安定化させる第2の変調器自動バイアス制御手段である。第2の変調器自動バイアス制御手段が施すABCに並行して、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10は、パルスカーバー用駆動信号発生回路9、I変調用駆動信号発生回路4A、及びQ変調用駆動信号発生回路4Bのタイミングを制御する。第2のバイアス電圧は、ABCにより、動作電圧Vo+Vπ/2に安定化される(最適バイアス電圧がVo+Vπ/2)。第3の光の状態S3は、ABC開始時の異常変調状態から正常変調状態へ変移し(状態42)となり、第3の光の光強度I3は、ABCにより弱い状態から増大し強くなる(状態46)となる。こうして、光モジュールが出力する光信号(パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光)が正常変調状態となり、光モジュールは安定状態となる。
図10A及び図11Aは、当該実施形態に係るDQPSK用LN変調器2及びパルスカーバー用LN変調器6の出力を示す図である。図10B及び図11Bは、当該実施形態に係るパルスカーバー用LN変調器6の消光特性と、当該実施形態に係るパルスカーバー用駆動信号発生回路9が出力する駆動信号と、の関係を示す図である。
図10A及び図10Bは、当該光モジュールが安定状態にある場合を示している。ここで、当該光モジュールが安定状態にあるとき、以下の3つの条件をすべて満たしている。第1には、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2Bと、及び位相シフト部2Cそれぞれにおけるバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている。第2には、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10により、パルスカーバー用駆動信号発生回路9、I変調用駆動信号発生回路4A、及びQ変調用駆動信号発生回路4Bのタイミングが最適に制御されている。第3には、最適バイアス電圧を最も消光する動作電圧と最も発光する電圧との中間となる電圧に設定し、パルスカーバー用バイアス制御回路12により、パルスカーバー用変調器部6Aのバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するように制御されている。図10Aに、DQPSK用LN変調器2の出力が点線22として、パルスカーバー用LN変調器6の出力が実線23として、それぞれ示されている。図10Aに示す点線22は、図2に示す変調光信号と同じである。図10Bの上側に、図8に示すパルスカーバー用LN変調器6の消光特性(曲線21)が示してあり、図10Bの下側に、パルスカーバー用駆動信号が示されている。駆動信号は振幅Vπの正弦波信号であり、駆動信号に印加されるパルスカーバー用バイアス電圧VBが、動作電圧Vo+Vπ/2に安定化され(すなわち、最適バイアス電圧がVo+Vπ/2)ている。図10Bに示すパルスカーバー用駆動信号により、図10Aに示すパルスカーバー用LN変調器6の出力(実線23)は、DQPSK用LN変調器2の出力(点線22)と理想的に適合しており、パルスカーバー用LN変調器6は、DQPSK用LN変調器2が出力する光信号(第2の光)を波形調整して、第3の光として出力する。なお、光モジュールが出力する光信号(第3の光)は、点線22と実線23の論理積で示すことが出来る。
図11A及び図11Bは、当該光モジュールが出力する光信号(第3の光)の状態S3が、図9に示す状態42の始まりの状態を示している。すなわち、異常変調状態である。ここで、かかる状態は、以下の2つの条件を満たしている。第1には、光モジュールが安定状態にあるときと同様に、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2Bと、及び位相シフト部2Cそれぞれにおけるバイアス電圧が最適バイアス電圧に安定化するよう制御されている。第2には、光モジュールが安定状態にあるときとは異なり、パルスカーバー用バイアス電圧が最も消光する動作電圧となっている。図11Aに、DQPSK用LN変調器2の出力が点線22として、パルスカーバー用LN変調器6の出力が実線24として、それぞれ示されている。図11Bの上側に、図8に示すパルスカーバー用LN変調器6の消光特性(曲線21)が示されており、図11Bの下側に、パルスカーバー用駆動信号が生成する駆動信号が示されている。駆動信号は振幅Vπの正弦波信号であり、駆動信号に印加されるパルスカーバー用バイアス電圧VBが、最も消光する動作電圧Voとなっている。図11Bに示すパルスカーバー用駆動信号により、図11Aに示すパルスカーバー用LN変調器6の出力(実線24)となり、その結果、DQPSK用LN変調器2が出力する光信号(第2の光)が正常変調状態(点線22)であっても、点線22と実線24の論理積で示される光モジュールが出力する光信号(第3の光)は異常変調状態となってしまう。かかる状態から、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10が、パルスカーバー用駆動信号発生回路9、I変調用駆動信号発生回路4A、及びQ変調用駆動信号発生回路4Bのタイミングの制御を開始するとともに、パルスカーバー用バイアス電圧(第2のバイアス電圧)に対してABCを施して、図10Bに示す最適バイアス電圧Vo+Vπ/2に安定化するよう制御され、よって、パルスカーバー用LN変調器6の出力が、図10Aに示す実線23となる。
以上、当該実施形態に係る光モジュールの制御方法について説明した。図9に示す光モジュールの制御方法により光モジュールを駆動することにより、光送信部をある安定状態から不安定状態となり再び次の安定状態に遷移する期間において、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態である期間を短縮化することが出来ている。すなわち、パルスカーバー用駆動状態d2を無変調状態36とし、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を消光制御する状態38にすることにより、パルスカーバー用LN変調器6が出力する第3の光の光強度が所定値以下に低減することが出来ている。第3の光の光強度が所定値以下に低減されている場合において、第1のバイアス電圧それぞれに対してABCを施しており、DQPSK用LN変調器2が出力する第2の光は異常変調状態となっているが、第3の光の光強度が外部に対して影響を与えない程度に低減されているので、かかる期間は、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態である期間には該当しない。この期間は、当該光信号を受信する光モジュール(光受信部)が、オンオフ変調方式を採用する光システム同様に、光強度が閾値以下にあることにより受信を行わないとの制御をすることが出来る。よって、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態である期間は、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2が通常のABCする状態40が始まって(図11A参照)から、光モジュールが出力する光信号(第3の光)が正常変調状態になるまでの期間(状態42の始まりから一部の期間)に限定されており、光信号が異常変調状態である期間の短縮が実現される。
最適バイアス電圧は駆動環境により変動し得るが、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2が消光制御する状態38にあるときの最適バイアス電圧(Vo)と、Bias2が通常のABCする状態40にあるときの最適バイアス電圧(Vo+Vπ/2)との差分電圧(Vπ/2)は変動することなく一定である。よって、当該光モジュールが記憶部25を備え、当該差分電圧を差分電圧情報として事前より保持していてもよい。消光制御する状態38にあるときの最適バイアス電圧に、記憶部にて保持される差分電圧情報の電圧をさらに付加した電圧(初期電圧Viとする)は、通常制御する状態40にあるときの最適バイアス電圧に等しいか非常に近い値である。よって、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を通常制御(ABC)する状態40に変更する際に、第2のバイアス電圧を当該初期電圧Viに設定した後に、第2のバイアス電圧に対してABCを開始する。すなわち、パルスカーバー用バイアス制御回路12(第2の変調器自動バイアス制御手段)が第2のバイアス電圧に対してABCを開始するタイミングに先立って、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10は、前記第2のバイアス電圧を当該初期電圧Viに設定する(第2の変調器自動バイアス制御初期設定手段)。第2のバイアス電圧が当該初期電圧Viとなっている状態で、パルスカーバー用バイアス制御回路12が第2のバイアス電圧にABCを開始することにより、ABCを開始してから光モジュールが出力する光信号(第3の光)が正常変調状態になるまでの期間をさらなる短縮を実現することが出来る。
なお、図9には、光モジュールをある安定状態から異なる次の安定状態に遷移する場合を、電源起動時、すなわち、電源がオンされ、LD1が非発光状態31から発光状態32となり光モジュールが安定状態へ遷移する場合における光モジュールの制御方法が示されているが、この場合に限定されることがないのは言うまでもない。光源(LD1)の発振波長λを、波長λ1から波長λ2に変更するときなど、他の遷移についても適用することが出来、この場合は、図9にLDとして示す非発光状態31から発光状態32の遷移が、波長λ1の発光状態から波長λ2の発光状態への遷移に、置き換えられるが、それ以外の制御は同じである。
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態に係る光モジュールは、第1の実施形態に係る光モジュールと同様に、RZ−DQPSK変調方式を採用する光システムに備えられる光送信部である。当該実施形態に係る光モジュールは、光導波路26と、LD1とDQPSK用LN変調器2との間に配置される光分岐部13と、DQPSK用LN変調器2とパルスカーバー用LN変調器6との間に配置される光スイッチ14と、をさらに備えており、制御回路は、光スイッチ14を制御する光スイッチ制御回路27をさらに備える点で、第1の実施形態に係る光モジュールと異なっているが、それ以外については同じ構成をしている。光導波路26は、光分岐部13から分岐し光スイッチ14へ達するように延伸する。
本発明の第2の実施形態に係る光モジュールは、第1の実施形態に係る光モジュールと同様に、RZ−DQPSK変調方式を採用する光システムに備えられる光送信部である。当該実施形態に係る光モジュールは、光導波路26と、LD1とDQPSK用LN変調器2との間に配置される光分岐部13と、DQPSK用LN変調器2とパルスカーバー用LN変調器6との間に配置される光スイッチ14と、をさらに備えており、制御回路は、光スイッチ14を制御する光スイッチ制御回路27をさらに備える点で、第1の実施形態に係る光モジュールと異なっているが、それ以外については同じ構成をしている。光導波路26は、光分岐部13から分岐し光スイッチ14へ達するように延伸する。
図12は、当該実施形態に係る光モジュールのブロック図である。光分岐部13は、LD1が出力する第1の光を一方の光と他方の光に分岐し、一方の光をDQPSK用LN変調器2へ入力させるとともに、他方の光である第4の光を光導波路26へ入力させる。DQPSK用LN変調器2が出力する第2の光と、光導波路26より伝搬する第4の光とが、光スイッチ14へ入力する。光スイッチ14は第2の光又は第4の光のいずれかを選択して、選択される光をパルスカーバー用LN変調器6へ入力させる。
当該実施形態に係る光モジュールは、DQPSK用LN変調器2が出力する光信号(第2の光)が異常変調状態であるときに、光スイッチ14が第2の光を選択しないことにより、第2の光がパルスカーバー用LN変調器6へ入力しないことを主な特徴とする。
次に、当該実施形態に係る光モジュールの制御方法について説明する。ここで説明する制御方法は、光モジュールを電源起動し、オフ状態にあり光を発振していないLD1をオン状態とし、LD1が第1の光を出力する場合である。LD1をオンするタイミングに先立って、光スイッチ制御回路27は、光スイッチ14に、光導波路26を伝搬する第4の光を選択させる第4の光選択手段である。当該実施形態において、第3の光出力低減手段は、第4の光選択手段を含んでいる。そして、LD1がオンされ、LD1が第1の光を出力する(発光状態)。LD1より出力する第1の光は、光分岐部13で分岐される。分岐された光のうち、一方の光はDQPSK用LN変調器2へ入力するが、DQPSK用LN変調器2が出力する光信号(第2の光)は、光スイッチ14で選択されないので、光スイッチ14より出力しない。これに対して、他方の光(第4の光)は光導波路26を伝搬し、光スイッチ14で選択され、パルスカーバー用LN変調器6へ入力する。
LD1が安定的に発光状態となるタイミングに応じて、制御回路により、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1をABCする状態にする。すなわち、I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2Bと、及び位相シフト部2Cそれぞれのバイアス電圧(第1のバイアス電圧)に対してABCを施して、それぞれのバイアス電圧を最適バイアス電圧に安定化するよう制御する(第1の変調器自動バイアス制御手段)。これに並行して、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2をABCする状態にする(第2の変調器自動バイアス制御手段)。すなわち、パルスカーバー用バイアス制御回路12は、パルスカーバー用バイアス電圧(第2のバイアス電圧)に対してABCを施して、パルスカーバー用バイアス電圧を最適バイアス電圧に安定化するよう制御する。パルスカーバー用の最適バイアス電圧は、最も消光する動作電圧Voと最も発光する動作電圧Vo+Vπの中間となる電圧Vo+Vπ/2であり、最適バイアス電圧は、LD1が出力する連続光である第4の光に対しても、DQPSK用LN変調器2が出力する第2の光に対して、ほとんど相違はない。よって、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1及びパルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2がともに正常ABC状態となるタイミングに応じて(第1の変調器自動バイアス制御手段及び第2の変調器自動バイアス制御手段により第1のバイアス電圧及び第2のバイアス電圧が安定化された後)、光スイッチ制御回路27は、光スイッチ14に、選択する光を第4の光から第2の光に変更させる。すなわち、光スイッチ制御回路27は、光スイッチ14に第4の光を解除させ、第2の光を選択させる、第2の光選択手段である。よって、DQPSK用LN変調器2が出力する光信号(第2の光)がパルスカーバー用LN変調器6へ入力し、パルスカーバー用LN変調器6は第2の光を波形調整して、光信号(第3の光)を外部へ出力する。ここで、入力する光を第4の光から第2の光へ変更しても、パルスカーバー用の最適バイアス電圧は相違ない。よって、第2光選択手段により第2の光が選択され、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10が各タイミングを制御しつつ、第1のバイアス電圧及び第2のバイアス電圧それぞれに対してABCを施して安定化される状態となる。パルスカーバー用LN変調器6が出力する光信号(第3の光)は、制御回路によってABCされており、正常ABC状態で維持される。すなわち、光スイッチ14が選択する光が第4の光から第2の光に変更する瞬間、DQPSK用LN変調器2の出力もパルスカーバー用LN変調器6の出力も安定状態にあり、図10Aに示す点線22及び実線23と同じか非常に近い状態となっている。よって、光モジュールは十分に安定状態に達している場合は、光モジュールが出力する光信号が異常変調状態である期間は存在せず、また、光スイッチ14の切り替え後もABCを施す必要がある場合であっても、切り替えてから光モジュールが出力する光信号(第3の光)が正常変調状態になるまでの期間、すなわち、光信号が異常変調状態である期間を極めて短縮することが出来るという顕著な効果を奏している。なお、光スイッチ14の切り替えによるパルスカーバー用バイアス電圧の変動が問題となる場合は、図9の状態39と同様に、パルスカーバー用バイアス電圧を前値保持して固定し、光スイッチ14が安定的に第2の光を選択してから、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を通常のABCする状態とすればよい。
ここで、光スイッチ14が第4の光を選択している期間は、第2の光はパルスカーバー用LN変調器6に入力されておらず、パルスカーバー用LN変調器6が出力する光信号は、第2の光を波形調整して出力する第3の光ではない。かかる期間には、連続光である第4の光がパルスカーバー用LN変調器6へ入力しており、パルスカーバー用LN変調器6は第4の光を波形調整して光信号を出力している。かかる期間に、パルスカーバー用バイアス電圧に対してABCを施している。しかしながら、かかる期間に、パルスカーバー用LN変調器6が出力する光信号は、連続光である第4の光を波形調整したものであり、かかる光信号の位相には情報が付加されておらず、かかる光信号を外部へ出力し、受信部がかかる光信号を受信しても問題とならない。
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態に係る光モジュールは、第1の実施形態に係る光モジュールと同様に、RZ−DQPSK変調方式を採用する光システムに備えられる光送信部である。当該実施形態に係る光モジュールは、ダミーLD15と、光結合部16と、をさらに備えており、制御回路は、ダミーLD15を制御するダミーLD制御回路28をさらに備える点で、第1の実施形態に係る光モジュールと異なっているが、それ以外については同じ構成をしている。
本発明の第3の実施形態に係る光モジュールは、第1の実施形態に係る光モジュールと同様に、RZ−DQPSK変調方式を採用する光システムに備えられる光送信部である。当該実施形態に係る光モジュールは、ダミーLD15と、光結合部16と、をさらに備えており、制御回路は、ダミーLD15を制御するダミーLD制御回路28をさらに備える点で、第1の実施形態に係る光モジュールと異なっているが、それ以外については同じ構成をしている。
図13は、当該実施形態に係る光モジュールのブロック図である。ここで、LD1を第1の光源とし、LD1が出力する第1の光は、第1の波長を有する連続光であるとすると、ダミーLD15は第2の光源であり、ダミーLD15はダミー光を出力し、ダミー光は第1の波長とは異なる第2の波長を有する連続光である。LD制御回路5はLD1を制御し、ダミーLD制御回路28はダミーLD15を制御する。光結合部16は、LD1及びダミーLD15と、DQPSK用LN変調器2との間に配置され、光結合部16は、第1の光とダミー光を結合して、DQPSK用LN変調器2へ出力する。
当該実施形態に係る光モジュールは、不安定状態にある場合、例えば電源起動時に、LD1をオフ状態とし、ダミーLD15をオン状態とし、ダミーLD15が出力するダミー光を用いて、第1のバイアス電圧及び第2のバイアス電圧に対してABCを施して安定化させることを主な特徴としている。ABCを施して安定化させるまでの期間は、光モジュールが出力する光信号は異常変調状態となっているが、ダミー光が有する第2の波長は、第1の光が有する第1の波長と異なっており、外部への影響は抑制される。
図14は、当該実施形態に係る光システムのブロック図である。図には、当該実施形態に係る光モジュールが光送信部17として示されている。光システムは、光送信部17と光受信部18とを備え、ともにRZ−DQPSK変調方式に対応している。RZ−DQPSK変調方式は、長距離通信用の光システムで広く採用されており、図14に示す光システムは長距離通信用の光システムである。長距離通信に対応するために、当該光システムは、光送信部17と光受信部18との間に配置される複数の光アンプ19をさらに備える。光アンプ19は、光信号を光のまま光増幅を行うことが出来る。なお、波長フィルタ20がさらに光システムに備えられている。光送信部17と光受信部18は、光アンプ19及び波長フィルタ20を介して、光ファイバなどの伝送線で接続されている。光アンプ19の特徴は、光アンプ19が増幅することが出来る光信号の帯域は無限ではなく、有限の波長範囲となっていることである。光アンプ19が増幅する増幅帯域は、当該実施形態に係る光モジュール(光送信部17)が出力する光信号が有する第1の波長を含んでおり、当該光信号を増幅することが出来る。これに対して、ダミー光の第2の波長は、光アンプ19が増幅する増幅帯域に含まれておらず、増幅帯域外の波長であり、第2の波長を有する光信号は光アンプ19によって増幅されることはない。
図15は、光アンプ19の増幅帯域と、ダミーLD15が出力するダミー光の波長λDの波長関係を示す図である。図の横軸は波長λであり、縦軸は光アンプ19の利得Gを示している。図の右側に、光アンプ19の増幅帯域における利得Gが示されており、図の左側に、ダミーLD15が出力するダミー光の波長λD(第2の波長)が縦線で示されている。光送信部17が出力する光信号が波長λDを有する場合、光信号は光システムの通信線へ送出されるが、当該光信号の波長は光アンプ19の増幅帯域外であり、光アンプ19を通過後の光信号は非常に減衰している。よって、さらに次段(後段)に配置される光アンプ19や光受信部18へ当該光信号は到達しない。
次に、当該実施形態に係る光モジュール(光送信部17)の制御方法について説明する。ここで説明する制御方法は、光モジュールを電源起動する場合である。電源起動時に、LD制御回路15はLD1をオンせずにオフ状態で維持し、ダミーLD制御回路28はダミーLD15をオンして、ダミーLD15に第2の波長を有するダミー光を出力させる(ダミー光発振手段)。ダミー光は光結合部16を介して、DQPSK用LN変調器2へ入力する。このとき、ダミー光がDQPSK用LN変調器2及びパルスカーバー用LN変調器6を伝搬して外部へ出力される光信号は、異常変調状態となっている。ダミーLD15が安定的にダミー光を出力する状態となるタイミングに応じて、制御回路により、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1をABCする状態にする。すなわち、I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは、DQPSK用LN変調器2のI変調器部2A、Q変調器部2Bと、及び位相シフト部2Cそれぞれのバイアス電圧(第1のバイアス電圧)に対してABCを施して、それぞれのバイアス電圧を最適バイアス電圧に安定化するよう制御する(第1の変調器自動バイアス制御手段)。第1の変調器自動バイアス制御手段により第1のバイアス電圧が安定化される場合において、パルスカーバー用駆動信号位相制御部10が各タイミングを制御するとともに、制御回路により、パルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2をABCする状態にする。すなわち、パルスカーバー用バイアス制御回路12は、パルスカーバー用バイアス電圧(第2のバイアス電圧)に対してABCを施して、最適バイアス電圧に安定化するよう制御する(第2の変調器自動バイアス制御手段)。第2の変調器自動バイアス制御手段により第2のバイアス電圧が安定化される場合において、DQPSK用バイアス電圧制御Bias1及びパルスカーバー用バイアス電圧制御Bias2を、前値保持して固定する。すなわち、I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは第1のバイアス電圧を前値保持し、パルスカーバー用バイアス制御回路12は第2のバイアス電圧を前値保持し、それぞれ固定する(バイアス電圧保持手段)。
バイアス電圧保持手段により各バイアス電圧が保持される場合に、ダミーLD制御回路28はダミーLD15をオフ状態とするとともに、LD制御回路5はLD1をオンして第1の光を出力させる(第1の光発振手段)。I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは第1のバイアス電圧の固定を解除し、パルスカーバー用バイアス制御回路12は第2のバイアス電圧の固定を解除する。I変調用駆動信号発生回路4A、Q変調用駆動信号発生回路4B、及び位相シフト制御回路4Cは第1のバイアス電圧に対してABCを施し、パルスカーバー用バイアス制御回路12は第2のバイアス電圧に対してABCを施し、各バイアス電圧を安定化させる(通常自動バイアス制御手段)。ここで、保持される各バイアス電圧は、ダミーLD15が出力し第2の波長を有するダミー光に対する最適バイアス電圧であり、LD1が出力し第1の波長を有する第1の光に対する最適バイアス電圧とは異なっている。しかしながら、電源起動時にLD1をオンして、LD1が出力する第1の光に対してABCを施す場合、最適バイアス電圧がいかなる電圧か判別不能な状態からABCを開始しており、かかる場合と比較して、通常自動バイアス制御手段が各バイアス電圧の固定を解除してから各バイアス電圧が安定化されるまでの時間は格別に短縮されている。よって、ダミーLD15をオン状態としてABCを施している期間は、光モジュールが出力する光信号は異常変調状態となっているものの、外部への影響は抑制され、特に、光システムにおいて光アンプ19の出力側では光信号がカットオフされている。そして、ダミーLD15が出力するダミー光に対するABCを施し安定化された後に、光源の切り替えを行うことにより、切り替えに伴って生じる光モジュールが出力する光信号(第3の光)が異常変調状態である期間を大幅に短縮することが出来るという顕著な効果を奏している。
前述の通り、ダミー光が有する第2の波長は、第1の光が有する第1の波長と異なっており、ダミーLD15がオン状態にある場合の実施形態に係る光モジュールが出力する光信号は、第2の波長を有している。これに対して、当該実施形態に係る光モジュールは、第1の光が有する第1の波長に対応する光部品に接続されて用いられるので、光信号が第2の波長を有している場合は、かかる光信号が異常変調状態である場合に、外部に設けられる光部品に対する影響は、光信号が第1の波長を有している場合と比べて低減される。第2の波長は、第1の波長との差が5nm以上あれば、外部に設けられる光学部品に対する影響は低減される。第1の波長との差が10nm以上あればさらに望ましい。しかし、第1の波長との差があまりに大きくなると、第2の波長の光に対する正常変調状態と、第1の波長の光に対する正常変調状態とが、大きく異なってしまい、本発明の効果も低減されてしまう。それゆえ、例えば、第2の波長は、第1の波長との差が50nm以内であるのが望ましい。特に、第2の波長が、第1の波長が属する波長帯域外にある場合に、かかる波長帯域に対応する光部品(伝送線、受信用モジュール、光アンプなど)に与える影響はより抑制される。前述の通り、光アンプの増幅帯域外である場合に、より顕著な効果を有する。
以上、本発明の実施形態に係る光モジュールについて説明した。上記実施形態に係る第1の変調器及び第2の変調器に、LN変調器を用いている。LN変調器は前述の通りドリフト特性を有しており、ABCによってバイアス電圧を制御する必要があり、LN変調器は本発明に最適である。また、上記実施形態に係るRZ−DQPSK変調方式を採用する光モジュールを備える光システムでは、前述の通り、受信用光モジュールに、オンオフ変調方式のような光信号を直接検波する方式を採用することは出来ない。受信用光モジュールには、例えば、1タイムスロット前の光の位相と現在のタイムスロットの光の位相の状態を検波することが出来るDLI(Delayed Interferometer:遅延干渉計)が用いられる。DLIもまた、その波長依存性や温度依存性による動作点の相違を補正するためにDLI制御回路によって制御される。送信用光モジュールが不安定状態にあるときに、送信用モジュールが出力する光信号が異常変調状態である場合に、受信用光モジュールのDLI制御回路が起動し、正常制御の妨げとなる可能性がある。それゆえ、本発明は、位相変調方式を採用する光システムに備えられる送信用光モジュールに最適である。
また、上記実施形態においては、RZ−DQPSK変調方式を採用する光モジュールを例に説明しているが、これに限定されることはない。例えば、RZ−DPSK(Return-to-Zero Differential Phase Shift Keying)変調方式やDP−QPSK(Dual Polarization Differential Quadrature Phase Shift Keying)変調方式等の他の方式の光モジュールに適用してもよいし、LN変調器が3以上備える光モジュールであってもよい。
1 LD、2 DQPSK用LN変調器、2A I変調器部、2B Q変調器部、2C 位相シフト部、3 DQPSK用LN変調器光電変換素子、4A I変調用駆動信号発生回路、4B Q変調用駆動信号発生回路、4C 位相シフト制御回路、5 LD制御回路、6 パルスカーバー用LN変調器、6A パルスカーバー用変調器部、7 パルスカーバー用LN変調器光電変換素子、8 電流電圧変換回路、9 パルスカーバー用駆動信号発生回路、10 パルスカーバー用駆動信号位相制御部、11 パルスカーバー用復調回路、12 パルスカーバー用バイアス制御回路、13 光分岐部、14 光スイッチ、15 ダミーLD、16 光結合部、17 光送信部、18 光受信部、19 光受信部、20 波長フィルタ、25 記憶部、26 光導波路、27 光スイッチ制御回路、28 ダミーLD制御回路。
Claims (12)
- 所望の発振波長を有する連続光である第1の光を出力する光源と、
前記光源が出力する前記第1の光が入力され、前記第1の光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、
前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、
前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、
を備える、光モジュールであって、
前記制御回路は、
前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減する、第3の光出力低減手段と、
前記第3の光出力低減手段により前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合において、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御手段と、
を含む、ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールであって、
前記第3の光出力低減手段は、
前記周期的信号の出力振幅を所定値以下に低減する周期的信号低減手段と、
前記周期的信号低減手段により前記周期的信号の出力振幅が前記所定値以下である場合に、前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して、前記第3の光の光出力が最も消光する動作電圧近傍に前記第2のバイアス電圧を安定化させる、第2の変調器消光制御手段と、
を含む、ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項2に記載の光モジュールであって、
前記制御回路は、
前記第1の変調器自動バイアス制御手段により前記第1のバイアス電圧が安定化される場合に、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御手段を、
さらに含む、ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項3に記載の光モジュールであって、
前記第2の変調器消光制御手段により安定化される前記第2のバイアス電圧と、前記第2の変調器自動バイアス制御手段により安定化される前記第2のバイアス電圧と、の差分電圧情報を保持する、記憶部を、さらに備え、
前記制御回路は、
前記第2の変調器自動バイアス制御手段が自動バイアス制御を開始するタイミングに先立って、前記第3の光出力低減手段により安定化される前記第2のバイアス電圧に、前記差分電圧情報の電圧をさらに付加した電圧に、前記第2のバイアス電圧を設定する、第2の変調器自動バイアス制御初期設定手段、
を、さらに含む、ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項1に記載の光モジュールであって、
光導波路と、
前記光源と前記第1の変調器との間に配置され、前記光源が出力する第1の光を一方の光と他方の光に分岐し、前記一方の光を前記第1の変調器へ入力させるとともに、前記他方の光である第4の光を前記光導波路へ入力させる、光分岐部と、
前記第1の変調器と前記第2の変調器との間に配置され、前記第1の変調器が出力する前記第2の光又は前記光導波路より伝搬する前記第4の光のいずれかを選択して、前記第2の変調器へ入力させる、光スイッチと、
をさらに備え、
前記第3の光出力低減手段は、前記光スイッチに前記第4の光を選択させる第4の光選択手段を含み、
前記制御回路は、
前記第1の変調器自動バイアス制御手段の制御に並行して、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御手段と、
前記第1の変調器自動バイアス制御手段により前記第1のバイアス電圧が安定化され、かつ、前記第2の変調器自動バイアス制御手段により前記第2のバイアス電圧が安定化される場合において、前記光スイッチに前記第2の光を選択させる、第2の光選択手段と、
をさらに含む、ことを特徴とする、光モジュール。 - 第1の波長を有する連続光である第1の光を出力する第1の光源と、
前記第1の波長とは異なる第2の波長を有する連続光であるダミー光を出力する第2の光源と、
前記第1の光源が出力する前記第1の光と、前記第2の光源が出力する前記ダミー光と、を結合して出力する、光結合部と、
前記光結合部が出力する光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、
前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、
前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の光源の出力、前記第2の光源の出力、前記第1の変調器の変調、及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、
を備える光モジュールであって、
前記制御回路は、前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第1の光源をオフ状態とし、前記第2の光源をオン状態とし、前記第2の光源が出力するダミー光を用いて、前記第1のバイアス電圧及び前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施し安定化させる、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項6に記載の光モジュールであって、
前記第2の波長は、前記第1の波長を有する光信号を増幅するための光アンプが増幅する増幅帯域外の波長である、
ことを特徴とする、光モジュール。 - 請求項6に記載の光モジュールと、
前記光モジュールが出力する光信号を受信する受信用モジュールと、
前記光モジュールと、前記受信用モジュールとの間に配置され、前記光モジュールが出力する第3の光を増幅する光アンプと、
を備え、
前記光アンプの増幅帯域は、前記第1の波長を含み、前記第2の波長を含まない、
ことを特徴とする、光システム。 - 所望の発振波長を有する連続光である第1の光を出力する光源と、
前記光源が出力する前記第1の光が入力され、前記第1の光を変調して変調光信号である第2の光を出力する、位相変調方式の第1の変調器と、
前記第1の変調器が出力する前記第2の光が入力され、前記第2の光を周期的信号によって波形調整をして出力光信号である第3の光を出力するパルスカーバー用の第2の変調器と、
前記第1の変調器に印加する第1のバイアス電圧及び前記第2の変調器に印加する第2のバイアス電圧それぞれを自動バイアス制御するとともに、前記第1の変調器の変調及び前記第2の変調器の波形調整を制御する、制御回路と、
を備える、光モジュールの制御方法であって、
前記光モジュールが不安定状態にある場合に、前記第3の光の光出力を所定値以下に低減させる第3の光出力低減ステップと、
前記第3の光出力低減ステップにより前記第3の光の光出力が前記所定値以下となる場合に、前記第1のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して安定化させる、第1の変調器自動バイアス制御ステップと、
を含むことを特徴とする、光モジュールの制御方法。 - 請求項9に記載の光モジュールの制御方法であって、
前記第3の光出力低減ステップは、
前記周期的信号の出力振幅を所定値以下に低減する周期的信号低減ステップと、
前記周期的信号低減ステップにより前記周期的信号の出力振幅が前記所定値以下である場合に、前記第2のバイアス電圧に対して自動バイアス制御を施して、前記第3の光の光出力が最も消光する動作電圧近傍に前記第2のバイアス電圧を安定化させる、第2の変調器消光ステップと、
を含む、ことを特徴とする、光モジュールの制御方法。 - 請求項10に記載の光モジュールの制御方法であって、
前記第1の変調器自動バイアス制御ステップにより前記第1のバイアス電圧が安定化される場合に、前記第2のバイアス電圧に対して、自動バイアス制御を施して安定化させる、第2の変調器自動バイアス制御ステップと、
をさらに含む、ことを特徴とする、光モジュールの制御方法。 - 請求項11に記載の光モジュールの制御方法であって、
前記光モジュールは、前記第2の変調器消光制御ステップにより安定化される前記第2のバイアス電圧と、前記第2の変調器自動バイアス制御ステップにより安定化される前記第2のバイアス電圧と、の差分電圧情報を保持する、記憶部を、さらに備え、
前記第2の変調器自動バイアス制御ステップで自動バイアス制御を開始するタイミングに先立って、前記第3の光出力低減ステップにおいて安定化される前記第2のバイアス電圧に、前記差分電圧情報の電圧をさらに付加した電圧に、前記第2のバイアス電圧を設定する、第2の変調器自動バイアス制御初期設定手段を、
さらに含む、ことを特徴とする、光モジュールの制御方法。
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